RU2137256C1 - Гибридная интегральная схема свч-диапазона - Google Patents
Гибридная интегральная схема свч-диапазона Download PDFInfo
- Publication number
- RU2137256C1 RU2137256C1 RU98111686/25A RU98111686A RU2137256C1 RU 2137256 C1 RU2137256 C1 RU 2137256C1 RU 98111686/25 A RU98111686/25 A RU 98111686/25A RU 98111686 A RU98111686 A RU 98111686A RU 2137256 C1 RU2137256 C1 RU 2137256C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- board
- recess
- capacitor
- integrated circuit
- metallization
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0183—Dielectric layers
- H05K2201/0191—Dielectric layers wherein the thickness of the dielectric plays an important role
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09054—Raised area or protrusion of metal substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09672—Superposed layout, i.e. in different planes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09736—Varying thickness of a single conductor; Conductors in the same plane having different thicknesses
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09981—Metallised walls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/17—Post-manufacturing processes
- H05K2203/171—Tuning, e.g. by trimming of printed components or high frequency circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/17—Post-manufacturing processes
- H05K2203/175—Configurations of connections suitable for easy deletion, e.g. modifiable circuits or temporary conductors for electroplating; Processes for deleting connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
- H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Использование: полупроводниковая микроэлектроника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит нижней обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы под углублением служит диэлектриком конденсатора, а верхняя обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углублении составляет 1-400 мкм. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик схемы. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Изобретение относится к области электронной техники, а более точно касается гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне. Плата имеет металлизированное отверстие, соединяющее посадочную площадку в составе топологического рисунка металлизации с экранной заземляющей металлизацией. Конденсатор нижней своей обкладкой закреплен на посадочной площадке, а верхняя обкладка проволочным выводом соединяет конденсатор с другими частями схемы. Плата обратной стороной соединена с металлическим заземленным основанием (Hyper World, September 1990, numero 2.Thomson composents microondes. 20th European microwave conference. 90 the international conference and exhibition designed for the microwave community, conference proceeding. Volume 1. Duna intercontinental hotel Budapest. Hungary 10-13 September published by microwave exhibitions publishers limited).
Вышеописанной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона присущи низкие электрические характеристики, связанные с относительно большой паразитной индуктивностью заземляющего металлизированного отверстия, а также низкими массогабаритными параметрами, связанными с большой высотой схемы.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую плату с отверстием, имеющую топологический рисунок металлизации на лицевой стороне и экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне и соединенную обратной стороной с металлическим основанием, конденсатор, размещенный в отверстии платы и закрепленный нижней обкладкой на металлическом заземленном основании, а верхняя обкладка конденсатора соединена проволочным проводником с топологическим рисунком металлизации (Microwaves and RF, 1986, vol. N 9, p. 232).
Указанной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона присущи низкие электрические параметры, вызванные большой паразитной индуктивностью соединения верхней обкладки конденсатора с топологическим рисунком металлизации, и низкие массогабаритные характеристики, связанные с большими линейными размерами из-за больших расстояний между верхней обкладкой конденсатора и топологическим рисунком металлизации.
В основу изобретения была положена задача создания гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, конструктивное выполнение которой обеспечивало бы улучшение электрических и массогабаритных характеристик схемы.
Поставленная задача решается тем, что в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, электрически соединенной с металлическим основанием, конденсатор, электрически соединенный первой обкладкой с основанием, а второй обкладкой электрически соединенный с топологическим рисунком металлизации, согласно настоящему изобретению на обратной или лицевой стороне платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит первой обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы над или под углублением служит диэлектриком конденсатора, а вторая обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углублении составляет 1-400 мкм.
На лицевой стороне платы может быть выполнено встречное металлизированное углубление, расположенное над углублением в обратной стороне платы, причем металлизация которого служит второй обкладкой конденсатора и электрически соединена с топологическим рисунком металлизации.
На металлическом основании может быть выполнен выступ, расположенный в углублении платы и электрически соединенный с металлизаций углубления, причем расстояние между боковыми стенками углубления и боковыми стенками выступа равно 0,001-5,0 мм.
Углубление в плате целесообразно заполнить электропроводящим материалом.
В составе топологического рисунка металлизации над углублением могут быть выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
Выполнение металлизированного углубления на обратной стороне платы и использование металлизации углубления в качестве одной нижней обкладки конденсатора, оставшейся толщины платы в углублении в качестве диэлектрика, и формирование второй (верхней) обкладки конденсатора в составе топологического рисунка металлизации на лицевой стороне платы позволяет формировать конденсатор в объеме платы и, тем самым, улучшить массогабаритные характеристики схемы.
Ограничение остаточной толщины платы в углублении снизу обусловлено прочностью платы, а сверху - минимальной емкостью и максимальной площадью конденсатора, которые могут быть использованы в схеме и обеспечить улучшение массогабаритных характеристик.
Выполнение выступа на металлическом основании, расположение его в углублении на обратной стороне платы и электрическое соединение металлизации углубления с выступом обеспечивает снижение паразитной индуктивности заземления, а значит, улучшает электрические характеристики схемы.
Ограничение расстояния между выступом и стенками углубления снизу обусловлено возможностью смещения выступа к одной из стенок углубления, а сверху - соображениями прочности дна углубления.
Выполнение встречного металлизированного углубления на лицевой стороне платы над углублением в обратной стороне повышает технологичность схемы.
Выполнение углубления на лицевой стороне платы и заполнение его электропроводящим материалом позволяет создать соединение обкладки конденсатора с топологическим рисунком металлизации с малой паразитной индуктивностью, а значит, улучшить электрические параметры.
Наличие элементов для подстройки конденсатора в составе топологического рисунка металлизации, соединенных с верхней обкладкой и расположенных над углублением, позволяет получать более точные значения емкости конденсатора и, тем самым, улучшить электрические параметры.
Далее изобретение поясняется описанием конкретных примеров его выполнения и прилагаемыми чертежами, на которых:
фиг. 1 изображает патентуемую гибридную интегральную схему СВЧ-диапазона (разрез);
фиг. 2 - то же, что на фиг. 1 (вид сверху);
фиг. 3 - другой вариант выполнения патентуемой гибридной интегральной схемы (разрез);
фиг. 4 - еще один вариант выполнения схемы, согласно изобретению (разрез);
фиг. 5 - один из вариантов выполнения схемы, согласно изобретению (разрез).
фиг. 1 изображает патентуемую гибридную интегральную схему СВЧ-диапазона (разрез);
фиг. 2 - то же, что на фиг. 1 (вид сверху);
фиг. 3 - другой вариант выполнения патентуемой гибридной интегральной схемы (разрез);
фиг. 4 - еще один вариант выполнения схемы, согласно изобретению (разрез);
фиг. 5 - один из вариантов выполнения схемы, согласно изобретению (разрез).
Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона согласно изобретению содержит диэлектрическую плату 1 (фиг. 1), например, поликоровую с топологическим рисунком 2 металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией 3, структурой, например, Ti (100 Ом/мм2) - Pd (0,2 мкм) - Au (3 мкм) на обратной стороне. Плата 1 соединена, например спаяна, с металлическим заземляющим основанием 4.
Конденсатор 5 закреплен первой обкладкой (нижней) 6 на металлическом основании 4. Вторая обкладка (верхняя) 7 (фиг.2) конденсатора 5 электрически соединена с топологическим рисунком 2 металлизации.
На обратной стороне платы 1 (фиг. 1) выполнено металлизированное углубление 8, структура металлизации, например, Pd - Ni (0,12 мкм) - Au (2 мкм). Металлизация углубления 8 служит первой обкладкой (нижней) 6 конденсатора 5. Оставшаяся часть 9 платы 1 над углублением 8 служит диэлектриком конденсатора 5, разделяющим обкладки 6 и 7. Вторая обкладка 7 (верхняя) расположена на лицевой стороне платы 1 и является частью топологического рисунка 2 металлизации. Остаточная толщина платы 1 в углублении 8 составляет, например, 70 мкм.
На металлическом основании 4 выполнен выступ 10, расположенный в углублении 8 платы 1 и электрически соединенный с металлизацией углубления 8. Расстояние между боковыми стенками углубления 8 и боковыми стенками выступа 10 равно 0,2 мм (то есть, например, при размерах выступа 1,0 • 1,0 мм размер углубления 8 имеет размеры 1,4 • 1,4 мм).
На лицевой стороне платы 1 (фиг. 3) выполнено встречное металлизированное углубление 11, расположенное над углублением 8 в обратной стороне платы 1. Металлизация углубления 11 служит верхней обкладкой 7 конденсатора 5 и электрически соединена с топологическим рисунком 2 металлизации.
Металлизированное углубление 12 (фиг. 4) может быть выполнено только на лицевой стороне платы 1.
Углубления 8, 11, 12 в плате 1 могут быть заполнены электропроводящим материалом 13 (фиг. 5).
В составе топологического рисунка 2 металлизации могут быть выполнены элементы 14 (фиг. 2) для подстройки конденсатора 5, электрически соединенные с верхней обкладкой 7 и расположенные над углублением 8.
Схема согласно изобретению работает следующим образом.
Сигнал поступает на верхнюю обкладку 7 (фиг. 1) конденсатора 5, возникающий на нижней обкладке 6 конденсатора 5 заряд заземляется через выступ 10 металлического основания 4 или непосредственно через металлическое заземляющее основание 4.
Использование патентуемой интегральной схемы позволяет улучшить электрические характеристики за счет уменьшения паразитной индуктивности соединений конденсатора с топологическим рисунком металлизации, улучшить массогабаритные характеристики за счет встраивания конденсаторов в объем платы.
Кроме того, схема согласно изобретению позволяет повысить надежность схемы за счет сокращения числа сварных соединений и снизить расход драгоценного металла.
При описании рассматриваемых вариантов осуществления изобретения для ясности используется конкретная узкая терминология. Однако изобретение не ограничивается принятыми терминами и необходимо иметь в виду, что каждый такой термин охватывает все эквивалентные термины, работающие аналогично и используемые для решения тех же задач.
Хотя настоящее изобретение описано в связи с предпочтительным видом реализации, понятно, что могут иметь место изменения и варианты без отклонения от идеи и объема изобретения, что компетентные в данной области лица легко поймут.
Эти изменения и варианты считаются не выходящими за рамки сущности и объема изобретения и прилагаемых пунктов формулы изобретения.
Claims (8)
1. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, электрически соединенной с металлическим основанием, конденсатор, электрически соединенный первой обкладкой с основанием, а второй обкладкой, электрически соединенной с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что на обратной или лицевой стороны платы выполнено металлизированное углубление, металлизация которого служит первой обкладкой конденсатора, оставшаяся часть платы над или под углублением служит диэлектриком конденсатора, а вторая обкладка расположена на лицевой стороне платы и является частью топологического рисунка металлизации, причем остаточная толщина платы в углубление составляет 1 - 400 мкм.
2. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1, отличающаяся тем, что на лицевой стороне платы выполнено встречное металлизированное углубление, расположенное над углублением в обратной стороне платы, причем металлизация которого служит второй обкладкой конденсатора и электрически соединена с топологическим рисунком металлизации.
3. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1 или 2, отличающаяся тем, что на металлическом основании выполнен выступ, расположенный в углублении платы и электрически соединенный с металлизацией углубления, причем расстояние между боковыми стенками углубления и боковыми стенками выступа равно 0,001 - 5,0 мм.
4. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1 или 2, отличающаяся тем, что углубление в плате заполнено электропроводящим материалом.
5. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.3, отличающаяся тем, что углубление в плате заполнено электропроводящим материалом.
6. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.1 или 2, отличающаяся тем, что в составе топологического рисунка металлизации над углублением выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
7. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.3, отличающаяся тем, что в составе топологического рисунка металлизации над углублением выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
8. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по п.4 или 5, отличающаяся тем, что в составе топологического рисунка металлизации над углублением выполнены элементы для подстройки конденсатора, электрически соединенные с обкладкой конденсатора.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
WOPCT/RU96/00277 | 1996-09-26 | ||
PCT/RU1996/000277 WO1998013875A1 (fr) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | Circuit integre hybride et a frequences micro-ondes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2137256C1 true RU2137256C1 (ru) | 1999-09-10 |
Family
ID=20130040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98111686/25A RU2137256C1 (ru) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | Гибридная интегральная схема свч-диапазона |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6294827B1 (ru) |
JP (1) | JP3965214B2 (ru) |
RU (1) | RU2137256C1 (ru) |
SE (1) | SE522046C2 (ru) |
WO (1) | WO1998013875A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2815074C1 (ru) * | 2023-05-10 | 2024-03-11 | Акционерное общество "МЦСТ" | Гибридное посадочное место конденсаторов |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030062610A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Kovacs Alan L. | Multilayer thin film hydrogen getter |
GB2383467A (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | Marconi Comm Gmbh | Trimming capacitor element in integrated circuit device with plate portions short-circuited by laser pulse |
KR100547709B1 (ko) * | 2003-07-07 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 자기 치유 파장분할다중방식 수동형 광 가입자망 |
US8169772B2 (en) | 2007-05-01 | 2012-05-01 | Avx Corporation | Precision laser adjustable thin film capacitors |
RU2537695C1 (ru) * | 2013-06-18 | 2015-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона |
CN104320909B (zh) * | 2014-10-27 | 2017-06-30 | 皆利士多层线路版(中山)有限公司 | 高阶梯铜电路板及其制作方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU546240A1 (ru) * | 1975-03-25 | 1978-09-25 | Предприятие П/Я Г-4515 | Микросхема |
US4150393A (en) * | 1975-09-29 | 1979-04-17 | Motorola, Inc. | High frequency semiconductor package |
FR2484704A1 (fr) * | 1980-06-11 | 1981-12-18 | Clei Alain | Procede de fabrication de circuits hybrides a condensateurs et resistances integres et circuits obtenus par ce procede |
KR900001394B1 (en) * | 1985-04-05 | 1990-03-09 | Fujitsu Ltd | Super high frequency intergrated circuit device |
DE68906219T2 (de) * | 1988-08-25 | 1993-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Duennfilmkapazitaet und verfahren zur herstellung einer integrierten hybridmikrowellenschaltung. |
US5162258A (en) * | 1988-10-17 | 1992-11-10 | Lemnios Zachary J | Three metal personalization of application specific monolithic microwave integrated circuit |
JPH03286601A (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-17 | Res Dev Corp Of Japan | マイクロ波共振器 |
US5063177A (en) * | 1990-10-04 | 1991-11-05 | Comsat | Method of packaging microwave semiconductor components and integrated circuits |
US5313175A (en) * | 1993-01-11 | 1994-05-17 | Itt Corporation | Broadband tight coupled microstrip line structures |
JPH09115919A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3290360B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | マイクロ波集積回路 |
US5929729A (en) * | 1997-10-24 | 1999-07-27 | Com Dev Limited | Printed lumped element stripline circuit ground-signal-ground structure |
-
1996
- 1996-09-26 US US09/077,616 patent/US6294827B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-26 RU RU98111686/25A patent/RU2137256C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-09-26 JP JP51554098A patent/JP3965214B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-26 WO PCT/RU1996/000277 patent/WO1998013875A1/ru active IP Right Grant
-
1998
- 1998-05-25 SE SE9801817A patent/SE522046C2/sv not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Microwave and RF, 1986, vd. N 9, p.232. * |
Черняев В.Н Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с. 13, 14. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2815074C1 (ru) * | 2023-05-10 | 2024-03-11 | Акционерное общество "МЦСТ" | Гибридное посадочное место конденсаторов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE9801817L (sv) | 1998-05-25 |
US6294827B1 (en) | 2001-09-25 |
SE522046C2 (sv) | 2004-01-07 |
JP2000503483A (ja) | 2000-03-21 |
SE9801817D0 (sv) | 1998-05-25 |
JP3965214B2 (ja) | 2007-08-29 |
WO1998013875A1 (fr) | 1998-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6721153B2 (en) | Wiring connection structure of laminated capacitor and decoupling capacitor, and wiring board | |
CA2045697C (en) | Surface acoustic wave device and its manufacturing method | |
US4647148A (en) | Fiber optic receiver module | |
US4420652A (en) | Hermetically sealed package | |
US7309917B2 (en) | Multilayer board and a semiconductor device | |
CN102473690B (zh) | 具有屏蔽层和电容耦合芯片侧电源端子的半导体器件 | |
JPH07501909A (ja) | 多層の3次元構造における電界制御及び安定性強化 | |
KR20010049257A (ko) | 다층 커패시터, 배선기판, 감결합 회로 및 고주파 회로 | |
RU98111688A (ru) | Гибридная интегральная схема свч диапазона | |
RU2137256C1 (ru) | Гибридная интегральная схема свч-диапазона | |
US6519134B1 (en) | Universal capacitor terminal design | |
GB2227386A (en) | Compact tunable waveguide oscillators | |
EP2013906B1 (en) | A microwave chip supporting structure | |
EP0884854A2 (en) | Microwave detector | |
RU2148872C1 (ru) | Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона | |
US6529105B1 (en) | Process and device for bonding two millimeter elements | |
EP0262493B1 (en) | Electronic package with distributed decoupling capacitors | |
KR100425632B1 (ko) | 마이크로웨이브하이브리드집적회로 | |
EP0486273B1 (en) | Package for microwave IC | |
US6239400B1 (en) | Method and device for connecting two millimeter elements | |
RU98111687A (ru) | Мощная гибридная интегральная схема свч диапазона | |
RU222294U1 (ru) | Конструкция микроминиатюрного тактового генератора с дифференциальными выходами | |
RU2183367C2 (ru) | Гибридная интегральная схема свч диапазона | |
RU2302056C1 (ru) | Гибридная интегральная схема свч-диапазона | |
JPH0936617A (ja) | 高周波モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20040927 |