SU1001830A1 - Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением - Google Patents

Abstract

1. Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением, например тиристор, содержащий не менее двух ячеек, каждая из которых включает базу с участками различного удельного сопротивления, p- анод и n- катод, окруженный p- затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения активной площади прибора с полевым управлением при сохранении высоких значений коэффициента запирания и быстродействия, база выполнена 3-х слойной, высокоомный слой базы расположен между низкоомными слоями, при этом удельное сопротивление высокоомного слоя базы по крайней мере на порядок выше удельного сопротивления низкоомных слоев.2. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что вдоль канала со стороны n- катода в базовой области на границе n - nвыполнен градиент удельного сопротивления gradρ≥ 10Oм.