TW200415718A - Manufacturing method for semiconductor device - Google Patents
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Description
200415718 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置之製造方法,更詳言之,係關 於可在不使藉半導體晶圓之背面研削而薄型化之半導體晶 片受到損傷、破損而加以拾取及安裝之半導體裝置之製造 方法。 【先前技術】 近年來,在電子機器之小型化•薄型化之要求下,其構 成^件之半導體晶片厚度之薄化已成為今後產品開發之必 須條件。半導體晶片厚度之薄化,以往一向利用形成元件 之半導體晶圓之背面研削(back grind)工序予以實現。 圖4A〜圖4G係表示說明由薄型半導體晶片之製造至安裝 之各種工序之第丨以往例。本以往例屬於最具一般性之製 程,主要適合於厚度之薄化之目標值在晶圓厚以上 之情形使用。 斗在形成元件之半導體晶圓1G之表面(元件形成面)貼附海 孝性之保護帶8 (圖4A),然後用研削裝置㈣削半導體晶厦 之背面(圖4B)。而,用剥離帶2等由半導體晶圓⑺之表运 剝離保護帶8後(圖4C),經由切割帶9,將半導體晶圓呢 ,於環形框3(圖叫’利用切劃錄4,將半導體晶_切判 2別獨三的晶片(圖4E),切割工序後,半導體晶片⑴皮 二十5頂起’同時被吸具6吸住(圖4F),利用安裝器η安裝 在例如導線架7上(圖4G)。 在此方法中 由背面研削工序至切割工 序之間之操作 85733 200415718 時,有發生半導體晶圓10之破裂或缺損之虞,故不能適用 於晶圓厚1 5 0 // m以下之情形。 另一方面,欲將晶圓厚度薄化至15〇//111以下時,以下利 第2及第3以往例所示之製程較為有效。 第2以往例如圖5A〜5G所示,係由半導體晶圓川表面之半 切割工序(圖5A)、對半導體晶圓2〇表面之保護帶8貼附工序 (圖5B)、半導體晶圓20背面之研削工序(圖5C)、晶圓安装工 序(圖5D)、保護帶8之剥離工序(圖5E)、半導體晶片21之拾 取工序(圖5F)、晶片安裝工序(圖5G)所構成。 又,在圖中,對於與第丨以往例共通之部分附以同一之符 號。 、 本方法係在最初之半切割工序中,形成相當於目的之晶 圓厚义深度之溝,其後施行背面研削直到到達該溝為止, 藉以將半導體晶S12G分劉成各個獨立之半導體晶片21。因 此’與第1以往例相比,可避上述操作時發生半導體晶圓2〇 之破裂等,故可達成15〇 以下之厚度薄化。 又,此第2以往例之半導體晶片之厚度薄化製程例如曾揭 示於日本特開2002-1 6021號公報。 其次,第3以往例如圖6A〜6G所示,係由對半導體晶圓3〇 表面之保護帶8貼附工序(圖6A)、半導體晶圓3〇背面之研削 工序(圖6B)、晶圓安裝工序(圖6〇、保護帶8之剝離工序⑽ 6D)、切割工序(圖6E)、半導體晶片31之拾取工序(圖砧)、 晶片安裝工序(圖6G)所構成。 又,在圖中,對於與第1以往例共通之部分附以同一之符 85733 200415718 號。 、^本方&中’利用將貼附在半導體晶圓%表面之保護帶8 <列離工序設在晶圓安裝工序後切割工序前,藉以利用保 護帶8來防止由晶圓安裝工序至切割工序之輸送途中之半 導體晶圓30之破裂或缺損,故可實現15()_以下之晶片厚 度。 子 又,此第3以往例半導體晶片之厚度薄化製程曾揭示於日 本特許第2877997號公報。 又,在第2、第3以往例中,半導體晶片2丨、3丨之拾取工 序係採用所謂免頂針方式執行。此係在切割帶9使用紫外線 硬化型樹脂,利用對切割帶9照射紫外線,以降低黏著力之 狀態下,執行半導體晶片21'31之拾取方式,比第丨以往例 使用 < 頂針方式之時取法更可抑制半導體晶片2丨、3丨之破 裂或缺損。 如上所述,採用第2及第3以往例時,可適當地執行厚度 薄化至150 am以下之半導體晶片之拾取工序及安裝工序。 但’當晶片厚度薄化至50 vm以下之超薄型時,由於半導 體晶片之抗折性極端地低,即使利用頂針方式之拾取方 式’在拾取時,有時也可能遭遇到半導體晶片破裂之問題。 又,假使能成功地予以拾取,在安裝時,也有可能發生 半導體晶片不慎破裂之問題。 近年來,一般對半導體晶片之薄型化或厚度薄化有極高 之要求,在目前的現狀下,雖然能夠製造希望厚度之半導 體晶片,但可適當地執行半導體晶片之操作之技術則迄未 85733 200415718 確立。 本發明係為解決上述問題所研發而成,其課題在於提供 可恰當地拾取50 以下之超薄型半導體晶片,並予以安裝 之半導體裝置之製造方法。 【發明内容】 在解決以上之課題之際所使用之本發明之半導體裝置之 製造方法係包含保護帶貼附工序,其係在半導體晶圓表面 貼附背面研削用之保護帶者;背面研削工序,其係研削半 導體晶圓之背面,使其厚度薄化者;切割工序,其係在厚 度薄化後之半導體晶圓背面貼附切劃用黏著帶,與保^ 共同將半導體晶圓分割成個別之晶片者;晶片安裝工序, ::係‘取曰曰片’並將其移載至晶片搭載部纟;及保護帶分 離工序,其係由晶片表面分離保護帶者。 、在本發明中’晶圓背面研削後之切割、拾取、晶片安裝 之各工序並非以晶片單獨埶, ' 執仃而係以貼附著保護帶之狀 悲執仃,故可提高晶片抗 取並安裝50_下、, 在不s破損之情況下,拾 裝〇#m以下 < 超薄型半導體晶片。 較合適之情形為:保護帶使用 利用照射紫外線,以降低黏菩…更化^材枓’ 牛低黏f力而分離保護帶。 又’作為保護帶,使用基 更用录具*外線硬化性與鼽收缩性材 枓時,不僅保護帶容易分 、,、、、收’〖生材 時執行保護帶之分離除去。 〃片女裝工序同 【實施方式】 以下,參照圖式,蜻日日士令 口月本發明之實施形態。 85733 200415718 圖1A〜圖3係表示本發明之實施形態。 圖1A〜圖1H係以模式說明本實施形態之各工序之立體 圖,圖2係晶片安裝工序之說明圖’圖3係本實施形態之$ 造工序之流程圖。 圖1A係表示在半導體晶圓4〇之表面4〇a貼附背面研削用 之保護帶42之保護帶貼附工序(步驟8丨)。 對晶圓表面40a之保護帶42之貼附係適用以往一般之疊 層裝置43。 保護帶42之厚度可適當地加以選定,依據晶圓表面4(^之 平面狀態加以選擇。即,晶圓表面4〇a之各元件形成有凸塊 等金屬哭起物時,需要有可吸收該金屬突起物之程度之厚 度。 在本貫施形態中,保護帶42之厚度約2〇〇 #m。 保護帶42係由紫外線硬化性及熱收縮性之黏著帶所構 成。尤其在本實施形態中,係使用林帝克株式會社製之切 割帶(N系列),作為保護帶42。 其次,如圖1B所示,施行使用背面研削裝置料之半導體 晶圓40之背面4〇b研削工序(步驟S2)。 研削量依照晶圓厚度加以決定。在本實施形態中,係利 用此背面研削工序,厚度薄化成20 //m程度之晶圓厚度。 圖1 C係表示晶圓背面之後處理工序。執行此後處理工序 之目的係為了除去背面研削工序後之晶圓背面4〇b之殘留 應力’依照需要實施利用研磨裝置45之機械研磨或濕式蝕 刻。後者之情形’保護帶42可具有作為覆蓋晶圓表面4〇a之 85733 200415718 掩膜之機能。 其次,如圖ID所示,施行介著切割用黏著帶(切割帶)47, 將厚度薄化後之半導體晶圓40安裝於環形框48之工序(步 驟 S3)。 切割帶47可使用其後容易施行晶片之拾取之紫外線硬化 性材料。 依據本實施形態,由於半導體晶圓40之表面40a貼附有保 護帶42,可提高抗折性,故可防止操作中發生半導體晶圓 40之破裂等。 圖1E係表示切割工序(步驟S4)。 在此切割工序中,半導體晶圓40與貼附在其表面40a之保 護帶42共同地被分割成個別之晶片。 附保護帶42之半導體晶圓40之切割採用一般之單切割法 時,有時可能發生刀片49之阻塞而影響切割之品質。此晚_, 可適用最初僅切割保護帶42,然後更換刀片49而切割半導 體晶圓40之分段切割法。 其次,如圖1F所示,對貼附在切割後之半導體晶圓40之 表面40a之保護帶42與貼附在半導體晶圓40之背面40b之切 割帶47,分別利用紫外線照射裝置50A、50B執行照射紫外 線之工序(步驟S5)。 保護帶42及切割帶47分別由紫外線硬化性膠帶材料所構 成,故可利用紫外線照射使其硬化,分別降低對半導體晶 圓40之黏著力。 在本實施形態中,對保護帶42之紫外線照射工序及切割 85733 -10- 200415718 帶47之紫外線照射工 又,對侫雀飛 木门時進行’以降低製程成本。 士保&T42及切割帶47之 定於採同時進行方式。 ’、外、.泉…、射工序並不限 接著’如圖1 G所示,施荇曰μ J,、 Α太杂、Α 仃叩片41炙拾取工序(步驟S6)。 在本⑤弛形態中,拾取時曰 s 叩 與切割帶47間之分離採 用以任疋免頂針方式。 在前面之紫外線照射工序中 宁更化爻切割职47與晶片μ之 背面間 < 黏著力雖降低,伸 仁由於有面彼此之密接作用,故 兩者《―體關係依然持續著。因此,在切刻帶47之正下方 配置分離裝置52,用於驅動可沿著預備拾取之晶片下面水 平移動《滑座52a ’以施行晶片41與切刻帶47間之分離。 但:在晶片厚5〇#喊下之超薄型晶片單獨分離時,在驅 動滑座52a多半會發生晶片破裂或缺損。 因此,在本實施形態,利用在半導體晶圓40之表面術站 附之狀態施行切割,故在分離後之各個晶片41之表面仍然 殘留著保護帶42。 因此,此保護帶42具有補強晶片41之功能,可執行提高 晶片抗折性之作用。故可防止驅動滑座52a時發生晶片41之 破裂。 又,依據本貫施形態,因晶片41之表面貼附著保護帶42, 不僅可防止吸具51之吸著作用造成晶片々I之破裂,且可避 免因與吸具5 1之直接接觸而發生晶片41之表面污染或損 傷。 接著,如圖1Η所示,執行將拾取之半導體晶片4丨移載至 85733 -11 - 200415718 例如導線架54之晶片搭載部之晶片安裝工序(步驟s7)。 又,「晶片搭載部」不僅限於與導線架5 4有關之τ晶片料載 部,也相當於印刷電路基板上之晶片搭載部及封裝容器内 之晶片搭載部等。 對導線架54之晶片41之安裝係使用以往公知之安裝器 53。安裝益53係吸住晶片41表面,將其輸送至導線架μ上 之晶片搭載部,經由接著劑或接著片加以安裝。此時晶片 41因受保護帶42所補強,故可防止安裝時之壓力導致=片 41之破裂。 其次,執行由安裝後之晶片41背面分離除去料帶42之 工序(步驟S8)。 圖2係說明晶片安裝工序用之晶片搭載部之側剖面圖。晶 片41係被接著材料55接合於導線架54。接著材料Η係利用 來自接觸於導線架54下面之加熱器56之加熱作用而硬化之 型式之接著劑所構成。 如上所述,保護帶42係由紫外線硬化性及熱收縮性之帶 材料所構成,在前面之紫外線照射工序中,黏著力雖降低, 但與晶片41表面間之密接作用依然殘留著。 因此在本貫施形態中,在晶片安裝之際,可利用使接 著劑55硬化用之加熱器56,使保護帶42熱收縮。 藉此,可容易將保護帶42由晶片41表面分離除去。 因此,依據本實施形態,可有效防止拾取時之晶片破裂 及安裝時之晶片破裂,故可適切地製造成50 // m以下之超薄 型《半導體晶片,並製造對機器之小型化•薄型化有貢獻 85733 -12- 200415718 之半導體裝置。 、尤其,依據本實施形態’可在同一工序執行晶片安裝工 序與保護帶分離工序,故可謀求製程成本之降低,μ需 使用除去保護帶42用之附加的工具,即可實施本發明Γ 以上,已就本發明之實施形態予以說明,但本發明並不 限定於此’當然可依據本發明之技術的思想,、 變形。 足 例如,在以上之實施形態中’保護帶42係、由紫外線硬化 性及熱收縮性之帶材料所構成,但也可依照晶片 質狀態,利用熱發泡性薄片材料構成該保護帶。此時僅 利用對保護帶之加熱作用’即可容易地由晶 去該保護帶。 叫刀離除 又,在以上之實施形態中,雖係以同-工序執行晶片安 裝工序與保護帶分離工序,但當然也可獨立地執行此^ 序。 守工 產業上之可利用性 如以上所述,依據本發明之半導體裝置之製造方法,口 有效地防止晶片破裂或缺損’適切地執行晶片之拾取工: 及安裝工序’製造對電子機器之小型化 半導體裝置。 丹土化有貝獻之 【圖式簡單說明】 圖1八〜圖_、說明本發明之實施形態之半導
造工序之立體圖。圖U表示保護帶貼附工 I 面研削工庠,Γ本- ® 1Β表不背 圖“晶圓背面之後處理工序,圖叫示 85733 -13- 200415718 晶圓安裝工序,圖1E表示切割工序,圖IF表示紫外線照射 工序,圖1G表示拾取工序,圖1H表示晶片安裝工序。 圖2係說明本發明之實施形態之半導體裝置之製造工序 之立體圖,表示保護帶分離工序。 圖3係說明本發明之實施形態之半導體裝置之製造工序 之流程圖。 圖4A〜圖4G係說明第1以往例之半導體裝置之製造工序 之立體圖。圖4A係表示保護帶貼附工序,圖4B係表示背面 研削工序,圖4C係表示保護帶分離工序,圖4D係表示晶圓 安裝工序,圖4E係表示切割工序,圖4F係表示拾取工序, 圖4G係表示晶片安裝工序。 圖5A〜圖5G係說明第2以往例之半導體裝置之製造工序 之立體圖。圖5A係表示半切割工序,圖5B係表示保護帶貼 附工序,圖5C係表示背面研削工序,圖5D係表示晶圓安裝 工序,圖5E係表示保護帶分離工序,圖5F係表示拾取工序, 圖5G係表示晶片安裝工序。 圖6A〜圖6G係說明第3以往例之半導體裝置之製造工序 之立體圖。圖6A係表示保護帶貼附工序,圖6B係表示背面 研削工序,圖6C係表示晶圓安裝工序,圖6D係表示保護帶 分離工序,圖6E係表示切割工序,圖6F係表示拾取工序, 圖6G係表示晶片安裝工序。 【圖式代表符號說明】 1 研削裝置 2 剝離帶 85733 -14- 環形框 切割銀 頂針 吸具 導線架 保護帶 切割帶 半導體晶圓 半導體晶片 安裝器 半導體晶圓 半導體晶片 半導體晶圓 半導體晶片 半導體晶圓 表面 背面 晶片 保護帶 疊層裝置 研削裝置 研磨裝置 切割帶 環形框 -15 - 200415718 49 刀片 50A 紫外線照射裝置 50B 紫外線照射裝置 51 吸具 52 分離裝置 52a 滑座 53 安裝器 54 導線架 55 材料 56 加熱器 85733 . 16 -
Claims (1)
- 200415718 拾、申請專利範園·· 一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於包本· 保護帶貼附工序,其係在半導體晶圓表㈣ 削用之保護帶者; “ 其厚度薄化者; 円面研削工序’其係研削前述半導體晶圓 厘涪落a a . w :二序’其係在前述厚度薄化後之半導體晶圓心 刀菩用黏考帶,與前述保護帶共同將前述 圓分割成個別之晶片者,· 1曰曰 片:::ΐΓΓ其係拾取前述晶片,並將其移載至晶 帶:護帶分離工序,其係由前述晶片表面分離前述保護 2. 如申請專利範圍第1J頁之半導體裝置之製造方法’其中 工序:4執们14晶片*裝工序與前絲護帶分離 3. 如範圍第1項之半導體裝置之製造方法,其中 著帶;Γ線硬化型之帶材料作為前述保護帶及前述黏 、:前述切:工序後、前述晶片安裝工序前,包 4 :護帶及前述黏著帶照射紫外線之工序者。。 •如申請專利範㈣3項之半導體裝置之製造方法, 利用無頂針方式執行在 八 黏著帶分離前述晶片者。工序中由前述 85733 200415718 5.如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法,其中 使用具有熱收縮性之帶材料作為前述保護帶;且 利用前述保護帶之熱收縮執行在前述保護帶分離工序 中由前述晶片表面分離前述保護帶者。85733
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