SU1640738A1 - Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов - Google Patents

Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов Download PDF

Info

Publication number
SU1640738A1
SU1640738A1 SU894670888A SU4670888A SU1640738A1 SU 1640738 A1 SU1640738 A1 SU 1640738A1 SU 894670888 A SU894670888 A SU 894670888A SU 4670888 A SU4670888 A SU 4670888A SU 1640738 A1 SU1640738 A1 SU 1640738A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
log
cell
elements
transistors
decrease
Prior art date
Application number
SU894670888A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Николаевич Венжик
Александр Георгиевич Гарицын
Михаил Павлович Сахаров
Original Assignee
Организация П/Я А-3106
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я А-3106 filed Critical Организация П/Я А-3106
Priority to SU894670888A priority Critical patent/SU1640738A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1640738A1 publication Critical patent/SU1640738A1/ru

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к цифровой технике и может быть использовано в микросхемах программируемой логики , динамически реконфигурируемых БИС, микропроцессорах и прочих устройствах обработки дискретной информации с использованием оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) в качестве управл ющей пам ти. Цель изобретени  - повышение быстродействи   чейки пам ти. Поставленна  цель достигаетс  за счет введени  третьего ключевого элемента 10 на р-каналь- ном МОП. При этом  чейка пам ти устойчиво функционирует пои записи как Лог. О, так и Лог, 1, не требу  понижени  напр жени  питани   чейки до какого-то промежуточного значени , т.е. исключаютс  по сравнению с прототипом временные потери на переход напр жени  питани  от одного значени  к другому, и наоборот. Перезар д точки соединени  стоковых областей элементов 3, 4 схемы лог. О к Лог, 1 происходит быстрее вследствие отрыва элемента 3 от потенциала шины 8  чейки, что, в свою очередь, приводит к уменьшению размеров элемента 5 до размеров элементов 3, 4 и, как следствие, ведет к уменьшению площади, занимаемой  чейкой. 1 ил. §

Description

0 Ј
О 1
оо
оо
Изобретение относитс  к цифровой технике и может быть использовано в микросхемах программируемой логики, динамически реконфигурируемых БИС, микропроцессорах и прочих устройствах обработки дискретной информации с использованием оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) в качестве управл ющей пам ти.
Цель изобретени  - повышение быстродействи   чейки пам ти.
На чертеже приведена схема  чейки пам ти.
Ячейка содержит вторые нагрузочный и ключевой элементы 1, 2, первые нагрузочный и ключевой элементы 3, 4, элемент 5 св зи, разр дную и адресную шины 6, 7, шину 8 нулевого потенциала и шину 9 питани , третий ключевой элемент 10  чейки. Ячейка пам ти выполнена на основе комплементарных. транзисторов, В качестве элементов 1.
10
20
25
31640738
3, 10 используютс  р-канальные МОП- транзисторы, а в качестве элементов 2, 4, 5 ° n-канальные МОП-транзисторы . Ячейка работает следующим образом .
На шину 6  чейки подают напр жение Лог, О, на шину 7  чейки - Лог. 1. По приходе лог. 1 на затворы элементов 5 и 10 элемент 5 открываетс , а элемент 10 закрываетс . Т.к. элемент 5 без искажени  передает Лог. О, напр жение на затворах транзисторов элементов 1 и 2 шунтируетс  Лог О, приход щим с шины с 6  чейки. По вление Лог. О на затворах транзисторов элементов 1 и 2 приводит к включению элемента 1 и выключению элемента 2,
Включение элемента 1 вызывает по вление Лог. 1 в точке соединени  стоковых областей элементов 1 и 2 и, следовательно, напр жение высокого уровн  на затворах транзисторов 3 и 4. По вление Лог. I на затворах транзисторов 3 и 4 приводит к выключению р-канального MOR-транзистора З и включению п-канапьного МОП-транзистора 4. Вследствие этого зар д, образующийс  в точке соединени  стоковой области транзистора 10 и исто- ковой области транзистора 4, рассасываетс  через транзисторы 4 и 5 на разр дную шину 6, а напр жение в точке уменьшаетс . По окончании действи  сигнала Лог. I на шине 7  чейки, элемент 5 закрываетс , а элемент 10 открываетс , подтвержда  напр жение низкого уровн  на истоке элемента 4. При записи Лог, 1 на шину 6 подают напр жение Лог. 1, на шину 7 адреса - Лог. О. По приходе Лог. 1 на затворы элементов 5 и 10 элемент 10 закрываетс , а элемент 5 открываетс . Выключение элемента 10 приводит к отрыву истоковой области элемента 4 от общей шины 7 и таким образом исключает возможность шунтировани  высокого напр жени , приход щего с шины 6 через элемент 5 на затворы элементов 1 и 2, Несмотр  на то, что элемент 5 передает с искажением напр жени  Лог. 1 (Eh-UON),
30
35
40
45
т в
50
это, в конечном итоге, не вли ет да
переключение элементов 1 и 2, По вле- и второй ключевые элементы и элеменние напр жени  высокого уровн  на затворе элемента 1 (большего UOH ) приводит ,к его включению и по влению напр жени  Лог. затворах эле-1
ты св зи на п-канальных транзисторах, причем стоки транзисторов первых нагрузочного и ключевого элементов объединены и подключены к затворам
0
0
5
с
30
35
40
45
ментов 3 и 4, элемент 1 при этом закрываетс . По вление Лог. О на затворах элементов 3 и 4 приводит к включению элемента 3 и выключению (по цепи затвора) выключенного по истоко- вой цепи элемента 4. Включение элемента 3 приводит к подтверждению записываемого в  чейку напр жени  Лог. 1. По окончании сигнала разрешени  (напр жение на шине 7  чейки мен етс  с Лог. 1 на Лог, О) элемент 5 закрываетс , а элемент 10 включаетс . Включение элемента 10 не вли ет на схему, т.к. элемент 4 заперт по цепи затвора напр жением Лог. О.
При считывании информации, Так как  чейка пам ти предназначена дл  работы в качестве  чейки управл ющего ОЗУ, то цепи записи и считывани  информации следует разграничить . При управлении объектами электронных схем (например, элементами коммутации или выступа  в качестве источника опорного логического сигнала ) выходное напр жение с  чейки можно снимать с точек: пр мой сигнал - точка соединени  стоковых областей элементов 3 и 4; инверсный сигнал - точка соединени  стоковых областей элементов 1 и 2,
По сравнению с прототипом повышаетс  быстродействие  чейки пам ти при записи информации путем исключени  операции перехода на промежуточное значение напр жени  питани  при записи Лог, 1 в  чейку, а также за счет исключени  шунтирующего действи  элемента 4, который в момент записи отключаетс  от шины 8  чейки. Помимо этого, отключение элемента 4 поз вол ет выполнить элемент 10 минималь-о ных топологических размеров и тем самым скомпенсировать потери площади от введени  элемента 10 в  чейку пам ти .

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов, содержаща  первый и, второй нагрузочные элементы на р-канальных транзисторах, первый
    ты св зи на п-канальных транзисторах, причем стоки транзисторов первых нагрузочного и ключевого элементов объединены и подключены к затворам
    транзисторов вторых нагрузочного и ключевого элементов и стоку транзистора элемента св зи, исток и затвор которого подключены соответственно к разр дной и адресной шинам  чейки, истоки транзисторов нагрузочных элементов подключены к шине питани   чейки , исток транзистора второго ключевого элемента подключен к шине нулевого потенциала  чейки, отличающа  с   тем, что с целью повышени  быстродействи , в нее введен третий ключевой элемент на р-канапь- ном транзисторе, затвор и исток которого подключены соответственно к разр дной шине и шине нулевого потенциала , а сток подключен к истоку транзис- тора первого ключевого элемента.
SU894670888A 1989-03-30 1989-03-30 Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов SU1640738A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894670888A SU1640738A1 (ru) 1989-03-30 1989-03-30 Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU894670888A SU1640738A1 (ru) 1989-03-30 1989-03-30 Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1640738A1 true SU1640738A1 (ru) 1991-04-07

Family

ID=21438074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU894670888A SU1640738A1 (ru) 1989-03-30 1989-03-30 Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1640738A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1444888, кл. G И С 11/40, 1987. Алексеенко А.Г. и Шагурин и,И. Микросхемотехника. М.: Радио и св зь, 1982, с. 225, рис. 7, 7а. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100242782B1 (ko) 반도체장치및그제어회로
US5107137A (en) Master-slave clocked cmos flip-flop with hysteresis
JPH05144273A (ja) 半導体集積回路装置
US5095225A (en) Synchronous RST flip-flop circuits flowing small leakage current
US5260908A (en) Multiport memory device
US5933026A (en) Self-configuring interface architecture on flash memories
US5095230A (en) Data output circuit of semiconductor device
WO1999034511A1 (en) Differential, mixed swing, tristate driver circuit for high performance and low power on-chip interconnects
WO1998047229A9 (en) Self-configuring 1.8 and 3.0 volt interface architecture on flash memories
KR930000961B1 (ko) 반도체 메모리
SU1640738A1 (ru) Ячейка пам ти на основе комплементарных МОП-транзисторов
US5532634A (en) High-integration J-K flip-flop circuit
JPS6043295A (ja) 半導体記憶装置
US5748541A (en) Latch circuit operating in synchronization with clock signals
US6628552B1 (en) Self-configuring input buffer on flash memories
US5781052A (en) Static latches with one-phase control signal
US6300801B1 (en) Or gate circuit and state machine using the same
KR930008315B1 (ko) 센스 증폭기
US6963231B2 (en) Insulating device for a system on chip (SOC)
KR100221024B1 (ko) 불휘발성 반도체 메모리 장치
RU1786508C (ru) Элемент пам ти
GB2241095A (en) Precharging the bit lines of a ROM
SU1566410A1 (ru) Устройство считывани дл программируемой логической матрицы
KR920001326B1 (ko) 양방향성 입출력구조를 가지는 집적소자
KR940000256Y1 (ko) 반가산기 회로