SU1742979A1

SU1742979A1 - Генератор импульсов

Info

Publication number: SU1742979A1
Application number: SU904814117A
Authority: SU
Inventors: Михаил Иосифович Богданович; Александр Сергеевич Тюльменков
Original assignee: Кустовой Вычислительный Центр Белорусского Республиканского Банка Госбанка Ссср
Priority date: 1990-04-16
Filing date: 1990-04-16
Publication date: 1992-06-23

Abstract

Изобретение относитс к импульсной технике, в частности к генераторам импульсов , и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначени . Цель изобретени - расширение диапазона регулировки частот и повышение стабильности частоты - достигаетс тем, что в генератор импульсов, содержащий транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости , транзистор 3 второго типа проводимости, конденсатор 5, резисторы 6, 9,10, 11 и 13, шину питани 7, общую шину, выходную шину 12, введен транзистор 4 второго типа проводимости, база и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 2, эмиттер транзистора 4 соединен с эмиттером транзистора 3. 2 ил.

Description

СО

с

Изобретение относитс к импульсной технике, в частности к генераторам импульсов , и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначени .

Цель изобретени - расширение диапазона регулировки частоты и повышение стабильности частоты.

На фиг.1 представлена принципиальна электрическа схема генератора импульсов; на фиг.2 - временные диаграммы его работы .

Генератор импульсов содержит транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости, транзисторы 3 и 4 второго типа проводимости . База и коллектор транзистора 1 соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 3, эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора 5, с эмиттером транзистора 4 и через резистор 6 подключен к шине питани 7. Втора обкладка конденсатора 5 соединена с общей шиной 8 и эмиттером транзистора 2. База и коллектор транзистора 2 соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 4. В схеме имеютс резисторы 9 и 10. Эмиттер транзистора 1 соединен с базой транзистора 2 и через резистор 11 подключен к общей шине 8. Коллектор транзистора 2 соединен с выходной шиной 12 и через резистор 13 подключен к шине питани . Резистор 13 на один-два пор дка более низкоомный, чем резисторы 9 и 10.

Генератор импульсов работает следующим образом.

При включении питани транзисторы 1, 2, 3 и 4 закрыты. На базе транзистора 3 положительное напр жение, равное 0,6

VI

ГО

о

4 О

Опит, где Uпит напр жение источника питани . На базе транзистора 4 и на выходной шине 12 положительное напр жение, приблизительно равное Упит. Конденсатор 5 зар жаетс по цепи: шина питани - резистор 6, верхн обкладка конденсатора 5 - нижн обкладка конденсатора 5 - обща шина. Когда напр жение на конденсаторе 5 превысит напр жение на базе транзистора 3, то транзистор 3 открываетс . Ток коллектора транзистора 3 открывает транзистор 1, ток коллектора которого еще больше открывает транзистор 3. За счет положительной обратной св зи между транзисторами 3 и 1 воз- никает лавинообразный процесс переключени их в режим насыщени . Конденсатор 5 начинает разр жатьс по цепи: верхн обкладка конденсатора 5 - переход эмиттер-база транзистора 3 - переход коллектор-эмиттер транзистора 1 - переход база-эмиттер транзистора 2 - обща шина. Поэтому транзистор 2 открываетс , и напр жение на его коллекторе, база транзистора

4и на выходной шине достаточно быстро уменьшаетс . Конденсатор 5 разр жаетс медленнее, чем уменьшаетс напр жение на базе транзистора 4. Поэтому, когда напр жение на базе транзистора 4 станет меньше, чем напр жение на разр жающемс конденсаторе, откроетс эмиттерный переход транзистора 4. Ток коллектора транзистора 4, суммиру сь с током эмиттера транзистора 1, еще больше откроет транзистор 2. За счет положительной обратной св зи по току между транзисторами 2 и 4 возникает лавинообразный процесс открывани и насыщени транзисторов 2 и 4. На выходной шине 12 установитс низкий уровень напр жени . После открывани и насыщени транзисторов 2 и 4 конденсатор 5 будет разр жатьс через эти транзисторы, потому что их внутреннее сопротивление и падени напр жени на них будут меньше, чем у транзисторов 1 и 3 (так как в эмиттер- ной цепи транзистора 1 включена достаточно высокоомна база транзистора 2). Таким образом, окончание разр да конденсатора

5будет происходить через транзистор 2 и 4, а транзисторы 1 и 3 начнут закрыватьс .

После разр да конденсатора 5 транзисторы 2 и 4 начнут закрыватьс , и на выходной шине 12 вновь восстановитс высокий уровень напр жени . Работа генератора импульсов по сн етс временной диаграммой на фиг.2. Соотношение времен зар да и разр да конденсатора на фиг.2 условно не выдерживаетс . Реальное врем зар да на один-два пор дка больше времени разр да .

Таким образом, регенеративный процесс в генераторе импульсов начинаетс с лавинообразного процесса включени транзисторов 3 и 1, причем ток эмиттера транзистора 3, при котором начинаетс этот процесс, определ етс величиной резисторов 9 и 10.

Регенеративный процесс в генераторе заканчиваетс выключением транзисторов

0 4 и 2. ток выключени которых определ етс величиной резистора 13, котора на один- два пор дка меньше, чем величина резисторов 9 и 10.

Благодар тому, что максимальный пе5 риод следовани импульсов определ етс величиной резисторов 9 и 10, а минимальный - величиной резистора 13, в предложенном устройстве достигаетс расширение диапазона регулировки часто0 ты следовани импульсов.

Повышение стабильности частоты следовани импульсов в предложенном устройстве достигаетс за счет уменьшени остаточного напр жени на конденсаторе

5 до 0,7-1,0 В, которое весьма нестабильно при изменени х температуры. Уменьшение остаточного напр жени на конденсаторе достигаетс за счет более глубокого разр да конденсатора через транзисторы 4 и 2, ко0 торые соединены непосредственно с общей шиной. В прототипе последовательно с транзисторами регенеративного ключа включен эмиттерный переход транзистора, что увеличивает остаточное напр жение на

Claims

5 конденсаторе до 1,5-2,0 В, т.е. в два раза. Формула изобретени Генератор импульсов, содержащий первый и второй транзисторы первого типа проводимости , третий транзистор второго типа

0 проводимости, база и коллектор первого транзистора соединены соответственно с коллектором и базой третьего транзистора, эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора и через первый рези5 стор подключен к шине питани , втора обкладка конденсатора соединена с общей шиной, коллектор первого транзистора соединен через второй и третий резисторы соответственно с шиной питани и общей

0 шиной, эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора и через четвертый резистор подключен к общей шине , котора соединена с эмиттером вторсго транзистора, коллектор которого соединен

5 с выходной шиной и через п тый резистор подключен к шине питани , отличающийс тем, что, с целью расширени диапазона регулировки частот и повышени стабильности частоты, в него введен четвертый транзистор второго типа проводимости, база и коллектор которого соединены соответ- транзистора, а эмиттер подключен к эмитте- ственно с коллектором и базой второго ру третьего транзистора.

7

Фиг. 1

hur

Фиг. 2