SU1647702A1 - Бескорпусной полупроводниковый прибор - Google Patents
Бескорпусной полупроводниковый прибор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1647702A1 SU1647702A1 SU884470118A SU4470118A SU1647702A1 SU 1647702 A1 SU1647702 A1 SU 1647702A1 SU 884470118 A SU884470118 A SU 884470118A SU 4470118 A SU4470118 A SU 4470118A SU 1647702 A1 SU1647702 A1 SU 1647702A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- polymer layer
- dielectric
- frame
- crystal
- grid
- Prior art date
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к микроэлектронике , в частности к конструкции полупроводниковых приборов в бескорпусном исполнении. Целью изобретени вл етс повышение надежности. Бескорпусной полупроводниковый прибор содержит ленточный носитель 1, выполненный в виде двух соосных пр моугольных диэлектрических рамок 2, 3, на которых размещены полупроводниковый кристалл 4, защищенный полимерным слоем 5, и его выводы 6. Внутренн рамка 2 соединена с противолежащими участками внешней рамки 3 с помощью металлизированных перемычек. В полимерном слое размещена центральна сетка 8 из диэлектрика, на котором расположен упрочн ющий слой металла, а на периферийной части 10 сетки 8 размещены концы 11 выводов 6. Такой прибор обладает в 1,5 раза лучшей надежностью по л сравнению с прототипом. 2 ил, 3
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции полупроводниковых приборов в бескорпусном исполнении.
Целью изобретения является повышение надежности.
На фиг.1 изображен бескорпусной полупроводниковый прибор в плане; на фиг.2 показано сечение А-А на фиг.1.
Бескорпусной полупроводниковый прибор содержит ленточный носитель 1, выполненный в виде двух соосных прямоугольных диэлектрических рамок 2,3, на которых размещены полупроводниковый кристалл 4, защищенный полимерным слоем 5, и его выводы 6. Внутренняя рамка 2 соединена с противолежащими участками внешней рамки 3 с помощью металлизированных перемычек 7. В полимерном слое 5 размещена центральная сетка 8 из диэлектрика, на котором расположен упрочняющий слой 9 металла, а на периферийной части 10 сетки 8 размещены концы 11 выводов 6.
Бескорпусной полупроводниковый прибор работает следующим образом.
На полупроводниковый кристалл 4, в котором сформированы активные элементы по металлическим выводам 6, размещенным на двух соосных рамках 2 и 3 и присоединенным к кристаллу 4, подается входной электрический сигнал и напряжение питания. Для исключения короткого замыкания между выводами и кромками кристалла имеется внутренняя рамка 2, внешняя рамка 3 служит для фиксации внешних концов выводов 6 в одной плоскости с целью устранения их замыкания. В результате электрофизических процессов, протекающих в активных элементах, входной сигнал преоб разуется и по другой группе выводов 6 поступает во внешнюю электрическую схему.
Отрицательное влияние внешней окружающей среды на электрофизические параметры и стабильность выходных сигналов, а также коррозия металлизированной разводки и сварных соединений на кристалле исключены защитным полимерным слоем 5. Для снижения уровня и концентрации внутренних механических напряжений, возникающих в углах рамок 2 и 3, введены металлизированные перемычки 7, а возникающих в полимерном слое 5, - центральная сетка 8 из диэлектрика с упрочняющим слоем 9 металла. Деформация выводов 6 устранена закреплением их внутренних концов 11 на периферийной части 10 сетки 8.
Бескорпусной полупроводниковый прибор обладает в 1,5 раза лучшей надежностью по сравнению с прототипом.
Claims (1)
- Ф о р м у л а и з о б р е т е н и яБескорпусной полупроводниковый прибор, содержащий ленточный носитель, выполненный в виде двух соосных прямоугольных диэлектрических рамок, на которых размещен полупроводниковый кристалл, защищенный полимерным слоем, и выводы кристалла, при этом наружная рамка выполнена в виде дискретных участков, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, внутренняя рамка соединена с противолежащими участками внешней рамки с помощью металлизированных перемычек, при этом введена центральная сетка из диэлектрика, размещенная в полимерном слое, на диэлектрике которой расположен упрочняющий слой металла, а концы выводов, обращенные к центру кристалла, размещены на периферийной части сетки.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884470118A SU1647702A1 (ru) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Бескорпусной полупроводниковый прибор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884470118A SU1647702A1 (ru) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Бескорпусной полупроводниковый прибор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1647702A1 true SU1647702A1 (ru) | 1991-05-07 |
Family
ID=21393849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884470118A SU1647702A1 (ru) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Бескорпусной полупроводниковый прибор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1647702A1 (ru) |
-
1988
- 1988-08-05 SU SU884470118A patent/SU1647702A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
За вка JP № 59-32062, кл. Н 01 L 23/28, 1984. Гусков Г.Я., Блинов Г.А., Газаров А.А. Монтаж микроэ ектронной аппаратуры. М. Радиосв зь, 1986, с.50. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5089876A (en) | Semiconductor ic device containing a conductive plate | |
US4249196A (en) | Integrated circuit module with integral capacitor | |
NO942926L (no) | Modul for akustisk bölgeanordning | |
US3281606A (en) | Small light sensor package | |
KR970067801A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
GB1373008A (en) | Electronic components | |
EP0393657A3 (en) | Hybrid integrated circuit device | |
US7473852B2 (en) | Printed-circuit board and circuit unit incorporating the circuit board | |
US4427991A (en) | High frequency semiconductor device | |
ATE54776T1 (de) | Halbleiterelement und herstellungsverfahren. | |
US5410182A (en) | High density semiconductor device having inclined chip mounting | |
SU1647702A1 (ru) | Бескорпусной полупроводниковый прибор | |
JPS6216553A (ja) | 制御回路内蔵型電力半導体装置 | |
RU1778822C (ru) | Бескорпусна интегральна микросхема | |
JPS5561046A (en) | Packaging device for semiconductor integrated circuit | |
CA1134489A (en) | High frequency semiconductor device | |
JPS574147A (en) | Semiconductor device and its manufacturing process | |
SU1732400A1 (ru) | Оптический модуль | |
KR100189989B1 (ko) | 패드를 이용한 커패시터를 갖춘 반도체 장치 | |
JPS55148449A (en) | Semiconductor device | |
SU1406729A1 (ru) | Радиоэлектронный блок | |
RU92014586A (ru) | Мощный свч-транзистор | |
JPS6413755A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JPH04267361A (ja) | リードレスチップキャリア | |
JPS61172376A (ja) | 半導体装置 |