SU1322455A1 - Высоковольтный ключ - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Может быть использовано дл  коммутации высокого напр жени , например в модул торах импульсных передатчиков. Цель изобретени  - повышение быстродействи . Устройство содержит транзисторы 1-3, диоды 4-6, резисторы 10-14, конденсатор 17, источник 18 питани . В устройство введены второй источник 19 питани , диоды 7-9, резисторы 15, 16. На чертеже также показаны перва  входна  шина 20, обща  шина 21, нагрузка 22, втора  входна  шина 23. Введение новых элементов с новыми взаимосв з ми позвол ет уменьшить врем  переключени  транзисторов, за счет чего и достигаетс  цель. 1 ил. (Л со tsD Ю 4 СЛ СП

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано дл  коммутации высокого напр жени , например, в модул торах импульсных передатчиков.

Цель изобретени  - повышение быстродействи  за счет уменьшени  времени переключени  транзисторов.

На чертеже представлена схема высоковольтного ключа.

Высоковольтный ключ содержит три транзистора 1-3, шесть диодов 4-9, семь резисторов 10-16, конденсатор 17, первый 18 и второй 19 источники питани , причем эмиттер первого транзистора 1 подключен к первым выводам первого диода 4 и первого резистора 10, вторые выводы которых соединены с первой входной шиной 20 и базой первого транзистора 1, коллектор которого подключен к первому выводу второго резистора 11 и одному выводу конденсатора 17, другой вывод которого соединен с эмиттером второго транзистора 2 и через второй диод 5 и третий резистор 12, которые включены параллельно, с базой второго транзистора 2, эмиттер третьего транзистора 3 подключен к первым выводам третьего диода 6 и четвертого резистора 3, вторые выводы которых соединены с базой третьего транзистора 3, коллектор которого через п тый резистор 14 подключен к второму выводу второго резистора 11 и к первой шине первого источника 18 питани , втора  илина которого соединена с общей шиной 21, одна шина второго источника 19 подключена к обш,ей шине 21, а друга  шина через нагрузку 22 соединена с коллектором второго транзистора 2 и одним выводом четвертого диода 7, другой вывод которого подключен к нервой шине первого источника 18 питани , эмиттер второго транзистора 2 через шестой резистор 15 соединен с эмиттером третьего транзистора 3 и одним выводом п того диода 8, другой вывод которого подключен к обшей шине 21, базе второго транзистора 2 и через шестой диод 9 и седьмой резистор 16, которые соединены параллельно, к эмиттеру первого транзистора 1, база третьего транзистора 3 соединена с второй входной шиной 23.

Высоковольтный ключ работает следую- шим образом.

В исходном состо нии все транзисторы 1-3 заперты. Напр жение на коллекторах транзисторов 1 и 3 равно напр жению первого источника 18 питани , а на коллекторе транзистора 2 - напр жению второго источника 19 питани . Напр жение первого источника 18 питани  может быть выбрано значительно меньше, чем напр жение ESTO- рого источника 19 питани , и транзисторы 1 и 3 могут быть низковольтными, а значит, и более высокочастотными. При подаче на первую входную шину 20 положительного импульса транзистор 1 открываетс . Благодар  наличию седьмого резистора 16 и тому , что база транзистора 2 соединена с обшей шиной 21, транзистор 1 во врем  действи  импульса запуска остаетс  в активной

области и не насышаетс , что обеспечивает малое врем  его выключени . После открыти  транзистора 1 открываетс  транзистор 2. включенный по схеме ОБ. Наличие диода 7 позвол ет зафиксировать напр жение на

Q коллекторе открытого транзистора 2 на уровне напр жени , примерно равного напр жению первого источника 18 питани . Благодар  этому транзистор 2 также находитс  в активной области, и врем  его включени  мало.

5 Таким образом, врем  включени  высоковольтного ключа опередел етс  временем включени  высокочастотного транзистора 1 и высоковольтного транзистора 2, включенного по схеме ОБ. В результате этого врем 

Q включени  оказываетс  малым.

По окончании положительного импульса запуска на нервой входной шине 20 формируетс  отрицательный импульс и одновременно с ним на второй входной шине 23 положительный импульс сброса. Отрицатель5 ный импульс на входной шине 20 ускор ет выключение транзистора 1, создава  ток базы противоположной пол рности.

Положительный импульс сброса открывает транзистор 3 и обеспечивает ускорение выключени  транзистора 2 по цепи: перва  шина первого источника 18 питани , п тый резистор 14, открытый транзистор 3, шестой резистор 15, переход эмиттер-база второго транзистора 2, обща  шина 21.

По окончании положительного импульса

r сброса на второй входной шине 23 формируетс  отрицательный импульс, аналогичный отрицательному импульсу на первой входной шине 20, служащий дл  ускорени  выключени  транзистора 3.

Быстродействие предлагаемого высоковольтного ключа выше, чем у известных, за счет уменьшени  времени переключени  транзисторов.

0

0

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Высоковольтный ключ, содержащ; Й три транзистора, шесть диодов, семь резисторов, конденсатор и первый источник питани , эмиттер первого транзистора подключен к первым выводам первого диода и первого ре- зистора, вторые выводы которых соединены с первой входной шиной и базой первого транзистора, коллектор которого подключен к первому выводу второго резистора и одному выводу конденсатора, другой вывод которого соединен с эмиттером второго транзистора и через второй диод и третий резистор , которые включены параллельно, с базой второго транзистора, эмиттер третьего транзистора подключен к первым выводам

   третьего диода и четвертого резистора, вторые выводы которых соединены с базой третьего транзистора, коллектор которого через п тый резистор подключен к второму выводу второго резистора и к первой шине первого источника питани , втора  шина которого соединена с общей шиной, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи , введен второй источник питани , одна шина которого подключена к обшей шине, а друга  шина через нагрузку соединена с коллектором второго транзистора и одним выводом четвертого диода, другой вывод которого подключен к первой шине первого источника питани , эмиттер второго транзистора через шестой резистор соединен с эмиттером третьего транзистора и одним выводом п того диода, другой вывод которого подключен к обш,ей шине, базе второго транзистора и через шестой диод и седьмой резистор , которые соединены параллельно, к

   эмиттеру первого транзистора, база третьего транзистора соединена с второй входной шиной.