SU620960A1 - Stable voltage source - Google Patents
Stable voltage sourceInfo
- Publication number
- SU620960A1 SU620960A1 SU772471365A SU2471365A SU620960A1 SU 620960 A1 SU620960 A1 SU 620960A1 SU 772471365 A SU772471365 A SU 772471365A SU 2471365 A SU2471365 A SU 2471365A SU 620960 A1 SU620960 A1 SU 620960A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- source
- transistors
- gate
- stable voltage
- Prior art date
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 11
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
(54) ИСТОЧНИК СТЛБИЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ(54) SOURCE OF STALL VOLTAGE
1one
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано в радиотехнических устройствах -в качестве источника опорного напр жени или источника питани дл слаботочных схем.The invention relates to electrical engineering and can be used in radio devices as a source of reference voltage or a power source for low-current circuits.
Известен источник стабильного напр жени , содержащий опорный элемент на полевом транзисторе, усилитель обратной св зи и выходной эмиттерный повторитель на составном транзисторе l .A stable voltage source is known, comprising a reference element on a field-effect transistor, a feedback amplifier, and an output emitter follower on the composite transistor l.
Известен также стабилизатор посто нного напр жени , содержащий полевой и бипол рный транзисторы, сток и коллектор которых соответственно подсоединены к источнику питани , исток и база этих транзисторов через резистор подсоединены к общей шине, эмиттер бипол рного транзистора подключен к одному из выходных выводов 2 .Also known is a DC voltage regulator containing field and bipolar transistors, the drain and collector of which are respectively connected to a power source, the source and base of these transistors are connected via a resistor to a common bus, the emitter of the bipolar transistor is connected to one of the output pins 2.
Наиболее близким к изобретению техническим решением вл етс источник стабильного напр жени , содержащий первый и второй полевые транзисторы , стоки которых подсоединены к выводу дл подключени источника питани , а затвор первого транзистора подсоединен к общей шине, и третийThe closest technical solution to the invention is a stable voltage source containing the first and second field-effect transistors, the drains of which are connected to the output for connecting the power source, and the gate of the first transistor is connected to the common bus, and the third
полевой транзистор, затвор которого соединен с истоком первого транзистора , причем тип канала третьего транзистора противоположен типу каналов первого и второго транзисторов З .field-effect transistor, the gate of which is connected to the source of the first transistor, and the channel type of the third transistor is opposite to the channel type of the first and second transistors Z.
Недостатком известных источников стабильного напр жени вл етс низкий коэффициент стабилизации.A disadvantage of the known sources of stable voltage is the low stabilization factor.
Целью изобретени вл етс увеличение коэффициента стабилизации источника .The aim of the invention is to increase the source stabilization factor.
Эта цель достигаетс тем, что в источник стабильного напр жени , содержащий первый и второй полевые транзисторы , стоки которых подсоединены к выводу дл подключени источника питани , а затвор первого транзистора подсоединен к общей шине, и третий полевой транзистор, затвор которого соединен с истоком первого транзистора , причем тип канала третьего транзистора противоположен типу каналов первого и второго транзисторов, дополнительно введен четвертый полевой транзистор, тип канала которого совпадает с типом канала третьего транзистора, п$5И этом сток четвертого транзистора соединен с истоком.первого транзистора, затвор - с истоком второго и стоком третьего траиэисторов , а исток - с истоком третьего транзистора и с одним из выводов дл .подключени нагрузки, причем затвор второго полевого транзистора подключен к- общей шине. На чертеже дана принципиальна электрическа схема источника стаСильного напр жени . Он содержит полевой транзистор 1 сток которого подсоединен к выводу дл подключени источника питани , а затвор соединен с общей шиной и с затвором транзистора 2. Сток транзистора 2 подключен к выводу дл под ключени источника питани , а исток к стоку транзистора 3 и к затвору транзистора 4. Сток транзистора 4 и затвор транзистора 3 подсоединены к истоку транзистора 1. Истоки транзис торов 3 и 4 подсоединены к одному из выводов дл подключени нагрузки. Источник стабильного напр жени работает следующим образом. Транзисторы 1 и 2 работают в обла ти насыщени при посто нном напр жении смещени между затвором и истоком , обеспечива стабильный ток стока . Дополнительна стабилизаци тока осуществл етс транзисторами 3 и 4. Увеличение тока стока транзисторов 1 и 2 вызывает увеличение напр жени смещени на затворах транзисторов 3 и 4, которое будет дл этих транзнсторов запиранвдим и вызовет увеличени сопротивлени каналов, то есть умень шение проводимости транзисторов 3 и 4. В результате этого компенсирует с увеличение тока стока транзисторов 1 и 2. Таким образом, введение транзисторов 3 и 4, которые вл ютс управл емой динамической нагрузкой в цеп х истоков транзисторов 1 и 2, ослабл ет зависимость тока стока транзисторов 1 и 2 от напр жени сток-исТок этих транзисторов и позвол ет получить высокостабильное напр жение на выходе устройства. Без нагрузки источник стабильного напр жени не потребл ет энергии. За счет малых потерь по напр жению и отсутстви потерь по току КПД источника стабильного напр жени получаетс высоким. Фopмvлa изобретени Источник стабильного напр жени , содержащий первый и второй полевые транзисторы, стоки которых подсоединены к выводу дл подключени источника питани , а затвор первого транзистора подсоединен к общей шине, и третий полевой транзистор, затвор которого соединен с истоком первого транзистора, причем тип канала третьего транзистора противоположен типу каналов первого и транзисторов , отличающийс тем, что, с целью увеличени коэффициента стабилизации,в него дополнительно введен четвертый полевой транзистор,тип канала которого совпадает с типом канала третьего транзистора, при этом сток четвертого транзистора соединен с истоком первого транзистора, затвор - с истоком второго и стоком третьего транзисторов, а исток - с истоком третьего транзистора и с одним из выводов дл подключени нагрузки , причем затвор второго полевого транзистора .подключен к общей шине. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе: 1.Авторское свидетельство СССР № 342171, Q 05 Р 1/56, 1970. 2.Акцентованна за вка Японии № 46-1832, кл. 58 Н 1, 1971. 3.За вка № 2331575/07, 03.76., по которой прин то решение о выдаче авторского свидетельства.This goal is achieved by the fact that a stable voltage source containing the first and second field-effect transistors, whose drains are connected to the output for connecting the power source, and the gate of the first transistor is connected to the common bus, and the third field-effect transistor, the gate of which is connected to the source of the first transistor The type of channel of the third transistor is opposite to the type of channels of the first and second transistors, a fourth field effect transistor is additionally introduced, the type of the channel of which coincides with the type of the channel of the third transistor torus, n $ 5I this drain of the fourth transistor is connected to the source of the first transistor, the gate with the source of the second and drain of the third traistor, and the source with the source of the third transistor and one of the terminals for connecting the load, and the gate of the second field-effect transistor is connected to - shared bus. The drawing is a schematic electrical circuit of a source of Stress voltage. It contains a field-effect transistor 1 whose drain is connected to a terminal for connecting a power source, and a gate is connected to a common bus and to a gate of transistor 2. The drain of transistor 2 is connected to a terminal for connecting a power source, and the source to the drain of transistor 3 and to the gate of transistor 4 The drain of transistor 4 and the gate of transistor 3 are connected to the source of transistor 1. The sources of transistors 3 and 4 are connected to one of the terminals for connecting the load. The source of stable voltage works as follows. Transistors 1 and 2 operate at saturation under a constant voltage bias between the gate and the source, providing a stable drain current. The additional current is stabilized by transistors 3 and 4. An increase in the drain current of transistors 1 and 2 causes an increase in the bias voltage at the gates of transistors 3 and 4, which will be locked up for these transistors and will increase the resistance of the channels, and As a result, it compensates for the increase in drain current of transistors 1 and 2. Thus, the introduction of transistors 3 and 4, which are controlled by dynamic load in the source lines of transistors 1 and 2, weakens the output dence drain current of transistors 1 and 2 from the voltage source-drain of these transistors and yields a highly stable voltage on the output device. Without load, the source of stable voltage does not consume energy. Due to low voltage losses and no current losses, the efficiency of a stable voltage source is high. The invention of the stable voltage source, containing the first and second field-effect transistors, the drains of which are connected to the output for connecting the power source, and the gate of the first transistor is connected to the common bus, and the third field-effect transistor, the gate of which is connected to the source of the first transistor, the transistor is opposite to the type of channels of the first and transistors, characterized in that, in order to increase the stabilization factor, a fourth field-effect transistor, the type of channel which coincides with the channel type of the third transistor, while the drain of the fourth transistor is connected to the source of the first transistor, the gate to the source of the second and drain of the third transistor, and the source to the source of the third transistor and one of the terminals for connecting the load transistor. connected to the common bus. Sources of information taken into account in the examination: 1. USSR author's certificate No. 342171, Q 05 P 1/56, 1970. 2. Accepted for Japan No. 46-1832, cl. 58 N 1, 1971. 3. For registration No. 2331575/07, 03.76., On which the decision to issue an author's certificate was made.
00
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772471365A SU620960A1 (en) | 1977-03-28 | 1977-03-28 | Stable voltage source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772471365A SU620960A1 (en) | 1977-03-28 | 1977-03-28 | Stable voltage source |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU620960A1 true SU620960A1 (en) | 1978-08-25 |
Family
ID=20703044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU772471365A SU620960A1 (en) | 1977-03-28 | 1977-03-28 | Stable voltage source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU620960A1 (en) |
-
1977
- 1977-03-28 SU SU772471365A patent/SU620960A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU772508A3 (en) | Amplifier | |
| KR940008255A (en) | Reference voltage generator | |
| KR870009542A (en) | Circuit arrangement for operating a MOSFET whose source is connected to the load | |
| KR890005977A (en) | Amplifier device | |
| SE8204247D0 (en) | REFERENCE VOLTAGE GENERATOR | |
| KR920000131A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| KR900007919B1 (en) | Current miller circuit | |
| EP0112443A1 (en) | Reference voltage generating circuit | |
| KR920017349A (en) | Amplifier for Low Resistance AC Voltage Source | |
| KR970077970A (en) | Differential amplifier | |
| ATE106636T1 (en) | HIGH CURRENT OPERATING AMPLIFIER. | |
| US4322674A (en) | Transistorized voltage regulator | |
| SU1656667A1 (en) | Power amplifier | |
| SU1233125A1 (en) | D.c.voltage stabilizer | |
| SU1013928A1 (en) | Stabilized direct current source | |
| SU792240A1 (en) | A.c. stabilized source | |
| SU783771A1 (en) | Dc stabilizer | |
| SU1418681A1 (en) | Parametric voltage stabilizer | |
| SU1185576A1 (en) | Negative resistance converter | |
| SU890542A2 (en) | Current amplifier | |
| KR0124651B1 (en) | Constant voltage for easy compensation of process variation | |
| RU1824667C (en) | Pulse generator | |
| RU2079965C1 (en) | Semiconductor amplifier with two-pole power supply | |
| JPS5525149A (en) | Electric power circuit | |
| KR19990077072A (en) | Bandgap Reference Voltage Source |