RU2001122809A - Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структуры - Google Patents
Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структурыInfo
- Publication number
- RU2001122809A RU2001122809A RU2001122809/09A RU2001122809A RU2001122809A RU 2001122809 A RU2001122809 A RU 2001122809A RU 2001122809/09 A RU2001122809/09 A RU 2001122809/09A RU 2001122809 A RU2001122809 A RU 2001122809A RU 2001122809 A RU2001122809 A RU 2001122809A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- protective structure
- electronic component
- preceding paragraphs
- component according
- conductive surfaces
- Prior art date
Links
- 230000001681 protective Effects 0.000 title claims 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
1. Электронный компонент, содержащий диэлектрический слой (2), выполненный на подложке (10), токопроводящие поверхности (4; 14), выполненные на диэлектрическом слое, и токопроводящую защитную структуру (6), размещенную в плоскости над токопроводящими поверхностями (6) таким образом, что токопроводящие поверхности (4; 14) не полностью закрыты защитной структурой (6) и в котором защитная структура (6) выполнена вдоль промежуточных участков (Z), выполненных между токопроводящими поверхностями (4; 14), отличающийся тем, что защитная структура (6) в виде ленты расположена наклонно направлению расширения промежуточного участка (Z).
2. Электронный компонент по п.1, отличающийся тем, что на кромке промежуточного участка (Z) защитная структура (6) изменяет свое направление так, что она не выходит за пределы промежуточного участка (Z) или заканчивается на кромке промежуточного участка (Z).
3. Электронный компонент по одному из предшествующих пунктов, в котором защитная структура (6) выполнена из вольфрама.
4. Электронный компонент по одному из предшествующих пунктов, в котором защитная структура (6) имеет ширину 1-5 мкм.
5. Электронный компонент по одному из предшествующих пунктов, в котором защитная структура (6) выполнена в виде решетки.
6. Электронный компонент по одному из предшествующих пунктов, в котором токопроводящие поверхности (4; 14) являются частью чувствительного элемента.
7. Применение защитной структуры (6) из одного из электронных компонентов согласно одному из предшествующих пунктов в качестве защитного устройства от электростатического разряда.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19901384.5 | 1999-01-15 | ||
| DE19901384A DE19901384A1 (de) | 1999-01-15 | 1999-01-15 | Elektronisches Bauelement und Verwendung einer darin enthaltenen Schutzstruktur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001122809A true RU2001122809A (ru) | 2003-08-27 |
| RU2220476C2 RU2220476C2 (ru) | 2003-12-27 |
Family
ID=7894368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001122809/09A RU2220476C2 (ru) | 1999-01-15 | 2000-01-13 | Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структуры |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6714392B2 (ru) |
| EP (1) | EP1129485B1 (ru) |
| JP (1) | JP4035289B2 (ru) |
| KR (1) | KR100426232B1 (ru) |
| CN (1) | CN1150622C (ru) |
| AT (1) | ATE357743T1 (ru) |
| BR (1) | BR0007562A (ru) |
| DE (2) | DE19901384A1 (ru) |
| RU (1) | RU2220476C2 (ru) |
| UA (1) | UA72234C2 (ru) |
| WO (1) | WO2000042657A1 (ru) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9922572D0 (en) * | 1999-09-24 | 1999-11-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Capacitive sensing array devices |
| DE10059099C1 (de) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Bauelement mit ESD-Schutz, z.B. Foliensensor zur biometrischen Erkennung (Fingerabdruckerkennungssensor) |
| DE10110724A1 (de) | 2001-03-06 | 2002-09-26 | Infineon Technologies Ag | Fingerabdrucksensor mit Potentialmodulation des ESD-Schutzgitters |
| DE10119782C1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Schutz eines IC vor Auslesen sicherheitsrelevanter Daten (Reverse-Engineering) |
| US6515488B1 (en) * | 2001-05-07 | 2003-02-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Fingerprint detector with scratch resistant surface and embedded ESD protection grid |
| DE10126839A1 (de) * | 2001-06-01 | 2002-12-19 | Infineon Technologies Ag | Biometrischer Sensor |
| DE10139414A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Halbleiterschaltungsanordnung mit biometrischem Sensor und Auswerteeinheit |
| DE10309614A1 (de) * | 2003-03-05 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben |
| KR101219750B1 (ko) * | 2004-12-07 | 2013-01-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제작방법 |
| EP1839335A4 (en) * | 2005-01-21 | 2011-09-14 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| US7329605B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-02-12 | Agere Systems Inc. | Semiconductor structure formed using a sacrificial structure |
| CN101401106B (zh) * | 2006-02-24 | 2012-07-11 | Jds尤尼弗思公司 | 减少绝缘体上导电体的静电放电的方法 |
| WO2012122124A2 (en) | 2011-03-04 | 2012-09-13 | Visa International Service Association | Payment card system and method |
| EP3206027B1 (en) * | 2016-02-11 | 2019-09-11 | Sensirion AG | Sensor chip comprising electrostatic discharge protection element |
| US20170285778A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Electronic device with fingerprint sensor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2244164A (en) * | 1990-05-18 | 1991-11-20 | Philips Electronic Associated | Fingerprint sensing |
| US5357397A (en) * | 1993-03-15 | 1994-10-18 | Hewlett-Packard Company | Electric field emitter device for electrostatic discharge protection of integrated circuits |
| US5686761A (en) * | 1995-06-06 | 1997-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Production worthy interconnect process for deep sub-half micrometer back-end-of-line technology |
| GB9513420D0 (en) * | 1995-06-30 | 1995-09-06 | Philips Electronics Uk Ltd | Power semiconductor devices |
| US6114862A (en) * | 1996-02-14 | 2000-09-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive distance sensor |
| US6259804B1 (en) * | 1997-05-16 | 2001-07-10 | Authentic, Inc. | Fingerprint sensor with gain control features and associated methods |
| US6483931B2 (en) * | 1997-09-11 | 2002-11-19 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array |
| US6087253A (en) * | 1998-03-03 | 2000-07-11 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of forming landing plugs for PMOS and NMOS |
| US6002569A (en) * | 1998-06-29 | 1999-12-14 | Hewlett-Packard Company | Electrostatic discharge protection apparatus |
-
1999
- 1999-01-15 DE DE19901384A patent/DE19901384A1/de not_active Ceased
-
2000
- 2000-01-13 JP JP2000594156A patent/JP4035289B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-13 BR BR0007562-0A patent/BR0007562A/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 RU RU2001122809/09A patent/RU2220476C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 WO PCT/DE2000/000112 patent/WO2000042657A1/de active IP Right Grant
- 2000-01-13 CN CNB008028125A patent/CN1150622C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-13 UA UA2001074959A patent/UA72234C2/ru unknown
- 2000-01-13 EP EP00907422A patent/EP1129485B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-13 AT AT00907422T patent/ATE357743T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 KR KR10-2001-7008944A patent/KR100426232B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 DE DE50014183T patent/DE50014183D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-16 US US09/906,475 patent/US6714392B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2001122809A (ru) | Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структуры | |
| US4792879A (en) | Mounting structure for electric and electronic circuit elements | |
| JP2812741B2 (ja) | 電子制御装置 | |
| DE68928320D1 (de) | Randmontierte Packung vom Oberflächen-Montierungstyp, für integrierte Halbleiterschaltungsanordnungen | |
| EE200000602A (et) | Integraallülitusega varustatud paberist valmistatud põhimik | |
| DE69942361D1 (de) | Rutil-Dielektrikum für Halbleiter-Bauelement | |
| DE69943120D1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung | |
| KR930003795A (ko) | 집적 회로 접속 방법 | |
| ITMI992667A0 (it) | Struttura resistiva integrata su un substrato semiconduttore | |
| DE69936677D1 (de) | Schutzstruktur für eine integrierte Schaltungshalbleiteranordnung gegen elektrostatische Entladungen | |
| RU99122604A (ru) | Электронный модуль для электронной карточки | |
| IT8619449A1 (it) | Struttura integrata di protezione da scariche elettrostatiche e dispositivo a semiconduttore incorporante la stessa | |
| KR970003013A (ko) | 고성능, 고데이터 밀도의 테이프 드라이브 | |
| RU2220476C2 (ru) | Электронный компонент и применение содержащейся в нем защитной структуры | |
| DE59814220D1 (de) | Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement | |
| WO2002078054A3 (en) | Integrated circuit package with a capacitor | |
| DE69833943D1 (de) | Harzvergossene elektronische bauelemente vom oberflächenmontierungstyp | |
| KR970060467A (ko) | 반도체장치 | |
| KR970003929A (ko) | 반도체장치 | |
| DE69833720D1 (de) | Integrierte Halbleiterschaltung mit On-Chip Kondensatoren | |
| FR2779255B1 (fr) | Procede de fabrication d'un dispositif electronique portable comportant au moins une puce de circuit integre | |
| DE60209854D1 (de) | Photographisches Element mit einer elektrisch leitfähigen Schicht | |
| JPS58170095A (ja) | フレキシブル回路板 | |
| DE59801699D1 (de) | Leistungshalbleiter-anordnung auf dcb-substrat | |
| DE69426935D1 (de) | Elektronische Halbleiterschaltung mit Überspannungsschutz |