SU1439560A1 - Bipolar voltage stabilizer - Google Patents

Bipolar voltage stabilizer Download PDF

Info

Publication number
SU1439560A1
SU1439560A1 SU874263379A SU4263379A SU1439560A1 SU 1439560 A1 SU1439560 A1 SU 1439560A1 SU 874263379 A SU874263379 A SU 874263379A SU 4263379 A SU4263379 A SU 4263379A SU 1439560 A1 SU1439560 A1 SU 1439560A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
collector
emitter
base
transistors
Prior art date
Application number
SU874263379A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Борисович Исаков
Михаил Васильевич Капитонов
Юрий Михайлович Соколов
Николай Иосифович Ясюкевич
Original Assignee
Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина) filed Critical Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина)
Priority to SU874263379A priority Critical patent/SU1439560A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1439560A1 publication Critical patent/SU1439560A1/en

Links

Landscapes

  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Description

(L

o+Ug,o + Ug,

А/Х OH

4;;ь со со ел4 ;; s co

оabout

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках электропитани  радиоэлектронной аппаратуры.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary sources of electrical power for electronic equipment.

Целью изобретени   вл етс  повышение стабильности выходного напр жени  .The aim of the invention is to increase the stability of the output voltage.

На чертеже представлена принципик коллектору дес того транзистора 23, база которого подключена к коллектору транзистора 9, а эмиттер - к объединенным второму коллектору и базе транзистора 6, база транзистора 11 соединена с коллектором транзистора 10, а его эмиттер - с базой выходного транзистора первого регулирующегоThe drawing shows the principle collector of the tenth transistor 23, the base of which is connected to the collector of transistor 9, and the emitter to the combined second collector and base of transistor 6, the base of transistor 11 is connected to the collector of transistor 10, and its emitter is connected to the base of the output transistor of the first regulating

альна  электрическа  схема двухпол р- JQсоставного транзистора 1, эмиттерelectrical circuit of a two-pole p-jq compound transistor 1, emitter

ного стабилизатора напр жени .одиннадцатого транзистора 24 подклю-Двухпол рный стабилизатор посто н-чей к второму выводу резистора 15, ного напр жени  содержит первый 1 иа его база - к точке соединени  ре- второй 2 регулирующие составные тран- зисторов 17 и 18. При этом транзисто- зисторы, первый 3 и второй 4 источни-j ры 1,5,6,7,11,12,13,23 и 24 и входнойof the eleventh transistor 24, the connection of the two-pole stabilizer constant to the second terminal of the resistor 15, the first voltage contains the first 1 and its base - to the junction point of the second 2 regulating composite transistors 17 and 18. In this case, the transistors, the first 3 and second 4 sources-j ry 1,5,6,7,11,12,13,23 and 24 and the input

2020

ки тока, первьй 5, второй 6, третий 7, четвертый 8, п тый 9, шестой 10, седьмой 11, восьмой 12, дев тый 13 транзисторы, первый 14, второй 15, третий 16, четвертый 17, п тый 18 резисторы,, причем первый вывод первого источника 3 тока подключен к первой входной шине 19 и к коллекторной цепи первого регулирующего составного транзистора 1, второй вывод источни- 25 тем, что площадь S перехода эмиттер - ка 3 подключен к базе первого регули- база транзистора 9 в N раз больше, рующего составного транзистора 1 и чем у транзистора 10, т.е. к эмиттерам транзисторов 5-7 и 12, базы транзисторов 5-7 объединены, первый коллектор транзистора 5 соединен с коллектором транзистора 8, база которого подключена к общей шине , а эмиттер - непосредственно к эмиттеру транзистора 9 и через резистор 14 - к эмиттеру транзистора 10 и к первому выводу резистора 15, базы транзисторов 9 и 10 объединены и через резистор 16 подключены к первой выходной шине 20 и к эмиттерной цепи первого регулирующего составного транзистора 1,.а через резисторы 17 и 18 - к второй выходной шине 21 и к эмиттерной цепи второго регулирующего составного транзистора 2, коллекторна  цепь которого подключенаcurrent currents, first 5, second 6, third 7, fourth 8, fifth 9, sixth 10, seventh 11, eighth 12, ninth 13 transistors, first 14, second 15, third 16, fourth 17, fifth 18 resistors, the first output of the first current source 3 is connected to the first input bus 19 and to the collector circuit of the first regulating composite transistor 1, the second output of the source 25 in that the emitter junction area S is connected to the base of the first regulator - base of transistor 9 in N times larger than the dividing composite transistor 1 and than with the transistor 10, i.e. to the emitters of transistors 5-7 and 12, the bases of transistors 5-7 are combined, the first collector of transistor 5 is connected to the collector of transistor 8, the base of which is connected to the common bus, and the emitter is directly to the emitter of transistor 9 and through a resistor 14 to the emitter of transistor 10 and to the first pin of the resistor 15, the bases of the transistors 9 and 10 are combined and connected via the resistor 16 to the first output bus 20 and to the emitter circuit of the first regulating composite transistor 1, .a through resistors 17 and 18 to the second output bus 21 and to the emitter circuit second regulate composite transistor 2, the collector circuit of which is connected

транзистор регулирующего составного транзистора 2 имеют один тип проводимости , а остальные транзисторы - второй , противоположный тип проводимости .the regulating transistor of the compound transistor 2 has one type of conductivity, and the remaining transistors have a second, opposite type of conductivity.

Статический режим транзисторов 5-10, вход щих в совмещенные источник опорного напр жени  и усилитель сиг-нала рассогласовани  обеспечиваетс The static mode of the transistors 5-10 included in the combined source of the reference voltage and the amplifier of the error signal is provided

Тогда при равных точках эмиттеровThen with equal points of emitters

этих транзисторов разность напр жений эмиттер-база Д Ugg j ,о определ етс  по формулеof these transistors, the voltage difference emitter-base D Ugg j, o is determined by the formula

иэбЯ1о Ч т1-П N,(1) ieBa1o Ch t1-P N, (1)

где m - технологический коэффициент; QT- температурный потенциал. Выравнивание-токов транзисторов 5-10 осуществл етс  за счет выравнивани  потенциалов коллектор - база этих транзисторов через регулирующий транзистор 1 и согласующие транзисторы 11-13 и 23. Опорное напр жениеwhere m is the technological coefficient; QT-temperature potential. The alignment of the currents of the transistors 5-10 is accomplished by equalizing the collector potentials — the base of these transistors through the regulating transistor 1 and the matching transistors 11-13 and 23. Reference voltage

30thirty

4040

U-n с учетом выражени  (1) определ -45Un taking into account the expression (1) is defined -45

оп етс  из соотношени is out of proportion

Ug, .2U,g + (mq,lnN) (3R,j ) /R,, (2) где U, - напр жени  эмиттер - базаUg, .2U, g + (mq, lnN) (3R, j) / R ,, (2) where U, is the voltage emitter - base

транзисторов 10 и 24. Известно, что при выборе правильного отношени  3R|5/R)4 можно добитьс с термокомпенсации U. Ток потреблени  источника опорного напр жени  практически не оказывает вли ни  наTransistors 10 and 24. It is well known that choosing the right 3R | 5 / R 4 ratio can be achieved with thermal compensation U. The current consumption of the source of reference voltage has almost no effect

к второй входной шине 22 и к первому вьшоду источника 4, а баз,а - к второму выводу источника 4 и к коллектору транзистора 11, коллектор транзистора 9 соединен с коллектором транзис45to the second input bus 22 and to the first output of source 4, and bases, and to the second output of source 4 and to the collector of transistor 11, the collector of transistor 9 is connected to a transistor collector 45

транзисторов 10 и 24. Известно, что при выборе правил ного отношени  3R|5/R)4 можно добить термокомпенсации U. Ток потребл ни  источника опорного напр жени  практически не оказывает вли ни  нtransistors 10 and 24. It is known that when choosing the correct ratio 3R | 5 / R) 4, it is possible to finish the thermal compensation U. The current consumption of the source of the reference voltage has almost no effect

тора 6, а коллектор транзистора 10 - выходе напр жение, так к к толькоthe torus 6, and the collector of the transistor 10 - the output voltage, so to only

с коллектором транзистора 7. Транзисторы 5 и 6 выполнены двухколлекторны- ми, причем коллектор транзистора 12 подключен к щине 22, а база - к второму коллектору транзистора 5 и к эмиттеру транзистора -13, база которого подключена к коллектору транзистора 8, а коллектор .- к общей шине иwith the collector of the transistor 7. The transistors 5 and 6 are made two-collector, and the collector of transistor 12 is connected to the bus 22, and the base to the second collector of transistor 5 and to the emitter of transistor -13, the base of which is connected to the collector of transistor 8, and the collector .- to shared bus and

тем, что площадь S перехода эмиттер - база транзистора 9 в N раз больше, чем у транзистора 10, т.е. the fact that the area of the S emitter junction - the base of the transistor 9 is N times larger than that of the transistor 10, i.e.

транзистор регулирующего составного транзистора 2 имеют один тип проводимости , а остальные транзисторы - второй , противоположный тип проводимости .the regulating transistor of the compound transistor 2 has one type of conductivity, and the remaining transistors have a second, opposite type of conductivity.

Статический режим транзисторов 5-10, вход щих в совмещенные источник опорного напр жени  и усилитель сиг-нала рассогласовани  обеспечиваетс The static mode of the transistors 5-10 included in the combined source of the reference voltage and the amplifier of the error signal is provided

тем, что площадь S перехода эмиттер - база транзистора 9 в N раз больше, чем у транзистора 10, т.е. the fact that the area of the S emitter junction - the base of the transistor 9 is N times larger than that of the transistor 10, i.e.

Тогда при равных точках эмиттеровThen with equal points of emitters

этих транзисторов разность напр жений эмиттер-база Д Ugg j ,о определ етс  по формулеof these transistors, the voltage difference emitter-base D Ugg j, o is determined by the formula

иэбЯ1о Ч т1-П N,(1) ieBa1o Ch t1-P N, (1)

где m - технологический коэффициент; QT- температурный потенциал. Выравнивание-токов транзисторов 5-10 осуществл етс  за счет выравнивани  потенциалов коллектор - база этих транзисторов через регулирующий транзистор 1 и согласующие транзисторы 11-13 и 23. Опорное напр жениеwhere m is the technological coefficient; QT-temperature potential. The alignment of the currents of the transistors 5-10 is accomplished by equalizing the collector potentials — the base of these transistors through the regulating transistor 1 and the matching transistors 11-13 and 23. Reference voltage

U-n с учетом выражени  (1) определ -U-n taking into account the expression (1) is defined -

оп етс  из соотношени is out of proportion

Ug, .2U,g + (mq,lnN) (3R,j ) /R,, (2) где U, - напр жени  эмиттер - базаUg, .2U, g + (mq, lnN) (3R, j) / R ,, (2) where U, is the voltage emitter - base

транзисторов 10 и 24. Известно, что при выборе правильного отношени  3R|5/R)4 можно добитьс с термокомпенсации U. Ток потреблени  источника опорного напр жени  практически не оказывает вли ни  наTransistors 10 and 24. It is well known that choosing the right 3R | 5 / R 4 ratio can be achieved with thermal compensation U. The current consumption of the source of reference voltage has almost no effect

его мала  часть (базовый ток транзистора 24) протекает через делитель выходного напр жени . Температурна  компенсаци  базового тока транзисто1: а 24 осуществл етс  пропорциональным изменением коэффициента усилени  по току этого транзистора и статическох о .тока транзисторов 5-10.its small part (base current of transistor 24) flows through the output voltage divider. The temperature compensation of the base current of the transistor 1: a 24 is carried out in proportion to the change in the current gain of the transistor and the static current of the transistors 5-10.

Двухпол рнын стабилизатор напр жени  работает следующим образом.The bipolar voltage regulator operates as follows.

Приращение напр жени  на выходной шине 20 стабилизатора напр жени  le- рез делитель выходного напр жени  (резисторы 14 и 15), усилитель сигнала рассогласовани  (транзисторы 5-10) и согласующие транзисторы 13 и 12 передаетс  на базу регулирующе- го транзистора 1. Проводимость транзистора 1 мен етс  таким образом, чтобы скомпенсировать первоначальное изменение выходного напр жени . При изменении напр жени  на выходной ши- не 21 процесс стабилизации аналогичен , с той лишь разницей, что согласующим элементом  вл етс  транзистор 1 1,The voltage increment on the output bus 20 of the voltage stabilizer le-the output voltage divider (resistors 14 and 15), the error signal amplifier (transistors 5-10) and the matching transistors 13 and 12 are transmitted to the base of the control transistor 1. Conductance of the transistor 1 is varied so as to compensate for the initial change in output voltage. When the voltage across the output bus 21 changes, the stabilization process is similar, with the only difference that the matching element is a transistor 1 1,

- Таким образом, данный двухпол рныи- Thus, this bipolar

стабилизатор н пр жени  обладает более высокой стабильностью выходного напр жени  по сравнению с прототипом за счет компенсации .нестабильностей опорного напр жени , св занных с изменением тока потреблени  усилителем сигнала рассогласовани , проход щего через делитель выходного напр жени .The voltage regulator has a higher output voltage stability compared to the prototype by compensating for the instability of the reference voltage associated with a change in the current consumption by the amplifier of the error signal passing through the output voltage divider.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Двухпол рныи стабилизатор напр жени , содержащий первый и второй регулирующие составные транзисторы, первый и второй источники тока, дев ть транзисторов, п ть резисторов, причем первый вывод первого источника тока подключен к первой входной шине и кколлекторной цепи первого регулирующего составного транзистора, база которого подключена к второму выводу первого источника -тока и к эмиттерам первого, второго, третьего транзисторов , базы которых объединены, коллектор первого транзистора соединен с коллектором четвертого транзистора, базй которого подключена к общей шине , а эмиттер - непосредственно к эмиттеру п того транзистора и через первый резистор - к эмиттеру шестого транзистора и к первому выводу второго резистора, базы п того и шестого транзисторов объединены и через треQ 5 A dual voltage regulator containing the first and second regulating composite transistors, the first and second current sources, nine transistors, five resistors, the first output of the first current source connected to the first input bus and the collector circuit of the first regulating transistor, the base of which is connected to the second output of the first source, and to the emitters of the first, second, third transistors, the bases of which are combined, the collector of the first transistor is connected to the collector of the fourth transistor, the base of which is connected to the common bus, and the emitter is directly to the emitter of the pth transistor and through the first resistor to the emitter of the sixth transistor and to the first output of the second resistor, the base of the fifth and sixth transistors are combined and through treQ 5 5five 00 5five 00 5five 00 тий резистор подключены к первой выходной шине и к эмиттерной цепи первого регулирующего составного транзистора , а через четвертый и п тый резисторы - к второй выходной шине и к эмиттерной цепи второго регулирующего составного транзистора, коллекторна  цепь которого подключена к второй входной шине и к первому выводу второго источника тока, а база - к второму ,выводу BTOpqro источника тока и к коллектору седьмого транзистора , коллектор п того транзистора соединен с коллектором второго транзистора , а коллектор шестого транзистора - с коллектором третьего транзистора , при этом первый, второй, третий, седьмой, а также входной транзисторы второго регулирующего составного транзистора имеют один тип проводимости, четвертьш, п тый, шестой, а также транзисторы первого регулирующего составного транзистора имеют противоположный .тип.проводимости , отличающийс  тем, что, с целью повьш ени  стабильности выходного напр жени , в него введены дес тый и одиннадцатый транзисторы, а первый и второй транзисторы выполнены двухколлекторными, причем эмиттер восьмого транзистора подключен к эмиттеру первого транзистора, коллектор - к второй входной шине, а база - к второму коллектору первого транзистора и к эмиттеру дев того транзистора, база которого подключена к коллектору четвертого транзистора, а коллектор - к общей шине и к кол- лектору дес того транзистора, эмиттер которого подключен к объединенным второму коллектору и базе второго транзистора, база седьмого транзистора соединена с коллектором шестого транзистора, эмиттер - с базой выходного транзистора первого регулирующего составного транзистора, эмиттер одиннадцатого транзистора подключен к второму выводу второго резистора, база - к точке соед1 нени  четвертого и п того резисторов, при этом восьмой , дев тый, дес тый и одиннадцатый транзисторы имеют р-п-р-тип .проводимости .The third resistor is connected to the first output bus and to the emitter circuit of the first regulating composite transistor, and through the fourth and fifth resistors to the second output bus and to the emitter circuit of the second regulating composite transistor, whose collector circuit is connected to the second input bus and to the first output of the second the current source, and the base to the second, the output current BTOpqro and to the collector of the seventh transistor, the collector of the fifth transistor is connected to the collector of the second transistor, and the collector of the sixth transistor is connected to The first transistor, the first, second, third, seventh, as well as the input transistors of the second regulating composite transistor have one type of conduction, a quarter, fifth, sixth, and also the transistors of the first regulating composite transistor have the opposite type of conductivity, differing from that, in order to increase the stability of the output voltage, the tenth and eleventh transistors are introduced into it, and the first and second transistors are made two-collector, and the emitter of the eighth transistor is connected n to the emitter of the first transistor, the collector to the second input bus, and the base to the second collector of the first transistor and to the emitter of the ninth transistor whose base is connected to the collector of the fourth transistor, and the collector to the ten transistor The emitter of which is connected to the combined second collector and the base of the second transistor, the base of the seventh transistor is connected to the collector of the sixth transistor, the emitter is connected to the base of the output transistor of the first regulating composite transistor, the emitter is single The tenth transistor is connected to the second output of the second resistor, the base is connected to the junction point of the fourth and fifth resistors, with the eighth, ninth, tenth and eleventh transistors having pn-p-type conductivity.
SU874263379A 1987-06-16 1987-06-16 Bipolar voltage stabilizer SU1439560A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874263379A SU1439560A1 (en) 1987-06-16 1987-06-16 Bipolar voltage stabilizer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874263379A SU1439560A1 (en) 1987-06-16 1987-06-16 Bipolar voltage stabilizer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1439560A1 true SU1439560A1 (en) 1988-11-23

Family

ID=21311418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874263379A SU1439560A1 (en) 1987-06-16 1987-06-16 Bipolar voltage stabilizer

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1439560A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 1117609, кп. G 05 F 1/56, 1984. Авторское свидетельство СССР № 1133588, кл. G 05 F 1/56, 1985. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4896094A (en) Bandgap reference circuit with improved output reference voltage
US3893018A (en) Compensated electronic voltage source
US4264873A (en) Differential amplification circuit
US4524318A (en) Band gap voltage reference circuit
US4030023A (en) Temperature compensated constant voltage apparatus
US5293112A (en) Constant-current source
US5258703A (en) Temperature compensated voltage regulator having beta compensation
US4330744A (en) Precision converter/isolation circuit
SU1439560A1 (en) Bipolar voltage stabilizer
US5089769A (en) Precision current mirror
US4843303A (en) Voltage regulator circuit
US4667145A (en) Voltage regulator circuit
US4928073A (en) DC amplifier
US4485313A (en) Low-value current source circuit
JPH0628014B2 (en) Reference voltage generator
US5017858A (en) Constant-current regulated power circuit
JPH0760352B2 (en) Temperature-compensated current source and voltage regulator using the same
SU1118983A1 (en) D.c.voltage stabilizer
SU1628055A1 (en) Dc voltage stabilizer
SU1133588A1 (en) Bipolar dc voltage stabilizer
SU1188720A1 (en) Bipolar d.c.voltage stabilizer
KR900008540B1 (en) Current control circuit of differiental circuit of transistor
JP3103104B2 (en) Buffer circuit
JP2720458B2 (en) Buffer amplifier
JPH0471364B2 (en)