SU1220105A1 - Усилитель мощности - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к радио- и обеспечивает уменьшение нелинейных искажений при изменении .сопротивлени  нагрузки. Усилитель мощности содержит входной фазоинверс- ный каскад I с разделенной нагрузкой (РН) 2,3, цепь смещени  4, выходной двухтактный каскад (ВДК), цепь отрицательной обратной св зи 17. ВДК содержит транзисторы (Т) 5,7 и 6,8 образующие два плеча, компенсирующие пр мосмещенные диоды 9,10, резисторы 11,12, дополнительные транзисторы 13,14, токозадающие резисторы 15,16. Т 5,7 и 6,8 включены по схеме с общим эмиттером. Базы Т 5,6 подключены к соответствующим РН 2,3, О (Л ю to ел о

Description

Напр жение с точки объединени  коллекторов Т 7,8 поступает в нагрузку и через цепь отрицательной обратной св зи 17 подаетс  на неинвертирующий вход входного фазоинверсного каскада Т 5,8 имеют одинаковую структуру, отличную от структуры Т 6,7. При прохождении положительной полуволны проводимость РН 2 увеличиваетс , а РН 3 - уменьшаетс . При этом увеличиваетс  эмиттерный, и следовательно.

Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  в высоккачественной аппаратуре воспроизведени  звука.

i Цель изобретени  - уменьшение нел нейных искажений при изменении сопротивлени  нагрузки.

На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема усилител  мощно с.ти.

Усилитель мощности содержит входной фазоинверсный каскад 1 с разде- лрнной нагрузкой 2,3, цепь 4 смещени , выходной двухтактный каскад, выполненный на первых транзисторах 5,6, вторых,транзисторах 7,8, компенсирующих пр мосмещенных диодах .9,10, резисторах 11,12, дополнительных транзисторах 13,14, токозадаю- щих резис торах 1 5,1 6 , цепь отри- цательной обратной св зи (OOC)l7.

Усилитель мощности работает следующим образом.

При отсутствии сигнала падение напр жени  на цепи 4 смещени  соз- дает начальное смещение на базах первых транзисторов 5 и 6, коллекторный ток которых, в свою очередь, поддерживает вторые транзисторы 7 и В в начальном провод щем состо -

НИИ.

При прохождении положительной полуволны, сигнала проводимость транзистора разделенной нагрузки 2 увеличиваетс , а транзистора раз- деленной нагрузки 3 уменьшаетс . Напр жение на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 5 возрастает и увеличивает ток коллектора этоколлекторный ток дополнительного Т 3, что компенсирует уменьшение напр жени  на базо-эмиттерном переходе Т 6. При прохождении отрицательной полуволны увеличиваетс  коллекторный ток дополнительного Т 14. Любое отклонение сопротивлени  нагрузки приводит к изменению коллекторных токов дополнительных Т 13, 14. Это в свою очередь , поддерживает Т 5,6 иТ 7,8 в первоначальном провод щем состо нии. ил.

го транзистора, что приводит к увеличению напр жени  на базо-эмиттерном переходе и соответственно коллекторного тока второго транзистора 7. При этом, так как цепь 4 смещени , базо-эмиттерный переход первого транзистора 5. первых резисторов П и 12, базо-эмиттерный переход первого транзистора 6 составл ют замкнутый контур, должно уменьшитьс  напр жение на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 6 .

Однако увеличение коллекторного тока первого транзистора 5 приводит к увеличению падени  напр жени  на пр мосмещенном компенсирующем диоде 9, на базо-эмиттерном переходе второго транзистора 7, на базо-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 13 и на токозадающем резисторе 15. Токозадающий резистор 15 и базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора 13 образует цепь, включенную параллельно цепи, .состо щей из компенсирующего пр мо- смещенного диода 9 и базо-эмиттер- ного перехода второго транзистора 7, поэтому напр жение на токозадающем резисторе 15 измен етс  пр мо пропорционально изменению напр жени  на базо-эмиттерном переходе второго транзистора 7, так как изменение напр жени  на базо-эмиттерном переходе дополнительного транзистора 13 компенсируетс  изменением напр жени  на компенсирующем пр мосмещенном диоде 9. Так как характер изменени  напр жени  на базо-эмиттерных перехо3

дах бипол рных транзисторов одинаков то увеличение напр жени  на базо-эми терном переходе второго транзистора 7 приводит к увеличению напр жени  на базо-эмиттерном переходе пер- вого транзистора 5, Увеличение напр жени  на токозадающем резисторе 15 увеличивает эмиттерный и, соответственно коллекторный ток дополнительного транзистора 13, который по- вышает потенциал в точке соединени  эмиттера первого транзистора 6 с резистором 12, пр мо пропорционально увеличению напр жени  на базо- эмиттерном переходе первого транзис- тора 5. Таким образом, достигаетс  компенсаци  уменьшени  напр жени  на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 6, коллекторный ток которого определ ет проводимость второго транзистора 8.

Аналогично при прохождении отрицательной полуволны сигнала увеличиваетс  коллекторный ток дополнитель- ного транзистора 14, что, соответственно , компенсирует уменьшение напр жени  на базо-эмиттерном переходе первого транзистора 6 на первоначальном уровне.

Так как коллекторный ток дополнительных транзисторов 13 и 14 зависит от напр жени  на базо-эмиттерных переходах вторых транзисторов 7 и 8, а они, в свою очередь, определ ют ток в нагрузке, то, очевидно, любое отклонение сопротивлени  нагрузки от номинального значени  приводит к соответствующему изменению коллекторных токов дополнительных транзисторов 13 и 14, которые, в свою очередь поддерживают первые транзисторы 5 и и вторые транзисторы 7 и 8 в первоначальном провод щем состо нии при соответствующих полуволнах сигналов.

Таким образом, в усилителе мощности при прохождении сигнала все транзисторы работают в линейной обРедактор Н.Гунько

Составитель Й.Вод хина Техред Н.Бонкало Корректор Г.Решетник

Заказ 1331/59 Тираж 816Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска  наб., д.4/5

Филиал 1ШП Патент, г.Ужгород, ул. Проектна , 4

g s 0

5

0

5

0

5

05

ласти выходной характеристики независимо от сопротивлени  нагрузки.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Усилитель мощности, содержащий последовательно соединенные входной фазоинверсньш каскад с разделенной нагрузкой и выходной двухтактный каскад, каждое плечо которого выполнено на первом и втором транзисторах, включенных по схеме с общим эмиттером , имеющие разную структуру, при этом базы первых транзисторов подключены к соответствующим разделенным нагрузкам входного фазоинверсно- го каскада и соединены между собой через цепь смещени , в каждом плече- выходного двухтактного каскада коллектор второго транзистора через резистор соединен с эмиттером первого транзистора, при этом коллекторы вторых транзисторов объединены и через цепь отрицательной обратной св зи подключены к неинвертирующему входу входного фазоинверсного каскада , причем первый транзистор одного плеча и второй транзистор другого плеча имеют одинаковую структуру , отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  нелинейных искажений при изменении сопротивлени  нагрузки, в каждое плечо выходного двухтактного каскада введены дополнительный транзистор, структура которого соответствует структуре второго транзистора, токозадаю- щий резистор, компенсирующий пр мо- смещенный диод, причем в каждом плече выходного двухтактного каскада база второго транзистора через компенсирующий пр мосмещенный диод соединена с коллектором первого транзистора и базой дополнительного транзистора, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с соответствующей шиной источника питани , а коллектор - с эмиттером первого транзистора другого плеча.