RU2668968C1 - Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах - Google Patents
Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2668968C1 RU2668968C1 RU2017139039A RU2017139039A RU2668968C1 RU 2668968 C1 RU2668968 C1 RU 2668968C1 RU 2017139039 A RU2017139039 A RU 2017139039A RU 2017139039 A RU2017139039 A RU 2017139039A RU 2668968 C1 RU2668968 C1 RU 2668968C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- current
- input
- transistors
- additional
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/45632—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45636—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
- H03F3/45663—Measuring at the active amplifying circuit of the differential amplifier
- H03F3/45677—Controlling the active amplifying circuit of the differential amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интерфейсах и устройствах преобразования сигналов, в том числе работающих в диапазоне низких температур. Техническим результатом является повышение максимальной скорости нарастания выходного напряжения при работе входных транзисторов операционного усилителя с микроамперными статическими токами (1÷10 мкА). Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах содержит первый (1) и второй (2) входные полевые транзисторы, первый (4), второй (6) и третий (9) токостабилизирующие двухполюсники, первый (5) и второй (8) выходные транзисторы, третий (10) и четвертый (11) входные полевые транзисторы, первый (12) и второй (13) усилители тока, выходной преобразователь ток-напряжение (16), а также содержит первый (18) и второй (21) дополнительные токостабилизирующие двухполюсники, первый (19) и второй (20) дополнительные транзисторы, дополнительный корректирующий конденсатор (22). 1 з.п. ф-лы, 8 ил.
Description
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интерфейсах и устройствах преобразования сигналов, в том числе работающих в диапазоне низких температур.
Быстродействие операционных усилителей (ОУ), которое характеризуется максимальной скоростью нарастания выходного напряжения (ϑвых.) и временем установления переходного процесса (tуст.), определяет динамические параметры многих аналоговых интерфейсов датчиков, буферных каскадов, АЦП, драйверов линий связи и т.п.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение операционные усилители (ОУ), реализуемые на основе двухканальной структуры входного каскада (dual-input-stage), содержащего два параллельно-включенных по входу дифференциальных усилителя на однотипных транзисторах [1-14]. Причем структура dual-input-stage реализуется как на биполярных [1-5], так и на полевых [6-14] транзисторах и часто используется совместно с так называемыми «перегнутыми» каскодами [15-28], реализуемыми на биполярных [15-17] или полевых [18-28] транзисторах. Благодаря многоканальности и применению высокочастотного «перегнутого» каскода такое схемотехническое решение наиболее популярно как в зарубежных, так и в российских широкополосных аналоговых микросхемах, имеющих повышенные значения частоты единичного усиления. На основе ОУ данного класса возможно построение как быстродействующих, так и прецизионных усилителей.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный операционный усилитель по патенту RU 2595923. Он содержит (фиг. 1) первый 1 и второй 2 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой 3 шиной источника питания через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник, сток первого 1 входного полевого транзистора соединен с эмиттером первого 5 выходного транзистора и через второй 6 токостабилизирующий двухполюсник соединен со второй 7 шиной источника питания, сток второго 2 входного полевого транзистора соединен с эмиттером второго 8 выходного транзистора и через третий 9 токостабилизирующий двухполюсник связан со второй 7 шиной источника питания, третий 10 и четвертый 11 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток третьего 10 входного полевого транзистора соединен со входом первого 12 усилителя тока, согласованного со второй 7 шиной источника питания, сток четвертого 11 входного полевого транзистора соединен со входом второго 13 усилителя тока, согласованного со второй 7 шиной источника питания, затворы первого 1 и третьего 10 входных полевых транзисторов подключены к первому 14 входу устройства, а затворы второго 2 и четвертого 11 входных полевых транзисторов подключены ко второму 15 входу устройства, причем коллекторы первого 5 и второго 8 выходных транзисторов связаны с дифференциальными входами выходного преобразователя ток-напряжение 16, выход которого 17 является выходом устройства, цепь установления статического режима на базах первого (5) и второго (8) выходных транзисторов.
Существенный недостаток известного ОУ фиг. 1 состоит в том, что при работе транзисторов его входного каскада в режиме микротоков (1÷10 мкА) максимальная скорость нарастания выходного напряжения ОУ получается небольшой (1÷3 В/мкс). Это связано с тем, что известная схема ОУ фиг. 1 предназначена для работы с сильноточными статическими режимами входных транзисторов (Iс=1÷10 мА).
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в повышении (на 1-2 порядка) максимальной скорости нарастания выходного напряжения ОУ при работе его входных полевых транзисторов 1, 2, 10, 11 с микроамперными статическими токами (1÷10 мкА), т.е. в энергоэкономичном режиме.
Поставленная задача достигается тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой 3 шиной источника питания через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник, сток первого 1 входного полевого транзистора соединен с эмиттером первого 5 выходного транзистора и через второй 6 токостабилизирующий двухполюсник соединен со второй 7 шиной источника питания, сток второго 2 входного полевого транзистора соединен с эмиттером второго 8 выходного транзистора и через третий 9 токостабилизирующий двухполюсник связан со второй 7 шиной источника питания, третий 10 и четвертый 11 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток третьего 10 входного полевого транзистора соединен со входом первого 12 усилителя тока, согласованного со второй 7 шиной источника питания, сток четвертого 11 входного полевого транзистора соединен со входом второго 13 усилителя тока, согласованного со второй 7 шиной источника питания, затворы первого 1 и третьего 10 входных полевых транзисторов подключены к первому 14 входу устройства, а затворы второго 2 и четвертого 11 входных полевых транзисторов подключены ко второму 15 входу устройства, причем коллекторы первого 5 и второго 8 выходных транзисторов связаны с дифференциальными входами выходного преобразователя ток-напряжение 16, выход которого 17 является выходом устройства, цепь установления статического режима на базах первого (5) и второго (8) выходных транзисторов, предусмотрены новые элементы и связи - объединенные стоки третьего 10 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны с первой 3 шиной источника питания через первый 18 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, в качестве первого 12 усилителя тока используется инвертирующий усилитель тока, выход которого подключен к эмиттеру второго 8 выходного транзистора, в качестве второго 13 усилителя тока используется инвертирующий усилитель тока, выход которого подключен к эмиттеру первого 5 выходного транзистора, первый 14 вход устройства соединен с базой первого 19 дополнительного транзистора, коллектор которого связан с первой 3 шиной источника питания, второй 15 вход устройства соединен с базой второго 20 дополнительного транзистора, коллектор которого подключен к первой 3 шине источника питания, причем объединенные эмиттеры первого 19 и второго 20 дополнительных транзисторов связаны со второй 7 шиной источника питания через второй 21 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, а между объединенными эмиттерами первого 19 и второго 20 дополнительных транзисторов и объединенными истоками третьего 10 и четвертого 11 входных полевых транзисторов включен дополнительный корректирующий конденсатор 22.
На чертеже фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 и п. 2 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого ОУ в среде LTSpice на низкотемпературных моделях транзисторов BiJFet базового матричного кристалла ABMK_1.7.
На чертеже фиг. 4 показана осциллограмма выходного напряжения ОУ фиг. 3 (передний фронт) при токах I1=I2=100 мкА, I3=I4=I5=10 мкА, емкости основного корректирующего конденсатора 25 (С25=С1=6пФ), емкости дополнительного корректирующего конденсатора 22 (C22=C2=Cvar) для низкой температуры t=-190°C (ширина импульса 2 мкс, амплитуда входного напряжения 3 В), а также таблица 1, построенная на основе данных графиков.
На чертеже фиг. 5 представлена осциллограмма выходного напряжения ОУ фиг. 3 (задний фронт) при токах I1=I2=100 мкА, I3=I4=I5=10 мкА, емкости основного корректирующего конденсатора 25 (С25=С1=6пФ), емкости дополнительного корректирующего конденсатора 22 (C22=C2=Cvar) для низкой температуры t=-190°C (ширина импульса 2 мкс, амплитуда входного напряжения 3 В), а также таблица 2, построенная на основе данных графиков.
На чертеже фиг. 6 представлена схема ОУ с топологией фиг. 2 для случая, когда в ней используются КМОП транзисторы, у которых, как известно, затвор соответствует базе, сток - коллектору, а исток - эмиттеру биполярного транзистора.
На чертеже фиг. 7 показана осциллограмма входного и выходного напряжений ОУ фиг. 6 (передний и задний фронты) на моделях транзисторов tsmc035_t65 в среде Oread при разных значениях емкости дополнительного корректирующего конденсатора 22 (С22=С2=Ovar), при токах I4=I18=I21=I9=I6=10 мкА, емкости основного корректирующего конденсатора 25 (С25=С1=1пФ), ширине импульса 1 мкс, амплитуде 5В.
На чертеже фиг. 8 представлены таблицы 3 и 4, характеризующие взаимосвязь емкости дополнительного корректирующего конденсатора 22 (C22=C2=Cvar) и максимальной скорости нарастания выходного напряжения ОУ фиг. 6 при токах I4=I18=I21=I9 =I6=10 мкА, емкости основного корректирующего конденсатора 25 (С25=С1=1пФ) (для переднего (табл. 3) и заднего (табл. 4) фронтов выходного напряжения ОУ при импульсном входном сигнале 5В в схеме со 100% отрицательной обратной связью).
Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой 3 шиной источника питания через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник, сток первого 1 входного полевого транзистора соединен с эмиттером первого 5 выходного транзистора и через второй 6 токостабилизирующий двухполюсник соединен со второй 7 шиной источника питания, сток второго 2 входного полевого транзистора соединен с эмиттером второго 8 выходного транзистора и через третий 9 токостабилизирующий двухполюсник соединен со второй 7 шиной источника питания, третий 10 и четвертый 11 входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток третьего 10 входного полевого транзистора соединен со входом первого 12 усилителя тока, согласованного со второй 7 шиной источника питания, сток четвертого 11 входного полевого транзистора соединен со входом второго 13 усилителя тока, согласованного со второй 7 шиной источника питания, затворы первого 1 и третьего 10 входных полевых транзисторов подключены к первому 14 входу устройства, а затворы второго 2 и четвертого 11 входных полевых транзисторов подключены ко второму 15 входу устройства, причем коллекторы первого 5 и второго 8 выходных транзисторов связаны с дифференциальными входами выходного преобразователя ток-напряжение 16, выход которого 17 является выходом устройства. Объединенные стоки третьего 10 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны с первой 3 шиной источника питания через первый 18 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, в качестве первого 12 усилителя тока используется инвертирующий усилитель тока, выход которого подключен к эмиттеру второго 8 выходного транзистора, в качестве второго 13 усилителя тока используется инвертирующий усилитель тока, выход которого подключен к эмиттеру первого 5 выходного транзистора, первый 14 вход устройства соединен с базой первого 19 дополнительного транзистора, коллектор которого связан с первой 3 шиной источника питания, второй 15 вход устройства соединен с базой второго 20 дополнительного транзистора, коллектор которого подключен к первой 3 шине источника питания, причем объединенные эмиттеры первого 19 и второго 20 дополнительных транзисторов связаны со второй 7 шиной источника питания через второй 21 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, а между объединенными эмиттерами первого 19 и второго 20 дополнительных транзисторов и объединенными истоками третьего 10 и четвертого 11 входных полевых транзисторов включен дополнительный корректирующий конденсатор 22.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, выходной преобразователь ток-напряжение 16 содержит токовое зеркало 23, вход которого соединен с первым входом преобразователя ток-напряжение 16 и подключен к коллектору второго 8 выходного транзистора, а выход связан со вторым входом преобразователя ток-напряжение 16 и подключен к коллектору первого 5 выходного транзистора, а также соединен со входом дополнительного буферного усилителя 24 и корректирующим конденсатором 25, причем выход дополнительного буферного усилителя 24 является выходом устройства 17, а объединенные базы первого 5 и второго 8 выходных транзисторов связаны с цепью установления статического режима 26.
Рассмотрим работу предлагаемого ОУ фиг. 2.
В режиме малого сигнала дополнительный корректирующий конденсатор 22 (С22) не влияет на максимальную скорость нарастания выходного напряжения ϑвых и амплитудно-частотную характеристику ОУ, так как он включен между эквипотенциальными (для переменного тока) узлами. При этом за счет каскодных структур передача входного дифференциального сигнала ОУ через первый 1 и второй 2 входные, а также первый 5 и второй 8 выходные транзисторы обеспечивается наибольшие значения частоты единичного усиления ОУ, которая формируется корректирующим конденсатором 25. Это характерная особенность каскодных усилителей.
При большом входном сигнале работа схемы фиг. 2 при 100% отрицательной обратной связи качественно изменяется. В этом режиме при «скачке» положительного входного напряжения на втором 15 входе устройства относительно первого 14 входа в работу включается дополнительный корректирующий конденсатор 22 (С22), второй 20 дополнительный и третий 10 входной полевой транзисторы, первый 12 усилитель тока, второй 8 выходной транзистор и токовое зеркало 24. В конечном итоге это форсирует процесс заряда корректирующего конденсатора 25, что существенно повышает быстродействие ОУ (фиг. 4, таблица 1).
При импульсном отрицательном напряжении на втором 15 входе устройства в работу включается дополнительный корректирующий конденсатор 22 (С22), первый 19 дополнительный транзистор, четвертый 11 входной полевой транзистор, токовое зеркало 12 и первый 5 выходной транзистор. Это значительно ускоряет процесс перезаряда основного корректирующего конденсатора 25, обеспечивающего устойчивость ОУ. Об этом свидетельствуют графики и таблица фиг. 5.
Предлагаемая схема ОУ фиг. 2 может быть также реализована на КМОП транзисторах (фиг. 6). Результаты компьютерного моделирования данной схемы представлены на чертеже фиг. 7, а также в таблицах 3/4 (чертеж фиг. 8). Они показывают, что максимальная скорость нарастания выходного напряжения ОУ на полевых транзисторах фиг. 6 улучшается в 20 раз (передний фронт) и 42 раза (задний фронт). Это позволяет рекомендовать предлагаемое схемотехническое решение ОУ для реализации на основе, например, SiGe технологий, допускающих работу аналоговых схем при низких температурах.
Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами по сравнению с прототипом.
Источники информации
1. Патент US 4417292, fig. 1
2. Патент SU 1385255
3. Патент US 2005/0285677
4. Патент US 5610547, fig. 28
5. Патент SU 459780
6. Патент US 5070306, fig. 3
7. Патент US 2010/001797
8. Патент US 5610547, fig. 34
9. Патент US 6972623, fig. 4, fig. 6
10. Патент US 2008/0238546, fig. 2
11. Патент US 2008/0252374
12. Патент US 7567124
13. Патент US 7586373
14. Патент US 2006/0215787
15. Патент US 5570972
16. Патент US 5153529
17. Патент US 5523718, fig. 1
18. Патент US 7215200, fig. 6
19. Патент US 5420540
20. Патент US 5963085
21. Патент US 6788143
22. Патент US 7411451, fig. 2
23. Патент US 4406990, fig. 4
24. Патент US 4390850
25. Патент US 4607232
26. Патент US 7453319
27. Патент WO 01/80422 A2
28. Патент US 5586089, fig. 3
Claims (2)
1. Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах, содержащий первый (1) и второй (2) входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой (3) шиной источника питания через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник, сток первого (1) входного полевого транзистора соединен с эмиттером первого (5) выходного транзистора и через второй (6) токостабилизирующий двухполюсник соединен со второй (7) шиной источника питания, сток второго (2) входного полевого транзистора соединен с эмиттером второго (8) выходного транзистора и через третий (9) токостабилизирующий двухполюсник связан со второй (7) шиной источника питания, третий (10) и четвертый (11) входные полевые транзисторы с объединенными истоками, причем сток третьего (10) входного полевого транзистора соединен со входом первого (12) усилителя тока, согласованного со второй (7) шиной источника питания, сток четвертого (11) входного полевого транзистора соединен со входом второго (13) усилителя тока, согласованного со второй (7) шиной источника питания, затворы первого (1) и третьего (10) входных полевых транзисторов подключены к первому (14) входу устройства, а затворы второго (2) и четвертого (11) входных полевых транзисторов подключены ко второму (15) входу устройства, причем коллекторы первого (5) и второго (8) выходных транзисторов связаны с дифференциальными входами выходного преобразователя ток-напряжение (16), выход которого (17) является выходом устройства, цепь установления статического режима на базах первого (5) и второго (8) выходных транзисторов, отличающийся тем, что объединенные стоки третьего (10) и четвертого (11) входных полевых транзисторов связаны с первой (3) шиной источника питания через первый (18) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, в качестве первого (12) усилителя тока используется инвертирующий усилитель тока, выход которого подключен к эмиттеру второго (8) выходного транзистора, в качестве второго (13) усилителя тока используется инвертирующий усилитель тока, выход которого подключен к эмиттеру первого (5) выходного транзистора, первый (14) вход устройства соединен с базой первого (19) дополнительного транзистора, коллектор которого связан с первой (3) шиной источника питания, второй (15) вход устройства соединен с базой второго (20) дополнительного транзистора, коллектор которого подключен к первой (3) шине источника питания, причем объединенные эмиттеры первого (19) и второго (20) дополнительных транзисторов связаны со второй (7) шиной источника питания через второй (21) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, а между объединенными эмиттерами первого (19) и второго (20) дополнительных транзисторов и объединенными истоками третьего (10) и четвертого (11) входных полевых транзисторов включен дополнительный корректирующий конденсатор (22).
2. Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах по п. 1, отличающийся тем, что выходной преобразователь ток-напряжение (16) содержит токовое зеркало (23), вход которого соединен с первым входом преобразователя ток-напряжение (16) и подключен к коллектору второго 8 выходного транзистора, а выход связан со вторым входом преобразователя ток-напряжение (16) и подключен к коллектору первого (5) выходного транзистора, а также соединен со входом дополнительного буферного усилителя (24) и корректирующим конденсатором (25), причем выход дополнительного буферного усилителя (24) является выходом устройства (17), а объединенные базы первого (5) и второго (8) выходных транзисторов связаны с цепью установления статического режима 26.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017139039A RU2668968C1 (ru) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017139039A RU2668968C1 (ru) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2668968C1 true RU2668968C1 (ru) | 2018-10-05 |
Family
ID=63798264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017139039A RU2668968C1 (ru) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2668968C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2766864C1 (ru) * | 2021-09-08 | 2022-03-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1385255A1 (ru) * | 1985-11-15 | 1988-03-30 | Организация П/Я Р-6007 | Дифференциальный усилитель |
| WO2001080422A2 (en) * | 2000-04-12 | 2001-10-25 | Intel Corporation | Boosted high gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier |
| US7215200B1 (en) * | 2005-04-28 | 2007-05-08 | Linear Technology Corporation | High-linearity differential amplifier with flexible common-mode range |
| RU2354041C1 (ru) * | 2008-03-06 | 2009-04-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Каскодный дифференциальный усилитель |
| RU2595923C1 (ru) * | 2015-07-02 | 2016-08-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода |
-
2017
- 2017-11-09 RU RU2017139039A patent/RU2668968C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1385255A1 (ru) * | 1985-11-15 | 1988-03-30 | Организация П/Я Р-6007 | Дифференциальный усилитель |
| WO2001080422A2 (en) * | 2000-04-12 | 2001-10-25 | Intel Corporation | Boosted high gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier |
| US7215200B1 (en) * | 2005-04-28 | 2007-05-08 | Linear Technology Corporation | High-linearity differential amplifier with flexible common-mode range |
| RU2354041C1 (ru) * | 2008-03-06 | 2009-04-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Каскодный дифференциальный усилитель |
| RU2595923C1 (ru) * | 2015-07-02 | 2016-08-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Быстродействующий операционный усилитель на основе "перегнутого" каскода |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2766864C1 (ru) * | 2021-09-08 | 2022-03-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108023557B (zh) | 一种开关电容共模反馈结构 | |
| RU2668968C1 (ru) | Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах | |
| US9874896B2 (en) | Voltage-current converter, and corresponding device and method | |
| RU2346388C1 (ru) | Дифференциальный усилитель | |
| RU2310268C1 (ru) | Каскодный дифференциальный усилитель с низковольтным питанием | |
| RU2626667C1 (ru) | Многоканальный быстродействующий операционный усилитель | |
| RU2413356C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с повышенным входным сопротивлением | |
| RU2441316C1 (ru) | Дифференциальный усилитель с малым напряжением питания | |
| RU2652504C1 (ru) | Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель | |
| RU2659476C1 (ru) | Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель | |
| RU2790616C1 (ru) | Быстродействующий буферный усилитель класса ав | |
| RU2446554C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом | |
| RU2683160C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель с повышенной скоростью нарастания выходного напряжения | |
| RU2668983C1 (ru) | Входной каскад быстродействующего операционного усилителя | |
| RU2797168C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель с дифференцирующими цепями коррекции в мостовом входном дифференциальном каскаде | |
| RU2797043C1 (ru) | Входной каскад быстродействующего дифференциального операционного усилителя с нелинейной коррекцией переходного процесса | |
| RU2790615C1 (ru) | Быстродействующий буферный усилитель с нелинейной коррекцией класса ав | |
| RU2791274C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель с мостовым входным дифференциальным каскадом | |
| RU2802051C1 (ru) | Быстродействующий выходной каскад операционного усилителя | |
| RU2621286C1 (ru) | Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах | |
| RU2459348C1 (ru) | Операционный усилитель с цепью коррекции коэффициента усиления | |
| JPH0793543B2 (ja) | 電圧リピ−タ回路 | |
| RU2813010C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель на основе комплементарных «перегнутых» каскодов | |
| RU2365971C1 (ru) | Токовое зеркало | |
| RU2676014C1 (ru) | Быстродействующий операционный усилитель |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191110 |