SU1647702A1 - Бескорпусной полупроводниковый прибор - Google Patents

Бескорпусной полупроводниковый прибор Download PDF

Info

Publication number
SU1647702A1
SU1647702A1 SU884470118A SU4470118A SU1647702A1 SU 1647702 A1 SU1647702 A1 SU 1647702A1 SU 884470118 A SU884470118 A SU 884470118A SU 4470118 A SU4470118 A SU 4470118A SU 1647702 A1 SU1647702 A1 SU 1647702A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
polymer layer
dielectric
frame
crystal
grid
Prior art date
Application number
SU884470118A
Other languages
English (en)
Inventor
Геннадий Андреевич Блинов
Александр Михайлович Грушевский
Алексей Сергеевич Плешивцев
Сергей Геннадьевич Шутов
Original Assignee
Организация П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8466 filed Critical Организация П/Я В-8466
Priority to SU884470118A priority Critical patent/SU1647702A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1647702A1 publication Critical patent/SU1647702A1/ru

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к микроэлектронике , в частности к конструкции полупроводниковых приборов в бескорпусном исполнении. Целью изобретени   вл етс  повышение надежности. Бескорпусной полупроводниковый прибор содержит ленточный носитель 1, выполненный в виде двух соосных пр моугольных диэлектрических рамок 2, 3, на которых размещены полупроводниковый кристалл 4, защищенный полимерным слоем 5, и его выводы 6. Внутренн   рамка 2 соединена с противолежащими участками внешней рамки 3 с помощью металлизированных перемычек. В полимерном слое размещена центральна  сетка 8 из диэлектрика, на котором расположен упрочн ющий слой металла, а на периферийной части 10 сетки 8 размещены концы 11 выводов 6. Такой прибор обладает в 1,5 раза лучшей надежностью по л сравнению с прототипом. 2 ил, 3

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции полупроводниковых приборов в бескорпусном исполнении.
Целью изобретения является повышение надежности.
На фиг.1 изображен бескорпусной полупроводниковый прибор в плане; на фиг.2 показано сечение А-А на фиг.1.
Бескорпусной полупроводниковый прибор содержит ленточный носитель 1, выполненный в виде двух соосных прямоугольных диэлектрических рамок 2,3, на которых размещены полупроводниковый кристалл 4, защищенный полимерным слоем 5, и его выводы 6. Внутренняя рамка 2 соединена с противолежащими участками внешней рамки 3 с помощью металлизированных перемычек 7. В полимерном слое 5 размещена центральная сетка 8 из диэлектрика, на котором расположен упрочняющий слой 9 металла, а на периферийной части 10 сетки 8 размещены концы 11 выводов 6.
Бескорпусной полупроводниковый прибор работает следующим образом.
На полупроводниковый кристалл 4, в котором сформированы активные элементы по металлическим выводам 6, размещенным на двух соосных рамках 2 и 3 и присоединенным к кристаллу 4, подается входной электрический сигнал и напряжение питания. Для исключения короткого замыкания между выводами и кромками кристалла имеется внутренняя рамка 2, внешняя рамка 3 служит для фиксации внешних концов выводов 6 в одной плоскости с целью устранения их замыкания. В результате электрофизических процессов, протекающих в активных элементах, входной сигнал преоб разуется и по другой группе выводов 6 поступает во внешнюю электрическую схему.
Отрицательное влияние внешней окружающей среды на электрофизические параметры и стабильность выходных сигналов, а также коррозия металлизированной разводки и сварных соединений на кристалле исключены защитным полимерным слоем 5. Для снижения уровня и концентрации внутренних механических напряжений, возникающих в углах рамок 2 и 3, введены металлизированные перемычки 7, а возникающих в полимерном слое 5, - центральная сетка 8 из диэлектрика с упрочняющим слоем 9 металла. Деформация выводов 6 устранена закреплением их внутренних концов 11 на периферийной части 10 сетки 8.
Бескорпусной полупроводниковый прибор обладает в 1,5 раза лучшей надежностью по сравнению с прототипом.

Claims (1)

  1. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я
    Бескорпусной полупроводниковый прибор, содержащий ленточный носитель, выполненный в виде двух соосных прямоугольных диэлектрических рамок, на которых размещен полупроводниковый кристалл, защищенный полимерным слоем, и выводы кристалла, при этом наружная рамка выполнена в виде дискретных участков, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, внутренняя рамка соединена с противолежащими участками внешней рамки с помощью металлизированных перемычек, при этом введена центральная сетка из диэлектрика, размещенная в полимерном слое, на диэлектрике которой расположен упрочняющий слой металла, а концы выводов, обращенные к центру кристалла, размещены на периферийной части сетки.
SU884470118A 1988-08-05 1988-08-05 Бескорпусной полупроводниковый прибор SU1647702A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884470118A SU1647702A1 (ru) 1988-08-05 1988-08-05 Бескорпусной полупроводниковый прибор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884470118A SU1647702A1 (ru) 1988-08-05 1988-08-05 Бескорпусной полупроводниковый прибор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1647702A1 true SU1647702A1 (ru) 1991-05-07

Family

ID=21393849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884470118A SU1647702A1 (ru) 1988-08-05 1988-08-05 Бескорпусной полупроводниковый прибор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1647702A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка JP № 59-32062, кл. Н 01 L 23/28, 1984. Гусков Г.Я., Блинов Г.А., Газаров А.А. Монтаж микроэ ектронной аппаратуры. М. Радиосв зь, 1986, с.50. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5089876A (en) Semiconductor ic device containing a conductive plate
US4249196A (en) Integrated circuit module with integral capacitor
NO942926L (no) Modul for akustisk bölgeanordning
US3281606A (en) Small light sensor package
KR970067801A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
GB1373008A (en) Electronic components
EP0393657A3 (en) Hybrid integrated circuit device
US7473852B2 (en) Printed-circuit board and circuit unit incorporating the circuit board
US4427991A (en) High frequency semiconductor device
ATE54776T1 (de) Halbleiterelement und herstellungsverfahren.
US5410182A (en) High density semiconductor device having inclined chip mounting
SU1647702A1 (ru) Бескорпусной полупроводниковый прибор
JPS6216553A (ja) 制御回路内蔵型電力半導体装置
RU1778822C (ru) Бескорпусна интегральна микросхема
JPS5561046A (en) Packaging device for semiconductor integrated circuit
CA1134489A (en) High frequency semiconductor device
JPS574147A (en) Semiconductor device and its manufacturing process
SU1732400A1 (ru) Оптический модуль
KR100189989B1 (ko) 패드를 이용한 커패시터를 갖춘 반도체 장치
JPS55148449A (en) Semiconductor device
SU1406729A1 (ru) Радиоэлектронный блок
RU92014586A (ru) Мощный свч-транзистор
JPS6413755A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH04267361A (ja) リードレスチップキャリア
JPS61172376A (ja) 半導体装置