SU1814460A1 - Способ изготовления фотопреобразователей - Google Patents

Способ изготовления фотопреобразователей

Info

Publication number
SU1814460A1
SU1814460A1 SU4931229/25A SU4931229A SU1814460A1 SU 1814460 A1 SU1814460 A1 SU 1814460A1 SU 4931229/25 A SU4931229/25 A SU 4931229/25A SU 4931229 A SU4931229 A SU 4931229A SU 1814460 A1 SU1814460 A1 SU 1814460A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
oxide
film
doped silicate
silicate glass
manufacturing
Prior art date
Application number
SU4931229/25A
Other languages
English (en)
Inventor
В.В. Заддэ
И.П. Старшинов
Н.А. Толмачева
Original Assignee
Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства filed Critical Всесоюзный научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства
Priority to SU4931229/25A priority Critical patent/SU1814460A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1814460A1 publication Critical patent/SU1814460A1/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Применение: относится к области изготовления оптоэлектронных приборов, а именно кремниевых фотопреобразователей. Сущность: в полупроводниковых пластинах диффузией создают p-n-переход, затем на поверхности пластины формируют пленку примесно-силикатного стекла с рисунком, соответствующим контактной сетке, затем наносят антиотражающее покрытие из окислов алюминия или олова, или церия, или титана, или ниобия, или тантала, или нитрида кремния, после чего проводят процесс второй диффузии из нанесенной пленки примесно-силикатного стекла, а затем вскрывают контактные окна с одновременным удалением стекла в 2,5 - 20 мас.%-ном растворе фтористоводородной кислоты. 1 табл.
SU4931229/25A 1991-04-26 1991-04-26 Способ изготовления фотопреобразователей SU1814460A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4931229/25A SU1814460A1 (ru) 1991-04-26 1991-04-26 Способ изготовления фотопреобразователей

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4931229/25A SU1814460A1 (ru) 1991-04-26 1991-04-26 Способ изготовления фотопреобразователей

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1814460A1 true SU1814460A1 (ru) 1998-08-10

Family

ID=60538531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4931229/25A SU1814460A1 (ru) 1991-04-26 1991-04-26 Способ изготовления фотопреобразователей

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1814460A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2468475C2 (ru) * 2007-07-26 2012-11-27 Университет Констанц Способ изготовления кремниевого солнечного элемента (варианты) и соответствующий солнечный элемент

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2468475C2 (ru) * 2007-07-26 2012-11-27 Университет Констанц Способ изготовления кремниевого солнечного элемента (варианты) и соответствующий солнечный элемент

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060258167A1 (en) Methods of removing metal-containing materials
CA2279786A1 (en) A composition and method for selectively etching a silicon nitride film
IE57207B1 (en) A process for forming nitrided silicon dioxide layers for semiconductor integrated circuits
US5376233A (en) Method for selectively etching oxides
JPS63175431A (ja) ホウケイ酸ガラスを有する半導体装置の製造方法
GB1227779A (ru)
KR940022737A (ko) 반도체장치의 제조방법
SU1814460A1 (ru) Способ изготовления фотопреобразователей
US5210054A (en) Method for forming a contact plug
IE850104L (en) Semiconductor fabrication
GB2168841B (en) Semiconductor processing
TW374203B (en) A method for forming a fine contact hole in a semiconductor device
EP0196155A3 (en) Method of forming an oxide film on a semiconductor substrate
KR20000023765A (ko) 고도핑된 영역에 대해 낮은 콘택저항을 갖는 반도체 소자
TW332928B (en) Producing method of semiconductor device
GB2301224A (en) Method of forming a SOG film in a semiconductor device
KR930005240B1 (ko) 다결정 실리콘 완충층을 이용한 텅스텐 박막 제조방법
JPH03212969A (ja) 強誘電体装置
KR970030559A (ko) P-형 실리콘 기판 표면의 알루미늄 쇼트키(Schottky) 접합 형성방법
Chi An e-beam evaporated borosilicate glass thin film as an encapsulant for annealing Be-implant InP
JPH04342135A (ja) 絶縁膜の形成方法
JPS5544772A (en) Manufacture of semiconductor
Sheu et al. Method for reduction in surface generation current in polycrystalline‐silicon‐gate metal‐oxide‐semiconductor devices
JPS63131545A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
KR960035813A (ko) 접촉창의 정렬방법