RU2660412C1 - Integrated micro-mechanical tunnel accelerometer - Google Patents
Integrated micro-mechanical tunnel accelerometer Download PDFInfo
- Publication number
- RU2660412C1 RU2660412C1 RU2017129860A RU2017129860A RU2660412C1 RU 2660412 C1 RU2660412 C1 RU 2660412C1 RU 2017129860 A RU2017129860 A RU 2017129860A RU 2017129860 A RU2017129860 A RU 2017129860A RU 2660412 C1 RU2660412 C1 RU 2660412C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- electrostatic actuator
- movable electrode
- contact
- adjacent
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к области измерительной и микросистемной техники, а более конкретно - к интегральным измерительным элементам величин ускорения.The present invention relates to the field of measuring and microsystem engineering, and more specifically to integrated measuring elements of acceleration values.
Известен миниатюрный туннельный акселерометр на основе технологии поверхностной микросборки (см. "A New Miniaturized Surface Micromachined Tunneling Accelerometer" R.L. Kubena, G.M. Atkinson, W.P. Robinson, F.P. Stratton, IEEE Electron Device Letters, Vol. 17, No. 6, June 1996), содержащий преобразователь перемещений, электростатический актюатор, основание неподвижного электрода, неподвижный электрод электростатического актюатора, а также подложку, изолирующий слой, якорную область упругой балки, упругую балку, неподвижный электрод преобразователя перемещений, причем упругая балка представляет собой L-образную пластину из металла (золото), функционально объединяющую инерционную массу, подвижный электрод и подвижный электрод электростатического актюатора, расположенную с зазором относительно подложки, примыкающую одним своим концом к якорной области упругой балки, которая расположена на изолирующем слое, нанесенном на подложку; преобразователь перемещений образован упругой балкой с одной стороны, а с другой - острием неподвижного электрода, расположенного на основании неподвижного электрода, примыкающем к изолирующему слою, нанесенному на подложку; электростатический актюатор образован упругой балкой с одной стороны, а с другой - неподвижным электродом электростатического актюатора, расположенным на изолирующем слое, нанесенном на подложку.Known miniature tunnel accelerometer based on surface microassembly technology (see "A New Miniaturized Surface Micromachined Tunneling Accelerometer" RL Kubena, GM Atkinson, WP Robinson, FP Stratton, IEEE Electron Device Letters, Vol. 17, No. 6, June 1996), comprising a displacement transducer, an electrostatic actuator, a base of a fixed electrode, a fixed electrode of an electrostatic actuator, and also a substrate, an insulating layer, an anchor region of an elastic beam, an elastic beam, a fixed electrode of a displacement transducer, the elastic beam being an L-shaped astynom from a metal (gold) operatively combining the inertial mass, movable electrode and the movable electrode of the electrostatic actuator, disposed with a gap with respect to the substrate adjacent one end thereof to the anchor region elastic beam which is disposed on the insulating layer deposited on the substrate; the displacement transducer is formed by an elastic beam on the one hand, and on the other hand, by the tip of the fixed electrode located on the base of the fixed electrode adjacent to the insulating layer deposited on the substrate; The electrostatic actuator is formed by an elastic beam on one side, and on the other, by a fixed electrode of the electrostatic actuator located on an insulating layer deposited on a substrate.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками, являются преобразователь перемещений, электростатический актюатор, основание неподвижного электрода, неподвижный электрод электростатического актюатора.Signs of an analogue that coincide with the essential features are a displacement transducer, an electrostatic actuator, a base of a fixed electrode, a fixed electrode of an electrostatic actuator.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются снижение чувствительности измерительного устройства при переходе к наноразмерным проектным нормам; неудовлетворительная масштабируемость конструкции в целом вследствие того, что применение однородной подвижной балки, выполненной из пластичного металла, без выраженной инерционной массы накладывает ограничения на вариативность ее механических характеристик.The reasons that impede the achievement of the technical result are a decrease in the sensitivity of the measuring device during the transition to nanoscale design standards; poor scalability of the structure as a whole due to the fact that the use of a homogeneous movable beam made of ductile metal without a pronounced inertial mass imposes restrictions on the variability of its mechanical characteristics.
Известен высокопроизводительный туннельный акселерометр (см. "A High-Performance Tunneling Accelerometer", Е. Boyden, О. El Rifai, В. Hubert, M. Karpman, D. Roberts, Term Project 6.777, Introduction to Microelectromechanical Systems, Spring 1999, Prof. Stephen D. Senturia, 58 p. Online access. <http://edboyden.org/6777paper.pdf>), содержащий преобразователь перемещений, подвижный электрод преобразователя перемещений, неподвижный электрод преобразователя перемещений, электростатический актюатор, неподвижный электрод электростатического актюатора, а также подложку, изолирующий слой, якорную область упругой балки, упругую балку, неподвижный электрод системы самотестирования, контактную область подвижного электрода, причем упругая балка представляет собой пластину из полупроводникового материала (кремний), функционально объединяющую инерционную массу, подвижный электрод системы самотестирования и подвижный электрод электростатического актюатора, расположенную с зазором относительно подложки, на одном конце которой размещен заостренный металлический подвижный электрод, а другим концом примыкающую к якорной области упругой балки, которая расположена на изолирующем слое, нанесенном на подложку; преобразователь перемещений образован заостренным металлическим подвижным электродом, расположенным на упругой балке, с одной стороны, а с другой - неподвижным электродом, примыкающим к изолирующему слою, нанесенному на подложку; электростатический актюатор образован упругой балкой с одной стороны, а с другой - неподвижным электродом электростатического актюатора, расположенным на изолирующем слое, нанесенном на подложку; контактные области системы самотестирования образованы упругой балкой с одной стороны, а с другой - неподвижным электродом системы самотестирования, расположенным на изолирующем слое, нанесенном на подложку.Known high-performance tunnel accelerometer (see "A High-Performance Tunneling Accelerometer", E. Boyden, O. El Rifai, B. Hubert, M. Karpman, D. Roberts, Term Project 6.777, Introduction to Microelectromechanical Systems, Spring 1999, Prof Stephen D. Senturia, 58 p. Online access. <Http://edboyden.org/6777paper.pdf>) containing a displacement transducer, a movable displacement transducer electrode, a displacement transducer stationary electrode, an electrostatic actuator, an electrostatic actuator fixed electrode, and also a substrate, an insulating layer, an anchor region of an elastic beam, an elastic beam, a fixed electrode topics of self-testing, the contact region of the movable electrode, and the elastic beam is a plate of semiconductor material (silicon), functionally combining the inertial mass, the movable electrode of the self-test system and the movable electrode of the electrostatic actuator, located with a gap relative to the substrate, at one end of which there is a pointed metal movable electrode, and the other end adjacent to the anchor region of the elastic beam, which is located on the insulating layer, deposited m on the substrate; the displacement transducer is formed by a pointed metal movable electrode located on the elastic beam, on the one hand, and on the other hand, a fixed electrode adjacent to the insulating layer deposited on the substrate; the electrostatic actuator is formed by an elastic beam on one side and, on the other hand, a fixed electrode of an electrostatic actuator located on an insulating layer deposited on a substrate; The contact areas of the self-testing system are formed by an elastic beam on one side and, on the other, by a fixed electrode of the self-testing system located on an insulating layer deposited on a substrate.
Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками, являются преобразователь перемещений, подвижный электрод преобразователя перемещений, неподвижный электрод преобразователя перемещений, электростатический актюатор, неподвижный электрод электростатического актюатора.Signs of an analogue that coincide with the essential features are a displacement transducer, a displacement transducer moving electrode, a displacement transducer stationary electrode, an electrostatic actuator, an electrostatic actuator fixed electrode.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются снижение чувствительности измерительного устройства при переходе к наноразмерным проектным нормам; неудовлетворительная масштабируемость конструкции в целом вследствие того, что применение однородной подвижной балки, выполненной из полупроводникового материала, без выраженной инерционной массы накладывает ограничения на вариативность ее механических характеристик.The reasons that impede the achievement of the technical result are a decrease in the sensitivity of the measuring device during the transition to nanoscale design standards; poor scalability of the structure as a whole due to the fact that the use of a homogeneous movable beam made of a semiconductor material without a pronounced inertial mass imposes restrictions on the variability of its mechanical characteristics.
Из известных наиболее близким по технической сущности к заявляемому объекту является многоосевой интегральный микромеханический туннельный акселерометр (см. «Многоосевой интегральный микромеханический туннельный акселерометр», Б.Г. Коноплев, Н.К. Приступчик, Е.А. Рындин, RU 2 415 443 С1, 2011), содержащий полуизолирующую подложку, преобразователь перемещений, инерционную массу, основание неподвижного электрода, якорную область подвижного электрода, преобразователь перемещений, неподвижный электрод, подвижный электрод, а также активные области подвеса, пассивную область подвеса, два дополнительных подвеса с активными областями и с пассивными областями, две дополнительные инерционные массы, два дополнительных неподвижных электрода, два дополнительных подвижных электрода и два дополнительных туннельных преобразователя перемещения, причем преобразователь перемещения представляет собой туннельный контакт, образованный неподвижным электродом, который представляет собой цилиндрическую оболочку, жестко закрепленную относительно полуизолирующей подложки.Of the known closest in technical essence to the claimed object is a multi-axis integrated micromechanical tunnel accelerometer (see "Multi-axis integrated micromechanical tunnel accelerometer", B. G. Konoplev, N.K. Pristupchik, E. A. Ryndin, RU 2 415 443 C1 , 2011) containing a semi-insulating substrate, a displacement transducer, an inertial mass, a base of a fixed electrode, an anchor region of a movable electrode, a displacement transducer, a fixed electrode, a movable electrode, and also active regions and a suspension, a passive suspension region, two additional suspensions with active regions and with passive regions, two additional inertial masses, two additional stationary electrodes, two additional movable electrodes and two additional tunnel displacement transducers, the displacement transducer being a tunnel contact formed by a fixed electrode , which is a cylindrical shell, rigidly fixed relative to the semi-insulating substrate.
Признаками прототипа, совпадающими с существенными признаками, являются полуизолирующая подложка, преобразователь перемещений, инерционная масса, основание неподвижного электрода, якорная область подвижного электрода, неподвижный электрод, подвижный электрод.Signs of the prototype, coinciding with the essential features, are a semi-insulating substrate, a displacement transducer, an inertial mass, a base of a fixed electrode, an anchor region of a moving electrode, a fixed electrode, a moving electrode.
Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются относительно большая площадь контактов туннельного преобразователя; отсутствие электростатического преобразователя.The reasons that impede the achievement of the technical result are the relatively large contact area of the tunnel converter; lack of electrostatic converter.
Задачей предлагаемого изобретения является обеспечение высокой чувствительности измерения составляющей ускорения, направленной вдоль оси, перпендикулярной плоскости полуизолирующей подложки, повышение технологичности, а также интегральная реализация в наномасштабе.The objective of the invention is to provide high sensitivity measurement of the acceleration component directed along an axis perpendicular to the plane of the semi-insulating substrate, increasing manufacturability, as well as integrated implementation in the nanoscale.
Для достижения необходимого технического результата в интегральный микромеханический туннельный акселерометр, содержащий полуизолирующую подложку, преобразователь перемещений, инерционную массу, основание неподвижного электрода, якорную область подвижного электрода, неподвижный электрод, подвижный электрод, введены основание электростатического актюатора, технологический слой в области неподвижного электрода, технологический слой в области электростатического актюатора, упругий подвес, контактная область неподвижного электрода, контактная область электростатического актюатора, контактная область подвижного электрода, неподвижный электрод электростатического актюатора, контакт к подвижному электроду, подвижный электрод электростатического актюатора, причем преобразователь перемещения представляет собой туннельный контакт, образованный неподвижным электродом, примыкающим к контактной области неподвижного электрода, расположенной на технологическом слое в области неподвижного электрода, который примыкает к основанию неподвижного электрода, жестко закрепленному на полуизолирующей подложке, и подвижным электродом, примыкающим к инерционной массе, на которой расположен подвижный контакт электростатического актюатора, и которая примыкает к упругому подвесу; упругий подвес имеет J-образную форму и представляет собой сегмент цилиндрической оболочки, примыкающий одним концом к контактной области подвижного электрода, контакту подвижного электрода и к якорной области подвижного электрода, жестко закрепленный относительно полуизолирующей подложки, а вторым концом примыкающий к инерционной массе; электростатический актюатор образован неподвижным отклоняющим электродом, примыкающим к контактной области электростатического актюатора, расположенной на технологическом слое в области электростатического актюатора, который примыкает к якорной области электростатического актюатора, жестко закрепленной на полуизолирующей подложке, и подвижным электродом электростатического актюатора, примыкающим к инерционной массе.To achieve the required technical result, an integral micromechanical tunnel accelerometer containing a semi-insulating substrate, a displacement transducer, an inertial mass, a base of a fixed electrode, an anchor region of a moving electrode, a fixed electrode, a moving electrode, an electrostatic actuator base, a technological layer in the fixed electrode area, a technological layer are introduced in the field of electrostatic actuator, elastic suspension, contact area of a fixed electro a, the contact region of the electrostatic actuator, the contact region of the movable electrode, the stationary electrode of the electrostatic actuator, the contact to the movable electrode, the movable electrode of the electrostatic actuator, and the displacement transducer is a tunnel contact formed by a fixed electrode adjacent to the contact region of the stationary electrode located on the technological layer in the region of the fixed electrode, which is adjacent to the base of the fixed electrode, rigidly behind mounted on a semi-insulating substrate, and a movable electrode adjacent to the inertial mass, on which the movable contact of the electrostatic actuator is located, and which is adjacent to the elastic suspension; the elastic suspension has a J-shape and represents a segment of a cylindrical shell adjacent at one end to the contact region of the movable electrode, the contact of the movable electrode and the anchor region of the movable electrode, rigidly fixed relative to the semi-insulating substrate, and adjacent to the inertial mass with the second end; The electrostatic actuator is formed by a stationary deflecting electrode adjacent to the contact region of the electrostatic actuator located on the technological layer in the area of the electrostatic actuator, which is adjacent to the anchor region of the electrostatic actuator, rigidly fixed to a semi-insulating substrate, and a movable electrode of the electrostatic actuator adjacent to the inertial mass.
Сравнивая предлагаемое устройство с прототипом, видим, что оно содержит новые признаки, то есть соответствует критерию новизны. Проводя сравнение с аналогами, приходим к выводу, что предлагаемое устройство соответствует критерию "существенные отличия", так как в аналогах не обнаружены предъявляемые новые признаки. Получен положительный эффект, заключающийся в обеспечении высокой чувствительности измерения составляющей ускорения, направленной вдоль оси, перпендикулярной плоскости полуизолирующей подложки, повышении технологичности, а также в возможности интегральной реализации в наномасштабе.Comparing the proposed device with the prototype, we see that it contains new features, that is, meets the criterion of novelty. Carrying out a comparison with analogs, we conclude that the proposed device meets the criterion of "significant differences", since no new features are shown in the analogues. A positive effect was obtained, which consists in ensuring high sensitivity of the measurement of the acceleration component directed along an axis perpendicular to the plane of the semi-insulating substrate, increasing manufacturability, as well as the possibility of integrated implementation in the nanoscale.
На фиг. 1 приведена структура предлагаемого интегрального микромеханического туннельного акселерометра. Регистрация линейного ускорения осуществляется в направлении вертикальной оси.In FIG. 1 shows the structure of the proposed integrated micromechanical tunnel accelerometer. The linear acceleration is recorded in the direction of the vertical axis.
На фиг. 2 приведена изометрическая проекция интегрального микромеханического туннельного акселерометра.In FIG. Figure 2 shows an isometric view of an integrated micromechanical tunnel accelerometer.
Интегральный микромеханический туннельный акселерометр содержит полуизолирующую подложку 1, основание неподвижного электрода 2, основание электростатического актюатора 3, якорную область подвижного электрода 4, технологический слой в области неподвижного электрода 5, технологический слой в области электростатического актюатора 6, несущий упругий подвес 7, контактная область неподвижного электрода 8, контактная область электростатического актюатора 9, контактная область подвижного электрода 10, инерционная масса 11, неподвижный электрод 12, неподвижный электрод электростатического актюатора 13, контакт к подвижному электроду 14, подвижный электрод электростатического актюатора 15, подвижный электрод 16, причем преобразователь перемещения представляет собой туннельный контакт, образованный неподвижным электродом 12, примыкающим к контактной области неподвижного электрода 8, расположенной на технологическом слое в области неподвижного электрода 5, который примыкает к основанию неподвижного электрода 2, жестко закрепленному на полуизолирующей подложке 1, и подвижным электродом 16, примыкающим к инерционной массе 11, на которой расположен подвижный электрод электростатического актюатора 15, и которая примыкает к несущему упругому подвесу 7; упругий подвес имеет J-образную форму и представляет собой сегмент цилиндрической оболочки, примыкающий одним концом к контактной области подвижного электрода 10, контакту подвижного электрода 14 и якорной области подвижного электрода 4 и жестко закрепленный относительно полуизолирующей подложки 1, а незакрепленным вторым концом примыкающий к инерционной массе 11; электростатический актюатор образован неподвижным отклоняющим электродом 13, примыкающим к контактной области электростатического актюатора 9, расположенной на технологическом слое в области электростатического актюатора 6, который примыкает к якорной области электростатического актюатора 3, жестко закрепленной на полуизолирующей подложке 1, и подвижным электродом электростатического актюатора 15, примыкающим к инерционной массе 11.The integrated micromechanical tunnel accelerometer contains a
Несущий упругий подвес 7, технологический слой в области электростатического актюатора 6 и технологический слой в области неподвижного контакта 5 выполнены из двухслойного материала таким образом, что поверхности, примыкающие к якорной области подвижного электрода 4 (то есть внешняя поверхность упругого повеса), якорной области электростатического актюатора 3 и якорной области неподвижного электрода 2, соответственно сформированы из сжатой пленки арсенида индия второго типа проводимости, а поверхности, примыкающие к контактной области подвижного электрода 10 (то есть внутренняя поверхность упругого подвеса), контактной области электростатического актюатора 9 и контактной области неподвижного электрода 8 сформированы из растянутой пленки арсенида галлия второго типа проводимости.Bearing
Работает устройство следующим образом. При подаче положительного напряжения питания на неподвижный электрод 12 относительно подвижного электрода 16 (а соответственно и относительно контакта к подвижному электроду 14) вследствие малости разделяющего их пространственного зазора электроны туннелируют из области подвижного электрода 16 в область неподвижного электрода 12 сквозь потенциальный барьер, образованный пространственным зазорам, и создают туннельный ток, величина которого определяется составляющей линейного ускорения в направлении оси, перпендикулярной плоскости полуизолирующей подложки.The device operates as follows. When a positive supply voltage is applied to the
При возникновении ускорения полуизолирующей подложки 1 в направлении, совпадающем с отрицательным направлением оси, перпендикулярной плоскости полуизолирующей подложки, инерционная масса 11 с закрепленным на ней подвижным электродом 16 под действием сил инерции перемещается в противоположном направлении, инициируя упругую деформацию соединенного с ней несущего упругого подвеса 7 в области сегмента цилиндрической оболочки. Значение силы туннельного тока, протекающего между подвижным электродом 16 и неподвижным электродом 12, уменьшается вследствие увеличения пространственного зазора между электродами 16 и 12.When acceleration of the
При возникновении ускорения полуизолирующей подложки 1 в направлении, совпадающем с положительным направлением оси, перпендикулярной плоскости полуизолирующей подложки, инерционная масса 11 с закрепленным на ней подвижным электродом 16 под действием сил инерции перемещается в противоположном направлении, инициируя упругую деформацию соединенного с ней несущего упругого подвеса 7 в области сегмента цилиндрической оболочки. Значение силы туннельного тока, протекающего между подвижным электродом 16 и неподвижным электродом 12, увеличивается вследствие уменьшения пространственного зазора между электродами 16 и 12.When acceleration of the
При подаче напряжения на неподвижный электрод электростатического актюатора 12 относительно подвижного электрода электростатического актюатора 15 можно добиться взаимного притяжения или отталкивания подвижных и неподвижных электродов за счет возникновения электростатических сил, что позволяет варьировать величину пространственного зазора между электродами 16 и 12. Таким образом, изменяя режимы подачи напряжения на электроды 16 и 12, можно как осуществлять калибровку прибора в процессе эксплуатации, так и проводить его самотестирование. Режимы при этом будут определяться применяемыми схемами управления электростатическим актюатором и обработки сигналов акселерометра.When applying voltage to the fixed electrode of the
Таким образом, предлагаемое устройство представляет собой интегральный микромеханический туннельный акселерометр, обеспечивающий за счет эффекта туннелирования носителей заряда между подвижным и неподвижным электродами высокую чувствительность измерения составляющей линейного ускорения в направлении оси, перпендикулярной плоскости полуизолирующей подложки, а также возможность интегральной реализации в наномасштабе.Thus, the proposed device is an integrated micromechanical tunnel accelerometer, which, due to the tunneling effect of charge carriers between the movable and fixed electrodes, provides high sensitivity for measuring the linear acceleration component in the direction of the axis perpendicular to the plane of the semi-insulating substrate, as well as the possibility of integrated implementation in the nanoscale.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017129860A RU2660412C1 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Integrated micro-mechanical tunnel accelerometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017129860A RU2660412C1 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Integrated micro-mechanical tunnel accelerometer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2660412C1 true RU2660412C1 (en) | 2018-07-06 |
Family
ID=62815656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017129860A RU2660412C1 (en) | 2017-08-23 | 2017-08-23 | Integrated micro-mechanical tunnel accelerometer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2660412C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877421A (en) * | 1995-02-23 | 1999-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Acceleration sensor |
| US6170332B1 (en) * | 1993-05-26 | 2001-01-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Micromechanical accelerometer for automotive applications |
| RU2390031C1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-05-20 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет" (СФУ) | Integrated micromechanical field emission accelerator |
| RU2415443C1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-03-27 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) | Multi-axial integral micromechanical tunnel-type accelerometre |
| RU2597953C1 (en) * | 2015-06-30 | 2016-09-20 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | Integral micromechanical gyroscope-accelerometer |
-
2017
- 2017-08-23 RU RU2017129860A patent/RU2660412C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6170332B1 (en) * | 1993-05-26 | 2001-01-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Micromechanical accelerometer for automotive applications |
| US5877421A (en) * | 1995-02-23 | 1999-03-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Acceleration sensor |
| RU2390031C1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-05-20 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет" (СФУ) | Integrated micromechanical field emission accelerator |
| RU2415443C1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-03-27 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) | Multi-axial integral micromechanical tunnel-type accelerometre |
| RU2597953C1 (en) * | 2015-06-30 | 2016-09-20 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) | Integral micromechanical gyroscope-accelerometer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1564182A1 (en) | Miniature relay and corresponding uses thereof | |
| JP2003052163A (en) | Use of standoff for protecting atomic resolution storage mover for out-of plane motion | |
| US20060291129A1 (en) | Electrostatic actuator, device comprising such actuators, microsystem comprising such a device and method for making such an actuator | |
| US7916879B2 (en) | Electrostatic acoustic transducer based on rolling contact micro actuator | |
| EP3232559A1 (en) | Vibration power generation element | |
| US10858242B2 (en) | MEMS or NEMS device with stacked stop element | |
| US20210198096A1 (en) | Enhanced control of shuttle mass motion in mems devices | |
| Zhanwen et al. | A novel MEMS omnidirectional inertial switch with flexible electrodes | |
| US11186478B2 (en) | MEMS and method of manufacturing the same | |
| KR101766482B1 (en) | Switch structures | |
| US20130111992A1 (en) | Proof mass positioning features having tangential contact surfaces | |
| Kumar et al. | Ultra-low power digitally operated tunable MEMS accelerometer | |
| RU2660412C1 (en) | Integrated micro-mechanical tunnel accelerometer | |
| Cai et al. | Design, simulation and fabrication of a novel contact-enhanced MEMS inertial switch with a movable contact point | |
| US7999201B2 (en) | MEMS G-switch device | |
| US6307298B1 (en) | Actuator and method of manufacture | |
| Kumar et al. | Single-mask field emission based tunable MEMS tunneling accelerometer | |
| Jungmann et al. | Violation of triboelectric charge conservation on colliding particles | |
| RU2716869C1 (en) | Integrated micromechanical gyroscope-accelerometer | |
| Kim et al. | MEMS acceleration switch capable of increasing threshold acceleration | |
| RU2390031C1 (en) | Integrated micromechanical field emission accelerator | |
| RU2597951C1 (en) | Integral tunnel accelerometer | |
| Naumann et al. | The effect of multi-directional stimuli on the stiction-induced failure behavior of MEMS | |
| Yamane et al. | A design of spring constant arranged for MEMS accelerometer by multi-layer metal technology | |
| RU2415443C1 (en) | Multi-axial integral micromechanical tunnel-type accelerometre |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190824 |