SU463226A1 - Транзисторный блокинг-генератор - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к импульсной технике .

Известен транзисторный блокинг-генератор, содержащий формирующую линию в базовой цепи, дополнительную обмотку на трансформаторе и дополнительный транзистор.

Цель изобретени  - увеличение скважности генерируемых импульсов - достигаетс  тем, что в предлагаемом блокинг-генераторе параллельно входу формирующей линии через разделительный диод подключен дополнительный конденсатор, причем их обща  точка соединена через резистор с коллектором дополнительного транзистора, эмиттер которого соединен с клеммой источника напр жени , имеющего пол рность, противоположную пол рности источника питани , и с одним выводом дополнительной обмотки трансформатора, а база дополнительного транзистора через резистор соединена со вторым выводом дополнительной обмотки трансформатора.

На чертеже представлена принципиальна  схема предлагаемого транзисторного блокинггенератора .

Блокинг-генератор содержит основной транзистор 1, трансформатор 2 с дополнительной обмоткой 3, резисторы 4 и 5, формирующую линию, состо щую из индуктивностей 6-8 и конденсаторов 9-12, диод 13. Параллельно входу формирующей линии через разделительный диод 14 подсоединен дополнительный конденсатор 15, емкость которого значительно превыщает общую емкость формирующей линии . Обща  точка диода 14 и конденсатора 15 через резистор 16 с небольшим сопротивлением соединена с коллектором дополнительного транзистора 17, эмиттер которого св зан с положительной клеммой дополнительного источника напр жени  и с одним концом дополнительной обмотки трансформатора. База транзистора 17 через резпстор 18 соединена с другим ее концом. При этом пол рность включени  доиолнительной обмотки выбрана такой , что транзистор 17 во врем  генерировани  импульса открыт.

Работает блокинг-генератор следующим образом .

Пусть основной транзистор 1 закрыт. Поэтому дополнительный транзистор 17 также закрыт . При этом положительный иотенциал на базе транзистора 1 (по отношению к эмиттеру ), поддерживающий его в закрытом состо нии , медленно уменьшаетс  по экспоненциальному закону в результате перезар да общей емкости конденсаторов 9-12 формирующей линии через базовый резистор 5 и перезар да конденсатора 15 через диод 14 и резистор 5 от источника питани  (эти емкости были зар жены от действи  предыдущего импульса ). Как только напр жение на базе