RU2594958C2 - Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste - Google Patents

Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste

Info

Publication number
RU2594958C2
RU2594958C2 RU2013136736A RU2013136736A RU2594958C2 RU 2594958 C2 RU2594958 C2 RU 2594958C2 RU 2013136736 A RU2013136736 A RU 2013136736A RU 2013136736 A RU2013136736 A RU 2013136736A RU 2594958 C2 RU2594958 C2 RU 2594958C2
Authority
RU
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
sealing
silicon
oled
layer
silicon substrate
Prior art date
Application number
RU2013136736A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2013136736A (en )
Inventor
Борис Афанасьевич Кондрацкий
Николай Николаевич Усов
Олег Алексеевич Грачёв
Владимир Игоревич Иванов
Людмила Александровна Костышина
Мария Владимировна Маркелова
Анатолий Анатольевич Морозов
Александр Вадимович Нуриев
Original Assignee
Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Abstract

FIELD: process engineering.
SUBSTANCE: invention relates to sealing of micro displays built around the organic electroluminescent materials and can be used in production of OLED micro displays on silicon substrate. Claimed process proceeds from application of vitreous paste for sealing the OLED hardware on silicon substrate composed by 3-5 mcm deep SiOx ply and from laser soldering at the 60 W output power and output radiation wavelength of 810 nm.
EFFECT: production of dense-vacuum glass seam, higher quality of sealing, longer life.
6 cl, 6 dwg

Description

Изобретение относится к способу герметизации микродисплеев на основе органических электролюминесцентных материалов и может быть использовано при изготовлении микродисплеев OLED на кремниевой подложке. The invention relates to a method for sealing microdisplays based on organic electroluminescent materials can be used in the manufacture of OLED microdisplay on a silicon substrate.

В известном способе для защиты OLED-приборов от негативного воздействия кислорода и паров воды использовалась клеевая конструкция на основе эпоксидных смол [1]. In the known method to protect OLED-devices from adverse effects of oxygen and water vapor used construction adhesive based on epoxy resins [1].

В ряде случаев используется также защита в виде многослойных органических и неорганических пленок, известная как Vitex, в сочетании с использованием клея, отверждаемого ультрафиолетом [2]. In some cases, protection is also used in the form of a multilayer of organic and inorganic films, known as Vitex, coupled using an adhesive, UV curable [2].

Отметим, что, в целом, известными способами герметизации достигнуты результаты, обеспечивающие работоспособность OLED-приборов в течение нескольких тысяч часов. Note that, in general, known methods of sealing achieved, providing performance OLED-devices for several thousand hours.

До недавнего времени эти способы герметизации были доминирующими. Until recently, these sealing methods were dominant. Однако более эффективной защитой является герметизация, использующая стеклообразную пасту (фритт-пасту) в качестве соединительного слоя между стеклянной крышкой и основанием [3]. However, a more effective sealing is protected using a glassy paste (frit paste) as a connecting layer between the cover glass and the base [3]. В данном случае герметизация осуществляется лазерной сваркой (не клеевая конструкция). In this case, sealing is performed by laser welding (not adhesive construction). По-видимому, такой метод герметизации перспективен, так как стекло является идеальным барьером от проникновения паров влаги и кислорода. Apparently, such a sealing method is promising, since glass is a perfect barrier against the ingress of moisture vapor and oxygen.

На фиг. FIG. 1 показана конструкция OLED-прибора, включающего светоизлучающую структуру 3, прозрачную стеклянную крышку 1 и стеклянное основание 4, герметизация в котором выполнена с использованием фритт-пасты 2. Герметизация осуществляется лазерным облучением, схематично показанным на фиг. 1 shows the structure of OLED-device, comprising a light emitting pattern 3, a transparent glass cover 1 and the glass substrate 4, wherein the sealing is executed using a frit-sealing paste 2. The laser irradiation is performed, it is schematically shown in FIG. 1 в виде двух параллельных стрелок. 1 in the form of two parallel arrows.

Недостатком такого способа герметизации является то, что она применима для подложки из изолирующего материала, например, стекла 4. По этой причине не реализован способ герметизации с использованием фритт-пасты для OLED микродисплеев на кремниевой подложке 6, потому что коэффициенты теплопроводности стекла и кремния сильно отличаются и равны соответственно: ~2 Вт/м·К и ~150 Вт/м·К. The disadvantage of this method of sealing is that it is applicable to a substrate of insulating material, e.g., glass 4. For this reason, the method is implemented using a sealing frit paste for OLED microdisplay on a silicon substrate 6, because the thermal conductivity of glass and silicon differ and equal to ~ 2 W / mK and approximately 150 W / mK. Это ведет к тому, что тепловая мощность, подводимая к фритт-пасте за счет поглощения лазерного облучения будет недостаточна, для того чтобы расплавить легированное стекло с образованием надежного спая. This leads to the fact that the thermal power delivered to the frit paste due to the absorption of laser radiation is insufficient to melt the doped glass to produce a reliable junction.

Предлагаемое изобретение решает эту проблему следующим образом: The invention solves this problem as follows:

- введением дополнительного слоя 5 с низкой теплопроводностью SiO x по периферии структуры. - introduction of the additional layer 5 and the low thermal SiO x on the periphery of the structure. чтобы уменьшить теплоотвод к кремниевой подложке. to reduce the heat to the silicon substrate. 6 фиг. 6 FIG. 2, или 2, or

- формированием в кремниевой подложке имплантированных областей 7 с сильно нарушенной кристаллической решеткой и низкой теплопроводностью под проектируемой областью сварочного шва, фиг. - forming in the silicon substrate implanted regions 7 with a strongly disturbed crystal lattice, and low thermal conductivity under the projected area of ​​the welding seam, FIG. 3, или 3, or

- использованием дополнительного слоя 5 по периферии структуры с низкой теплопроводностью в сочетании с созданием в кремниевой подложке областей 7 с сильно нарушенной кристаллической решеткой с низкой теплопроводностью под проектируемой областью сварочного шва, фиг. - the use of additional layer 5 and the periphery structure with low thermal conductivity in combination with the creation of areas in the silicon substrate 7 with a strongly disturbed crystal lattice with low thermal conductivity under the projected area of ​​the welding seam, FIG. 4. 4.

Современные системы отображения информации используют технологию тонких органических электролюминесцентных пленок при изготовлении приборов, имеющих в качестве основания кремниевую подложку. Modern information display system using the technology of thin organic electroluminescent film in the manufacture of devices having silicon as the base substrate. В кремниевой подложке формируют СБИС управления матрицей светоизлучающих элементов на основе органических электролюминесцентных пленок. The silicon substrate is formed VLSI steering matrix light-emitting elements based on organic electroluminescent films.

Важной задачей в технологии изготовления таких приборов является создание качественной герметизации, обеспечивающей защиту органических пленок от негативного влияния паров и кислорода ввиду их чрезвычайной чувствительности. An important objective in the fabrication technology of these devices is to create a high quality seal that protects the organic film from the negative influence of vapor and oxygen because of their extreme sensitivity. Разработанная герметизация должна обеспечить натекание ≤10 -10 Па·м 3 /с и позволить увеличить время работоспособности до несколько десятков тысяч часов. Developed sealing should provide leakage ≤10 -10 Pa · m 3 / s and allow to increase the efficiency several tens of thousands of hours.

Указанный технический результат для OLED и микродисплеев OLED достигается тем, что способ герметизации OLED на кремниевой подложке с помощью стеклообразной пасты, основанный на использовании пасты, слоя SiO x толщиной 3-5 мкм и лазерной сварки в режиме выходной мощности 60 Вт и длине волны выходного излучения λ=810 нм заключается в том, что перед процессом герметизации под проектируемой областью сварочного шва с использованием фритт-пасты создают в кремнии имплантированную область с сильно нарушенной кристаллической решеткой, при этом перед процес Said technical result for the OLED and OLED microdisplay is achieved by the method for sealing the OLED on the silicon substrate by a glassy paste based on the use of paste, layer SiO x 3-5 microns thickness and laser welding in the mode 60 W output power and output wavelength λ = 810 nm is that before the encapsulation process under the projected area of ​​the weld using the frit paste create in silicon implanted region with a strongly disturbed crystal lattice, and the front protses сом герметизации создают в кремнии имплантированную область с сильно нарушенной кристаллической решеткой и над имплантированной областью осаждают слой из низкотемпературной окиси кремния SiO x толщиной 3-5 мкм. Som sealing create in silicon implanted region with a strongly disturbed crystal lattice, and over the implanted region of a low temperature deposited layer of silicon oxide SiO x 3-5 microns thick.

Способ герметизации микродисплея OLED на кремниевой подложке имеет следующую пооперационную последовательность: осаждают на кремниевую пластину с чипами 6.1 слой окиси кремния толщиной 3-5 мкм 6.1.1, формируют на каждом чипе кремниевой пластины по его периферии методом фотолитографии слой окиси кремния 6.1.2, напыляют на нее последовательно органические и неорганические слои 6.1.5, подготавливают стеклянную пластину 6.2 для герметизации в технологической последовательности: на стеклянную пластину таких же размеров, как кремниевая пластина, нанос A method of sealing OLED microdisplay on a silicon substrate has the following sequence of operational: deposited on a silicon wafer with chips silicon oxide layer 6.1 microns thick 3-5 6.1.1, each chip formed on the silicon wafer at its periphery by photolithography layer of silicon oxide 6.1.2 sprayed it consistently organic and inorganic layers 6.1.5, prepared glass plate 6.2 for sealing in the process sequence: a glass plate of the same size as a silicon wafer, is applied ят по периферии отдельного чипа слой стеклообразной пасты 6.2.2, содержащей оксид ванадия VO <35% по массе, триоксид сурьмы Sb 2 O 3 <6% по массе, оксид железа Fe 2 O 3 <6%, пентоксид фосфора Р 2 О 5 <16%, оксид кремния SiO x 7%, терпинеол C 10 H 18 O 3%, этилцеллюлозу [C 6 H 7 O 2 (ОН) 3-x (ОС 2 Н 5 ) x ] n <4%, бутилкарбитол ацетата С 10 Н 20 О 4 <23%, производят специальную термообработку слоя стеклообразной пасты в режиме, приведенном на фиг. ny circumferentially separate chip glassy layer paste 6.2.2 containing VO <35% by weight of vanadium oxide, antimony trioxide Sb 2 O 3 <6% by weight of iron oxide Fe 2 O 3 <6%, phosphorus pentoxide P 2 O 5 <16%, silicon oxide SiO x 7%, terpineol C 10 H 18 O 3% ethylcellulose [C 6 H 7 O 2 (OH) 3-x (OC 2 H 5) x] n <4%, butyl carbitol acetate, C 10 H O 20 4 <23%, produce a special heat treatment glassy paste layer in the mode of FIG. 5, наносят клей по периферии пластины 6.2.3, после совмещения и склеивания кремниевой и стеклянной пластины по периметру 6.0 производят лазерную сварку 6.0.1 чипов кремниевой пластины со стеклянной пластиной в режиме выходной мощности 60 Вт и длине волны излучения λ=810 нм, производят низкотемпературный отжиг полученной заготовки и проводят резку заготовки алмазными дисками со скоростью вращения 3000 об/мин, охлаждаемыми водой 6.02, производят разварку контактов 6.03 и защищают области контактных соединений эпоксидным клеем 6.04. 5, an adhesive is applied along the periphery of the plate 6.2.3, after alignment and bonding of silicon and glass plates along the perimeter of 6.0 produce laser welding 6.0.1 chip silicon wafer to a glass plate in the mode of 60 W output power and emission wavelength of λ = 810 nm, produce low-temperature annealing is carried out and the resulting preform billet cutting diamond disks with rotation speed of 3000 rev / min, water-cooled 6.02, 6.03 produce splicing contacts and protect contact region epoxy compounds 6.04. Перед передачей кремниевой пластины на напыление в установку КУ на ней производят операции, связанные с созданием сильнолегированного имплантированного слоя в кремниевой подложке по периферии чипа. Before transferring the silicon wafer to a sputtering installation KU thereon perform operations associated with the creation of highly doped implanted layer in the silicon substrate at the chip periphery. При этом перед передачей кремниевой пластины на напыление в установку КУ на ней производят операции создания сильнолегированного имплантированного слоя в кремнии с формированием в местах имплантированного слоя поверх него слоя SiO x толщиной 0,15-0,17 мкм. Wherein before transferring the silicon wafer to a sputtering installation KU thereon perform operations of creating highly-doped silicon implanted layer to form a layer over the field implanted layer of SiO x has a thickness of 0.15-0.17 mm.

Сложность задачи заключается в том, что герметизация на основе фритт-пасты впрямую непригодна для применения в приборах OLED с кремниевой подложкой. The complexity of the problem is that the sealing frit-based paste directly unsuitable for use in OLED devices with a silicon substrate.

Сущность предлагаемого изобретения состоит во введении в маршрут изготовления приборов OLED с кремниевой подложкой дополнительных технологических операций, обеспечивающих получение вакуумно-плотного стеклянного шва без пор и трещин. The essence of the invention consists in introducing into the OLED device fabrication route silicon substrate additional process steps, providing reception vacuum-tight glass joint without cracks and pores. Они включают в себя операции по обработке кремниевой подложки с получением в ней областей с сильно нарушенной кристаллической решеткой и уменьшенной теплопроводностью, выбора состава стеклообразной (фритт) пасты и ее термообработки, определения режима лазерной сварки. They include machining operations to obtain the silicon substrate therein regions with greatly impaired and reduced lattice thermal conductivity, the choice of composition glassy (frits) paste and its heat treatment, determine the mode of laser welding.

В данном описании изобретения представлен и проиллюстрирован предпочтительный вариант изобретения, в который могут быть внесены различные модификации и изменения, не затрагивающие существа и объема изобретения, определяемого формулой изобретения. In the herein shown and illustrated preferred embodiment of the invention, which may be various modifications and changes without affecting the spirit and scope of the invention as defined by the claims.

На кремниевую подложку (с сильно нарушенной областью кристаллической решетки и необработанную) со светоизлучающей OLED-матрицей по периферии осаждают низкотемпературным способом слой SiO x толщиной 3-5 мкм и методом фотолитографии оставляют участки слоя SiO x , на которые в дальнейшем ложатся при совмещении участки фритт-пасты, находящиеся на стеклянной крышке; On a silicon substrate (with a strongly disturbed crystal lattice region and untreated) with a light-emitting OLED-matrix circumferentially deposited low temperature process layer SiO x 3-5 microns thick and left portions by photolithography layer of SiO x, on which further lie at overlapping portions fritt- paste located on the glass cover;

- на стеклянную пластину методом шелкографии по заданному рисунку наносят ровный слой фритт-пасты, состав которой: оксид ванадия VO <35% по массе, триоксид сурьмы Sb 2 O 3 <6% по массе, оксид железа Fe 2 O 3 <6%, пентоксид фосфора Р 2 О 5 <16%, диоксид кремния SiO 2 7%, терпинеол C 10 H 18 O 3%, этилцеллюлозу [C 6 H 7 O 2 (ОН) 3-x (ОС 2 Н 5 ) х ] n <4%, бутилкарбитол ацетат С 10 Н 20 О 4 <23%; - on a glass plate by screen printing of a predetermined pattern is applied to an even layer of frit paste, whose composition is: vanadium oxide VO <35% by weight of antimony trioxide Sb 2 O 3 <6% by weight of iron oxide Fe 2 O 3 <6% phosphorus pentoxide P 2 O 5 <16%, silicon dioxide SiO 2 7%, terpineol C 10 H 18 O 3% ethylcellulose [C 6 H 7 O 2 (OH) 3-x (OC 2 H 5) x] n < 4%, butyl carbitol acetate, C 10 H 20 O 4 <23%; фритт-пасту в виде шва подвергают отжигу в режиме специальной термообработки: температура 370°С выдержка 30 минут (процесс декарбонизации и обезуглероживания), спекают при температуре 420°С и выдерживают в течение 30 минут согласно фиг. frit paste to form the seam subjected to annealing in a mode of special heat treatment: temperature 370 ° C exposure for 30 minutes (process decarbonation and decarburization), sintered at a temperature of 420 ° C and held for 30 minutes according to FIG. 5. 5.

- две составные части корпуса (стеклянная крышка и кремниевая подложка) совмещают по стеклообразному шву с участками слоя SiO x ; - two parts of the housing (cover glass and a silicon substrate) is aligned with the seam of the glassy portions of layer SiO x;

- стеклование термообработанной фритт-пасты производят на установке лазерного оплавления стеклоспая LTS-2R ИК лазером в режиме выходной мощности 60 Вт и длине волны выходного излучения λ=810 нм; - heat-treated glass transition frit paste to produce a laser reflow installation steklospaya LTS-2R IR laser mode 60 W output power and output wavelength λ = 810 nm;

- полученную заготовку подвергают низкотемпературному отжигу и производят последующую резку с помощью алмазных дисков. - the resulting preform was subjected to low temperature annealing and produce subsequent cutting by means of diamond discs.

Краткое описание чертежей BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS

На фиг. FIG. 1 приведена известная конструкция, использующая герметизацию с помощью стеклообразной пасты. 1 shows a known design employing a seal via a glassy paste. Такая конструкция не предполагает использования кремниевой подложки в качестве основания. This design does not use the Si substrate as the base.

На фиг. FIG. 2-4 показаны предлагаемые конструкции, работающие по заявляемому способу. 2-4 shows the working of the claimed method the proposed structure. Отличия в них состоят в структуре областей, соприкасающихся при совмещении со стеклообразным швом. Differences in their structure consist in regions contiguous with the combining vitreous seam.

На фиг. FIG. 5 приведен график зависимости температуры отжига стеклообразного шва от времени по заявляемому способу. 5 is a plot of annealing temperature vitreous seam of the claimed method the time.

На фиг. FIG. 6 показана блок-схема реализации изобретения в маршруте изготовления микродисплея. 6 is a block diagram of the invention in the manufacture of a route microdisplay.

Совместимость нововведений по заявленному способу герметизации была проверена в технологическом маршруте изготовлении OLED микродисплеев на кремниевой подложке. Compatibility innovations of the inventive method was tested in the sealing process route manufacture OLED microdisplay on a silicon substrate.

На фиг. FIG. 6 показаны места введения дополнительных операций в технологический маршрут изготовления микродисплеев. 6 shows where the introduction of additional operations in the manufacturing process route microdisplays. В технологической цепочке подложка с кремниевыми чипами (поз. 6.1) включены дополнительные операции низкотемпературного осаждения SiO x (поз. 6.1.1), фотолитография по слою SiO x (поз. 6.1.2). In the processing chain of the substrate with silicon chips (pos. 6.1) includes an additional deposition step a low temperature SiO x (pos. 6.1.1), the layer photolithography SiO x (pos. 6.1.2). После типовых операций отмывки и термообработки кремниевая пластина по циклу поступает в вакуумную кластерную установку (КУ) для напыления органических и неорганических слоев (поз. 6.1.3). After standard washing and heat treatment operations for a silicon wafer in a vacuum cycle enters a cluster unit (KU) for the deposition of organic and inorganic layers (pos. 6.1.3). В технологической цепочке стеклянная крышка со светофильтрами (поз. 6.2), добавляются операции нанесения фритт-пасты (поз. 6.2.1) и специальная термообработка (поз. 6.2.2), после чего крышка поступает в установку КУ для дальнейшего прохождения по технологическому маршруту. In the processing chain of the glass cover with light filters (pos. 6.2), are added to the steps of applying frit paste (pos. 6.2.1) and the special heat treatment (pos. 6.2.2), after which the cap enters the CG unit for further transmission of technological route .

Проведенные исследования OLED и микродисплеев OLED показали, что при использовании данного изобретения снижается величина натекания в OLED до значений 2×10 -10 Па·м 3 /с и увеличивается срок службы микродисплеев OLED до 20-30 тысяч часов. Studies OLED and OLED microdisplays have shown that by using the present invention decreases the quantity of leakage in the OLED to values of 2 × 10 -10 Pa · m 3 / s and increased lifetime OLED microdisplay to 20-30 thousand hours.

Источники информации Information sources

1. Ewald Guenther. 1. Ewald Guenther. Encapsulation for OLED devices. Encapsulation for OLED devices. Patent USA 7255823. 2007 (вариант). Patent USA 7255823. 2,007 (option).

2. Maizen, Vincent. 2. Maizen, Vincent. Method of sealing OLED with liquid adhesive. Method of sealing OLED with liquid adhesive. Patent USA 7452258. 2008 (вариант). Patent USA 7452258. 2 008 (option).

3. Bruce G. Aitken, Joel P. Carberry. 3. Bruce G. Aitken, Joel P. Carberry. Glass package, that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication. Glass package, that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication. Patent USA 6,998,776. Patent USA 6,998,776. 2006. 2006.

Claims (6)

  1. 1. Способ герметизации OLED на кремниевой подложке с помощью стеклообразной пасты, основанный на использовании пасты, слоя SiO x толщиной 3-5 мкм и лазерной сварки в режиме выходной мощности 60 Вт и длине волны выходного излучения λ=810 нм. 1. A method for sealing the OLED on the silicon substrate by a glassy paste based on the use of paste, layer SiO x 3-5 microns thickness and laser welding in the mode 60 W output power and output wavelength λ = 810 nm.
  2. 2. Способ герметизации по п. 1, отличающийся тем, что перед процессом герметизации под проектируемой областью сварочного шва с использованием фритт-пасты создают в кремнии имплантированную область с сильно нарушенной кристаллической решеткой. 2. The method of sealing according to Claim. 1, characterized in that, before the sealing process by the projected area of ​​the weld using the frit paste create in silicon implanted region with a strongly disturbed crystal lattice.
  3. 3. Способ герметизации по п. 1 или 2, отличающийся тем, что перед процессом герметизации создают в кремнии имплантированную область с сильно нарушенной кристаллической решеткой и над имплантированной областью осаждают слой из низкотемпературной окиси кремния SiO x. 3. The method of sealing according to Claim. 1 or 2, characterized in that, before the sealing process to create silicon implanted region with a strongly disturbed crystal lattice, and over the implanted region of a low temperature deposited layer of silicon oxide SiO x. толщиной 3-5 мкм. 3-5 microns thick.
  4. 4. Способ герметизации микродисплея OLED на кремниевой подложке, имеющий следующую пооперационную последовательность: осаждают на кремниевую пластину с чипами слой окиси кремния толщиной 3-5 мкм, формируют на каждом чипе кремниевой пластины по его периферии методом фотолитографии слой окиси кремния, напыляют на нее последовательно органические и неорганические слои, подготавливают стеклянную пластину для герметизации в технологической последовательности: на стеклянную пластину таких же размеров, как кремниевая пластина, наносят по пери 4. A method of microdisplay sealing the OLED on the silicon substrate having the following sequence of operational: deposited on a silicon wafer with the silicon oxide layer chips 3-5 microns thick, is formed on each chip of a silicon wafer on its periphery by photolithography layer of silicon oxide is sprayed on it sequentially organic and inorganic fibers, preparing a glass plate for sealing in the process sequence: a glass plate of the same size as a silicon wafer is applied to the peri ферии отдельного чипа слой стеклообразной пасты, содержащей оксид ванадия VO <35% по массе, триоксид сурьмы Sb 2 O 3 <6% по массе, оксид железа Fe 2 O 3 <6%, пентоксид фосфора Р 2 О 5 <16%, оксид кремния SiO x 7%, терпинеол C 10 H 18 O 3%, этилцеллюлозу [C 6 H 7 O 2 (ОН) 3-x (ОС 2 Н 5 ) х ] n <4%, бутилкарбитол ацетата С 10 Н 20 О 4 <23%, производят специальную термообработку слоя стеклообразной пасты в режиме: температура 370°С, выдержка 30 минут (процесс декарбонизации и обезуглероживания), затем спекают при температуре 420°С и выдерживают в течение 30 минут, затем наносят клей по периферии пла ferii separate chip layer vitreous paste containing vanadium oxide VO <35% by weight of antimony trioxide Sb 2 O 3 <6% by weight of iron oxide Fe 2 O 3 <6%, phosphorus pentoxide P 2 O 5 <16% oxide silicon SiO x 7%, terpineol C 10 H 18 O 3% ethylcellulose [C 6 H 7 O 2 (OH) 3-x (OC 2 H 5) x] n <4%, C 10 H butyl carbitol acetate 20 O 4 <23%, a special heat treatment produces a glassy paste layer under the conditions of temperature of 370 ° C, holding 30 minutes (decarbonization and decarbonization process), then sintered at a temperature of 420 ° C and held for 30 minutes, then glue is applied along the periphery of pla стины, после совмещения и склеивания кремниевой и стеклянной пластины по периметру производят лазерную сварку чипов кремниевой пластины со стеклянной пластиной в режиме выходной мощности 60 Вт и длине волны излучения λ=810 нм, производят низкотемпературный отжиг полученной заготовки и проводят резку заготовки алмазными дисками со скоростью вращения 3000 об/мин, охлаждаемыми водой, производят разварку контактов и защищают области контактных соединений эпоксидным клеем. Steen after alignment and bonding of silicon and glass wafer perimeter produce laser welding silicon wafer chips to a glass plate in the mode of 60 W output power and emission wavelength of λ = 810 nm, produce low-temperature annealing of the obtained preform, and carried out cutting the workpiece diamond disks with rotation speed 3000 rev / min, water-cooled, make splicing contacts and protect the area of ​​contact joints with epoxy glue.
  5. 5. Способ герметизации микродисплея по п. 4, отличающийся тем, что перед передачей кремниевой пластины на напыление в вакуумную кластерную установку (КУ) на ней производят операции, связанные с созданием сильнолегированного имплантированного слоя в кремниевой подложке по периферии чипа. 5. The method of microdisplay sealing n. 4, characterized in that before transmission of a silicon wafer in a vacuum deposition on a cluster unit (KU) thereon perform operations associated with the creation of highly doped implanted layer in the silicon substrate at the chip periphery.
  6. 6. Способ герметизации микродисплея по п. 4 или 5, отличающийся тем, что перед передачей кремниевой пластины на напыление в вакуумную КУ на ней производят операции создания сильнолегированного имплантированного слоя в кремнии с формированием в местах имплантированного слоя поверх него слоя SiO x толщиной 0,15-0,17 мкм. 6. The method of microdisplay sealing n. 4 or 5, characterized in that before transmission of a silicon wafer in a vacuum deposition thereon KU perform operations of creating highly-doped silicon implanted layer to form a layer over the field implanted layer has a thickness of SiO x 0,15 -0.17 microns.
RU2013136736A 2013-08-07 2013-08-07 Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste RU2594958C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013136736A RU2594958C2 (en) 2013-08-07 2013-08-07 Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013136736A RU2594958C2 (en) 2013-08-07 2013-08-07 Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013136736A true RU2013136736A (en) 2015-02-20
RU2594958C2 true RU2594958C2 (en) 2016-08-20

Family

ID=53281815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013136736A RU2594958C2 (en) 2013-08-07 2013-08-07 Sealing of oled hardware and oled micro display built around silicon substrate with help of vitreous paste

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2594958C2 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565400B1 (en) * 2001-06-26 2003-05-20 Candescent Technologies Corporation Frit protection in sealing process for flat panel displays
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
RU2435246C2 (en) * 2007-06-08 2011-11-27 Улвак, Инк. Method and device for manufacturing of sealed panel and method and device for manufacturing of plasma display panel
US8366505B2 (en) * 2008-12-30 2013-02-05 Industrial Technology Research Institute Apparatus of organic light emitting diode and packaging method of the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6565400B1 (en) * 2001-06-26 2003-05-20 Candescent Technologies Corporation Frit protection in sealing process for flat panel displays
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
RU2435246C2 (en) * 2007-06-08 2011-11-27 Улвак, Инк. Method and device for manufacturing of sealed panel and method and device for manufacturing of plasma display panel
US8366505B2 (en) * 2008-12-30 2013-02-05 Industrial Technology Research Institute Apparatus of organic light emitting diode and packaging method of the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
RU2013136736A (en) 2015-02-20 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7602121B2 (en) Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US20070170849A1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US20070170839A1 (en) Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure
US20030066311A1 (en) Encapsulation of a display element and method of forming the same
US20070170859A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US20070177069A1 (en) Organic light emitting display and fabricating method of the same
US7837530B2 (en) Method of sealing an organic light emitting display by means of a glass frit seal assembly
US20070170855A1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US20070090759A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US8125146B2 (en) Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion
US20070170423A1 (en) Organic light-emitting display and method of making the same
US20080296600A1 (en) Organic light emitting diode (OLED) display and method of manufacturing the same
US8063561B2 (en) Organic light emitting display device
US20070170850A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US20040206953A1 (en) Hermetically sealed glass package and method of fabrication
US20070170455A1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US20070170856A1 (en) Method of making electronic device with frit seal and frit sealing apparatus
US20070170846A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US20070170861A1 (en) Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
US20090058292A1 (en) Flat panel display and fabricating method thereof
US20070195634A1 (en) Flat panel display device and fabrication apparatus thereof and fabrication method thereof
US20070176548A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US20070247068A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN101103429A (en) Hermetically sealed glass package and method of fabrication
JP2012094348A (en) Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same