SU1439560A1 - Bipolar voltage stabilizer - Google Patents
Bipolar voltage stabilizer Download PDFInfo
- Publication number
- SU1439560A1 SU1439560A1 SU874263379A SU4263379A SU1439560A1 SU 1439560 A1 SU1439560 A1 SU 1439560A1 SU 874263379 A SU874263379 A SU 874263379A SU 4263379 A SU4263379 A SU 4263379A SU 1439560 A1 SU1439560 A1 SU 1439560A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- emitter
- base
- transistors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
(Л(L
o+Ug,o + Ug,
А/Х OH
4;;ь со со ел4 ;; s co
оabout
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках электропитани радиоэлектронной аппаратуры.The invention relates to electrical engineering and can be used in secondary sources of electrical power for electronic equipment.
Целью изобретени вл етс повышение стабильности выходного напр жени .The aim of the invention is to increase the stability of the output voltage.
На чертеже представлена принципик коллектору дес того транзистора 23, база которого подключена к коллектору транзистора 9, а эмиттер - к объединенным второму коллектору и базе транзистора 6, база транзистора 11 соединена с коллектором транзистора 10, а его эмиттер - с базой выходного транзистора первого регулирующегоThe drawing shows the principle collector of the tenth transistor 23, the base of which is connected to the collector of transistor 9, and the emitter to the combined second collector and base of transistor 6, the base of transistor 11 is connected to the collector of transistor 10, and its emitter is connected to the base of the output transistor of the first regulating
альна электрическа схема двухпол р- JQсоставного транзистора 1, эмиттерelectrical circuit of a two-pole p-jq compound transistor 1, emitter
ного стабилизатора напр жени .одиннадцатого транзистора 24 подклю-Двухпол рный стабилизатор посто н-чей к второму выводу резистора 15, ного напр жени содержит первый 1 иа его база - к точке соединени ре- второй 2 регулирующие составные тран- зисторов 17 и 18. При этом транзисто- зисторы, первый 3 и второй 4 источни-j ры 1,5,6,7,11,12,13,23 и 24 и входнойof the eleventh transistor 24, the connection of the two-pole stabilizer constant to the second terminal of the resistor 15, the first voltage contains the first 1 and its base - to the junction point of the second 2 regulating composite transistors 17 and 18. In this case, the transistors, the first 3 and second 4 sources-j ry 1,5,6,7,11,12,13,23 and 24 and the input
2020
ки тока, первьй 5, второй 6, третий 7, четвертый 8, п тый 9, шестой 10, седьмой 11, восьмой 12, дев тый 13 транзисторы, первый 14, второй 15, третий 16, четвертый 17, п тый 18 резисторы,, причем первый вывод первого источника 3 тока подключен к первой входной шине 19 и к коллекторной цепи первого регулирующего составного транзистора 1, второй вывод источни- 25 тем, что площадь S перехода эмиттер - ка 3 подключен к базе первого регули- база транзистора 9 в N раз больше, рующего составного транзистора 1 и чем у транзистора 10, т.е. к эмиттерам транзисторов 5-7 и 12, базы транзисторов 5-7 объединены, первый коллектор транзистора 5 соединен с коллектором транзистора 8, база которого подключена к общей шине , а эмиттер - непосредственно к эмиттеру транзистора 9 и через резистор 14 - к эмиттеру транзистора 10 и к первому выводу резистора 15, базы транзисторов 9 и 10 объединены и через резистор 16 подключены к первой выходной шине 20 и к эмиттерной цепи первого регулирующего составного транзистора 1,.а через резисторы 17 и 18 - к второй выходной шине 21 и к эмиттерной цепи второго регулирующего составного транзистора 2, коллекторна цепь которого подключенаcurrent currents, first 5, second 6, third 7, fourth 8, fifth 9, sixth 10, seventh 11, eighth 12, ninth 13 transistors, first 14, second 15, third 16, fourth 17, fifth 18 resistors, the first output of the first current source 3 is connected to the first input bus 19 and to the collector circuit of the first regulating composite transistor 1, the second output of the source 25 in that the emitter junction area S is connected to the base of the first regulator - base of transistor 9 in N times larger than the dividing composite transistor 1 and than with the transistor 10, i.e. to the emitters of transistors 5-7 and 12, the bases of transistors 5-7 are combined, the first collector of transistor 5 is connected to the collector of transistor 8, the base of which is connected to the common bus, and the emitter is directly to the emitter of transistor 9 and through a resistor 14 to the emitter of transistor 10 and to the first pin of the resistor 15, the bases of the transistors 9 and 10 are combined and connected via the resistor 16 to the first output bus 20 and to the emitter circuit of the first regulating composite transistor 1, .a through resistors 17 and 18 to the second output bus 21 and to the emitter circuit second regulate composite transistor 2, the collector circuit of which is connected
транзистор регулирующего составного транзистора 2 имеют один тип проводимости , а остальные транзисторы - второй , противоположный тип проводимости .the regulating transistor of the compound transistor 2 has one type of conductivity, and the remaining transistors have a second, opposite type of conductivity.
Статический режим транзисторов 5-10, вход щих в совмещенные источник опорного напр жени и усилитель сиг-нала рассогласовани обеспечиваетс The static mode of the transistors 5-10 included in the combined source of the reference voltage and the amplifier of the error signal is provided
Тогда при равных точках эмиттеровThen with equal points of emitters
этих транзисторов разность напр жений эмиттер-база Д Ugg j ,о определ етс по формулеof these transistors, the voltage difference emitter-base D Ugg j, o is determined by the formula
иэбЯ1о Ч т1-П N,(1) ieBa1o Ch t1-P N, (1)
где m - технологический коэффициент; QT- температурный потенциал. Выравнивание-токов транзисторов 5-10 осуществл етс за счет выравнивани потенциалов коллектор - база этих транзисторов через регулирующий транзистор 1 и согласующие транзисторы 11-13 и 23. Опорное напр жениеwhere m is the technological coefficient; QT-temperature potential. The alignment of the currents of the transistors 5-10 is accomplished by equalizing the collector potentials — the base of these transistors through the regulating transistor 1 and the matching transistors 11-13 and 23. Reference voltage
30thirty
4040
U-n с учетом выражени (1) определ -45Un taking into account the expression (1) is defined -45
оп етс из соотношени is out of proportion
Ug, .2U,g + (mq,lnN) (3R,j ) /R,, (2) где U, - напр жени эмиттер - базаUg, .2U, g + (mq, lnN) (3R, j) / R ,, (2) where U, is the voltage emitter - base
транзисторов 10 и 24. Известно, что при выборе правильного отношени 3R|5/R)4 можно добитьс с термокомпенсации U. Ток потреблени источника опорного напр жени практически не оказывает вли ни наTransistors 10 and 24. It is well known that choosing the right 3R | 5 / R 4 ratio can be achieved with thermal compensation U. The current consumption of the source of reference voltage has almost no effect
к второй входной шине 22 и к первому вьшоду источника 4, а баз,а - к второму выводу источника 4 и к коллектору транзистора 11, коллектор транзистора 9 соединен с коллектором транзис45to the second input bus 22 and to the first output of source 4, and bases, and to the second output of source 4 and to the collector of transistor 11, the collector of transistor 9 is connected to a transistor collector 45
транзисторов 10 и 24. Известно, что при выборе правил ного отношени 3R|5/R)4 можно добить термокомпенсации U. Ток потребл ни источника опорного напр жени практически не оказывает вли ни нtransistors 10 and 24. It is known that when choosing the correct ratio 3R | 5 / R) 4, it is possible to finish the thermal compensation U. The current consumption of the source of the reference voltage has almost no effect
тора 6, а коллектор транзистора 10 - выходе напр жение, так к к толькоthe torus 6, and the collector of the transistor 10 - the output voltage, so to only
с коллектором транзистора 7. Транзисторы 5 и 6 выполнены двухколлекторны- ми, причем коллектор транзистора 12 подключен к щине 22, а база - к второму коллектору транзистора 5 и к эмиттеру транзистора -13, база которого подключена к коллектору транзистора 8, а коллектор .- к общей шине иwith the collector of the transistor 7. The transistors 5 and 6 are made two-collector, and the collector of transistor 12 is connected to the bus 22, and the base to the second collector of transistor 5 and to the emitter of transistor -13, the base of which is connected to the collector of transistor 8, and the collector .- to shared bus and
тем, что площадь S перехода эмиттер - база транзистора 9 в N раз больше, чем у транзистора 10, т.е. the fact that the area of the S emitter junction - the base of the transistor 9 is N times larger than that of the transistor 10, i.e.
транзистор регулирующего составного транзистора 2 имеют один тип проводимости , а остальные транзисторы - второй , противоположный тип проводимости .the regulating transistor of the compound transistor 2 has one type of conductivity, and the remaining transistors have a second, opposite type of conductivity.
Статический режим транзисторов 5-10, вход щих в совмещенные источник опорного напр жени и усилитель сиг-нала рассогласовани обеспечиваетс The static mode of the transistors 5-10 included in the combined source of the reference voltage and the amplifier of the error signal is provided
тем, что площадь S перехода эмиттер - база транзистора 9 в N раз больше, чем у транзистора 10, т.е. the fact that the area of the S emitter junction - the base of the transistor 9 is N times larger than that of the transistor 10, i.e.
Тогда при равных точках эмиттеровThen with equal points of emitters
этих транзисторов разность напр жений эмиттер-база Д Ugg j ,о определ етс по формулеof these transistors, the voltage difference emitter-base D Ugg j, o is determined by the formula
иэбЯ1о Ч т1-П N,(1) ieBa1o Ch t1-P N, (1)
где m - технологический коэффициент; QT- температурный потенциал. Выравнивание-токов транзисторов 5-10 осуществл етс за счет выравнивани потенциалов коллектор - база этих транзисторов через регулирующий транзистор 1 и согласующие транзисторы 11-13 и 23. Опорное напр жениеwhere m is the technological coefficient; QT-temperature potential. The alignment of the currents of the transistors 5-10 is accomplished by equalizing the collector potentials — the base of these transistors through the regulating transistor 1 and the matching transistors 11-13 and 23. Reference voltage
U-n с учетом выражени (1) определ -U-n taking into account the expression (1) is defined -
оп етс из соотношени is out of proportion
Ug, .2U,g + (mq,lnN) (3R,j ) /R,, (2) где U, - напр жени эмиттер - базаUg, .2U, g + (mq, lnN) (3R, j) / R ,, (2) where U, is the voltage emitter - base
транзисторов 10 и 24. Известно, что при выборе правильного отношени 3R|5/R)4 можно добитьс с термокомпенсации U. Ток потреблени источника опорного напр жени практически не оказывает вли ни наTransistors 10 and 24. It is well known that choosing the right 3R | 5 / R 4 ratio can be achieved with thermal compensation U. The current consumption of the source of reference voltage has almost no effect
его мала часть (базовый ток транзистора 24) протекает через делитель выходного напр жени . Температурна компенсаци базового тока транзисто1: а 24 осуществл етс пропорциональным изменением коэффициента усилени по току этого транзистора и статическох о .тока транзисторов 5-10.its small part (base current of transistor 24) flows through the output voltage divider. The temperature compensation of the base current of the transistor 1: a 24 is carried out in proportion to the change in the current gain of the transistor and the static current of the transistors 5-10.
Двухпол рнын стабилизатор напр жени работает следующим образом.The bipolar voltage regulator operates as follows.
Приращение напр жени на выходной шине 20 стабилизатора напр жени le- рез делитель выходного напр жени (резисторы 14 и 15), усилитель сигнала рассогласовани (транзисторы 5-10) и согласующие транзисторы 13 и 12 передаетс на базу регулирующе- го транзистора 1. Проводимость транзистора 1 мен етс таким образом, чтобы скомпенсировать первоначальное изменение выходного напр жени . При изменении напр жени на выходной ши- не 21 процесс стабилизации аналогичен , с той лишь разницей, что согласующим элементом вл етс транзистор 1 1,The voltage increment on the output bus 20 of the voltage stabilizer le-the output voltage divider (resistors 14 and 15), the error signal amplifier (transistors 5-10) and the matching transistors 13 and 12 are transmitted to the base of the control transistor 1. Conductance of the transistor 1 is varied so as to compensate for the initial change in output voltage. When the voltage across the output bus 21 changes, the stabilization process is similar, with the only difference that the matching element is a transistor 1 1,
- Таким образом, данный двухпол рныи- Thus, this bipolar
стабилизатор н пр жени обладает более высокой стабильностью выходного напр жени по сравнению с прототипом за счет компенсации .нестабильностей опорного напр жени , св занных с изменением тока потреблени усилителем сигнала рассогласовани , проход щего через делитель выходного напр жени .The voltage regulator has a higher output voltage stability compared to the prototype by compensating for the instability of the reference voltage associated with a change in the current consumption by the amplifier of the error signal passing through the output voltage divider.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874263379A SU1439560A1 (en) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Bipolar voltage stabilizer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874263379A SU1439560A1 (en) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Bipolar voltage stabilizer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1439560A1 true SU1439560A1 (en) | 1988-11-23 |
Family
ID=21311418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874263379A SU1439560A1 (en) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | Bipolar voltage stabilizer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1439560A1 (en) |
-
1987
- 1987-06-16 SU SU874263379A patent/SU1439560A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1117609, кп. G 05 F 1/56, 1984. Авторское свидетельство СССР № 1133588, кл. G 05 F 1/56, 1985. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4896094A (en) | Bandgap reference circuit with improved output reference voltage | |
US3893018A (en) | Compensated electronic voltage source | |
US4264873A (en) | Differential amplification circuit | |
US4524318A (en) | Band gap voltage reference circuit | |
US4030023A (en) | Temperature compensated constant voltage apparatus | |
US5293112A (en) | Constant-current source | |
US5258703A (en) | Temperature compensated voltage regulator having beta compensation | |
US4330744A (en) | Precision converter/isolation circuit | |
SU1439560A1 (en) | Bipolar voltage stabilizer | |
US5089769A (en) | Precision current mirror | |
US4843303A (en) | Voltage regulator circuit | |
US4667145A (en) | Voltage regulator circuit | |
US4928073A (en) | DC amplifier | |
US4485313A (en) | Low-value current source circuit | |
JPH0628014B2 (en) | Reference voltage generator | |
US5017858A (en) | Constant-current regulated power circuit | |
JPH0760352B2 (en) | Temperature-compensated current source and voltage regulator using the same | |
SU1118983A1 (en) | D.c.voltage stabilizer | |
SU1628055A1 (en) | Dc voltage stabilizer | |
SU1133588A1 (en) | Bipolar dc voltage stabilizer | |
SU1188720A1 (en) | Bipolar d.c.voltage stabilizer | |
KR900008540B1 (en) | Current control circuit of differiental circuit of transistor | |
JP3103104B2 (en) | Buffer circuit | |
JP2720458B2 (en) | Buffer amplifier | |
JPH0471364B2 (en) |