Connect public, paid and private patent data with Google Patents Public Datasets

Светодиодный источник света и способ его изготовления

Info

Publication number
RU2012153464A
Authority
RU
Grant status
Application
Patent type
Application number
RU2012153464A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2587999C2 (ru )
Inventor
Жоу ЦАИ
Юн ЗОУ
Хуехуа МАО
Original Assignee
Жоу ЦАИ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KLIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KLIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/233Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KLIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50Cooling arrangements
    • F21V29/70Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F21V29/83Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks the elements having apertures, ducts or channels, e.g. heat radiation holes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/85Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/02Globes; Bowls; Cover glasses characterised by the shape
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Light filters; Selection of luminescent materials for light screens
    • F21V9/16Selection of luminescent materials for screens
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21WINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2121/00Use or application of lighting devices or systems for decorative purposes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • F21Y2105/10Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body

Abstract

1. Светодиодный источник света, включающий одну или более, чем одну светодиодную матрицу, при этом каждая светодиодная матрица содержит:по крайней мере один светодиод, при этом указанный светодиод имеет первую излучающую свет поверхность и расположенную на противоположной стороне вторую излучающую свет поверхность, при этом указанный светодиод предназначен для создания освещения посредством электролюминесценции как на первой, так и на второй излучающей свет поверхности;два флуоресцирующих элемента расположены поверх указанных первой и второй излучающих свет поверхностей светодиода, соответственно, и предназначенные для фиксации указанного светодиода в таком положении, что освещение, создаваемое как первой, так и второй излучающими свет поверхностями указанного светодиода, может проходить сквозь два указанных флуоресцирующих элемента, выходя от первой и второй излучающих свет поверхностей, соответственно; иэлектрод, электрически соединенный с указанным светодиодом и предназначенный для выполнения электрического соединения светодиода с источником электропитания.2. Светодиодный источник света по п.1, в котором указанный светодиод прочно закреплен между двумя указанными флуоресцирующими элементами с образованием трехслойной структуры таким образом, что указанный светодиод фиксируется в таком положении, что первая и вторая излучающие свет поверхности светодиода оказываются обращенными к флуоресцирующим элементам, опираются на них и получают механизм осуществления непосредственной теплопередачи от указанного светодиода в то время, когда светодиод зафиксирован внутри камеры для размещения с�

Claims (15)

1. Светодиодный источник света, включающий одну или более, чем одну светодиодную матрицу, при этом каждая светодиодная матрица содержит:
по крайней мере один светодиод, при этом указанный светодиод имеет первую излучающую свет поверхность и расположенную на противоположной стороне вторую излучающую свет поверхность, при этом указанный светодиод предназначен для создания освещения посредством электролюминесценции как на первой, так и на второй излучающей свет поверхности;
два флуоресцирующих элемента расположены поверх указанных первой и второй излучающих свет поверхностей светодиода, соответственно, и предназначенные для фиксации указанного светодиода в таком положении, что освещение, создаваемое как первой, так и второй излучающими свет поверхностями указанного светодиода, может проходить сквозь два указанных флуоресцирующих элемента, выходя от первой и второй излучающих свет поверхностей, соответственно; и
электрод, электрически соединенный с указанным светодиодом и предназначенный для выполнения электрического соединения светодиода с источником электропитания.
2. Светодиодный источник света по п.1, в котором указанный светодиод прочно закреплен между двумя указанными флуоресцирующими элементами с образованием трехслойной структуры таким образом, что указанный светодиод фиксируется в таком положении, что первая и вторая излучающие свет поверхности светодиода оказываются обращенными к флуоресцирующим элементам, опираются на них и получают механизм осуществления непосредственной теплопередачи от указанного светодиода в то время, когда светодиод зафиксирован внутри камеры для размещения светодиода между указанными флуоресцирующим элементами.
3. Светодиодный источник света по п.2, в котором светодиод имеет одну из двух конструкций: конструкцию с перевернутым кристаллом или стандартную конструкцию.
4. Светодиодный источник света по п.3, в котором светодиод содержит элемент, легированный акцепторной примесью, и элемент, легированный донорной примесью, расположенные на одной их указанных первой и второй излучающих свет поверхностях и электрически соединенные с указанным электродом.
5. Светодиодный источник света по п.4, содержащий, кроме того, соединительный элемент, проходящий от указанного электрода к указанному светодиоду и предназначенный для электрического соединения указанного светодиода с указанным электродом.
6. Светодиодный источник света по п.4, содержащий, кроме того, электропроводный слой, сформированный по крайней мере на одном из указанных флуоресцирующих элементов, проходящий по нему и предназначенный для электрического соединения указанного светодиода с указанным электродом.
7. Светодиодный источник света по п.3, в котором светодиод включает элемент, легированный акцепторной примесью, и элемент, легированный донорной примесью, расположенные на первой и второй излучающих свет поверхностях, соответственно, и электрически соединенные с указанным электродом.
8. Светодиодный источник света по п.7, содержащий, кроме того, соединительный элемент, проходящий от указанного электрода к указанному светодиоду и предназначенный для электрического соединения указанного светодиода с указанным электродом, электропроводный слой, сформированный на каждом из флуоресцирующих слоев, проходящий по нему и предназначенный для электрического соединения указанного светодиода с указанным электродом.
9. Светодиодный источник света по п.1, в котором в светодиоде имеется рассеивающий ток слой и излучающий свет слой, на который наложен указанный рассеивающий ток слой таким образом, что между рассеивающим ток слоем и излучающем свет слоем, образуется p-n переход, на котором имеет место электролюминесценция таким образом, что обеспечивается освещение указанных двух флуоресцирующих элементов посредством двух излучающих свет поверхностей.
10. Светодиодный источник света по п.4, в котором в светодиоде имеется рассеивающий ток слой и излучающий свет слой, на который наложен указанный рассеивающий ток слой таким образом, что между рассеивающим ток слоем и излучающем свет слоем, образуется p-n переход, на котором имеет место электролюминесценция таким образом, что обеспечивается освещение указанных двух флуоресцирующих элементов посредством двух излучающих свет поверхностей.
11. Светодиодный источник света по п.7, в котором в светодиоде имеется рассеивающий ток слой и излучающий свет слой, на который наложен указанный рассеивающий ток слой таким образом, что между рассеивающим ток слоем и излучающем свет слоем, образуется p-n переход, на котором имеет место электролюминесценция таким образом, что обеспечивается освещение указанных двух флуоресцирующих элементов посредством двух излучающих свет поверхностей.
12. Светодиодный источник света по п.9, в котором указанный светодиод, кроме того, содержит слой, образующий подложку и расположенный под излучающим свет слоем, при этом указанный слой, образующий подложку, имеет прозрачную и жесткую структуру и расположен между соответствующим флуоресцирующим элементом и излучающим свет слоем светодиода, при этом указанный слой, образующий подложку, соединен с соответствующим флуоресцирующим элементом посредством термокомпрессионной сварки, в результате чего происходит еще более прочное прикрепление светодиода к соответствующему флуоресцирующему элементу посредством слоя, образующего подложку.
13. Светодиодный источник света по п.1, в котором каждая из указанных светодиодных матриц включает, кроме того, фиксирующий элемент, соединяющийся с наружными краями указанных флуоресцирующих элементов и предназначенный для сохранения расстояния между ними с тем, чтобы зафиксировать светодиод между флуоресцирующими элементами, в указанном фиксирующем элементе имеется множество отверстий каналов, посредством которых камера для размещения светодиода сообщается с окружающей средой для рассеяния тепла от светодиода внутри камеры для размещения светодиода.
14. Светодиодный источник света по п.1, содержащий, кроме того, конструкцию светодиодной лампы в форме лампы накаливания, которая включает тело колбы, ограничивающее внутри себя полость колбы и имеющее газ-наполнитель внутри тела колбы, при этом светодиодная матрица крепится внутри полости колбы, образуя светодиодную лампу.
15. Способ изготовления светодиодного источника света, включающий следующие шаги:
(a) использование по крайней мере одного светодиода, в котором имеется первая излучающая свет поверхность и расположенная на противоположной стороне вторая излучающая свет поверхность, при этом указанный светодиод предназначен для создания освещения посредством электролюминесценции как на первой, так и на второй излучающей свет поверхности;
(b) фиксация указанного светодиода между двумя флуоресцирующими элементами с целью создания светодиодной матрицы такой, чтобы освещение, создаваемое светодиодом, могло проходить сквозь оба флуоресцирующих элемента как от первой, так и от второй излучающей свет поверхности, соответственно, и
(c) электрическое соединение электрода со светодиодом для того, чтобы осуществить электрическое соединение светодиода с источником электропитания;
шаг (a), кроме того, включает следующие шаги:
(a.1) наложение на первый слой, рассеивающей ток, второго слоя, излучающего свет; и
(a.2) формирование указанного светодиода путем легирования указанного светодиода с тем, чтобы образовать элемент, легированный акцепторной примесью, на рассеивающем ток слое и элемент, легированный донорной примесью, на излучающем свет слое таким образом, что между рассеивающем ток слоем и излучающим свет слоем образуется p-n-переход, на котором должна происходить электролюминесценция;
(a.3) присоединение третьего слоя, образующего подложку, к указанному излучающему свет слою, при этом указанный слой, образующий подложку, выполнен в виде прозрачной и жесткой структуры и располагается между соответствующим флуоресцирующими элементом и излучающим свет слоем светодиода;
шаг (b), кроме того, включает шаг надежного закрепления указанного светодиода между двумя указанными флуоресцирующими элементами с образованием трехслойной структуры, для фиксации светодиода в таком положении, что первая и вторая излучающая свет поверхности светодиода обращены непосредственно к флуоресцирующим элементам, опираются на них и получают механизм осуществления непосредственной теплоотдачи от указанного светодиода в то время, когда светодиод зафиксирован внутри камеры для размещения светодиода между указанными флуоресцирующими элементами;
шаг (c), кроме того, включает шаг прокладки соединительного элемента от электрода к светодиоду для того, чтобы электрически соединить светодиод с электродом, и включает шаг формирования электропроводного слоя по крайней мере на одном из флуоресцирующих элементов для того, чтобы электрически соединить светодиод с указанным электродом.
RU2012153464A 2010-05-04 2011-04-29 Светодиодный источник света и способ его изготовления RU2587999C2 (ru)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010172360.1 2010-05-04
CN 201010172360 CN101846256A (zh) 2010-05-04 2010-05-04 Led光源
PCT/CN2011/000756 WO2011137662A1 (en) 2010-05-04 2011-04-29 Led light source and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012153464A true true RU2012153464A (ru) 2014-06-10
RU2587999C2 RU2587999C2 (ru) 2016-06-27

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date Type
CN101846256A (zh) 2010-09-29 application
KR101621811B1 (ko) 2016-05-17 grant
JP2013531367A (ja) 2013-08-01 application
EP2567145B1 (en) 2016-04-20 grant
EP2567145A1 (en) 2013-03-13 application
KR20130114578A (ko) 2013-10-17 application
WO2011137662A1 (en) 2011-11-10 application
US8534866B2 (en) 2013-09-17 grant
EP2567145A4 (en) 2014-03-19 application
US20110273863A1 (en) 2011-11-10 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110235318A1 (en) Led light tube with dual sided light distribution
US7976188B2 (en) LED illumination device and illumination module using the same
US20110280020A1 (en) Illumination structure and lamp tube structure for generating specific directional light sources
JP2006295085A (ja) 発光ダイオード光源ユニット
JP2011113876A (ja) Led式照明装置
KR20090097055A (ko) 조립형 엘이디 조명기기
US20130135861A1 (en) Led illuminating device
WO2008047933A1 (en) Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
JP3141579U (ja) Led照明器具
JP2010161026A (ja) 照明装置
JP2007109447A (ja) 面状照明光源
KR100878721B1 (ko) 탈부착형 led 백라이트 장치
CN201173401Y (zh) 发光体串接组装结构
JP2011222182A (ja) 照明装置
WO2008038708A1 (fr) Dispositif d'émission de lumière à semiconducteur
US20110026238A1 (en) Lighting device
JP2009158872A (ja) 照明装置
US8801224B2 (en) LED illumination device
US20110110089A1 (en) 360-degree angle led illumination device
US8430532B2 (en) LED lamp having a heat-dispersing unit
WO2008047286A2 (en) Light emitting diode lighting device
JP2010056045A (ja) 照明装置
US20140160747A1 (en) Inter-connectable modular lighting fixtures
US7976179B2 (en) Solar-lamp assembly
US20060274553A1 (en) Lamp having a planar light-emitting source