RU2118871C1 - Чувствительный элемент матричного тактильного датчика - Google Patents

Чувствительный элемент матричного тактильного датчика Download PDF

Info

Publication number
RU2118871C1
RU2118871C1 RU96117020A RU96117020A RU2118871C1 RU 2118871 C1 RU2118871 C1 RU 2118871C1 RU 96117020 A RU96117020 A RU 96117020A RU 96117020 A RU96117020 A RU 96117020A RU 2118871 C1 RU2118871 C1 RU 2118871C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
matrix
base
film
polymer film
sensing element
Prior art date
Application number
RU96117020A
Other languages
English (en)
Other versions
RU96117020A (ru
Inventor
И.В. Годовицын
Н.А. Шелепин
Ю.А. Парменов
Original Assignee
Научно-производственный комплекс "Технологический центр"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственный комплекс "Технологический центр" filed Critical Научно-производственный комплекс "Технологический центр"
Priority to RU96117020A priority Critical patent/RU2118871C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2118871C1 publication Critical patent/RU2118871C1/ru
Publication of RU96117020A publication Critical patent/RU96117020A/ru

Links

Images

Landscapes

  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)

Abstract

Использование: в измерительной технике. Технический результат изобретения заключается в повышении надежности за счет увеличения сцепления между пленкой с поверхностью матрицы сенсоров. Сущность: чувствительный элемент (ЧЭ) содержит основание, матрицу сенсоров давления, которая размещена на основании, и полимерную пленку поверх матрицы. Полимерная пленка закреплена по периметру матрицы на основании, и объем, образуемый полимерной пленкой и основанием, заполнен газовой средой с пониженной концентрацией газов. При условии работы ЧЭ в нормальных условиях оптимальная концентрация газов находится в диапазоне от 2,5•1015 м-3 до 2,5•1025 м-3. 2 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к матричным тактильным датчикам (МТД), и может использоваться как в интегральных МТД, так и в МТД, изготовленных на основе гибридной технологии.
Известна конструкция чувствительного элемента (ЧЭ) для МТД [1], содержащая в качестве основы интегральную схему с матрицей алюминиевых электродов, слой натурального каучука поверх матрицы, слой проводящей резины поверх слоя натурального каучука и защитный слой поверх слоя проводящей резины. Действие ЧЭ заключается в изменении толщины слоя каучука под нагрузкой, которое приводит к изменению емкости между слоем проводящей резины и алюминиевыми электродами. Недостатками такой конструкции ЧЭ являются низкое пространственное разрешение из-за большой площади электродов и корреляция сигналов в ячейках из-за общего чувствительного слоя.
Наиболее близкой по технической сущности к предлагаемому изобретению является конструкция ЧЭ для МТД [2], содержащая основание с нанесенными металлическими шинами, матрицу сенсоров давления в виде балок из монокристаллического кремния, размещенную на основании, и тонкую (<25 мкм) полимерную пленку поверх матрицы чувствительных элементов, закрепленную по периметру матрицы. Пленка имеет слой нанесенного алюминия (500 А) для экранирования передающих сигнал проводящих монокристаллических шин. Такая конструкция ЧЭ имеет высокое пространственное разрешение и в ней отсутствует корреляция сигналов ячеек, однако она обладает низкой надежностью, так как из-за недостаточного сцепления между пленкой и матрицей сенсоров давления при нагрузках с большой величиной тангенциальной составляющей может происходить смещение пленки по поверхности матрицы, приводящее к повреждению сенсоров давления.
Задачей данного изобретения является повышение надежности ЧЭ за счет увеличения сцепления полимерной пленки с поверхностью матрицы сенсоров давления.
Сущность изобретения заключается в следующем. ЧЭ содержит основание, матрицу сенсоров давления, которая размещена на основании, и полимерную пленку поверх матрицы. Полимерная пленка закреплена по периметру матрицы на основании, и объем, образуемый полимерной пленкой и основанием, заполнен газовой средой с пониженной концентрацией газов.
При условии работы ЧЭ в нормальных условиях оптимальная концентрация газов находится в диапазоне от 2,5•1015 м-3 до 2,5•1025 м-3. Конструкция ЧЭ показана на фиг. 1. Цифрами на фиг. 1 обозначены: основание ЧЭ 1, матрица сенсоров давления 2, полимерная пленка 3, место крепления пленки 4.
На фиг. 2 (а, б) показаны основные этапы первого способа формирования ЧЭ с полимерной пленкой для интегрального МТД. После изготовления кристалла МТД полимерную пленку 3 накладывают до разделения пластины на кристаллы на всю пластину 5, в пленке делают сквозной разрез 6, не выходящий за пределы центрального реперного модуля пластины 7, на разрез помещают круговой груз 8, создающий небольшое давление, затем пленку герметично прижимают зажимом 9 по краю пластины, пластину помещают в барокамеру с требуемой величиной давления, выносят из нее, термокомпрессионным способом с помощью рамки 10 с нагревательной спиралью 11 пленку приваривают к каждому кристаллу в специально отведенной для этого замкнутой области, затем по внешнему периметру этой области на каждом кристалле в пленке механическим способом или с использованием лазера производят сквозной разрез 12 пленки и неиспользуемую часть пленки удаляют со всей пластины, после чего пластину разделяют на кристаллы.
Второй способ отличается тем, что полимерную пленку 3 накладывают до разделения пластины на кристаллы на всю пластину 5, пластину помещают в барокамеру, производят откачку барокамеры до требуемого давления, в барокамере термокомпрессионным способом с помощью рамки 10 с нагревательной спиралью 11 пленку приваривают к каждому кристаллу в специально отведенной для этого замкнутой области, затем по внешнему периметру области приваривания на каждом кристалле в пленке механическим способом или с использованием лазера производят сквозной разрез 12 пленки и неиспользуемую часть пленки удаляют со всей пластины, после чего пластину разделяют на кристаллы.
На полимерную пленку могут быть нанесены металлические и другие слои, существенно не меняющие ее толщину и гибкость. Давление, оказываемое полимерной пленкой на матрицу сенсоров давления, компенсируется изменением конструкции сенсора или аппаратным путем.
В предлагаемой конструкции ЧЭ увеличено сцепление между полимерной пленкой и матрицей сенсоров давления. Это обусловлено разностью концентраций газов, т. е. давлений, вне пленки и в пространстве под ней, за счет которой происходит прижатие пленки к поверхности матрицы. Увеличение сцепления между пленкой и поверхностью матрицы приводит к повышению устойчивости пленки к сдвигу при тангенциальных нагрузках на ЧЭ. Сила сдвига Fс, действующая на полимерную пленку с одинаковым давлением в объеме, образуемом пленкой и основанием, и вне его при воздействии нагрузки с нормальной составляющей Fн и тангенциальной составляющей Fт, равна
Fс = Fн•k-Fт,
где
k - коэффициент трения между пленкой и поверхностью матрицы.
В случае превышения внешнего давления P над внутренним давлением p сила сдвига равна
Fс = (Fн+S•(P-p))•k-Fт,
где
S - площадь, на которой действует сила.
Таким образом, увеличивается величина Fт, при которой Fс становится равной нулю и начинается движение полимерной пленки по поверхности матрицы, что приводит к повышению надежности ЧЭ.
Источники, использованные при составлении заявки:
1. R.Woffenbuttel and P.Regtien, Integrated tactile imager with an intrinsic contour detection option, Sensors and Actuators, V.16 (1989) pp. 141-153.
2. K. Suzuki, K.Najafi, and K.D.Wise, A 1024-element high- performance silicon tactile imager, IEEE Transaction on Electron Devices, V. 17 (1990), pp. 1852-1859.

Claims (1)

  1. Чувствительный элемент матричного тактильного датчика, содержащий основание, матрицу сенсоров давления, размещенную на основании, полимерную пленку поверх матрицы, закрепленную по периметру матрицы на основании, объем, образуемый полимерной пленкой и основанием, заполненный газовой средой, отличающийся тем, что при работе в нормальных условиях концентрация газов в объеме, образуемом полимерной пленкой и основанием, находится в диапазоне от 2,5 • 1015 до 2,5 • 1025 м-3.
RU96117020A 1996-08-21 1996-08-21 Чувствительный элемент матричного тактильного датчика RU2118871C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96117020A RU2118871C1 (ru) 1996-08-21 1996-08-21 Чувствительный элемент матричного тактильного датчика

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU96117020A RU2118871C1 (ru) 1996-08-21 1996-08-21 Чувствительный элемент матричного тактильного датчика

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2118871C1 true RU2118871C1 (ru) 1998-09-10
RU96117020A RU96117020A (ru) 1998-11-20

Family

ID=20184739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU96117020A RU2118871C1 (ru) 1996-08-21 1996-08-21 Чувствительный элемент матричного тактильного датчика

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2118871C1 (ru)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. R. Woffenbuttel and P. Regtien, Integrated tactile Cmager with an intrinsic contour detection option, Sensors and Actuators, V. 16 (1989), pp. 141 - 153. 2. K. Suruki, K. Najafi. and K.D. Wise, A 1024-element high-performance Silicon tactile image, IEEE Transaction on Electron Devices, v. 17, (1990) pp. 1852 - 1859. 3. *
A1, 1977. 5. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. - М.: Энергоатомиздат, 1983, с. 111. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5447076A (en) Capacitive force sensor
US4314226A (en) Pressure sensor
US7150195B2 (en) Sealed capacitive sensor for physical measurements
JPS61500633A (ja) 圧力変換器
US7183620B2 (en) Moisture resistant differential pressure sensors
KR20030086228A (ko) 압력 센서
CN85108071A (zh) 采用脆性薄膜的压力检测单元
CN1131460A (zh) 悬浮隔膜式压力传感器
US4531267A (en) Method for forming a pressure sensor
JPH0823564B2 (ja) 微細機構を有する加速度計およびその製造方法
EP0557219B1 (fr) Micro-capteur capacitif à capacité parasite réduite et procédé de fabrication
EP0667532B1 (en) Thin film sensor element and method of manufacturing the same
CN1035892A (zh) 热电式红外探测仪及其制造方法
EP0557216B1 (fr) Micro-capteur de pression
RU2118871C1 (ru) Чувствительный элемент матричного тактильного датчика
KR20010074906A (ko) 마이크로 기계 부품 및 그의 제조 방법
JP3382030B2 (ja) フルモールド実装型加速度センサ
EP0783676B1 (fr) Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite
JPH11281509A (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH08261832A (ja) 赤外線センサ及びその製造方法
RU2251087C2 (ru) Емкостной датчик давления
RU210879U1 (ru) Высокотемпературный преобразователь давления с повышенной прочностью
JPH03229470A (ja) 半導体圧力センサ
JP3371829B2 (ja) 半導体圧力センサ
RU2055334C1 (ru) Емкостный датчик давления и способ его сборки