RU2365943C1 - Способ определения параметров сцинтилляционного детектора - Google Patents
Способ определения параметров сцинтилляционного детектора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2365943C1 RU2365943C1 RU2008105156/28A RU2008105156A RU2365943C1 RU 2365943 C1 RU2365943 C1 RU 2365943C1 RU 2008105156/28 A RU2008105156/28 A RU 2008105156/28A RU 2008105156 A RU2008105156 A RU 2008105156A RU 2365943 C1 RU2365943 C1 RU 2365943C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- scintillator
- light source
- photodetector
- luminescence
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к контролю параметров сцинтилляционного детектора, и может быть использовано для контроля оптического контакта между сцинтиллятором и фотоэлектронным умножителем в низкофоновых приборах обнаружения ионизирующего излучения, типа радиационных мониторов. Технический результат - контроль качества оптического контакта между сцинтиллятором и ФП в различных условиях эксплуатации в течение всего срока службы (при старении и наработке сцинтиллятора и ФЭУ). Способ определения параметров сцинтилляционного детектора основан на контроле амплитуд двух задержанных выходных импульсов фотоприемника от двух соответствующих источников света, первый из которых освещает фотокатод фотоприемника, вторым источником света возбуждают люминесценцию сцинтиллятора, который устанавливают через иммерсионный слой на подложку фотокатода фотоприемника, при этом выбирают спектр излучения второго источника света ниже нижней границы спектра люминесценции сцинтиллятора, при этом спектр излучения первого источника света выбирают соответствующим эффективной длине люминесценции сцинтиллятора, световыход первого источника света термостабилизируют с учетом температурного изменения люминесценции сцинтиллятора, при этом световыход второго источника света термостабилизируют, компенсируя только его собственную температурную зависимость световыхода, а пару импульсов с фотоприемника при наличии иммерсионного слоя контролируют относительно пары импульсов с фотоприемника в отсутствие иммерсионного слоя. Источники света выполнены импульсными полупроводниковыми. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к контролю параметров сцинтилляционного детектора, и может быть использовано для контроля оптического контакта между сцинтиллятором и фотоэлектронным умножителем в низкофоновых приборах обнаружения ионизирующего излучения, типа радиационных мониторов.
При эксплуатации сцинтилляционных детекторов наблюдаются изменения характеристик фотоприемника (ФП), сцинтиллятора, а также оптического контакта между ними, связанные с изменением температуры окружающей среды (температурная нестабильность), старением (длительная эксплуатация и хранение), что приводит к изменению амплитуды выходных импульсов с ФП.
Для контроля чувствительности к ионизирующему излучению применяют контрольный источник ионизирующего излучения с известной энергией гамма-квантов, которым облучают сцинтиллятор, находящийся в оптическом контакте с ФП, и измеряют амплитуду выходного импульса с ФП (см., например, ГОСТ 17038.2-79 «Детекторы ионизирующих излучений сцинтилляционные. Метод измерения светового выхода детектора по пику полного поглощения или краю комптоновского распределения»).
Недостатком этого способа является увеличение фонового потока излучения, обусловленное излучением контрольного источника, что приводит к увеличению порога обнаружения излучения и сокращению наработки приборов, использующих данный способ.
Наиболее близким техническим решением является способ парных световых импульсов (см. авт. св. СССР №126559, кл. H01J 39/16, 1960), в котором два импульсных источника света, управляемые задающим генератором, засвечивают фотокатод фотоэлектронного умножителя. Изменяя интервал времени между световыми импульсами, получают зависимость амплитуды второго импульса от продолжительности интервала.
Этот способ принят за прототип.
Известный способ не позволяет контролировать качество оптического контакта на различных этапах изготовления и эксплуатации сцинтилляционного детектора.
Предлагаемый способ решает задачу контроля качества оптического контакта между сцинтиллятором и ФП в различных условиях эксплуатации в течение всего срока службы (при старении и наработке сцинтиллятора и ФЭУ).
Это достигается тем, что в способе определения параметров сцинтилляционного детектора путем контроля амплитуд двух задержанных выходных импульсов фотоприемника от двух соответствующих источников света, первый из которых освещает фотокатод фотоприемника, вторым источником света возбуждают люминесценцию сцинтиллятора, который устанавливают через иммерсионный слой на подложку фотокатода фотоприемника, при этом выбирают спектр излучения второго источника света ниже нижней границы спектра люминесценции сцинтиллятора, при этом спектр излучения первого источника света выбирают соответствующим эффективной длине люминесценции сцинтиллятора, световыход первого источника света термостабилизируют с учетом температурного изменения люминесценции сцинтиллятора, при этом световыход второго источника света термостабилизируют, компенсируя только его собственную температурную зависимость световыхода, а пару импульсов с фотоприемника при наличии иммерсионного слоя контролируют относительно пары импульсов с фотоприемника в отсутствие иммерсионного слоя.
Источники света выполнены импульсными полупроводниковыми.
Анализ известных решений не выявил признаков, сходных с отличительными признаками заявленного способа. Это позволяет сделать вывод о соответствии заявленного способа критерию новизны.
Изобретение поясняется чертежом, где на фиг.1 показаны амплитудно-временные диаграммы сигналов с ФП (а - при отсутствии оптического контакта, б - при его наличии), на фиг.2 показаны спектры излучения первого (штрихпунктир) и второго (точки) источников света, люминесценции сцинтиллятора при возбуждении ионизирующим излучением (пунктир) и светом от второго источника света (сплошная). На фиг.3 показано распространение и преобразование света от двух импульсных источников света и структура устройства, по описываемому способу.
Устройство, реализующее предлагаемый способ (см. фиг.3), содержит: первый источник света 1, освещающий фотоприемник 2, сцинтиллятор 3, объем которого освещается вторым источником света 4. Боковые поверхности сцинтиллятора 3 покрыты отражателем 5, за исключением выходного окна, через которое свет от сцинтиллятора 3 попадает на фотокатод фотоприемника 2 через иммерсионный слой 6, расположенный между подложкой 7 фотокатода ФП и выходным окном сцинтиллятора 3. Термодатчик 8 подключен к микропроцессору 9, который управляет источниками света 1 и 4.
Сущность предложенного способа заключается в следующем.
Сначала импульс света от первого источника 1 освещает фотокатод ФП 2 (см. фиг.3), вызывая на его выходе импульс А с амплитудой Аф (см. фиг.1). Через интервал времени to освещают объем сцинтиллятора 3 импульсом света от второго источника света 4, при этом выбирают длину волны света λ2 такой, чтобы возбудить в сцинтилляторе 3 люминесценцию, для чего необходимо, чтобы длина волны света λ2 от второго источника света 4 была короче эффективной длины λсц люминесценции сцинтиллятора 3, как показано на фиг.2. Задержка между импульсами выбирается исходя из «мертвого» времени устройства, контролирующего импульсы с ФП 2.
Кванты света с длиной волны λ2 от второго источника света 4 (см. фиг.3), попав в сцинтиллятор 3, могут быть поглощены сразу (как квант 10) центром люминесценции 11, или после отражения от отражателя 5 (как квант 12) центром люминесценции 13. Затем кванты люминесценции 14 и 15 с эффективной длиной волны λсц из центров люминесценции 11 и 13, соответственно, непосредственно, или отражаясь от отражателя 5 или боковых стенок сцинтиллятора 3, попадают на границу раздела выходного окна сцинтиллятора 3 и подложки 7 фотокатода ФП 2. Далее, в зависимости от угла падения квантов люминесценции 14, 15 сцинтиллятора 3 и наличия или отсутствия иммерсионного слоя 6 между сцинтиллятором 3 и подложкой 7 фотокатода ФП 2 квант может выйти из сцинтиллятора 3 и попасть на фотокатод ФП 2 (как квант 15), или, испытав полное внутреннее отражение на границе раздела сцинтиллятор 3-воздух (при отсутствии иммерсионного слоя 6), остаться внутри сцинтиллятора 3 (как квант 14), так и недостигнув фотокатода ФП 2.
Из рассмотренного видно, что распространение света по объему сцинтиллятора 3 от второго источника света 4 соответствует образованию и распространению люминесценции сцинтиллятора 3 под действием ионизирующего излучения, что обеспечивает идентичность условий светосбора люминесценции сцинтиллятора 3 при облучении светом от второго источника света 4 и ионизирующим излучением, как при наличии, так и в отсутствие иммерсионного слоя 6.
Для исключения влияния спектральной зависимости фотокатода ФП 2 на погрешность контроля (определения параметров) оптического контакта выбирают первый источник света 1 со спектром излучения (длина волны λ1 в максимуме), совпадающим с максимумом λсц в спектре люминесценции сцинтиллятора 3, как показано на фиг.2.
Далее (см. фиг.3) ФП 2 преобразовывает люминесценцию сцинтиллятора 3, обусловленную вторым источником света 4, в электрические сигналы Б (при отсутствии иммерсионного слоя) и В (при наличии иммерсионного слоя), амплитуды которых Аб и Аок зависят от отсутствия/наличия иммерсионного слоя 6, как показано на фиг.1а и фиг.1б.
В соответствии с предлагаемым способом контроль качества оптического контакта (иммерсионного слоя 6) контролируют по амплитуде импульса В относительно амплитуды импульса А. Изменение первоначального соотношения амплитуд этих импульсов Аок/Аф соответствует изменению оптического контакта (иммерсионного слоя 6) между сцинтиллятором 3 и подложкой 7 фотокатода ФП 2.
Для повышения точности и достоверности контроля оптического контакта в составе аппаратуры в процессе эксплуатации целесообразно исключить погрешность, обусловленную изменением температуры окружающей среды, для чего стабилизировать изменение световыхода первого и второго источников света 1 и 4, при этом термостабилизацию первого источника света 1 выполнить с учетом изменения люминесценции сцинтиллятора 3 с температурой, а световыход второго источника света 4 стабилизировать только с учетом его собственного температурного коэффициента световыхода. В этом случае соотношение Аок/Аф не будет зависеть от температуры при наличии оптического контакта (иммерсионного слоя 6), оно не будет зависеть и от коэффициента усиления ФП. Дополнительно точность контроля повышается, если первоначально установить равенство амплитуды Аф с ФП 2 от первого источника 1 и амплитуды Аб импульса ФП 2 от второго источника 4 при отсутствии иммерсионного слоя 6 (при предварительной градуировке устройства, реализующего предлагаемый способ).
Контроль оптического контакта при изменении температуры проводят следующим образом. Сначала термокомпенсируют отношение Аок/Аф амплитуды Аок импульса от люминесценции сцинтиллятора 3 при возбуждении вторым источником света 4 к амплитуде импульса Аф от первого источника света 1, а затем в процессе работы устройства контролируют отношение Аок/Аф, которое зависит только от наличия иммерсионного слоя 6 и не зависит от внешних условий эксплуатации.
Предлагаемый способ позволяет также контролировать изменение световыхода сцинтиллятора 3 в отсутствие иммерсионного слоя 6 следующим образом. Сначала проводят термокомпенсацию световыходов первого источника света 1 и второго источника света 4. Затем устанавливают источники света 1 и 4 в соответствии с предлагаемым способом: освещают ФП 2 световым источником 1, а сцинтиллятор 3 световым источником 4. В результате получают выходные импульсы А и Б с ФП 2 в соответствии с диаграммой фиг.1а, в этом случае при изменении температуры окружающей среды изменение отношения Аб/Аф будет обусловлено только изменением световыхода сцинтиллятора 3.
Температура окружающей среды измеряется датчиком температуры 8, расположенным вблизи ФП 2 и сцинтиллятора 3, и передается на вход микропроцессора 9 для регулирования световыми потоками первого и второго источников света 1 и 4 электрическим путем. Наиболее просто это осуществляется, если в качестве источников света 1 и 4 использовать светодиоды, которые характеризуются большой стабильностью параметров и наработкой, что обеспечивает контроль параметров сцинтилляционного детектора в течение длительного срока службы и продолжительной наработки, а термокомпенсация световыходов светодиодов может быть осуществлена с помощью микропроцессора 9, управляемого термодатчиком 8.
Claims (5)
1. Способ определения параметров сцинтилляционного детектора путем контроля амплитуд двух задержанных выходных импульсов фотоприемника от двух соответствующих источников света, первый из которых освещает фотокатод фотоприемника, отличающийся тем, что вторым источником света возбуждают люминесценцию сцинтиллятора, который устанавливают через иммерсионный слой на подложку фотокатода фотоприемника.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что выбирают спектр излучения второго источника света ниже нижней границы спектра люминесценции сцинтиллятора, при этом спектр излучения первого источника света выбирают соответствующим эффективной длине люминесценции сцинтиллятора.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что световыход первого источника света термостабилизируют с учетом температурного изменения люминесценции сцинтиллятора, при этом световыход второго источника света термостабилизируют, компенсируя только его собственную температурную зависимость световыхода.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что пару импульсов с фотоприемника при наличии иммерсионного слоя контролируют относительно пары импульсов с фотоприемника в отсутствии иммерсионного слоя.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что источники света выполнены импульсными полупроводниковыми.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008105156/28A RU2365943C1 (ru) | 2008-02-14 | 2008-02-14 | Способ определения параметров сцинтилляционного детектора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008105156/28A RU2365943C1 (ru) | 2008-02-14 | 2008-02-14 | Способ определения параметров сцинтилляционного детектора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2365943C1 true RU2365943C1 (ru) | 2009-08-27 |
Family
ID=41149984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008105156/28A RU2365943C1 (ru) | 2008-02-14 | 2008-02-14 | Способ определения параметров сцинтилляционного детектора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2365943C1 (ru) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2557329C2 (ru) * | 2013-12-06 | 2015-07-20 | Федеральное государственное казенное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации | Способ измерения мощности дозы ионизирующего излучения в широком интервале рабочих температур |
| RU2647222C1 (ru) * | 2016-12-22 | 2018-03-14 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ" | Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров |
| RU2664928C1 (ru) * | 2017-10-20 | 2018-08-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ (НИЯУ МИФИ) | Способ контроля параметров сцинтилляционного детектора |
| EA035318B1 (ru) * | 2016-01-26 | 2020-05-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Радатех" | Способ температурной стабилизации параметров сцинтилляционного детектора на основе кремниевого фотоэлектронного умножителя при регистрации гамма-излучения и устройство для его осуществления |
| RU2794236C1 (ru) * | 2022-09-29 | 2023-04-13 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Комплекс для измерения световыхода сцинтилляционных стрипов |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU126559A1 (ru) * | 1958-08-07 | 1959-11-30 | А.Г. Берковский | Применение способа парных световых импульсов |
| SU667083A1 (ru) * | 1977-01-10 | 1980-08-15 | Предприятие П/Я Р-6496 | Способ определени эффективного показател поглощени (эпп) света в сцинтилл ционном детекторе |
| SU1709830A1 (ru) * | 1990-02-23 | 1994-02-28 | Институт монокристаллов АН Украины | Сцинтилляционный детектор |
| US5611396A (en) * | 1994-08-19 | 1997-03-18 | Abb Industrial Systems, Inc. | Method and apparatus for throttle valve control of a calender roll actuator |
-
2008
- 2008-02-14 RU RU2008105156/28A patent/RU2365943C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU126559A1 (ru) * | 1958-08-07 | 1959-11-30 | А.Г. Берковский | Применение способа парных световых импульсов |
| SU667083A1 (ru) * | 1977-01-10 | 1980-08-15 | Предприятие П/Я Р-6496 | Способ определени эффективного показател поглощени (эпп) света в сцинтилл ционном детекторе |
| SU1709830A1 (ru) * | 1990-02-23 | 1994-02-28 | Институт монокристаллов АН Украины | Сцинтилляционный детектор |
| US5611396A (en) * | 1994-08-19 | 1997-03-18 | Abb Industrial Systems, Inc. | Method and apparatus for throttle valve control of a calender roll actuator |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2557329C2 (ru) * | 2013-12-06 | 2015-07-20 | Федеральное государственное казенное учреждение "33 Центральный научно-исследовательский испытательный институт" Министерства обороны Российской Федерации | Способ измерения мощности дозы ионизирующего излучения в широком интервале рабочих температур |
| EA035318B1 (ru) * | 2016-01-26 | 2020-05-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Радатех" | Способ температурной стабилизации параметров сцинтилляционного детектора на основе кремниевого фотоэлектронного умножителя при регистрации гамма-излучения и устройство для его осуществления |
| RU2647222C1 (ru) * | 2016-12-22 | 2018-03-14 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ" | Способ контроля выхода сцинтилляций и фотолюминесценции порошкообразных сцинтилляторов и люминофоров |
| RU2664928C1 (ru) * | 2017-10-20 | 2018-08-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ (НИЯУ МИФИ) | Способ контроля параметров сцинтилляционного детектора |
| RU2794236C1 (ru) * | 2022-09-29 | 2023-04-13 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Комплекс для измерения световыхода сцинтилляционных стрипов |
| RU2820601C1 (ru) * | 2024-02-19 | 2024-06-06 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Способ контроля состояния многоканального сцинтилляционного детектора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2554313C2 (ru) | Автоматическая стабилизация усиления и температурная компенсация для органических и/или пластиковых сцинтилляционных устройств | |
| US7005646B1 (en) | Stabilized scintillation detector for radiation spectroscopy and method | |
| RU2365943C1 (ru) | Способ определения параметров сцинтилляционного детектора | |
| JPH10300671A (ja) | 微粒子計測装置 | |
| US8891085B2 (en) | Gas analyzer | |
| JP4418731B2 (ja) | フォトルミネッセンス量子収率測定方法およびこれに用いる装置 | |
| CN101040567A (zh) | 稳定led的光辐射的温度相关性的方法 | |
| US10451746B2 (en) | Detector and method of operation | |
| JP2016121926A (ja) | 光学分析装置 | |
| CN101545810A (zh) | 一种高速单光子探测方法与探测器 | |
| RU75885U1 (ru) | Оптический газовый сенсор на основе иммерсионных диодных оптопар | |
| WO2019146172A1 (ja) | 光測定装置及び光測定方法 | |
| CN106290432A (zh) | 一种低温x射线诱导热释光光谱测量装置 | |
| CN102109606A (zh) | 一种双闪烁体补偿型脉冲x射线探测装置 | |
| US20130107255A1 (en) | Spectrophotometer | |
| CN1187624C (zh) | 使用包括校准源的光电倍增器测量发光强度的装置与方法 | |
| RU2367980C1 (ru) | Устройство для регистрации ионизирующих излучений | |
| US20240027351A1 (en) | Transient absorption spectrometer using excitation by pulse current | |
| Yahlali et al. | Imaging with SiPMs in noble-gas detectors | |
| CN111664951B (zh) | 皮秒分辨单光子弱信号测量装置及测量方法 | |
| RU73498U1 (ru) | Устройство для регистрации ионизирующих излучений | |
| RU2368921C1 (ru) | Устройство для регистрации импульсного ионизирующего излучения | |
| RU73497U1 (ru) | Устройство для регистрации импульсного ионизирующего излучения | |
| RU2601537C1 (ru) | Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера | |
| Zhang et al. | Time structure measurement of the SSRF storage ring using TRXEOL method |