RU2001134296A - Способ и устройство для выращивания монокристалла высокого качества - Google Patents
Способ и устройство для выращивания монокристалла высокого качестваInfo
- Publication number
- RU2001134296A RU2001134296A RU2001134296/12A RU2001134296A RU2001134296A RU 2001134296 A RU2001134296 A RU 2001134296A RU 2001134296/12 A RU2001134296/12 A RU 2001134296/12A RU 2001134296 A RU2001134296 A RU 2001134296A RU 2001134296 A RU2001134296 A RU 2001134296A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- single crystal
- growing
- crystal
- crucible
- Prior art date
Links
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 6
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 1
Claims (12)
1. Способ выращивания монокристалла, включающий размещение элемента в виде лопасти или элемента в виде перегородки в расплаве сырьевых материалов в тигле и выращивание монокристалла при помощи вращения тигля без вращения элемента в виде лопасти или элемента в виде перегородки во время выращивания монокристалла путем приведения затравочного кристалла в контакт с расплавом сырьевых материалов, который нагревают и расплавляют в тигле, в котором кристалл выращивают при медленном охлаждении расплава сырьевых материалов, с которым затравочный кристалл контактирует ниже уровня жидкости, чтобы высадить монокристалл на поверхности затравочного кристалла.
2. Способ по п.1, в котором затравочный кристалл также вращают при вращении тигля.
3. Способ по п.1 или 2, в котором выращивают монокристалл оксида.
4. Способ по п.3, в котором монокристалл оксида является монокристаллом оксида типа бората.
5. Способ по п.4, в котором оксидом типа бората является CsLiB5O10 или оксид, полученный частичным замещением в CsLiB5O10 по меньшей мере одного элемента, выбранного из Cs и Li, по меньшей мере элементом одного типа, выбранным из других элементов - щелочных металлов или щелочноземельных металлов.
6. Способ по п.5, в котором оксид является оксидом, легированным по меньшей мере одним элементом, выбранным из Al и Ga.
7. Способ по п.4, в котором оксид типа бората представлен GdxY1-x Ca4O(BO3)3 (0<x<1), а кристалл выращивают при помощи способа вытягивания.
8. Способ по п.3, в котором монокристалл оксида представляет собой LiNbO3, LiTaO3 - высокотемпературный сверхпроводящий оксидный материал или оксидный материал для преобразования тепла в электричество.
9. Устройство для выращивания монокристалла при помощи приведения затравочного кристалла в контакт с расплавом сырьевых материалов, который нагревают и плавят в тигле, включающее элемент в виде лопасти или элемент в виде перегородки, размещенный в расплаве сырьевых материалов в тигле, поворотные принадлежности для вращения тигля и механизм охлаждения для медленного охлаждения расплава сырьевых материалов, с которым затравочный кристалл контактирует ниже уровня жидкости.
10. Устройство для выращивания по п.9, включающее механизм для вращения затравочного кристалла.
11. Устройство для выращивания монокристалла оксида, включающее устройство для выращивания по п.9 или 10.
12. Устройство для выращивания по п.11, применяемое для выращивания монокристалла оксида типа бората.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17881599 | 1999-05-22 | ||
| JP11/178815 | 1999-05-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2209860C1 RU2209860C1 (ru) | 2003-08-10 |
| RU2001134296A true RU2001134296A (ru) | 2004-08-27 |
Family
ID=16055154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001134296/12A RU2209860C1 (ru) | 1999-05-22 | 2000-05-22 | Способ и устройство для выращивания монокристалла высокого качества |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6843849B1 (ru) |
| EP (1) | EP1201793B1 (ru) |
| KR (1) | KR100492808B1 (ru) |
| CN (1) | CN1172029C (ru) |
| DE (1) | DE60013451T2 (ru) |
| RU (1) | RU2209860C1 (ru) |
| TW (1) | TW538148B (ru) |
| WO (1) | WO2000071786A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002187791A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-07-05 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
| JP4030125B2 (ja) | 2003-03-17 | 2008-01-09 | 財団法人大阪産業振興機構 | Ｉｉｉ族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれに用いる装置 |
| WO2007102610A1 (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Ngk Insulators, Ltd. | 単結晶の育成方法 |
| CN101245490B (zh) * | 2007-02-15 | 2010-08-18 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 |
| US8389099B1 (en) | 2007-06-01 | 2013-03-05 | Rubicon Technology, Inc. | Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same |
| US20090090135A1 (en) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Infrared Focal Systems, Inc. | Method of making optical glass windows free of defects |
| WO2010151844A2 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | Georgia Tech Research Corporation | Metal oxide structures, devices, & fabrication methods |
| CN101974783B (zh) * | 2010-10-22 | 2012-07-04 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 化合物硼酸锂铯非线性光学晶体及其制备方法和用途 |
| US11180866B2 (en) | 2013-04-10 | 2021-11-23 | Kla Corporation | Passivation of nonlinear optical crystals |
| JP2015034104A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 株式会社リコー | １３族窒化物結晶の製造装置及び製造方法 |
| US20160138184A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Po-Chung Wang | Melt surface flow field measurement method for artificial crystal growth systems and crystal growth apparatus utilizing the method |
| CN110747504B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-03-23 | 中国科学院物理研究所 | 一种碳化硅单晶的生长方法 |
| CN111455453B (zh) * | 2020-05-13 | 2022-03-18 | 济南大学 | 一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法 |
| CN113151892B (zh) * | 2021-04-27 | 2022-02-18 | 曲靖阳光新能源股份有限公司 | 一种单晶硅生产设备 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515938A (en) | 1978-07-18 | 1980-02-04 | Toshiba Corp | Production of oxide piezoelectric body single crystal |
| GB2084046B (en) * | 1980-08-27 | 1984-07-25 | Secr Defence | Method and apparatus for crystal growth |
| JPS58208193A (ja) | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | るつぼ |
| EP0173764B1 (en) * | 1984-08-31 | 1989-12-13 | Gakei Electric Works Co., Ltd. | Single crystal growing method and apparatus |
| JPS63159284A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 単結晶引上げ装置 |
| JPS63190794A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶製造方法およびその装置 |
| JPH0633218B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1994-05-02 | 日本鋼管株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
| KR920006204B1 (ko) * | 1988-08-31 | 1992-08-01 | 삼성코닝 주식회사 | LiNbO₃단결정 성장방법 |
| JPH02107587A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-19 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体単結晶育成装置 |
| KR930004510A (ko) * | 1991-08-24 | 1993-03-22 | 한형수 | LiTaOз단결정의 제조방법 |
| US5343827A (en) * | 1992-02-19 | 1994-09-06 | Crystal Technology, Inc. | Method for crystal growth of beta barium boratean |
| JPH05238875A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-17 | Mitsubishi Materials Corp | 単結晶引上装置 |
| JP3261594B2 (ja) * | 1992-04-24 | 2002-03-04 | 日立金属株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶、単結晶基板および光素子 |
| JP2888079B2 (ja) * | 1993-02-04 | 1999-05-10 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上げ用ルツボ |
| JPH07277880A (ja) | 1994-04-05 | 1995-10-24 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物単結晶およびその製造方法 |
| JP2812427B2 (ja) * | 1994-07-18 | 1998-10-22 | 科学技術振興事業団 | セシウム・リチウム・ボレート結晶 |
| JPH08253393A (ja) * | 1995-01-19 | 1996-10-01 | Hoya Corp | Ｋｔｐ固溶体単結晶及びその製造方法 |
| US5683281A (en) * | 1995-02-27 | 1997-11-04 | Hitco Technologies, Inc | High purity composite useful as furnace components |
| US5733371A (en) * | 1995-03-16 | 1998-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Apparatus for growing a single crystal |
| JPH08295507A (ja) | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hoya Corp | 光学結晶及びその製造方法 |
| JP3769800B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2006-04-26 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 単結晶引上装置 |
| EP0786542B1 (en) | 1996-01-26 | 2002-10-02 | Japan Science and Technology Corporation | Cesium-lithium borate crystal |
| US5824149A (en) * | 1996-02-28 | 1998-10-20 | Ferrofluidics Corporation | Method and apparatus for controlling crystal temperature gradients in crystal growing systems |
| EP0821082B1 (en) * | 1996-06-27 | 1999-01-20 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Process and apparatus for controlling the growth of a crystal |
-
2000
- 2000-05-22 RU RU2001134296/12A patent/RU2209860C1/ru active
- 2000-05-22 WO PCT/JP2000/003264 patent/WO2000071786A1/ja active IP Right Grant
- 2000-05-22 CN CNB008079307A patent/CN1172029C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-22 US US09/979,505 patent/US6843849B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-22 DE DE60013451T patent/DE60013451T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-22 KR KR10-2001-7014906A patent/KR100492808B1/ko active IP Right Grant
- 2000-05-22 TW TW089109805A patent/TW538148B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-05-22 EP EP20000927839 patent/EP1201793B1/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2001134296A (ru) | Способ и устройство для выращивания монокристалла высокого качества | |
| CA1308001C (en) | Process for crystal growth of ktiopo_ from solution | |
| CN101435108B (zh) | 大尺寸非线性光学晶体硼酸铅溴的制备方法 | |
| CN102076892B (zh) | 掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件 | |
| WO2012009945A1 (zh) | 氟硼酸钡、氟硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| CN106917140B (zh) | 化合物硼酸锂钠双折射晶体及制备方法和用途 | |
| US6391229B1 (en) | Borate crystal, growth method of the same and laser equipment using the same | |
| CN104176742A (zh) | 四硼酸钡和四硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| TW538148B (en) | Method and apparatus for growing high quality single crystal | |
| US5343827A (en) | Method for crystal growth of beta barium boratean | |
| CN106149055B (zh) | 化合物偏硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途 | |
| CN1254568C (zh) | 一种LiB3O5非线性光学晶体的生长方法 | |
| CN101974783A (zh) | 化合物硼酸锂铯非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
| CN1122732C (zh) | 一种硼磷酸镁锌非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
| US20030085378A1 (en) | Nonlinear optical crystals of compound Na3La9B8O27 and producing method and uses thereof | |
| TWI271384B (en) | Manufacture for boric acid crystals and laser oscillation apparatus | |
| Zydzik | The growth of LiNbO3 crystals using an automated puller | |
| KR100276969B1 (ko) | 포타시움니오베이트용융액혼합장치와이를이용한포타시움니오베이트단결정제조방법 | |
| Zhang et al. | A new nonlinear optical crystal GdCa 4 O (BO 3) 3 | |
| CN107641836A (zh) | 钒酸锂铷中红外非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| Aggarwal et al. | Modified czochralski growth of nonlinear optical organic crystals | |
| JP3261649B2 (ja) | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の育成方法 | |
| JP2636481B2 (ja) | 非線形光学材料の育成方法 | |
| CN106757345A (zh) | 磷酸钠钡非线性光学晶体的制备方法和用途 | |
| JPH0788270B2 (ja) | 単結晶薄膜の育成方法 |