RU2013110743A - Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора - Google Patents

Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора Download PDF

Info

Publication number
RU2013110743A
RU2013110743A RU2013110743/28A RU2013110743A RU2013110743A RU 2013110743 A RU2013110743 A RU 2013110743A RU 2013110743/28 A RU2013110743/28 A RU 2013110743/28A RU 2013110743 A RU2013110743 A RU 2013110743A RU 2013110743 A RU2013110743 A RU 2013110743A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
terahertz
generator
source
therahz
Prior art date
Application number
RU2013110743/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2536327C2 (ru
Inventor
Виктор Васильевич Соловьев
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)
Priority to RU2013110743/28A priority Critical patent/RU2536327C2/ru
Publication of RU2013110743A publication Critical patent/RU2013110743A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2536327C2 publication Critical patent/RU2536327C2/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора, включающий источник лазерного излучения, электрическую цепь с источниками напряжения и импедансной нагрузкой, и оптически активный элемент, отличающийся дополнительным полевым транзистором, имеющим в подзатворной области слой полупроводника с коротким временем жизни фотовозбужденных носителей заряда, затвор из прозрачного или полупрозрачного материала, а также тем, что электрическое смещение подается на сток и исток проводящего канала полевого транзистора.

Claims (1)

  1. Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора, включающий источник лазерного излучения, электрическую цепь с источниками напряжения и импедансной нагрузкой, и оптически активный элемент, отличающийся дополнительным полевым транзистором, имеющим в подзатворной области слой полупроводника с коротким временем жизни фотовозбужденных носителей заряда, затвор из прозрачного или полупрозрачного материала, а также тем, что электрическое смещение подается на сток и исток проводящего канала полевого транзистора.
RU2013110743/28A 2013-03-12 2013-03-12 Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора RU2536327C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013110743/28A RU2536327C2 (ru) 2013-03-12 2013-03-12 Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013110743/28A RU2536327C2 (ru) 2013-03-12 2013-03-12 Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013110743A true RU2013110743A (ru) 2014-09-20
RU2536327C2 RU2536327C2 (ru) 2014-12-20

Family

ID=51583366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013110743/28A RU2536327C2 (ru) 2013-03-12 2013-03-12 Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2536327C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU175879U1 (ru) * 2017-08-28 2017-12-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" Терагерцовый генератор электромагнитного излучения на основе тонкой сверхпроводящей пленки и фотонно-кристаллической подложки
RU207462U1 (ru) * 2021-04-29 2021-10-28 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Устройство для лазерной модификации образца

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7486250B2 (en) * 2004-02-16 2009-02-03 The Boeing Company Composite dipole array
US7376403B1 (en) * 2005-04-25 2008-05-20 Sandia Corporation Terahertz radiation mixer
RU2344528C1 (ru) * 2007-04-16 2009-01-20 Институт Радиотехники И Электроники Российской Академии Наук (Ирэ Ран) Твердотельный источник электромагнитного излучения

Also Published As

Publication number Publication date
RU2536327C2 (ru) 2014-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017116927A5 (ru)
JP2017085114A5 (ru)
AR107610A1 (es) Celda capacitiva de almacenamiento de energía, módulo capacitivo de almacenamiento de energía, y sistema capacitivo de almacenamiento de energía
JP2012009839A5 (ja) 半導体装置
JP2013137498A5 (ru)
BR112016002017A2 (pt) transistor de efeito de campo e método para produzir transistor de efeito de campo
JP2013137484A5 (ru)
JP2013238876A5 (ru)
JP2013231986A5 (ja) 表示装置
JP2013058770A5 (ru)
JP2013190804A5 (ru)
JP2013033998A5 (ru)
JP2012256063A5 (ja) 表示装置
JP2011166130A5 (ru)
JP2013058484A5 (ja) El表示装置
JP2012190034A5 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
BRPI0911763A2 (pt) célula foto-eletroquímica e sistema de energia que utiliza a mesma
JP2012256025A5 (ru)
JP2013214958A5 (ru)
JP2013009368A5 (ru)
ATE545155T1 (de) Leistungshalbleiterbauelement
JP2013218311A5 (ru)
IN2014CN03275A (ru)
JP2013232885A5 (ja) 半導体装置
RU2013110743A (ru) Генератор субтерагерцового и терагерцового излучения на основе оптического транзистора

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150313

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20160210