RU2591236C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2591236C1 RU2591236C1 RU2015119006/28A RU2015119006A RU2591236C1 RU 2591236 C1 RU2591236 C1 RU 2591236C1 RU 2015119006/28 A RU2015119006/28 A RU 2015119006/28A RU 2015119006 A RU2015119006 A RU 2015119006A RU 2591236 C1 RU2591236 C1 RU 2591236C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- temperature
- gaas
- contact resistance
- production
- Prior art date
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями контактного сопротивления. Изобретение обеспечивает снижение значений контактного сопротивления, повышение технологичности, улучшение параметров прибора, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на полуизолирующей подложке GaAs формируют тонкий слой n-GaAs толщиной 10-15 нм ионным внедрением серы при комнатной температуре с дозой 5*1012 см-2 с энергией 30 кэВ с последующей высокотемпературной обработкой при температуре 820-850°C в течение 20 мин. Затем по стандартной технологии формируют области полупроводникового прибора и контакты. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями контактного сопротивления.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 2133929 Япония, МКИ H01L 21/336] МОП ПТ с толстым слоем изолирующего окисла вокруг активной структуры и сильнолегированным слоем под этим окислом для уменьшения утечек. Участок p-подложки для формирования истока-канала - стока защищают (поверх окисла затвора) маской, препятствующей окислению, проводят имплантацию As для образования сильнолегированного слоя и глубокое окисление для изоляции. Далее проводят имплантацию В (через маску, препятствующую окислению) для легирования слоя канала, формируют электрод затвора, проводят имплантацию As для создания областей истока и стока, а также операции формирования контактно-металлизационной системы. Наличие толстого слоя окисла приводит к увеличению зарядового состояния и ухудшению характеристик прибора.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5100838 США, МКИ H01L 21/283] путем формирования межслойного контакта, позволяющий облегчить процесс получения топологического рисунка вышележащих слоев. Поверхность окисленной подложки Si последовательно покрывается слоями WSix и SiO2, которые затем стравливаются с образованием регулярных проводящих линий, разделенных зазором. На боковых стенках ступенек проводящих линий формируются изолирующие SiO2, спейсеры, уменьшающие ширину зазора. Поверхность структуры покрывается полностью заполняющим объем зазора двумконформным проводящим слоем, который затем стравливается. Процесс травления заканчивается в тот момент, когда удаляется слой второго проводящего материала толщиной, соответствующей толщине первого проводящего слоя. Далее объем зазора заполняется проводящим материалом.
Недостатками способа являются:
- высокие значения контактного сопротивления;
- низкая технологичность;
- высокие значения токов утечек.
Задача, решаемая изобретением: снижение значений контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров прибора, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается созданием тонкого однородного слоя n-GaAs толщиной 10-15 нм ионным внедрением серы в полуизолирующий GaAs подложке при комнатной температуре с дозой 5*1012 см-2, энергией 30 кэВ; с последующей высокотемпературной обработкой при температуре 820-850°C в течение 20 мин.
Технология способа состоит в следующем: использовались полуизолирующие GaAs подложки с ориентацией (100), полированные в травителе H2SO4:H2O2:H2O=5:1:1 в течение 3 мин при температуре 50°C. Затем проводили внедрение серы при комнатной температуре с дозой 5*1012 см-2 с энергией 30 кэВ. Пучок ионов был направлен под углом 6°C относительно направления (100) оси подложки. Затем подложки покрывались слоем Si3N4 толщиной 100 нм, полученным методом катодного распыления мишени и проводили высокотемпературную обработку при температуре 820-850°C в течение 20 мин. При этом получают тонкий однородный слой n-GaAs толщиной 10-15 нм. После термообработки диэлектрические слои удалялись в плавиковой кислоте. Затем по стандартной технологии формировались области полупроводникового прибора и контакты к стоку, истоку.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты обработки представлены в таблице 1.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,8%.
Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предлагаемый способ изготовления полупроводникового прибора путем создания тонкого однородного слоя n-GaAs толщиной 10-15 нм ионным внедрением серы в полуизолирующей GaAs подложке при комнатной температуре с дозой 5*1012 см-2, энергией 30 кэВ, с последующей высокотемпературной обработкой при температуре 820-850°C в течение 20 мин позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования активных областей и электродов приборов, отличающийся тем, что на полуизолирующей GaAs подложке формируют тонкий слой n - GaAs толщиной 10-15 нм ионным внедрением серы при комнатной температуре с дозой 5*1012 см-2, энергией 30 кэВ, с последующей высокотемпературной обработкой при температуре 820-850°C в течение 20 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015119006/28A RU2591236C1 (ru) | 2015-05-20 | 2015-05-20 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015119006/28A RU2591236C1 (ru) | 2015-05-20 | 2015-05-20 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2591236C1 true RU2591236C1 (ru) | 2016-07-20 |
Family
ID=56412274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015119006/28A RU2591236C1 (ru) | 2015-05-20 | 2015-05-20 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2591236C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2804604C1 (ru) * | 2023-04-03 | 2023-10-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4033788A (en) * | 1973-12-10 | 1977-07-05 | Hughes Aircraft Company | Ion implanted gallium arsenide semiconductor devices fabricated in semi-insulating gallium arsenide substrates |
RU2002337C1 (ru) * | 1991-10-29 | 1993-10-30 | Инженерный центр "Плазмодинамика" | Способ плазменного легировани полупроводниковых подложек |
-
2015
- 2015-05-20 RU RU2015119006/28A patent/RU2591236C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4033788A (en) * | 1973-12-10 | 1977-07-05 | Hughes Aircraft Company | Ion implanted gallium arsenide semiconductor devices fabricated in semi-insulating gallium arsenide substrates |
RU2002337C1 (ru) * | 1991-10-29 | 1993-10-30 | Инженерный центр "Плазмодинамика" | Способ плазменного легировани полупроводниковых подложек |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2804604C1 (ru) * | 2023-04-03 | 2023-10-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9875908B2 (en) | LDMOS device | |
US8952453B2 (en) | MOSFET formed on an SOI wafer with a back gate | |
WO2010092748A1 (ja) | 半導体装置、その製造方法及びプラズマドーピングシステム | |
RU2591236C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2596861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2641617C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2610056C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2688864C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2693506C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2606246C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2798455C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
RU2717149C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2793798C1 (ru) | Способ увеличения адгезии | |
RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2757177C1 (ru) | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама | |
RU2709603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2660296C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2723981C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2818689C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2688861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170521 |