TW200307353A - Lead frame for semiconductor device - Google Patents

Description

200307353 玖、發明說明： 發明背景 [發明所屬之技術領域] 本發明係有關一種用於製造樹脂封裝型半導體裝置之半 、豆用導、泉采，尤指藉由傳遞模塑法形成之半導體裝置及 光結合元件的半導體用導線架。 [先前技術] 一般而言’樹脂封裝型半導體裝置之製程係具備以下步驟 丄將晶片搭載於導線架之步驟；將所搭載的晶片與導線部 電性連接之金屬線接合步驟；金屬線接合後將晶片樹脂封 =傳遞模塑步驟；於傳遞模塑步驟時，將有效防止樹脂 流出的聯結桿部切斷之聯結桿切斷步驟。 力聯結桿切斷步驟中’係以聯結桿切斷模具按壓並固定導線 架’且使用穿孔機將（積存於樹脂封裝與聯結桿部間的空隙 (殘留樹脂）厚毛邊與聯結桿㈣穿（例如，參考 7-221245號公報）。 〒]卞 :::孔考機塑封裝(以下稱作樹脂封裝)造成龜裂等影 機的磨損等’故聯結桿部的形成位置必須離樹脂 六裝.随〜〇.2mm以上。此係考量模塑模具的不吻合或 谷限，而該空隙部分由穿孔機鑿穿。 〆 此外’傳遞模塑步驟中，以模塑模具爽入導 樹脂。此時，為使模塑模具成型+木、、无 聯結桿部間的距離增加而降低 ^封^與 流出，必須對模塑模具施加高壓。不會從聯結桿部 飯而1，需大約數百 82511 200307353 嘴的能量。 雙重傳遞模塑型光結合元件的情況中，由於一次模 塑後將—次聯結桿部切斷，接著，二次模塑後將二次聯社 才于邵切斷’故必須有進行二次聯結桿士刀斷的設備。當炊， 聯結桿邵必須有兩行-次聯結桿部與二次聯結桿部，且各 需有空隙。 圖9為以往之雙重傳遞模塑型处人、， 、偎2 土尤、、、口 口兀件〈楱塑步驟完成 時的構造平面圖，圖1 〇为 ；& 口 ιυ為已凡成 <相對型光結合元件的構 造（代表性構造）縱剖面圖。 換言之，將具有：搭載發光元件17或受光元件18的架頭ua Mlb(圖9未圖示）；按固定間隔配置於架頭周邊的複數内部 導線12a、12b ’·對應該等内部導線12a、12b的外部導線"a 、13b;及連接各内部導線12a、12b與各外部導線ua、丄扑 的聯結桿部14a、14b之發光元件側導線架1〇〇a與受光元件側 導線架io〇b重疊配置，以使發光元件17與受光元件18上下 相對。此外，藉由將架頭lla、Ub及配置於架頭周邊之内部 導線12a、12b樹脂模塑，形成樹脂封裝體15。 另外，圖9中的符號3 1係作為重疊兩導線架丨〇〇a、丨〇〇b時 毛位基準的基準孔，其亦是模具内進行安裝時的基準孔。 以往之構造中，考量以穿孔機鑿穿聯結桿部14a、14b時所 4成龜裂等影響或穿孔機的磨損等，故在樹脂封裝體丨5與 各聯結桿部14a、14b間必須確保充分的空隙P1丨㈧丨5 mm〜 〇·2 mm以上）。 此外，由於上下重疊發光元件側導線架丨〇〇a與受光元件側 82511 200307353 導線架100b而使發光元件17與受光元件ι8相對，故如圖9所 示，為使發光元件側導線架l〇〇a的外部導線Ua與受光元件 側導線架l〇〇b的外部導線13b不重疊，而朝水平方向交錯配 置。且為提升實裝密度，形成以相互交錯方式組裝外部導 線13a、13b的狀態。 又’在各外部導線1 3a、1 3b前端及與其相對的各聯結桿部 14a、14b間，必須有防止干擾的空隙p 12。 如此，以往之傳遞模塑步驟中，模塑後以穿孔機將厚毛邊 與聯結桿部鑿穿時，由於必須排除對樹脂封裝造成龜裂等 的影響，故樹脂封裝體15與各聯結桿部14a、14b之間必須確 保无分的空隙P11，此外，由於在各外部導線Ua、i3b前端 及與其相對的各聯結桿部14a、14b間亦必須有防止干擾的空 隙P12，故產生無法提升導線架實裝密度的問題。換言之， 產生平均一個導線架的光結合元件可減少數不多之問題。 此時，只將聯結桿部的成形位置靠近樹脂封裝側時，由於 模塑模具的不吻合或穿孔機的磨損所產生的誤差等，而導 致無法切斷聯結桿部，且聯結桿部產生大毛邊等問題。 又，進行傳遞模塑時，為防止樹脂漏戍等，以高壓加壓機 對模塑模具施加壓力以夾入導線架，並填充樹脂，但高恩 加壓機昂貴，設備t高，0致製造成本增加。 [發明内容] 、本發明係為解決上述問題而提案者，其目的在於提供一牙 :導體用導線架，藉由改變聯結捍部形狀，使聯結桿^ 靠近封裝樹脂，且使用㈣加m機也不會引起樹脂漏戍。 82511 200307353 本發明之半導體用導線架，具有：半導體晶片搭載部、 數内部導線，其按固定間隔配置於半導體晶片搭载^ 、複 邊、外部導線，其對應該等内部導線、及聯結桿部u，並周 接各内邵導線與各外部導線間；該半導體用導線架中直 特徵在於前述聯結桿部係靠近前述模塑封裝側而嗖置，其 使導線架樹脂模塑時，前述聯結桿部與模塑封装（樹又听以 間的空隙為0·07酿〜〇·1贿。此時，與前述聯結=部:裝前) 述模塑封裝側相對的側緣部，於聯結桿切斷時以穿孔2 所穿孔邵分形成缺口部。 根據具有上述特徵之本發明，由於在聯結桿部形成缺 ，故即使聯結㈣靠近樹脂封裝，也可將聯結桿切斷^匕 外，精由聯結桿部靠近樹脂封裝，可提升導線架的實裝参 =再者，藉由聯結桿部靠近樹脂封裝’可 ： 的成型壓。如此，由於使 旦 楔八 降低製造成本。 …便宜的加壓機，故可 二’在與則迷聯結桿部的前述模塑封裝則目反側的 更加提升導線架的;=需空_所示空叫而能 有η述:缺口部也可形成俯視半圓弧形。如此，缺口部 此二二少作為導線架鏨穿模具之穿孔機的磨損。 部份，^Γ/切斷時由穿孔機所鑒穿前述聯結桿部的馨穿 形成ν型：部孔可Τ穿方向也 '形成ν型溝部。如此，藉由 ""加減少聯結桿切斷時的毛邊殘留或穿孔 82511 200307353 機的磨損。 再者，取代前述v型溝部，也葬 椁切m“、· 也了藉由共合的貫施，將聯結 杯切辦時抵接穿孔機之前 j述和結样邵的抵接邵分形成比m 、、泉部分薄。如此’可減少 的磨損。 咸^、、“干切㈣毛邊殘留或穿孔機 又，也可將對應於任意模塑封裝的聯結桿部與對應於 該模塑封裝的其他模塑封裝之外料線前端部—體連接。 如此’與相對型之二件導線架重疊的情況相比 升導線架的實裝密度。 知 另外，上述聯結桿部的構造，可使料—次模塑用與二次 模塑用之雙重聯結桿部構造的任一聯結桿部。 入 實施方式 以下參照圖面說明本發明之實施形態。 (實施形態一） 圖1及圖2為本發明之半導體用導線架的實施形態一平面 圖’圖1係顯示發光側導線架與受光側導線架重疊之狀態， 圖2⑷係顯示受光側導線架，圖2(b)係顯示發光側導線架。 以又重傳遞模塑方式製造相對型光結合裝置之方法，係與 圖10所示以往技術的製造方法完全相同。此外，由於其構 造與圖9所示構造相同’故以下之說明中，使用與圖9和圖 10相同的符號進行說明。 在此，簡單說明雙重傳遞模塑方式之相對型光結合裝置的 製造方法。 首先，以銀塗漿等連接發光元件17與受光元件18(參考圖 82511 -10- 200307353 9) ’並將其分別搭載於發光元件側導線架1 〇〇a的架頭11 &與 文光元件侧導線架l〇〇b的架頭m後，以金屬線1〇a、1〇b (參考圖10)連接金屬線部。其次，對發光元件17施以預敷等 後，以上下相對方式配置兩導線架1〇〇a、1〇〇b，並以透光性 樹脂實施一次傳遞模塑。之後，先將一次聯結桿部4al、4Μ 切斷。而圖1中，以虛線表示一次聯結桿部4al、4bl，並顯 示未切斷之狀態。 聯結桿切斷步驟中，一般係以未圖示的聯結桿切斷模具按 壓並固定兩導線架100a、100b，且打下未圖示的穿孔機將樹 脂造成的厚毛邊與聯結桿部4al、4bl鑿穿。之後，同樣地實 施二次傳遞模塑而形成樹脂封裝體15，並切斷二次聯結桿 部4a2、4b2以進行組裝。 本貫施形態一中，係主要說明二次聯結桿部4a2、4b2，但 當然也可使用於一次聯結桿部4al、4bl。 圖1中，靠近樹脂封裝體15形成二次聯結桿部4a2、4b2。 本實施形態一中，考量未圖示的模具不吻合和容限，故靠 近二次聯結桿部4a2、4b2大約〇·07 mm左右。如此 圖9所示空隙pii由以往的〇15 mm〜〇·2 大約縮小一半 為〇·〇7 mm〜〇·；[ mm左右，故可提升發光元件側導線架 及受光元件側導線架1 〇0b的實裝密度。 如此’為了防止二次聯結桿部4a2、4b2靠近樹脂封裝體i 5 而造成聯結桿切斷時的故障，於二次聯結桿部4a2、4b2 一邊 的側緣部，亦即與樹脂封裝體丨5相對的側緣部，在聯結桿 切斷時由穿孔機所鑿穿部分（亦即内部導線丨以、12b的兩側） 82511 -11 - 200307353 形成第一缺口部1。 此外’發光元件側導線架1 〇 〇 a的外部導線1 3 a與受光元件 側導線架l〇〇b的外部導線13b係以為重疊方式朝水平方向 交錯配置，且形成以相互交錯方式組裝的狀態。 因此，本實施形態一中，在第二聯結桿部4a2另一邊的侧 緣部，亦即與樹脂封裝體15相反側的側緣部，分別形成用 以嵌入從鄰接之樹脂封裝體15所延伸出導線架1〇〇|}的各外 部導線13b前端部之第二缺口部2。同樣地，在第二聯結桿 部4b2另一邊的側緣部，亦即與樹脂封裝體15相反側的侧緣 部’分別形成用以嵌入從鄰接之樹脂封裝體丨5所延伸出導 線架100a的各外部導線13a前端部之第二缺口部2。 如此’不需圖9所示的空隙P12，而可提升發光元件側導 線架100a及受光元件側導線架100b的實裝密度。換言之，因 為平均一導線架的光結合元件可減少數增加，故可降低製 造成本。 圖3至圖5顯示第一缺口部1的各種形狀，圖3係缺口形狀為 俯視四角形之例，圖4係俯視半圓弧形之例，圖5係俯視三 角形（V字形）之例。在此，第一缺口部}的形狀為圖4所示俯 視半圓弧形，藉由其具有弧度，可減少作為導線架鑿穿模 具之穿孔機的磨損。 上述實施形態一中，係說明相對型光結合元件的製造方法 ，而下述的實施形態二係說明平面搭載型光結合元件。 (實施形態二） 圖ό係顯示平面搭載型光結合元件的二次傳遞模塑後之狀 82511 -12· 200307353 態。 ,孩平面搭載型光結合元件亦與上述實施形態一所示相對 型光結合it件相同’靠近樹脂封裝體15形成二次聯結桿部 4b2此外，為了防止二次聯結桿部、仆2靠近樹脂 封裝體15而造成聯結桿切斷時的故障，於二次聯結桿部^ 、4b2—邊的侧緣部，亦即與樹脂封裝體^相對的侧緣部， 在聯結桿切斷時由穿孔機所t穿部分（亦即㈣導線 12b的兩側）各形成第一缺口部1。 基本上’上述構造之平面搭載型光結合元件的製造方法與 相T型光結合元件的製造方法相R，但與相對型光結合元 件最大不同處’係在於將受光元件與發光元件搭載於同一( 一個）導線架100c，以進行訊號傳達。 平面搭載型光結合元件中，，由於相對型導線架所需架頭 部的折灣或不必將二件導線架上下相對之背面並無相對，、 故有又光感度差’傳達效率不—致增加等缺點。此外，由 於平面配置，故會限制架頭11a、lib的大小。 从因此，一如圖6所示，本實施形態二中，分別-體連接（圖中 付號3所丁）第—聯結桿部4a2的另—邊側緣部，#即樹脂封 裝體15相對側的側緣部，與鄰接之樹脂封裝體15所延伸出 各外部導線13b前端部；同樣地，分別一體連接㈤中符號*

所示）第=聯結桿部4b2的另一邊側緣部，亦即樹脂封裝體I 相反側的側緣部，I# * 與鄰接心樹脂封裝體15所延伸出各外却 導線13a前端部。 $ 如此， 由於共用第二聯結桿部4a2、4b2與鄰接之樹脂封裝 82511 -13- 200307353 to15所延伸*各外部導線13&、n故可提升導線架⑽。 的實裝密度。換士夕，m τ 、 口 因為平均一導線架的光結合元件可 減少數增加，故可降低製造成本。 (實施形態三） ^ 7和圖8係顯示在上述實施形態—及實施形態二所說明 的第一缺口部1進行形狀改變之例。 換口之圖7中，在聯結桿切斷時由穿孔機所鑿穿聯結桿 部（實施形態-中聯結桿部14a、14b，實施形態二中一次聯 結桿料1、4Μ及二次聯結桿部4a2、4b2)的馨穿部（亦即， 、子應第1缺口 部分的聯結桿部平面），、沿I穿孔機奪穿方 向形成V型溝部5。 如此，藉由形成V型溝部，可更加減少聯結桿切斷時的毛 邊殘留或穿孔機磨損。 此外，圖8中，藉由共合的實施，將聯結桿切斷時由穿孔 機所塞穿聯結桿部（實施形態一中聯結桿部14卜Mb，實施 形態二中一次聯結桿部4al、4bl及二次聯結桿部私2、 的馨穿部（亦即，對應第！缺口部！部分的聯結桿部平面）形成 較導線部分薄（圖中符號6所示）H，（a)係只在對應第】 缺口邵！的部分實施共合之例’⑻係在鄭接之外部導線m 或13b之間全部實施共合之例。 如此，藉由實施共合，可減少聯結桿切％時的毛邊殘留或 穿孔機磨損。 可以各種形式實施 ’解釋並不受其限 本發明在不脫離其精神或主要特徵下， 如此，上述實施例的所有點僅是例示 82511 -14- 200307353 制。本發明之範圍係申請專利範 θ寸〜靶固所不者，不侷限於說明 曰本文”匕外，在申請專利範圍均等範圍的變形或變更， 均為本發明之範圍内者。 另外，本申请案係以日本所提出之特願2〇〇2_〇〇64ι〇號為 基礎而申請，其相關内容在此併入本申請案。又，本說明 曰所引用的各文獻’所有相關内容均具體併人本中請案。 [圖式簡單說明] 圖1為本發明之半導體用導線架的實施形態一平面圖，其 顯示發光側導線架與受光側導線架重疊之狀態。 圖2⑷為受光侧導線架的平面圖，圖2(b)為發光側導線架 的平面圖。 圖3為第一缺口部之缺口形狀一例的部分放大平面圖。 圖4為第一缺口部之缺口形狀其他例的部分放大平面圖。 圖5為第一缺口部之缺口形狀其他例的部分放大平面圖。 圖6為本發明之半導體用導線架的實施形態二平面圖，其 _ π平面搭載型光結合元件的二次傳遞模塑法後之狀態。 圖7(a)為實施形態一及實施形態二所說明之第一缺口部 形狀改變例的部分放大斜視圖，圖7(b)為A_ A線之放大剖 面圖。 圖8(a)、（b)各為實施形態一及實施形態二所說明之第一缺 口部形狀改變其他例的部分剖面圖。 圖9為以往之雙重傳遞模塑型光結合元件之模塑步驟完成 時的構造平面圖。 圖1 〇為已完成之相對型光結合元件構造（代表性構造）的 82511 -15- 200307353 縱剖面圖。 圖式代表符號說明 1 2 5 15 17 18 31 100a 100a 、 100b 、 100c 100b 10a、10b 11a、lib 12a 、 12b 13a 、 13b 14a、14b 4al 、 4bl 4a2 、 4b2 Pll 、 P12 第一缺口部 第二缺口部 V型溝部 樹脂封裝體 發光元件 受光元件 基準孔 發光元件側導線架 導線架 受光元件側導線架 引線 架頭 内部導線 外部導線 聯結桿線 一次聯結桿部 二次聯結桿部 空隙 -16- 82511

Claims (1)

1. 200307353 拾、申請專利範圍： 1· 一種半導體用導線架，具有：半導體晶片搭載部、複數 内部導線，其按固定間隔配置於半導體晶片搭載部的周 邊、外部導線，其對應該等内部導線、及聯結桿部，其 連接各内邵導線與各外部導線間；其特徵在於 前述聯結桿部係靠近前述模塑封裝側而設置，以使導 線架樹脂模塑時，前述聯結桿部與模塑封裝（樹脂封裝） 間的空隙為0.07 mm〜0.1 mm。 2·如申請專利範圍第丨項之半導體用導線架，其中與前述聯 結桿部的前述模塑封裝側相對的側緣部，於聯結桿切斷 争由穿孔機所鏨穿的部分形成缺口部。 3·如申請專利範圍第丨或2項之半導體用導線架，其中在與 則述聯結桿部的前述模塑封裝側相反側的側緣部，形成 用以嵌入從鄭接之模塑封裝所延伸出各導線前端部之缺 口部。 4·如申請專利範圍第2或3項之半導體用導線架，其中前述 缺口部係形成俯視半圓弧形。 5.=申請專利範圍第2至4項中任一項之半導體用導線架， 在聯結桿切斷時由穿孔機所鑿穿前述聯結桿部的鑿 6 士 15岛，係沿著穿孔機鑿穿方向形成V型溝部。 其申二專利範圍第2至4項中任一項之半導體用導線架， ^ “藉由共合的貫施，將聯結桿切斷時抵接穿孔機之前 7心聯結桿部的抵接部分形成比導線部分薄。 申清專利範圍第1至6項中任一項之半導體用導線架， 82511 200307353 其中將對應於任意模塑封裝的聯結桿部與對應於鄰接該 模塑封裝的其他模塑封裝之外部導線前端部一體連接。 8.如申請專利範圍第1至6項中任一項之半導體用導線架， 其中前述聯結桿部係形成一次模塑用與二次模塑用之雙 重聯結桿部構造。 82511