TH40096B - Laser processing method And objects to process - Google Patents

Laser processing method And objects to process

Info

Publication number
TH40096B
TH40096B TH501001397A TH0501001397A TH40096B TH 40096 B TH40096 B TH 40096B TH 501001397 A TH501001397 A TH 501001397A TH 0501001397 A TH0501001397 A TH 0501001397A TH 40096 B TH40096 B TH 40096B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
substrate
cutting
area
processing method
laser processing
Prior art date
Application number
TH501001397A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH73733A (en
Inventor
มูรามัตสึ นายเคนอิชิ
ซาคาโมโตะ นายทาเคชิ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายบุญมา เตชะวณิช นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายบุญมา เตชะวณิช นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH73733A publication Critical patent/TH73733A/en
Publication of TH40096B publication Critical patent/TH40096B/en

Links

Abstract

DC60 (27/01/54) ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ ซึ่งสามารถชิ้นส่วนลามิเนทได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต เมื่อตัดซับสเตรตที่ก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยชิ้นส่วนลามิเนทที่ ประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งเป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์ ในวิธีการดำเนินการวิธีด้วยเลเซอร์นี้ บริเวณดัดแปรที่แตกต่างไปจากกันในด้านของความ ง่ายในการทำให้ซับสเตรต 4 แตกแยกออกจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวเส้นทำการตัด 5a ถึง 5d แต่ละแนว ด้วยเหตุนี้ เมื่อติดแถบที่สามารถขยายตัวได้กับผิวหน้าด้านหลังของซับสเตรต 4 และ ทำให้ขยายออก วัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธี 1 จะได้รับการตัดแบบทีละขั้นเป็นชิปจำนวนหนึ่ง การตัด แบบทีละขั้นดังกล่าวยอมให้ความเค้นดึงที่สม่ำเสมอกระทำบนส่วนแต่ละส่วนที่ยื่นไปตามแนวเส้น เพื่อทำการตัด 5a ถึง 5d ดังนั้น ฟิล์มคั่นฉนวนระหว่างชั้นบนแนวทำการตัด 5a ถึง 5d จะได้รับการตัด ด้วยความเที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต 4 ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ ซึ่งสามารถชิ้นส่วนลามิเนทได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต เมื่อตัดซับสเตรตที่ก่อรูปขึ้นมาพร้อมด้วยชิ้นส่วนลามิเนทที่ ประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งเป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วย อุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์ ในวิธีการดำเนินกรรวิธีด้วยเลเซอร์นี้ บริเวณดัดแปรที่แตกต่างไปจากกันในด้านของความ ง่ายในการทำให้ซับสเตรต 4 แตกแยกออกจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ถึง 5dแต่ละแนว ด้วยเหตุนี้ เมื่อติดแถบขยายตัวได้กับผิวหน้าด้านหลังของซับสเตรต 4 และทำให้ขยาย ออก วัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธี 1 จะได้รับการตัดแบบทีละขั้นเป็นชิปจำนวนหนึ่ง การตัดแบบทีละ ขั้นดังกล่าวยอมให้ความเค้นดึงที่สม่ำเสมอกระทำบนส่วนแต่ละส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการ ตัด 5a ถึง 5d ดังนั้น ฟิลม์คั่นฉนวนระหว่างชั้นบนแนวทำการตัด 5a ถึง 5d จะได้รับการตัดด้วยความ เที่ยงตรงสูงพร้อมกับซับสเตรต 4 The DC60 (27/01/54) provides a laser processing method. Which can be laminated parts too High accuracy with substrate When cutting the formed substrate with the laminate parts that It consists of a number of functional devices, a number of chips. Where each chip consists of At least one functional device In this laser method Modified areas that differ from each other in terms of It is easy to break the substrate 4 apart, it is formed along the contour, making cuts 5a to 5d each. Thus, when the expandable bar is attached to the rear surface of the substrate Stret 4 and enlarged The object to process 1 is cut in stages as a number of chips.Such step-by-step cuts allow consistent tensile stresses to be performed on each part that extends along. Line To perform cutting 5a to 5d, so the insulating film between layers on the cutting line 5a to 5d is cut. With high precision, together with substrate 4, a laser processing method is provided. Which can be laminated parts too High accuracy with substrate When cutting the formed substrate with the laminate parts that It consists of a number of functional devices, a number of chips. Where each chip consists of At least one functional device In this laser method Modified areas that differ from each other in terms of It is easy to break up the substrate 4, it is formed along the cutting line 5a to 5d each, hence when the expansion bar can be attached to the rear surface of the substrate. 4 and enlarged, the object to process 1 is cut step by step into a number of chips One-by-one cut This allows uniform tensile stress to be applied on each section overhang of the cutting line 5a to 5d, so the insulating film between the layers on the cutting line 5a to 5d is cut with the High accuracy with a substrate 4

Claims (9)

1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์สำหรับการฉายซับสเตรตที่มีผิวด้านหน้าที่ก่อรูปให้มี ชิ้นส่วนลามิเนทซึ่งประกอบด้วยอุปกรร์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่ง ด้วยแสงเลเซอร์ ในขณะที่จัดให้จุดลู่ รวมแสงอยู่ภายในซับสเตรต เพื่อการก่อรูปบริเวณดันแปรงขึ้นมาซึ่งจะเป็นจุดตั้งต้นสำหรับการตัด ภายในซับสเตรตตามแนวของแนวทำการตัดซับสเตรต; วิธีการประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: การก่อรูปบริเวณดัดแปรงที่หนึ่งขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งสำหรับการตัด ซับสเตรตและชิ้นส่วนลามิเนทเป็นก้อนจำนวนหนึ่ง; และ การก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สองขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สองสำหรับการตัดก้อน เป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่างน้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์; ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งมีโอกาสเป็นไปได้ในการทำให้ซับสเตรตแตกแยกออกมากกว่า บริเวณดัดแปรที่สอง1. A laser processing method for projecting a substrate with a preformed surface. Laminate part consisting of a number of functional equipment By laser While aligning the points converge Light in the substrate To form a brush push-up area, which will be the starting point for cutting. Inside the substrate along the line to cut the substrate; The assembly method includes steps of: Forming the first brush bending area along the first cutting line for cutting. A number of substrates and lumpy laminate parts; And forming the second modification area along the second cutting line for cutting the cubes. A number of chips Where each chip consists of at least one functional device; Where the first modified area has a greater probability of breaking the substrate. Second modification area 2. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยขั้นตอน ของ: การติดฟิลม์ขยายตัวได้กับผิวหน้าด้านหลังของซับสเตรตที่ก่อรูปขึ้นมาให้มีบริเวณดัดแปรที่ หนึ่งและที่สอง; และ การทำให้ฟิล์มขยายตัวได้ขยายออก เพื่อการเริ่มต้นการตัดซับสเตรต และชิ้นส่วนลามิเนท เป็นก้อนจากบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่ทำหน้าที่เป็นจุดตั้งต้น และ จากนั้น เริ่มต้นการตัดก้อนเป็นชิปจาก บริเวณดัดแปรที่สองที่ทำหน้าที่เป็นจุดตั้งต้น2. The laser processing method according to claim 1 is also included. Procedures of: Attaching the expansion film to the rear surface of the substrate forming an area. Modify The first and the second; And the expansion of the film to expand For the beginning of substrate cutting And laminate parts Into a lump from the one modifying area that serves as the starting point and then begins cutting the lump from The second modified region that serves as the starting point. 3. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งแนวทำการตัดที่สองจะยื่น ผ่านไประหว่างแนวทำการตัดที่หนึ่งที่อยู่ใกล้กัน3. Laser processing method according to claim 1 or 2, where the second cutting line is filed. Passed between the lines, making a cut that is nearby. 4. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งแนวทำการตัดที่หนึ่งและที่ สองจะขนานกันอย่างเป็นสำคัญ4. Laser processing method according to claim 1 or 2 where the first and at the cutting line The two are essentially parallel. 5. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งแนวทำการตัดที่หนึ่งและที่ สองจะตัดกัน5. Laser processing method according to claim 1 or 2, where the first and second cutting lines intersect. 6. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรตเป็น ซับสเตรตสารกึ่งตัวนำ และ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองประกอบด้วยบริเวณผ่านกรรมวิธีทำ ให้หลอมเหลว6. Laser processing method according to any one of Clause 1 or 5. Where the substrate is The semiconductor substrate and where the first and second modification regions consist of a melting zone. 7. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปร ที่หนึ่งในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในซับสเตรทมีความหนาแน่นการก่อรูปที่ แตกต่างไปจากความหนาแน่นการก่อรูปของบริเวณดัดแปรที่สองในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำ การตัดที่สองในซับสเตรต ซึ่งทำให้บริเวณดัดแปรที่หนึ่งก่อเกิดการแตกแยกออกขึ้นมาในซับสเตรต ได้ง่ายมากกว่าบริเวณดัดแปรที่สอง7. Laser processing method in accordance with any of Clause 1 or 6. Where the modified area Where one of the protrusions along the cutting line, where one of the substrates has the forming density Differs from the density, the formation of the second modified region in the overhangs along the contour. The second cut in the substrate Which causes the first modified region to break up in the substrate More easily than the second modification area 8. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปร ที่หนึ่งในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในซับสเตรตมีขนาดที่แตกต่างไปจากขนาด ของบริเวณดัดแปรงที่สองในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่สองในซับสเตรต ซึ่งทำให้ บริเวณดัดแปรที่หนึ่งก่อเกิดการแตกแยกออกในซับสเตรตได้ง่ายมากกว่าบริเวณดัดแปรที่สอง8. Laser processing method according to any one of Clause 1 or 7. Where the modified area At one of the protrusions along the cutting line, the one in the substrate is different from the size. Of the second modification area in the overhang of the second cutting line in the substrate, which makes the first modification area more prone to splitting in the substrate than the two 9. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปร ที่หนึ่งในส่วนที่ยื่นไปตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในซับสเตรตได้รับการก่อรูปขึ้นมา ณ ตำแหน่งที่ดแตกต่างไปจากตำแหน่งที่บริเวณดัดแปรที่สองได้รับการก่อรูปขึ้นมาในส่วนที่ยื่นไปตาม แนวของแนวทำการตัดที่สองในซับสเตรต ซึ่งทำให้บริเวณดันแปรที่หนึ่งก่อเกิดการแตกแยกออกใน ซับสเตอตขึ้นมาได้มาง่ายมากกว่าบริเวณดัดแปรที่สอง 19. Laser processing method according to any one of Clause 1 or 8. Where the modified area At one of the protrusions along the cutting line, one of the substrates was formed at a different location from the position where the second modification zone was formed. In the portion filed by Line of line making the second cut in the substrate Which causes the first variant of the pressure region to break out in The substrate comes up more easily than the second modification area 1. 0. วัตถุที่จะดำเนินกรรมวิธีประกอบรวมด้วยซับสเตรต และชิ้นส่วนนลามิเนทซึ่งก่อรูปขึ้นมาบน ผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรต ซึ่งประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่ง: วัตถุประกอบรวมต่อไปอีกด้วย: บริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายในซับสเตรตตามแนวของแนวทำการตัดที่ หนึ่งสำหรับการตัดซับสเตรตและลามิเนทเป็นก้อนจำนวนหนึ่ง; และ บริเวณดัดแปรที่สองซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาภายในซับสเตรตตามแนวของแนวทำการตัดที่ สองสำหรับการตัดก้อนเป็นชิปจำนวนหนึ่ง โดยที่ชิปแต่ละชิ้นประกอบด้วยอุปกรณ์เชิงหน้าที่อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งอุปกรณ์; ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งมีโอกาสเป็นไปได้ที่จะทำให้ซับสเตรตแตกแยกออกมากกว่า บริเวณดัดแปรที่สอง0.Objects to be processed include a substrate. And a piece of laminate that is formed on The front surface of the substrate It consists of a number of functional devices: the compound further: the first modified region formed within the substrate along the cutting line at One for cutting substrates and laminate into a number of cubes; And a second modified area, which has been formed within the substrate along the cutting line at Two for cutting cubes into a number of chips. Where each chip consists of a functional device Minimal one device; Where the first modified area is more likely to cause the substrate to split. Second modification area
TH501001397A 2005-03-28 Laser processing method And objects to process TH40096B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH73733A TH73733A (en) 2005-12-20
TH40096B true TH40096B (en) 2014-05-21

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1742252A4 (en) LASER PROCESSING PROCESS AND OBJECT TO BE PROCESSED
MY140517A (en) Semiconductor substrate cutting method
TWI447964B (en) LED wafer manufacturing method
EP1811551A4 (en) LASER BEAM MACHINING METHOD AND SEMICONDUCTOR CHIP
EP2249380A3 (en) Method for cutting semiconductor substrate
EP1494271A4 (en) PROCESS FOR CUTTING A FIBER SUBSTRATE
TWI346593B (en) Laser processing method and semiconductor chip
US9018080B2 (en) Wafer processing method
WO2009031534A1 (en) Manufacturing method of semiconductor laser element
EP1609559A4 (en) Laser beam machining method
TH40096B (en) Laser processing method And objects to process
TH73733A (en) Laser processing method And objects to process
US10636707B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device
EP1609558A4 (en) Laser beam machining method
TW201711820A (en) Method for cutting brittle substrate
CN107546300B (en) Cutting and splitting method of LED chip
JPH1140523A (en) Substrate cutting device and substrate cutting method
TW200627607A (en) Grain-embedded die structure and method for manufacturing the same
TH73573A (en) How to cut a process object
CN117833009A (en) Process for cleaving bar by using equipment for cleaving chip of semiconductor laser
CN106466888A (en) Vertical crack forming method in brittle substrate and its dividing method
TWI603829B (en) Sheet metal components seamless cutting, splitting method
TH73736A (en) How to make it through laser treatment
TH62030B (en) How to make it through laser treatment
TH85816A (en) Flexible substrate And production method