RU2010140145A - Материал для варистора высокой напряженности поля - Google Patents
Материал для варистора высокой напряженности поля Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010140145A RU2010140145A RU2010140145/07A RU2010140145A RU2010140145A RU 2010140145 A RU2010140145 A RU 2010140145A RU 2010140145/07 A RU2010140145/07 A RU 2010140145/07A RU 2010140145 A RU2010140145 A RU 2010140145A RU 2010140145 A RU2010140145 A RU 2010140145A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mol
- varistor
- less
- phase
- amount
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 24
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 7
- -1 Sb 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 10
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
- C04B2235/3267—MnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3275—Cobalt oxides, cobaltates or cobaltites or oxide forming salts thereof, e.g. bismuth cobaltate, zinc cobaltite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3294—Antimony oxides, antimonates, antimonites or oxide forming salts thereof, indium antimonate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/81—Materials characterised by the absence of phases other than the main phase, i.e. single phase materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
1. Материал варистора для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, содержащий ZnO, образующий фазу ZnO, и Bi в виде Bi2O3, образующий межзеренную фазу оксида висмута, причем указанный материал варистора дополнительно включает шпинельную фазу, отличающийся тем, что количество пирохлорной фазы, включенной в материал варистора, таково, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,15:1. ! 2. Материал варистора по п.1, отличающийся тем, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,1:1. ! 3. Материал варистора по п.1, отличающийся целевой напряженностью переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм. ! 4. Материал варистора по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что он включает смесь шпинельобразующих компонентов, включающих Mn, Co, Ni и Cr в виде на MnO2, CoO, NiO и Cr2O3 соответственно и необязательно Si в виде на SiO2, причем количество SiO2 составляет менее 0,05 мол.%. ! 5. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что ! количество Bi2O3 составляет по меньшей мере 0,3 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 0,6 мол.%, наиболее предпочтительно от 0,6 мол.% до 0,9 мол.%, ! количество Sb2O3 составляет менее 1,8 мол.%, ! молярное отношение Bi2O3 к Sb2O3 составляет по меньшей мере 0,5:1 и ! суммарное количество MnO2, CoO, NiO и Cr2O3 составляет по меньшей мере 2,5 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 3 мол.%. ! 6. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что ! количество Bi2O3 составляет менее 0,5 мол.%, ! причем молярное отношение Bi2O3 к Sb2O3 составляет менее 0,4:1, предпочтительно менее 0,3:1, наиболее предпочтительно менее 0,25:1, и ! суммарное количество MnO2, СоО, NiO и Cr2O3 составляет по меньшей мере 4 мол.%. ! 7. Материал варистора по п.1, в котором сме�
Claims (11)
1. Материал варистора для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, содержащий ZnO, образующий фазу ZnO, и Bi в виде Bi2O3, образующий межзеренную фазу оксида висмута, причем указанный материал варистора дополнительно включает шпинельную фазу, отличающийся тем, что количество пирохлорной фазы, включенной в материал варистора, таково, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,15:1.
2. Материал варистора по п.1, отличающийся тем, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,1:1.
3. Материал варистора по п.1, отличающийся целевой напряженностью переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм.
4. Материал варистора по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что он включает смесь шпинельобразующих компонентов, включающих Mn, Co, Ni и Cr в виде на MnO2, CoO, NiO и Cr2O3 соответственно и необязательно Si в виде на SiO2, причем количество SiO2 составляет менее 0,05 мол.%.
5. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что
количество Bi2O3 составляет по меньшей мере 0,3 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 0,6 мол.%, наиболее предпочтительно от 0,6 мол.% до 0,9 мол.%,
количество Sb2O3 составляет менее 1,8 мол.%,
молярное отношение Bi2O3 к Sb2O3 составляет по меньшей мере 0,5:1 и
суммарное количество MnO2, CoO, NiO и Cr2O3 составляет по меньшей мере 2,5 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 3 мол.%.
6. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что
количество Bi2O3 составляет менее 0,5 мол.%,
причем молярное отношение Bi2O3 к Sb2O3 составляет менее 0,4:1, предпочтительно менее 0,3:1, наиболее предпочтительно менее 0,25:1, и
суммарное количество MnO2, СоО, NiO и Cr2O3 составляет по меньшей мере 4 мол.%.
7. Материал варистора по п.1, в котором смесь шпинельобразующих компонентов дополнительно содержит по меньшей мере один дополнительный шпинельобразующий компонент, выбранный из группы, состоящей из Fe, Al, Ti, Mg и Cu.
8. Материал варистора по п.1, который дополнительно содержит по меньшей мере одну легирующую добавку, выбранную из группы, состоящей из Ag и В.
9. Способ получения материала варистора по любому из предшествующих пунктов, в котором исходную композицию, включающую Bi2O3, Sb2O3, MnO2, СоО, NiO и Cr2O3, смешивают с ZnO и необязательно остальными легирующими добавками, спрессовывают в диски и спекают при температуре выше 1000°С с получением материала варистора.
10. Способ по п.9 получения материала варистора по п.6, в котором исходную композицию Bi2O3, Sb2O3, MnO2, СоО, NiO и Cr2O3 прокаливают при температуре выше 600°С перед ее смешиванием с ZnO и необязательно остальными легирующими добавками.
11. Применение материала варистора по любому из предшествующих пунктов для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, имеющего целевую напряженность переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09171946.8 | 2009-10-01 | ||
EP09171946.8A EP2305622B1 (en) | 2009-10-01 | 2009-10-01 | High field strength varistor material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010140145A true RU2010140145A (ru) | 2012-04-10 |
RU2570656C2 RU2570656C2 (ru) | 2015-12-10 |
Family
ID=41618446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010140145/07A RU2570656C2 (ru) | 2009-10-01 | 2010-09-30 | Материал для варистора высокой напряженности поля |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9672964B2 (ru) |
EP (1) | EP2305622B1 (ru) |
JP (1) | JP5774829B2 (ru) |
KR (1) | KR20110036516A (ru) |
CN (1) | CN102034581B (ru) |
BR (1) | BRPI1003359B1 (ru) |
RU (1) | RU2570656C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2514085C2 (ru) * | 2012-06-20 | 2014-04-27 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Магнетон Варистор" | Керамический материал для варисторов на основе оксида цинка |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SI24523A (sl) * | 2013-10-02 | 2015-04-30 | Razvojni Center Enem Novi Materiali D.O.O. | Postopek izdelave varistorske keramike in varistorjev z nizkim tokom puščanja |
CN104671770A (zh) * | 2013-12-02 | 2015-06-03 | 青岛永通电梯工程有限公司 | 一种制造电阻的方法 |
KR101511702B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2015-04-13 | 정화통신(주) | 통신용 피뢰장치 |
RU2637260C2 (ru) * | 2015-12-09 | 2017-12-01 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технологический университет " | Керамический материал для варисторов |
DE102016104990A1 (de) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | Epcos Ag | Keramikmaterial, Varistor und Verfahren zum Herstellen des Keramikmaterials und des Varistors |
CN106747406A (zh) * | 2017-02-14 | 2017-05-31 | 爱普科斯电子元器件(珠海保税区)有限公司 | 无铅高绝缘陶瓷涂层氧化锌避雷器阀片及其制备方法 |
CN108774059A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-09 | 江苏时瑞电子科技有限公司 | 一种用于制备氧化锌压敏电阻器的复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA970476A (en) * | 1971-08-27 | 1975-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for making a voltage dependent resistor |
US4094061A (en) * | 1975-11-12 | 1978-06-13 | Westinghouse Electric Corp. | Method of producing homogeneous sintered ZnO non-linear resistors |
US4184984A (en) | 1976-09-07 | 1980-01-22 | General Electric Company | High breakdown voltage varistor |
DE2739848A1 (de) | 1976-09-07 | 1978-03-30 | Gen Electric | Varistor mit hohen durchbruchsspannung |
US4180483A (en) * | 1976-12-30 | 1979-12-25 | Electric Power Research Institute, Inc. | Method for forming zinc oxide-containing ceramics by hot pressing and annealing |
US4297250A (en) * | 1980-01-07 | 1981-10-27 | Westinghouse Electric Corp. | Method of producing homogeneous ZnO non-linear powder compositions |
JPS63136603A (ja) | 1986-11-28 | 1988-06-08 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
JP2552309B2 (ja) | 1987-11-12 | 1996-11-13 | 株式会社明電舎 | 非直線抵抗体 |
JPH0834136B2 (ja) | 1987-12-07 | 1996-03-29 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
US5075666A (en) | 1989-12-15 | 1991-12-24 | Electric Power Research Institute | Varistor composition for high energy absorption |
JP2572881B2 (ja) | 1990-08-20 | 1997-01-16 | 日本碍子株式会社 | ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体とその製造方法 |
US5225111A (en) * | 1990-08-29 | 1993-07-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Voltage non-linear resistor and method of producing the same |
RU2118006C1 (ru) * | 1996-12-16 | 1998-08-20 | Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский институт "Электрокерамика" | Варистор и способ его изготовления |
CA2211813A1 (fr) * | 1997-08-13 | 1999-02-13 | Sabin Boily | Varistances a base de poudres nanocristallines produites par broyage mecanique intense |
JPH11340009A (ja) | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | 非直線抵抗体 |
JP2001307909A (ja) | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体 |
RU2278434C1 (ru) * | 2004-11-15 | 2006-06-20 | Открытое Акционерное Общество "Кулон" | Варистор с защитным и изолирующим покрытием |
JP2007329148A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体 |
US20090143216A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | General Electric Company | Composition and method |
-
2009
- 2009-10-01 EP EP09171946.8A patent/EP2305622B1/en active Active
-
2010
- 2010-09-29 JP JP2010218764A patent/JP5774829B2/ja active Active
- 2010-09-30 US US12/894,755 patent/US9672964B2/en active Active
- 2010-09-30 BR BRPI1003359-9A patent/BRPI1003359B1/pt active IP Right Grant
- 2010-09-30 RU RU2010140145/07A patent/RU2570656C2/ru active
- 2010-09-30 KR KR1020100095445A patent/KR20110036516A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-30 CN CN201010501491.XA patent/CN102034581B/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2514085C2 (ru) * | 2012-06-20 | 2014-04-27 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма "Магнетон Варистор" | Керамический материал для варисторов на основе оксида цинка |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2305622B1 (en) | 2015-08-12 |
CN102034581B (zh) | 2016-05-04 |
BRPI1003359A2 (pt) | 2013-01-22 |
KR20110036516A (ko) | 2011-04-07 |
JP2011077524A (ja) | 2011-04-14 |
BRPI1003359B1 (pt) | 2020-02-18 |
US20110079755A1 (en) | 2011-04-07 |
US9672964B2 (en) | 2017-06-06 |
RU2570656C2 (ru) | 2015-12-10 |
CN102034581A (zh) | 2011-04-27 |
JP5774829B2 (ja) | 2015-09-09 |
EP2305622A1 (en) | 2011-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010140145A (ru) | Материал для варистора высокой напряженности поля | |
Bernik et al. | The characteristics of ZnO–Bi2O3-based varistor ceramics doped with Y2O3 and varying amounts of Sb2O3 | |
JP2011040734A (ja) | 酸化亜鉛バリスタを作製するための2つの独立した処理手順を介して酸化亜鉛バリスタを製造するプロセス | |
JPH11340009A (ja) | 非直線抵抗体 | |
WO2008120444A1 (ja) | ZnOバリスター粉末 | |
CN1988064B (zh) | 电流-电压非线性电阻器 | |
JP6628812B2 (ja) | 大容量ZnOバリスタの製造方法 | |
CA1065125A (en) | Resistive element having voltage non-linearity and method of making same | |
JPS5941285B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子とその製造方法 | |
JPH0425681B2 (ru) | ||
JPS606522B2 (ja) | 半導体組成物 | |
JP2008172034A (ja) | 電流−電圧非直線抵抗体 | |
KR101817831B1 (ko) | 산화아연계 배리스터의 제조 방법 | |
JP5334636B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体、電圧非直線抵抗体を搭載した避雷器及び電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
TW200744107A (en) | The composition of zinc oxide multilayer varistors | |
JP2546726B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JP2023507608A (ja) | 金属酸化物バリスタ配合物 | |
JP2003007512A (ja) | 非線形抵抗素子 | |
JP2012060003A (ja) | 電圧非直線抵抗体素子およびこの製造方法、並びに過電圧保護装置 | |
JPS634681B2 (ru) | ||
JPS5941286B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子とその製造方法 | |
JPH02133904A (ja) | バリスタ用電極材料及びそれを用いたバリスタ | |
JPH03195003A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS6059724B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子およびその製造方法 | |
JP3840917B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20180809 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20220311 |