SU1525637A1 - Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits - Google Patents

Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits Download PDF

Info

Publication number
SU1525637A1
SU1525637A1 SU874362188A SU4362188A SU1525637A1 SU 1525637 A1 SU1525637 A1 SU 1525637A1 SU 874362188 A SU874362188 A SU 874362188A SU 4362188 A SU4362188 A SU 4362188A SU 1525637 A1 SU1525637 A1 SU 1525637A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
controlled
power
rejection
voltage
microcircuits
Prior art date
Application number
SU874362188A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Валерий Васильевич Воинов
Иван Сергеевич Ледовской
Валентин Афанасьевич Исаенко
Владимир Владимирович Кругликов
Original Assignee
Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны filed Critical Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны
Priority to SU874362188A priority Critical patent/SU1525637A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1525637A1 publication Critical patent/SU1525637A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технике неразрушающего контрол  и может быть использовано дл  контрол  надежности и отбраковки цифровых интегральных микросхем. Цель изобретени  - повышение достоверности отбраковки. На контролируемую и эталонную микросхемы 4 и 6 одновременной подают напр жение источников 10 и 11 питани  и через измерительную головку 3 заданную тестовую последовательность от блока 1 програмного управлени  и блока 2 кодового воздействи . Преобразователи 7,8 ток-напр жение в шинах питани  и вычитающий блок 9 формируют разностный сигнал флуктуаций тока питани  обеих микросхем. Измерение мощности флуктуаций разностного сигнала осуществл етс  до и после нагрева контролируемой микросхемы 4 до максимально- неразрушающей температуры с помощью микрополосного усилител  12, регулируемого усилител  13, квадратичного детектора 14 и усредн ющего блока 15. Результат, отображенный на индикаторе 16, сравниваетс  с заданным значением. 1 ил.The invention relates to a non-destructive testing technique and can be used to control the reliability and rejection of digital integrated circuits. The purpose of the invention is to increase the reliability of the rejection. Controlled and reference microcircuits 4 and 6 simultaneously feed the voltage of the power supply sources 10 and 11 and, through the measuring head 3, a predetermined test sequence from the program control unit 1 and the code influence unit 2. Current-to-voltage transducers 7.8 in the power rails and subtraction unit 9 form the difference signal of the current fluctuations of the power supply of both microcircuits. The fluctuation power of the differential signal is measured before and after heating the controlled chip 4 to the maximum non-destructive temperature using a microband amplifier 12, an adjustable amplifier 13, a quadratic detector 14 and the averaging unit 15. The result displayed on the indicator 16 is compared with the set value. 1 il.

Description

15256371525637

Изобретение относитс  к технике неразрушающего контрол , в частности к диагностике цифровых интегральных микросхем, и может быть использова- с но дл  контрол  их надежности.The invention relates to a technique of non-destructive testing, in particular to the diagnosis of digital integrated circuits, and can be used to control their reliability.

Цель изобретени  - повышение достоверности отбраковки потенциально нестабильных цифровых интегральных микросхем за счет вы влени  дефектов, jo развивающихс  при повышенной температуре .The purpose of the invention is to increase the reliability of rejection of potentially unstable digital integrated circuits by detecting defects that occur at elevated temperatures.

На чертеже изображена схема устройтва дл  реализации предлагаемого спооба . 5The drawing shows a diagram of a device for implementing the proposed method. five

На чертеже прин ты следующие обозначени  : блок 1 программного Управени  , блок 2 формировани  кодового воздействи } измерительна  головка 3, спытуема  цифрова  микросхема А (ЦМС)20In the drawing, the following notation is adopted: software control unit 1, code effect generating unit 2} measuring head 3, digital chip A (CMS) 20 being tested

нагреватель 5, эталонна  ЦМС 6; пре - образователи 7 и 8 ток - напр жение, лок 9 вычитани , источники 10 и 11 питани , широкополосный усилитель 12i усилитель 13 с регулируемым коэффици-25 ентом усилени ; квадратичный детектор 14; -усредн ющий блок 15j индикатор .16,heater 5, reference TsMS 6; current transducers 7 and 8 - voltage, subtraction lok 9, power sources 10 and 11, wideband amplifier 12i amplifier 13 with adjustable gain factor of 25; quadratic detector 14; - averaging block 15j indicator .16,

Устро йство работает следующим об-, разом.The arrangement works as follows.

Блок 1 пр.ограммного управлени  вы-30 полн ет функции приема, хранени  перечн  .команд программы контрол  и управлени  .блоком 2 формировани  кодового воздействи  2. Последний вырабатывает сигналы кодового воздейст- 5 ВИЯ, которые через измерительную головку 3 подаютс  на испытуемую и эталонную 6 ЦМС. Измерительна  головка содержит контролирующие элементы дл  контролируемой и-эталонной цифро- Q вых микросхем, необходимые дл  создани  условий контрол  (буферные элементы , нагрузка, согласующие, разв зывающие или преобразующие элементы), От источников 10 и 11 питание подает-дд с  соответственно на испытуемую А и эталонную 6 ЦМС. Одновременно напр жение с преобразователей 7 и 8 подаетс  на блок 9 вычитани , который вырабатывает напр жение пр мо пропорциональное разности токов потреблени  обеими микросхемами. Флуктуации напр жени  усиливаютс  широкополосным усилителем 12 и усилителем 13 с регулируемым коэффициентом усилени .The program control unit 1 provides you with the functions of receiving and storing a list of the commands of the monitoring and control program. Code action forming unit 2 2. The latter generates signals of code effect 5, and through test head 3 it is fed to test and reference 6 CMS. The measuring head contains the control elements for the controlled and reference Q digital circuits necessary to create the control conditions (buffer elements, load, matching, decoupling or conversion elements). The power is supplied from sources 10 and 11 to test A and reference 6 CMS. At the same time, the voltage from the transducers 7 and 8 is supplied to the subtraction unit 9, which produces a voltage directly proportional to the difference in the current consumption by both microcircuits. The voltage fluctuations are amplified by a wideband amplifier 12 and an amplifier 13 with adjustable gain.

Регулировка коэффициента усилени  обеспечивает нормальную работу квадратичного детектора 1, усредн ющего блока 15 и индикатора 16. Врем  усред50Adjusting the gain ensures normal operation of the quadratic detector 1, averaging unit 15 and indicator 16. Time average 50

5555

не ле вр во пр че стdo not lie in the past

поby

кр те об и ра ци ни фл до сиcr

ра ср ни ны сп но ра зу ту миWe are spawned

ма из го та но сн ци эт пе ниma from go ta no sn ci e pe

ФF

не ми на гр да им фл мо на ло лиnot mi on g

нени  мощности флуктуации при контроле надежности устанавливаетс  равным времени действи  входного кодового воздействи . Дл  обнаружени  неисправной цепи оно равно времени включени  цепи после начала действи  теста ..In the case of reliability control, the fluctuation power is set equal to the action time of the input code action. To detect a faulty circuit, it is equal to the time the circuit is turned on after the test has started.

Способ осуществл етс  в следующей последовательности.The method is carried out in the following sequence.

На контролируемую и эталонную микросхемы подают напр жение питани  и тестовые воздействи . С помощью.преобразователей 7 и 8 ток - напр жение и вычитающего блоке 9 формируетс  разность сигналов напр жени , пропорциональных флуктуаци м тока потреблени  микро,схем. Измер ют мощность флуктуации сформированной разности до и после нагрева микросхем до максимально неразрушающей температуры.Controlled and reference microcircuits are supplied with supply voltage and test effects. With the help of transducers 7 and 8 current - voltage and subtractive unit 9, the difference of voltage signals, proportional to the fluctuations of the current consumption of micro, circuits is formed. The fluctuation power of the formed difference is measured before and after the microcircuits are heated to the maximum non-destructive temperature.

. Информативным параметром разность мощностей флуктуации, по, сравнению .которой с заданным значением производит отбраковку нестабильных микросхем. Возможно осуществление способа и без использовани  эталонной микросхемы., в этом случае вместо разности сигналов напр жени  используют сигнал пропорциональный флуктуаци м тока питани  контролируемой микросхем.ы.. The informative parameter is the difference in power fluctuations compared to which with a given value rejects unstable microcircuits. It is possible to carry out the method without using a reference chip. In this case, instead of the difference in voltage signals, a signal proportional to the fluctuations of the supply current of the controlled chip is used.

Дл  определени  величины максимально неразрушающей температуры производ т следующие операции: заведомо годную микросхему данного типа, считают пороговой, определ ют максимально неразрушающую температуру путем сн ти  зависимости мощности флуктуации тока питани  от температуры.При этом максимально неразрушающую температуру определ ют в момент насыщени  зависимости.To determine the maximum non-destructive temperature, the following operations are performed: a known chip of this type is considered threshold, the maximum non-destructive temperature is determined by removing the dependence of the power of the supply current fluctuations on temperature. At the same time, the maximum non-destructive temperature is determined at the time of dependence.

Claims (1)

1. Способ отбраковки потенциально нестабильных цифровых интегральных микросхем, заключающийс  в том, что на контролируемую и эталонную интегральные микросхемы одновременно подают напр жение питани  и входное импульсное воздействие, преобразуют флуктуации тока питани  контролируе- мой и эталонной микросхем в сигналы напр жени , формируют разность сигна-. лов напр жени  от эталонной и контро лируемой микросхем и измер ют мощ 51525637 . 1. A method of rejecting potentially unstable digital integrated circuits, which consists in that the controlled and reference integrated circuits simultaneously supply the supply voltage and the input impulse effect, convert the fluctuations of the supply current of the controlled and reference circuits into voltage signals, form the signal difference . captures the voltage from the reference and controlled chips and measures the power 51525637. ность флуктуации разности сигналовнагревом и после охлаждени  контролинапр жений и выбирают ее в качестверуемой интегральной микросхемы и поthe fluctuation of the signal difference between the heating and after cooling of the control voltages and choose it as a quality integrated circuit and информативного параметра, о т л и-результату сравнени  разности инфорчающийс  тем, что, с целью по- ,мативных параметров с заданным знавышени  достоверности отбраковки по-чением отбраковывают потенциальноof an informative parameter, about a tl-and-result of comparing the difference, informative by the fact that, for the purpose of pomative, mathematical parameters with a given signi fi cantness of the reliability of the rejection, by reason, they reject potentially тенциально ненадежных интегральныхнестабильные интегральные микросхемы, микросхем, нагревают контролируемуюpotentially unreliable integrated, unstable integrated circuits, microcircuits, heat controlled интегральную микросхему до максималь-2, Способ поп. 1,отличаюно неразрушающей температуры, и вы- юЩ и и с   тем, что максимальную недерживают под нагревом заданное вре-разрушающую температуру определ ют поintegrated circuit up to max-2, method of pop. 1, a non-destructive temperature is distinguished, and with the fact that the maximum is not kept under heating a given time-breaking temperature is determined by м , охлаждают контролируемую инте-моменту-насыщени  температурной загральную микросхему, измер ют инфор-висимости мощности флуктуации токаm, cool the controlled on-time saturation of the temperature of the grinding chip, measure the information on the power of current fluctuations мативный параметр, определ ют раз-питани  эталонной интегральной миность информативных параметров перед 151кросхемы.Mathematical parameter, determine the power of the reference integral mino informative parameters in front of 151 chips.
SU874362188A 1987-11-30 1987-11-30 Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits SU1525637A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874362188A SU1525637A1 (en) 1987-11-30 1987-11-30 Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874362188A SU1525637A1 (en) 1987-11-30 1987-11-30 Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1525637A1 true SU1525637A1 (en) 1989-11-30

Family

ID=21349120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874362188A SU1525637A1 (en) 1987-11-30 1987-11-30 Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1525637A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162742A (en) * 1992-01-29 1992-11-10 International Business Machines Corporation Method for locating electrical shorts in electronic substrates

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1320778, кл. G 01 R 31/28, 1985. Авторское свидетельство СССР № 1420558, кл. G 01 R 31/28, 1986. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162742A (en) * 1992-01-29 1992-11-10 International Business Machines Corporation Method for locating electrical shorts in electronic substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4003246A (en) Specimen crack stress intensity control loop for test device
US3191441A (en) Weld quality monitoring device for welding machines
MY131275A (en) Burn-in apparatus and method
JPH09211088A (en) Method and apparatus for detecting fault in cmos integrated circuit
JP2000074986A (en) Device testing device
US3745460A (en) Method and apparatus for determining the thermal internal resistance in semiconductors of the same type
SU1525637A1 (en) Method of rejection of potentially unstable digital integral microcircuits
CN112945418A (en) Temperature measuring device and temperature measuring method of integrated chip
US3316404A (en) Infrared detecting system having a memory circuit utilizing a differential amplifier
JP2962283B2 (en) Fault detection method and fault detection device for integrated circuit
JP3169006B2 (en) Integrated circuit failure inspection apparatus, inspection method therefor, and recording medium recording control program therefor
JP3267869B2 (en) Test method of light receiving device
US4545681A (en) Method and apparatus for controlling measurement in a spectrophotometer
SU1420558A1 (en) Method of rejecting potentially unstable digital integrated microcircuits
RU2046365C1 (en) Process of rejection of cos/mos integrated circuits by reliability level
US2953748A (en) Transistor testing
US2975280A (en) Apparatus for the analysis of mixtures
JP2999108B2 (en) Method and apparatus for continuous detection of waveform peak of ultrasonic flaw detection signal
SU1596287A1 (en) Method of checking reliability of elements of radioelectronic equipment
RU2255331C1 (en) Device for rejecting metal items
JPS59135349A (en) System for measuring transmittance of infrared rays
JPS6097238A (en) Crack measuring apparatus
SU1226271A1 (en) Apparatus for inspection of ferromagnetic articles
SU862041A1 (en) Device for measuring load at the moment of specimen destruction
KR100328705B1 (en) Method and apparatus for diagnosing plasma reaction