TW200422359A - Coating composition, antireflective film, photoresist and pattern forming method using the same - Google Patents

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Nobuyuki Otozawa
Toyomichi Shimada
Takashige Maekawa
Naoko Sumi
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Asahi Glass Co Ltd
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Description

200422359 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關塗佈組成物。詳細說係有關形成防反射 膜之塗佈組成物。 【先前技術】 以光蝕法將光阻層形成圖型時，曝光時光阻層及基材 之界面及光阻層表面因反射光而干擾，圖型之尺寸精度下 降。爲減少此反射光之目的，目前爲止係檢討於光阻層表 面形成防反射膜之方法。防反射膜及形成其之塗佈組成物 ，一般以具有以下性能爲理想。 (1 )由防止反射相關之公知理論，防反射膜之折射 率爲光阻層折射率之平方根相時防反射效果最大。由於一 般之光阻層之折射率爲1.6〜1.8，防反射膜之折射率以1.4 以下爲理想。 (2 )由確保安全性及迴避環境污染，可了解淸淨室 不使用有機溶劑，塗佈組成物以水溶液爲理想。又，製品 爲提共實際使用，可維持數個以上之水溶液狀態，即具有 經時安定性爲理想。 但是，向來之塗佈組成物（例如，參閱日本特開平 1 1 - 1 2453 1號公報），溶劑係爲含甲醇之水時，使用於淸 淨室不見得爲充分滿足者。又，使用含羧基聚合物之向來 塗佈組成物時，由使用氨、氫氧化四甲基銨等銨鹽中和， 賦予聚合物水溶性。此等經中和之含羧基聚合物，雖在剛 -5 - (2) (2)200422359 製造後具有充分之水溶性，但經時後有凝集之情形，實用 化有困難。 【發明內容】 〔發明之揭示〕 本發明係提供形成具有比1 .4更小折射率之防反射膜 ，具水溶性及其經時安定性優之塗佈組成物爲目的。 本發明係爲解決上述之課題，具下述要旨。 (1 )含有具離子性官能基氟聚合物、酸及水溶性溶 劑爲特徵之塗佈組成物。 (2) 上述含氟聚合物爲含有下式1所示之聚合單元 之聚合物之如上述（1 )之塗佈組成物。 -CF2CF[0(CF2CF(CF3)〇)p(CF2)qZ]- 式 1 但是，式1所示P爲0〜5之整數，q爲1〜5之整數， Z 爲-COOH 或-S03H。 (3) 上述酸爲羧酸、磺酸、胺基酸或胺基磺酸之如 上述（1 )或（2 )之塗佈組成物。 (4) 上述含氟聚合物爲含-CF2CF2·之聚合單元之聚 合物之如上述（1 ) 、（ 2 )或（3 )之塗佈組成物。 (5 )上述水溶性溶劑爲水之如上述（1 )〜（4 )中任 一之塗佈組成物。 (6 )使用如上述（1 )〜（5 )中任一之塗佈組成物所 成之防反射膜。 (7 )具有如上述（6 )防反射膜之光阻層。 -6- (3) (3)200422359 (8 )使用如上述（7 )光阻膜由光蝕法之圖型形成方 法。 〔用以實施發明之最佳型態〕 本發明相關之含氟聚合物係具有離子性官能基者，該 離子性官能基可列舉如-0〇〇11、-8〇3、-〇?( = 〇)(〇11)2、-N(CH3)2、-N(C2H5)2、-N + (CH3)3C1-等。其中，以-COOH 、-S03、-〇p( = 〇)(〇H)2等之酸型官能基爲理想，特以-C Ο Ο Η、- S Ο 3 Η 爲理想。 本發明有關之含氟聚合物，以具有含離子性官能基之 聚合單元爲理想。該聚合單元以下式1或下式2所示聚合 單元理想，特別是以下式1所示聚合單元爲理想。 -CF2CF[0(CF2CF(CF3)0)p(CF2)qZ]- 式 1 •CF2CF[(CF2)uZ]_ 式 2 但是，式1所示p爲0〜5之整數，q爲1〜5之整數， u爲1〜10之整數，Z爲-COOH或-S03H。 形成該聚合單元之含氟聚合單體可列舉如 CF2 = CF[0(CF2CF(CF3)0)p(CF2)qZ]、CF2 = CF[(CF2)UZ]等， 相關之單體，以P爲〇〜3爲理想，q以1〜3爲理想，U以 1〜5爲理想。 本發明相關之含氟聚合物，亦可含有上述以外之含氟 單體之聚合單元。該含氟單體理想可列舉如下述單體。 CF2 = CF2 ' CF2 = CFCF3 ' C F 2 = C F C F 2 C F 3 ' CF2 = CF(CF2h、CF2 = CH2、CF3CH2 = CH(CF2)kCF3、 (4) 200422359 CH2 = CH[(CF2)kCF3]、CH2 = CH[CH2(CF2)kCF3]、 CH2 = CHCH2(CF2)kCF3、CF2 = CF[0(CF)kCF3]、 CF2 = CF[OCH2(CF)kCF3]等（但k所示爲1〜10之整數）。 以CF2 = CF2、CF2 = CFCF3爲特別理想。
有關本發明含氟聚合物之具體例以含 -[CF2CF(OCF2CF2CF2COOH)]-、 _[CF2CF(OCF2CF(CF3)OCF2CF2COOH)] -、 -[CF2CF(OCF2CF(CF3)OCF2CF2CF2COOH)]_、 -[CF2CF(0CF2CF(CF3)0CF2CF2S03H)]-、-CF2CF2-等之聚 合單元之含氟聚合物（X)爲理想。 本發明相關之含氟聚合物亦可含有主鏈具有醚性之氧 原子之聚合單元。此時，該聚合單元以下述聚合單元爲理 想。 -CF2CF(CF3)0-、-(CF2)tO-、-CF(CF3)CF20-等（但， t所示爲1〜3之整數）。
有關本發明上述含有主鏈具有醚性氧原子之聚合單元 之含氟聚合物，亦可使用具有離子性官能基之含氟聚酯之 市售聚合物。例如，可列舉 AUDIMOND製「PT-5 04 5」 [(H0)2P( = 0)0-CH2CH20CH2CF20(CF2CF20)h(CF20)mCF2 0CH2CH2-0P( = 0)(0H)2] ， DuPONT 公司製「Krytox 157FSL(分子量 25 00)」[F[CF(CF3)CF20]nCF(CF3)C00H] 等之含氟聚合物（Y )爲理想。 本發明相關之含氟聚合物之質量平均分子量，水溶性 優者以5萬以下爲理想。依有關塗佈組成物含氟聚合物之 -8 - (5) (5)200422359 濃度局時亦確保優水溶性之觀點，質量平均分子量以3萬 以下爲理想。又’由使用含有含氟聚合物塗佈組成物形成 膜時之優成膜性觀點，以質量平均分子量爲1千以上者爲 理想。 本發明有關之含氟聚合物之製造方法無特別限制，理 想可列舉如以下之方法（A )及方法（b )。 (A) 含有可變換爲離子性官能基之官能基之含氟單 體聚合後，可變換爲離子性官能基之官能基變換爲離子性 官能基之方法。 (B) 含氟合單體聚合後，該聚合物之一部份導入離 子性官能基之方法。 方法（A )之例，CF2 = CF[0(CF2CF(CF3)0)p(CF2)q COOCH3] (p、q 與上述同義）、或 CF2 = CF[(CF2)u cooch3] (U與上述同義）聚合後，-cooch3部份力〇水分 解之方法，CF2 = CF[0(CF2CF(CF3)0)p(CF2)qS02F] ( p、q 與上述同義）、或CF2 = CF[(CF2)uS02F] (ιι與上述同義） 聚合後，-S Ο 2 F部份加水分解之方法等爲理想。 聚合之方法無特別限制，以上述含氟單體加入聚合引 發劑加熱之聚合反應爲理想。聚合引發劑以過氧化物、偶 氮化合物等爲理想。理想過氧化物可列舉如過氧化縮酮類 、二醯基過氧化物類、過氧化碳酸酯類、過氧化酯類等。 理想偶氮化合物可列舉如偶氮腈類、偶氮胺類、環狀偶氮 胺類、偶氮脒類等。 過氧化縮酮類、如1，卜雙（t-過氧化丁基）-3,3,5-三甲 -9- (6) (6)200422359 基環己烷、1，1-雙（t-過氧化丁基）環己烷、n-丁基-4,4-雙 (t-過氧化丁基）戊酸酯、2,2-雙（t-過氧化丁基）丁烷、1，1-雙（卜過氧化己基）-3,3,5-三甲基環己烷、1，1-雙（t-過氧化 己基）環己烷、1，1-雙（t-過氧化己基）環十二碳烷、2,2-雙 (4,4-二-t過氧化丁基環己基）丙烷等。 二醯基過氧化物類、如P- 丁醯過氧化物、異丁醯基 過氧化物、月桂醯基過氧化物、3,5,5_三甲基己醯基過氧 化物、丁二酸過氧化物、苯醯過氧化物、辛醯過氧化物、 硬脂酸醯氧化物等。 過氧化碳酸酯類、如過氧化二異丙基碳酸酯、過氧化 二-卜2-乙基己基碳酸酯、過氧化二-η-丙基二碳酸酯、過 氧化二-2-2乙氧基乙基碳酸酯、過氧化二-3-甲氧基丁基 碳酸酯、過氧化雙-(4-t-丁基環己基）碳酸酯等。 過氧化酯類，如1，1，3,3-四甲基丁基過氧化新癸酸酯 、t-己基過氧化癸酸酯、t-丁基過氧化新癸酸酯、t-己基 過氧特戊酸酯、卜丁基過氧特戊酸酯、1，1，3,3-四甲基丁基 過氧化-2-乙基己酸酯、t-己基過氧化-2-乙基己酸酯、t-丁 基過氧化-2-乙基己酸酯、t-己基過氧化異丁酸酯、t-己基 過氧化月桂酸酯、卜己基過氧化3,5,5·三甲基己酸酯、t-己基過氧化異丙基單碳酸酯、t-丁基過氧化異丙基單碳酸 酯、2,5-二甲基-2,5-雙（過氧化苯醯）己烷、卜己基過氧化 醋酸酯、雙-t-丁基過氧化異苯二酸酯等。 理想的其他過氧化物可列舉如過硫酸銨、過硫酸鉀等 -10- (7) (7)200422359 偶氮腈類，如2,2’-偶氮雙（4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈） 、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）、2,2’-偶氮雙（2-甲基丙腈 )、2,2’-偶氮雙（2-甲基丁腈）、1，1’_偶氮雙（環己烷-^羧腈 )、1·[1-氰基-1-甲乙基]偶氮]甲胺（2-(羧醯偶氮）異丁腈）等 〇 偶氮胺類，如2,2’-偶氮雙{2-甲基-N-[l，l-雙（羥甲基 )一 2-羥乙基]丙胺}、2,2’-偶氮雙{2 -甲基-N-[2-(l羥丁基）] 丙胺、2,2Μ禹氮雙[2-甲基-Ν-(2-羥乙基）-丙胺]、2,2，-偶 氮雙[Ν-(2-丙烯基）-2-甲基丙胺]等。 環狀偶氮胺類，如2，2 ’ -偶氮雙[2 - (2 -咪唑啉-2 -醯）丙 烷]等。偶氮脒類，如2,2’-偶氮雙（2-甲基丙脒）、2,2’-偶 氮雙[N_(-羥乙基）-2-甲基-丙脒]等。 其他理想的偶氮化合物可列舉如二甲基2，2 ’ _偶氮雙 (2-甲基丙酸酯）、4,4’-偶氮雙（4-氰基戊酸酯）等。 聚合引發劑之使用量，相對聚合性單體合計之莫耳數 ，以0.01〜10莫耳％爲理想。 又，有關聚合反應亦可使用連鎖移動劑。理想之連鎖 移動劑可列舉如甲醇、乙醇、丁烷、η-己烷、環己烷等。 聚合反應使用之連鎖移動劑之使用量，相對於含氟單體合 計之莫耳數以0.0 1〜1 0莫耳％爲理想。 相關之聚合反應使用溶劑亦可，不使用溶劑亦可。使 用時’含氟單體溶解於溶劑或分散之狀態進行聚合反應爲 理想。溶劑理想爲使用水、含氟溶劑等。 理想含氟溶劑列舉如3,3-二氯-1，1，1，2,2_五氟丙烷、 -11 - (8) (8)200422359 1，3-二氯-1，1，2,2,3-五氟丙烷、l，l，l，2,2,3,3,4,4,5,5,6,6- 十 三氟己 院等。 由方法（A )所得之含氟聚合物列舉如上述含氟聚合 物（X )。 有關製造本發明含氟聚合物之方法（B )之例，如 CF3CF = CF2或CF2 = CF2以紫外線照射由氧氣氧化聚合後， 所得之聚醚之末端基變換爲- COOH或- S03H等之方法，六 氟丙烷過氧化物以氟化物離子聚合後，末端基變換爲-C Ο Ο Η之方法等爲理想。由該方法（b )所得之含氟聚合 物之具體例列舉如上述含氟聚合物（Υ )。 本發明相關之酸，無特別限制，理想可列舉如羧酸、 磺酸、膦酸、胺基酸、胺基磺酸等。 羧酸如甲酸、醋酸、丙酸、丁酸、異丁酸、甲氧基醋 酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、乳酸、蘋果酸、己二酸、檸 檬酸等。磺酸如甲烷磺酸、月桂基苯磺酸等。膦酸如苯基 膦酸等。 胺基酸如丙胺酸、纈氨酸、白氨酸、異白氨酸、脯氨 酸、蛋氣酸、甘氨酸、絲氨酸、天冬醯胺、谷氨醯胺、精 胺酸、蘇氨酸、半光氨酸、三甲基甘氨酸、天冬氨酸、谷 氨酸、組氨酸、Ν，Ν-雙（2-羥乙基）甘氨酸、Ν-[三（羥甲基） 甲基]甘氨酸、甜菜鹼等。 胺基磺酸如胺基磺酸、Ν-(2-乙胺）-2-氨基乙烷磺酸、 N，N-雙（2-經乙基）-2-基乙烷磺酸、N-環己基-3-氨基丙烷 磺酸、N-環己基-2-羥基-3-氨基丙烷磺酸、N-環己基-2-氨 -12- (9) (9)200422359 基乙k磺酸、3-[N，N-雙（2-羥乙基）胺基卜2-羥基丙烷磺酸 、3 - [ 4 - (2 -經乙基）-1 -喊曉基]丙院磺酸、2 - [ 4 - (2 -經乙基）_ 卜哌嗪基]乙烷磺酸、2 _羥基-3 - [ 4 - (2 -羥乙基）-1 _哌嗪基]丙 烷磺酸、2 -嗎啉代乙烷磺酸、3 -嗎啉代丙烷磺酸、2 _羥基_ 3-嗎啉代丙烷磺酸、哌嗪基- i，4-雙（2-乙烷磺酸）、N —三（羥 甲基）甲基-3-氨基丙烷磺酸、2 -羥基-N-三（羥甲基）甲基_3_ 氨基丙烷磺酸、N -三（羥甲基）甲基-2 -氨基乙烷磺酸等。 其他理想之酸爲硫酸、磷酸等。 本發明之塗佈組成物含水性溶劑。本發明相關之含氟 聚合物、水溶性優，由於對水之親和性優，水溶性溶劑以 水爲理想。但是，水溶性溶劑除水以外亦可含有機溶劑。 有機溶劑以甲醇、乙醇、異丙醇、2-丁醇、己二醇等之醇 類爲理想。 有關本發明塗佈組成物，含氟聚合物之含量，於含氟 聚合物溶解之範圍內無特別的限制，依塗佈時能形成所期 望厚度之防反射膜設定即可。含氟聚合物之含量依塗佈組 成物以0.1〜10質量％爲理想，更以1〜5質量％爲理想。 又，塗佈組成物相關之酸含量，於含氟聚合物溶解之 範圍內無特別的限制，但是，依使用塗佈組成物所形成折 射率小膜之的觀點，酸含量以低於含氟聚合物之含量爲理 想。酸含量相對於聚合物以20質量％以下爲理想’ 1 〇質 量％以下更理想。有關本發明酸含量少亦可賦予塗佈組成 物水溶性。又，有關塗佈組成物水性溶劑之含量、含氟聚 合物及酸爲水溶液狀態者無特別限制。水性溶劑之含量’ -13- (10) (10)200422359 以相關塗佈組成物之90〜99.9質量％爲理想，95〜99質量％ 爲更理想。 本發明之塗佈組成物，依用途亦可含各種機能性添加 劑。特別是使用於半導體光阻層之表面有關之防反射目的 時，爲提高造膜性之目的亦可含本發明相關之含氟聚合物 以外之水溶性聚合物類，爲提高光阻層之濕潤性及水平性 目的亦可含界面活性劑，爲緩和與光阻層之相互混合目的 亦可含鹼。 上述理想水溶性聚合物可列舉如聚乙烯吡咯烷酮、聚 丙烯酸、聚乙烯醇等。理想之界面活性劑可列舉如具聚氟 烷基及聚烴基乙烯基之化合物（3M公司製FURORATE「 FC-43 0」、「FC-443 0」、乙醯甘醇及其聚環氧乙烷加成 化合物（AIR-PRODUCTS 公司製，「SURFINOL 104」、 「SURFINOL 420」、含羥基不含聚環氧乙烷化合物（聚 甘油脂肪酸酯等）等。鹼以氫氣化四甲基錢、三甲基-2-羥乙基氫氧化銨等爲理想。 本發明之塗佈組成物之用途以光阻層防反射膜爲理想 。又，使用光阻層光蝕法形成圖型，以使用光阻層之表面 具有使用本發明塗佈組成物所形成之防反射膜之光阻層爲 理想。 使用本發明塗佈組成物形成防反射膜之方法，由塗膜 之均勻性、簡便性優的觀點，以使用旋轉塗佈法之塗工爲 理想。又，塗工後除去水性溶劑之目的，以利用熱板、烘 箱等進行乾燥爲理想。使用熱板時之乾燥條件以70〜100 -14- (11) (11)200422359 °c、3 0〜1 80秒爲理想。 防反射膜之厚度，依公知的防反射理論設定即可，以 「（曝光波長）/ (4χ防反射膜之折射率）」之奇數倍 ，由於防反射性能優爲理想。 使用本發明之塗佈組成物形成光阻層之防反射膜時， 對象之光阻層無限制，可適用於g線用、i線用、KrF、 ArF等激元雷射用之各光阻層。 本發明之塗佈組成物，極重要爲含酸。本發明之塗佈 組成物由於含少量之酸，可提高含氟聚合物之水溶性，提 高其經時安定性。 【實施方式】 以下列舉合成例（例1〜4 )、實施例（5〜8 )、比較 例（例9 )具體說明本發明，本發明不限定於此。又，有 關實施例使用以下方法進行評價。 〔評價1 :膜之折射率及厚度之評價〕 使用評價用之塗佈組成物，以旋轉塗佈法於矽晶片之 表面形成防反射膜，使用偏振光橢圓計測定該防反射膜之 折射率及厚度。 〔評價2 :光阻層顯影時相關膜之去除特性評價〕 矽晶片於六甲基矽氨烷環境中放置5分鐘處理矽晶片 之表面，其表面使用光阻劑「THMR-iP 1 700 (日本東京應 -15- (12) (12)200422359 化公司製）以旋轉方法塗佈，於熱板上以9 0 °C乾燥9 0秒 形成膜厚l//m之光阻層。 其次該光阻層之表面以評價用塗佈組成物以旋轉塗佈 法塗佈，於熱板上以90 °C乾燥60秒形成防反射膜。此時 之旋轉塗佈條件與上述評價1條件相同。 所得之防反射膜之表面，介以試驗用圖型使用i線曝 光後進行焙燒（P 〇 s t E X ρ 〇 s u r e B a k e )，再使用顯影液（ 2.38質量％之氫氧化四甲基銨水溶液）進行65秒攪拌顯 影後，以超純水進行洗淨，得到形成光阻層圖型之樣本。 所得之樣品以顯微鏡進行觀察，評價顯影時之反射膜是否 充分去除。 〔例1〕 1 .3 L附攪拌機之反應釜之系內空氣以氮氣取代後， 投入 1.18kg CF2 = CFOCF2CF2CF2COOCH3 (以下以 CVE 表 示之）及5.30g過氧化二異丙基二碳酸酯，由氮氣將內壓 調爲O.IMPa。將反應釜加熱至內溫爲40°C，於40°C攪拌 12小時進行聚合反應。攪拌終了後，餾去未反應之CVE ，得到470g含CVE氟聚合物。依GPC法測定該含氟聚 合物之質量平均分子量爲5 ><1〇3° 所得之含氟聚合物加水昇溫至90 °C，於90 °C攪拌5 小時進行CVE來源之甲基酯基之加水分解°其次加入10g 醋酸昇溫至9 0 °C，攪拌1小時’加水得到不揮發分濃度 爲3 0質量％之水溶液。 -16- (13) (13)200422359 〔例2〕 1 ·3 L附攪拌機之反應釜之系內空氣以氮氣取代後， 投入640g CVE，34 g四氟乙烯，2.4g己烷，2.0g過氧化 二異丙基二碳酸酯，3 00g五氟二氯丙烷（以下以HCFC稱 之），昇溫至65 t逐次添加22g TFE進行聚合反應。攪拌 8小時觀察壓力不下降情形，冷卻至室溫排出TFE。餾去 未反應之CVE及HCFC，得到102g含CVE/TFE氟聚合物 。CVE/TFE 之比爲 2.6。 所得之含氟聚合物，以甲烷珙酸取代醋酸以外，與例 1同樣得到不揮發分濃度爲3 0質量％之水溶液。 〔例3〕 例1所得之水溶液添加30g 25質量％之氫氧化 四甲基銨，以水稀釋，調製不揮發分濃度爲3質量％，pH 爲2 · 0之水溶液。 〔例4〕 例1所得之水溶液’以純水調製爲不揮發分濃度爲3 質量％後，以可去除〇·1 # m粒子之聚四氟乙烯（PTFE ) 濾網進行過濾，得到評價用塗佈組成物。使用所得之組成 物，實施上述評價1及評價2。其結果折射率爲1.3 6 ’膜 厚爲6 0 n m，防反射膜於顯影時可兀全去除。此組成物貝丁 藏1年後確認無凝集’具良好之經時安定性。 -17- (14) (14)200422359 〔例5〕 例3所得之水溶液，實施與例4作同樣之評價。其結 果，折射率爲1 .4，膜厚爲6 3 nm，防反射膜於顯影時可完 全去除。又此組成物貯藏1年後確認無凝集，具良好之經 時安定性。 〔例6〕 例1所得之含氟聚合物加水昇溫至9(TC後，於90 °C 攬拌5小時，進行CVE來源之甲基酯基之加水分解。其 次加水至不揮發分濃度爲30%，昇溫至9(TC攪拌1小時 ，不能生成水溶液，水與含氟聚合物呈分離狀態。 〔例7〕 例1所得含氟聚合物30g添加60g水昇溫至9(TC後 ，於90 °C攪拌5小時，進行CVE來源之甲基酯基之加水 分解。其次加水至不揮發分濃度爲30%，昇溫至9(rc攪 0 拌1小時，其後添加3 0 g 2 5質量％之氫氧化四甲基銨，以 水稀釋，調製不揮發分濃度爲3質量％，pH爲2.0之水溶 液。此組成物貯藏1年後確認有凝集，判明實用上有問題 〔產業上之利用領域〕 本發明之塗佈組成物，可形成折射率小於1.4之防反 射膜。該組成物爲水性，及由於其經時安定性優，即使不 -18- (15)200422359 使用有機溶劑，亦可形成防反射膜，適用於淸淨室之作業 。又，使用該組成物所形成之防反射膜，可於顯影時完全 去除，光微影法步驟之操作性優。
-19-

Claims (1)

  1. 200422359 Π) 拾、申請專利範圍 1 · 一種塗佈組成物，其特徵爲含有具離子性官能基含 氟聚合物、酸及水溶性溶劑者。 2.如申請專利範圍第1項之塗佈組成物，其中上述含 氣:^ 口物爲Q有下式（1)所示之聚合單元之聚合物； -CF2CF[0(CF2CF(CF3)0)p(CF2)qZ]- 式 1
    但是’式1所示p爲〇〜5之整數，q爲1〜5之整數， Z 爲-COOH 或-S03H。 3 ·如申請專利範圍第1或第2項之塗佈組成物，其中 上述酸爲羧酸、磺酸、膦酸、胺基酸或胺基磺酸者。 4 ·如申請專利範圍第1、2或第3項之塗佈組成物， 其中上述含氟聚合物爲含- CF2CF2-之聚合單元之聚合物者 5 .如申請專利範圍第1、2、3或第4項之塗佈組成物 ，其中上述水溶劑爲水者。 6. —種防反射膜，其特徵爲使用如申請專利範圍第 1〜5項中之任一項塗佈組成物所形成者。 7. —種光阻層，其特徵爲具有如申請專利範圍第6項 之防反射膜者。 8 . —種形成方法，其特徵爲使用如申請專利範圍第7 項之光阻層之由光微影法形成圖型者。 -20- 200422359 柒、（一） (二） 、本案指定代表圖為：無 、本代表圖之元件代表符號簡單說明：無
    捌、本案若 式：無 有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學
    -4-
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