RU194033U1 - Активная диэлектрическая наноантенна - Google Patents
Активная диэлектрическая наноантенна Download PDFInfo
- Publication number
- RU194033U1 RU194033U1 RU2019124774U RU2019124774U RU194033U1 RU 194033 U1 RU194033 U1 RU 194033U1 RU 2019124774 U RU2019124774 U RU 2019124774U RU 2019124774 U RU2019124774 U RU 2019124774U RU 194033 U1 RU194033 U1 RU 194033U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- nanoantenna
- resonator
- dielectric
- point source
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B1/005—Constitution or structural means for improving the physical properties of a device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0102—Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Активная диэлектрическая наноантенна относится к области физики и служит для усиления излучения точечного источника и может быть использована для управления излучением источника одиночных фотонов. Наноантенна состоит из оптически резонансного нанообъекта, выполненного в виде шара радиусом R1, где 100 нм<R1<500 нм, резонатор выполнен из материала с высоким показателем преломления n>2,4 со встроенным точечным излучателем для эффективного усиления и контроля излучения. Заявляемая полезная модель решает задачу по повышению фактора Парселла квантового излучателя. 1 ил.
Description
Активная диэлектрическая наноантенна относится к области физики и служит для усиления электромагнитного (ЭМ) излучения точечного источника, например, инфракрасного излучения или излучения видимого диапазона, и может быть использована для создания различных устройств квантовой обработки информации, сверхбыстрых оптических переключателей и сенсорных наносистем, обеспечивающих наномасштабную оптическую диагностику температурных процессов и состояния веществ в режиме реального времени.
Известна нелинейная диэлектрическая наноантенна (патент РФ 177658 U1, МПК G02B 27/00, В82В 1/00, дата приоритета 26.12.2016, дата публикации 05.03.2018). Данная наноантенна состоит из диэлектрического резонатора, выполненного в виде шара радиусом R1, где 60 нм<R1<200 нм, резонатор выполнен из материала с высоким показателем преломления n>3 и помещен в однородный сферический металлический слой с внешним радиусом R2, оболочка выполнена из материала с отрицательной действительной частью диэлектрической проницаемости и низкой мнимой ее частью, а величина R2 лежит в пределах R1<R2<2R1. Однако приведенная нелинейная диэлектрическая наноантенна обеспечивает повышение коэффициента преобразования энергии падающего излучения в излучение на других частотах и увеличение спектра генерируемых длин волн, но не позволяет усиливать излучение точечного источника.
Известна оптическая диэлектрическая наноантенна (патент РФ 132573 U1, МПК G02B 27/00, В82В 1/00, дата приоритета 07.05.2013, дата публикации 20.09.2013). Данная наноантенна состоит из точечного оптического источника и наночастицы, выполненной в виде шара с радиусом Rs субволновой величины, изготовленной из диэлектрического материала с показателем преломления где λ - длина волны излучения, источник расположен в выемке на поверхности шара, выполненной в виде полусферы радиуса Rn. Данная оптическая диэлектрическая наноантенна обеспечивает трансформацию ближнего поля излучения квантового источника в свободно распространяющееся ЭМ, но не дает возможности усиления излучения точечного источника.
Известно устройство для усиления излучения точечного источника (отдельных молекул) на основе оптических наноантенн, совпадающее с заявляемым техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятое за прототип (патент США №20120091365 А1, МПК G01N 21/64, дата приоритета 17.10.2011, дата публикации 19.04.2012). Указанное устройство представляет собой резонатор, выполненный в виде наноантенны типа «галстук-бабочка», состоящей из металлических (золотых (n=0,2-1,0 в диапазоне λ=0,5-1,0 мкм), алюминиевых (n=0,8-1,4), серебряных (n<0,1), медных (n=0,3-1,2) или их сплавов) электродов, в 50 нм промежутке между которыми помещается точечный источник. Электрическое поле, возникающее между электродами при их облучении лазерным пучком, увеличивает интенсивность излучения (уменьшает время жизни возбужденного состояния) точечного источника (флуоресцентной молекулы). Недостатком прототипа является то, что точечный источник расположен снаружи наноантенны, что приводит к дополнительным потерям излучения источника.
Задачей, на решение которой направлена данная полезная модель, является увеличение интенсивности излучения (повышение фактора Парселла) точечного источника.
Поставленная задача решается за счет достижения технического результата, заключающегося в оптимизации геометрических параметров и используемых материалов для активной диэлектрической наноантенны, соответствующей сокращению времени жизни возбужденного состояния и/или повышению интенсивности излучения. Данный технический результат достигается вследствие того, что активная диэлектрическая наноантенна представляет собой диэлектрический резонатор, выполненный в виде шара радиусом R1, где 100 нм<R1<500 нм, резонатор выполнен из материала с высоким показателем преломления n>2,4 со встроенным точечным источником.
Конфигурация активной диэлектрической наноантенны приводит к эффективному усилению возбуждаемых внутри диэлектрического резонатора низших и высших дипольных и мультипольных моментов ЭМ поля (резонансов Ми). Размер и форма активной диэлектрической наноантенны подобраны для наиболее эффективного возбуждения магнитной дипольной моды диэлектрического резонатора, а также для того, чтобы и лазерное излучение накачки, и спектр излучения (фотолюминесценции) точечного источника спектрально перекрывались с внутренними электрическими или магнитными резонансами Ми наноантенны. За счет положительной интерференций мод ЭМ полей резонатора достигается значительное усиление излучения точечного источника.
Сущность заявляемой полезной модели поясняется следующим. В качестве материальной составляющей сферического резонатора субволнового размера используются диэлектрические материалы с высоким значением показателя преломления n>2,4. В качестве примера таких материалов можно указать алмаз. При взаимодействии такого резонатора с падающей ЭМ волной возбуждаются электрический (ЭД) и магнитный (МД) дипольные моменты (моды Ми). Усиление полей на резонансных значениях частот для ЭД и МД может достигать нескольких десятков. За счет пространственного перекрытия между положением точечного излучателя, расположенного внутри резонатора, и электрическим полем дипольных моментов (мод Ми) достигается усиление излучения точечного источника. Спонтанное излучение максимально усиливается в случае, когда излучающий диполь располагается в максимуме поля моды, и ориентация диполя совпадает с поляризацией электрического поля.
Условие выбора показателя преломления диэлектрического материала обосновывается необходимостью возбуждения в резонаторе резонанса Ми в видимом диапазоне длин волн с сохранением субволнового размера наноантенны. Высокий показатель преломления таких диэлектрических наноантенн также позволяет контролировать излучение не только за счет электрической, но и магнитной компоненты с низкими диссипативными потерями. Другими словами, параметры активной диэлектрической наноантенны подбираются таким образом, чтобы обеспечить спектральное и пространственное перекрытие между лазерным излучением накачки, спектром излучения (фотолюминесценции) точечного источника и внутренними электрическими или магнитными резонансами Ми наноантенны, что приводит к увеличению фактора Парселла такой системы, и, следовательно, усилению излучения точечного источника.
Сущность полезной модели поясняется на фиг., где показана геометрическая структура активной диэлектрической наноантенны. Активная диэлектрическая наноантенна включает в себя резонатор 1 из диэлектрического материала, выполненный в виде шара радиусом R1, где 100 нм<R1<5000 нм, и точечный (квантовый) источник 2, расположенный внутри резонатора. Для удобства восприятия геометрии из резонатора и внешнего слоя вырезан прямоугольный сектор.
Активная диэлектрическая наноантенна работает следующим образом. Падающий на наноантенну лазерный импульс одновременно осуществляет оптическую накачку точечного источника 2, расположенного внутри наноантенны, и возбуждение в резонаторе 1 электрических и магнитных дипольных моментов (мод Ми). В свою очередь, МД и ЭД усиливают ЭМ поле внутри резонатора 1, тем самым усиливая излучение точечного источника 2.
В качестве примера конкретной реализации предлагается наноантенна, состоящая из оптически резонансного наноалмаза радиусом 150 нм со встроенным точечным излучателем, в качестве которого выступают оптически активные центры (центры окраски) азот-вакансия. (NV-центры). Данные параметры подобраны для наиболее эффективной накачки точечного излучателя лазерным излучением на длинах волн в диапазоне 750-1500 нм. Усиление электрического поля и положения резонансов были рассчитаны в профессиональном программном пакете для электродинамических численных вычислений CST Microwave Studio 2015.
Таким образом, заявляемая полезная модель решает задачу усиления излучения (повышение фактора Парселла) точечного излучателя.
Claims (1)
- Активная оптическая наноантенна, усиливающая излучение точечного излучателя и состоящая из резонансного нанообъекта, отличающаяся тем, что резонатор выполнен в виде шара радиусом R1, где 100 нм<R1<500 нм, и изготовлен из материала с высоким показателем преломления n>2,4, а величина R1 лежит в диапазоне 100 нм<R1<500 нм, и тем, что при этом встроенный точечный излучатель расположен произвольно внутри резонатора.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019124774U RU194033U1 (ru) | 2019-08-01 | 2019-08-01 | Активная диэлектрическая наноантенна |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019124774U RU194033U1 (ru) | 2019-08-01 | 2019-08-01 | Активная диэлектрическая наноантенна |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU194033U1 true RU194033U1 (ru) | 2019-11-25 |
Family
ID=68652627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019124774U RU194033U1 (ru) | 2019-08-01 | 2019-08-01 | Активная диэлектрическая наноантенна |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU194033U1 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120091365A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Moerner William E | Enhancement of molecular emission using optical-antenna structures |
RU132573U1 (ru) * | 2013-05-07 | 2013-09-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Оптическая диэлектрическая наноантенна |
WO2016154657A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Monash University | Optical nanoantennas |
RU177658U1 (ru) * | 2016-12-26 | 2018-03-05 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Нелинейная диэлектрическая наноантенна |
-
2019
- 2019-08-01 RU RU2019124774U patent/RU194033U1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120091365A1 (en) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Moerner William E | Enhancement of molecular emission using optical-antenna structures |
RU132573U1 (ru) * | 2013-05-07 | 2013-09-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" | Оптическая диэлектрическая наноантенна |
WO2016154657A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | Monash University | Optical nanoantennas |
RU177658U1 (ru) * | 2016-12-26 | 2018-03-05 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Нелинейная диэлектрическая наноантенна |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Yang et al. | A room temperature continuous-wave nanolaser using colloidal quantum wells | |
KR102187847B1 (ko) | 이방성 방출을 위한 플라즈모닉 안테나 어레이를 갖는 고체 상태 조명 디바이스 | |
US6781690B2 (en) | Sensors employing nanoparticles and microcavities | |
US9893486B2 (en) | Injection-seeded whispering gallery mode optical amplifier devices and networks | |
JP2019523988A5 (ru) | ||
RU2686665C2 (ru) | Генератор широкополосного красного света для rgb-дисплея | |
Jiang et al. | Room-temperature continuous-wave upconversion white microlaser using a rare-earth-doped microcavity | |
Shang et al. | Advanced lanthanide doped upconversion nanomaterials for lasing emission | |
Alizadehkhaledi et al. | Cascaded plasmon-enhanced emission from a single upconverting nanocrystal | |
Li et al. | Controlling lanthanide-doped upconversion nanoparticles for brighter luminescence | |
Qin et al. | 1.9 μm laser and visible light emissions in Er3+/Tm3+ co-doped tellurite glass microspheres pumped by a broadband amplified spontaneous emission source | |
RU194033U1 (ru) | Активная диэлектрическая наноантенна | |
Bai et al. | Significant Fluorescence Enhancement through Rapid Laser Annealing and Nonthermal Coupling Optical Temperature Sensing of Er-Doped Yttria Nanocrystals | |
Gartia et al. | Injection-seeded optoplasmonic amplifier in the visible | |
Shen et al. | Random laser emission from dye-doped polymer films enhanced by SiC nanowires | |
Zheng et al. | Low threshold tunable spaser based on multipolar Fano resonances in disk–ring plasmonic nanostructures | |
WO2005111584A2 (en) | Method and apparatus for enhancing plasmon-polariton and phonon polariton resonance | |
RU177658U1 (ru) | Нелинейная диэлектрическая наноантенна | |
Hajjiah et al. | Developing optical up-conversion process via embedded silver nanostructures | |
Deng et al. | Tuning up-conversion luminescence in Er 3+-doped glass ceramic by phase-shaped femtosecond laser field with optimal feedback control | |
Yang et al. | Cavity controlled upconversion luminescence in Ag-capped NaYF4: Yb, Er micron rod | |
RU176397U1 (ru) | Активный оптический элемент на основе перовскита с резонансными наночастицами | |
US9515447B2 (en) | Titanium-doped amorphous aluminum nitride microlaser device and method for making and using same | |
Lytle et al. | Spectrally shaped broadband study of up-conversion in Y2O3: Er3+ | |
Wang et al. | Ultra‐Low Threshold Single‐Mode Upconversion Lasing in a Strong Coupled Microcavity via Four‐Photon Absorption |