Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by В.И. БобырfiledCriticalВ.И. Бобыр
Priority to SU4673289/26ApriorityCriticalpatent/SU1610942A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1610942A1publicationCriticalpatent/SU1610942A1/ru
Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс. Выращивание ведут вертикальной направленной кристаллизацией путем пропускания цилиндрической ампулы с расплавом через охлаждаемую диафрагму со скоростью V. Сначала расплав перегревают на Δt= 30-50C выше t плавления и в течение времени t=(h+ h)/V выращивают конусную часть кристалла, затем со скоростью U= 0,3(Δt-Δt)V(h-h) увеличивают перегрев до величины Δt= 50-100C и выращивают цилиндрическую часть кристалла заданной длины (H) в течение времени t=H/3V, а затем перегрев опять увеличивают со скоростью U= 0,2(Δt-Δt)V/(h-h) до величины Δt= 100-150C, после чего ампулу охлаждают, где h- высота конусной части ампулы, мм; h, hи h- расстояние от верха диафрагмы до положения изотермы, соответствующей t плавления при перегреве Δt,Δtи Δt, соответственно. 2 ил., 1 табл.