SU1640738A1 - Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов - Google Patents
Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов Download PDFInfo
- Publication number
- SU1640738A1 SU1640738A1 SU894670888A SU4670888A SU1640738A1 SU 1640738 A1 SU1640738 A1 SU 1640738A1 SU 894670888 A SU894670888 A SU 894670888A SU 4670888 A SU4670888 A SU 4670888A SU 1640738 A1 SU1640738 A1 SU 1640738A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- log
- cell
- elements
- transistors
- decrease
- Prior art date
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к цифровой технике и может быть использовано в микросхемах программируемой логики , динамически реконфигурируемых БИС, микропроцессорах и прочих устройствах обработки дискретной информации с использованием оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) в качестве управл ющей пам ти. Цель изобретени - повышение быстродействи чейки пам ти. Поставленна цель достигаетс за счет введени третьего ключевого элемента 10 на р-каналь- ном МОП. При этом чейка пам ти устойчиво функционирует пои записи как Лог. О, так и Лог, 1, не требу понижени напр жени питани чейки до какого-то промежуточного значени , т.е. исключаютс по сравнению с прототипом временные потери на переход напр жени питани от одного значени к другому, и наоборот. Перезар д точки соединени стоковых областей элементов 3, 4 схемы лог. О к Лог, 1 происходит быстрее вследствие отрыва элемента 3 от потенциала шины 8 чейки, что, в свою очередь, приводит к уменьшению размеров элемента 5 до размеров элементов 3, 4 и, как следствие, ведет к уменьшению площади, занимаемой чейкой. 1 ил. §
Description
0 Ј
О 1
оо
оо
Изобретение относитс к цифровой технике и может быть использовано в микросхемах программируемой логики, динамически реконфигурируемых БИС, микропроцессорах и прочих устройствах обработки дискретной информации с использованием оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) в качестве управл ющей пам ти.
Цель изобретени - повышение быстродействи чейки пам ти.
На чертеже приведена схема чейки пам ти.
Ячейка содержит вторые нагрузочный и ключевой элементы 1, 2, первые нагрузочный и ключевой элементы 3, 4, элемент 5 св зи, разр дную и адресную шины 6, 7, шину 8 нулевого потенциала и шину 9 питани , третий ключевой элемент 10 чейки. Ячейка пам ти выполнена на основе комплементарных. транзисторов, В качестве элементов 1.
10
20
25
31640738
3, 10 используютс р-канальные МОП- транзисторы, а в качестве элементов 2, 4, 5 ° n-канальные МОП-транзисторы . Ячейка работает следующим образом .
На шину 6 чейки подают напр жение Лог, О, на шину 7 чейки - Лог. 1. По приходе лог. 1 на затворы элементов 5 и 10 элемент 5 открываетс , а элемент 10 закрываетс . Т.к. элемент 5 без искажени передает Лог. О, напр жение на затворах транзисторов элементов 1 и 2 шунтируетс Лог О, приход щим с шины с 6 чейки. По вление Лог. О на затворах транзисторов элементов 1 и 2 приводит к включению элемента 1 и выключению элемента 2,
Включение элемента 1 вызывает по вление Лог. 1 в точке соединени стоковых областей элементов 1 и 2 и, следовательно, напр жение высокого уровн на затворах транзисторов 3 и 4. По вление Лог. I на затворах транзисторов 3 и 4 приводит к выключению р-канального MOR-транзистора З и включению п-канапьного МОП-транзистора 4. Вследствие этого зар д, образующийс в точке соединени стоковой области транзистора 10 и исто- ковой области транзистора 4, рассасываетс через транзисторы 4 и 5 на разр дную шину 6, а напр жение в точке уменьшаетс . По окончании действи сигнала Лог. I на шине 7 чейки, элемент 5 закрываетс , а элемент 10 открываетс , подтвержда напр жение низкого уровн на истоке элемента 4. При записи Лог, 1 на шину 6 подают напр жение Лог. 1, на шину 7 адреса - Лог. О. По приходе Лог. 1 на затворы элементов 5 и 10 элемент 10 закрываетс , а элемент 5 открываетс . Выключение элемента 10 приводит к отрыву истоковой области элемента 4 от общей шины 7 и таким образом исключает возможность шунтировани высокого напр жени , приход щего с шины 6 через элемент 5 на затворы элементов 1 и 2, Несмотр на то, что элемент 5 передает с искажением напр жени Лог. 1 (Eh-UON),
30
35
40
45
т в
50
это, в конечном итоге, не вли ет да
переключение элементов 1 и 2, По вле- и второй ключевые элементы и элеменние напр жени высокого уровн на затворе элемента 1 (большего UOH ) приводит ,к его включению и по влению напр жени Лог. затворах эле-1
ты св зи на п-канальных транзисторах, причем стоки транзисторов первых нагрузочного и ключевого элементов объединены и подключены к затворам
0
0
5
с
30
35
40
45
ментов 3 и 4, элемент 1 при этом закрываетс . По вление Лог. О на затворах элементов 3 и 4 приводит к включению элемента 3 и выключению (по цепи затвора) выключенного по истоко- вой цепи элемента 4. Включение элемента 3 приводит к подтверждению записываемого в чейку напр жени Лог. 1. По окончании сигнала разрешени (напр жение на шине 7 чейки мен етс с Лог. 1 на Лог, О) элемент 5 закрываетс , а элемент 10 включаетс . Включение элемента 10 не вли ет на схему, т.к. элемент 4 заперт по цепи затвора напр жением Лог. О.
При считывании информации, Так как чейка пам ти предназначена дл работы в качестве чейки управл ющего ОЗУ, то цепи записи и считывани информации следует разграничить . При управлении объектами электронных схем (например, элементами коммутации или выступа в качестве источника опорного логического сигнала ) выходное напр жение с чейки можно снимать с точек: пр мой сигнал - точка соединени стоковых областей элементов 3 и 4; инверсный сигнал - точка соединени стоковых областей элементов 1 и 2,
По сравнению с прототипом повышаетс быстродействие чейки пам ти при записи информации путем исключени операции перехода на промежуточное значение напр жени питани при записи Лог, 1 в чейку, а также за счет исключени шунтирующего действи элемента 4, который в момент записи отключаетс от шины 8 чейки. Помимо этого, отключение элемента 4 поз вол ет выполнить элемент 10 минималь-о ных топологических размеров и тем самым скомпенсировать потери площади от введени элемента 10 в чейку пам ти .
Claims (1)
- Формула изобретениЯчейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов, содержаща первый и, второй нагрузочные элементы на р-канальных транзисторах, первыйты св зи на п-канальных транзисторах, причем стоки транзисторов первых нагрузочного и ключевого элементов объединены и подключены к затворамтранзисторов вторых нагрузочного и ключевого элементов и стоку транзистора элемента св зи, исток и затвор которого подключены соответственно к разр дной и адресной шинам чейки, истоки транзисторов нагрузочных элементов подключены к шине питани чейки , исток транзистора второго ключевого элемента подключен к шине нулевого потенциала чейки, отличающа с тем, что с целью повышени быстродействи , в нее введен третий ключевой элемент на р-канапь- ном транзисторе, затвор и исток которого подключены соответственно к разр дной шине и шине нулевого потенциала , а сток подключен к истоку транзис- тора первого ключевого элемента.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894670888A SU1640738A1 (ru) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894670888A SU1640738A1 (ru) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1640738A1 true SU1640738A1 (ru) | 1991-04-07 |
Family
ID=21438074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894670888A SU1640738A1 (ru) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1640738A1 (ru) |
-
1989
- 1989-03-30 SU SU894670888A patent/SU1640738A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1444888, кл. G И С 11/40, 1987. Алексеенко А.Г. и Шагурин и,И. Микросхемотехника. М.: Радио и св зь, 1982, с. 225, рис. 7, 7а. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100242782B1 (ko) | 반도체장치및그제어회로 | |
US5107137A (en) | Master-slave clocked cmos flip-flop with hysteresis | |
JPH05144273A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US5095225A (en) | Synchronous RST flip-flop circuits flowing small leakage current | |
US5260908A (en) | Multiport memory device | |
US5933026A (en) | Self-configuring interface architecture on flash memories | |
US5095230A (en) | Data output circuit of semiconductor device | |
WO1999034511A1 (en) | Differential, mixed swing, tristate driver circuit for high performance and low power on-chip interconnects | |
WO1998047229A9 (en) | Self-configuring 1.8 and 3.0 volt interface architecture on flash memories | |
KR930000961B1 (ko) | 반도체 메모리 | |
SU1640738A1 (ru) | Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов | |
US5532634A (en) | High-integration J-K flip-flop circuit | |
JPS6043295A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US5748541A (en) | Latch circuit operating in synchronization with clock signals | |
US6628552B1 (en) | Self-configuring input buffer on flash memories | |
US5781052A (en) | Static latches with one-phase control signal | |
US6300801B1 (en) | Or gate circuit and state machine using the same | |
KR930008315B1 (ko) | 센스 증폭기 | |
US6963231B2 (en) | Insulating device for a system on chip (SOC) | |
KR100221024B1 (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치 | |
RU1786508C (ru) | Элемент пам ти | |
GB2241095A (en) | Precharging the bit lines of a ROM | |
SU1566410A1 (ru) | Устройство считывани дл программируемой логической матрицы | |
KR920001326B1 (ko) | 양방향성 입출력구조를 가지는 집적소자 | |
KR940000256Y1 (ko) | 반가산기 회로 |