NL159813B - Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt. - Google Patents

Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt.

Info

Publication number
NL159813B
NL159813B NL6919464A NL6919464A NL159813B NL 159813 B NL159813 B NL 159813B NL 6919464 A NL6919464 A NL 6919464A NL 6919464 A NL6919464 A NL 6919464A NL 159813 B NL159813 B NL 159813B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
monocrystalline
melt
semi
applying
conductive material
Prior art date
Application number
NL6919464A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6919464A (US20050075337A1-20050407-C00081.png
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of NL6919464A publication Critical patent/NL6919464A/xx
Publication of NL159813B publication Critical patent/NL159813B/xx

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/02—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material to surfaces by single means not covered by groups B05C1/00 - B05C7/00, whether or not also using other means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/063—Sliding boat system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NL6919464A 1968-12-31 1969-12-25 Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt. NL159813B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR182980 1968-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6919464A NL6919464A (US20050075337A1-20050407-C00081.png) 1970-07-02
NL159813B true NL159813B (nl) 1979-03-15

Family

ID=8659864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6919464A NL159813B (nl) 1968-12-31 1969-12-25 Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt.

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS4915988B1 (US20050075337A1-20050407-C00081.png)
BE (1) BE743828A (US20050075337A1-20050407-C00081.png)
DE (1) DE2000096C3 (US20050075337A1-20050407-C00081.png)
FR (1) FR1600341A (US20050075337A1-20050407-C00081.png)
GB (1) GB1299610A (US20050075337A1-20050407-C00081.png)
NL (1) NL159813B (US20050075337A1-20050407-C00081.png)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7117428A (US20050075337A1-20050407-C00081.png) * 1970-12-23 1972-06-27
JPS5342230B2 (US20050075337A1-20050407-C00081.png) * 1972-10-19 1978-11-09
JPS49102652U (US20050075337A1-20050407-C00081.png) * 1972-12-22 1974-09-04
JPS5056873A (US20050075337A1-20050407-C00081.png) * 1973-09-14 1975-05-17
DE3036643C2 (de) * 1980-09-29 1984-09-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur Flüssigphasen-Epitaxie

Also Published As

Publication number Publication date
GB1299610A (en) 1972-12-13
DE2000096B2 (de) 1977-09-15
BE743828A (US20050075337A1-20050407-C00081.png) 1970-06-29
NL6919464A (US20050075337A1-20050407-C00081.png) 1970-07-02
FR1600341A (US20050075337A1-20050407-C00081.png) 1970-07-20
DE2000096C3 (de) 1978-05-18
DE2000096A1 (de) 1970-07-23
JPS4915988B1 (US20050075337A1-20050407-C00081.png) 1974-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL184368C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een antistatische laag op een substraat.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL159603B (nl) Inrichting voor het opbrengen van een bekledingslaag op een materiaalbaan.
NL178700C (nl) Inrichting voor het neerslaan van een dunne laag op een substraat.
NL165938C (nl) Inrichting voor het behandelen van een dunne laag mate- riaal.
NL185017C (nl) Werkwijze voor het etsen van een polyimidefilm.
NL7405317A (nl) Inrichting voor het aanbrengen van een epitaxiale laag op ondermaterialen.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL155458B (nl) Inrichting voor het laten groeien van kristallen uit een smelt.
NL169521C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een reflexie verminderend lagenstelsel op substraten uit organisch materiaal.
NL7609733A (nl) Werkwijze voor het automatisch justeren van halfgeleiderschijven.
NL7605369A (nl) Machine en werkwijze voor het toevoeren van voorwerpdragers.
NL177832C (nl) Werkwijze voor het plakken van textielmaterialen.
NL7608397A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een polyurethanlaag op een substraat.
NL172978B (nl) Afdichtende bekleding voor een ondergrond en werkwijze voor het aanbrengen van een zodanige bekleding.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL162753C (nl) Werkwijze voor het opbrengen van een bekledingslaag op een draagband, alsmede inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.
NL156435B (nl) Inrichting voor het aanbrengen van smeltkleefband.
NL159813B (nl) Werkwijze voor het op een monokristallijn substraat aan- brengen van een epitaxiale monokristallijne laag halfge- leidend materiaal vanuit een smelt.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL161679B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een mengsel geschikt voor het aanbrengen van een afdekkende laag op een verdampbare vloeistof.
NL7609908A (nl) Werkwijze voor het verven van een hydroxy ge- substitueerd organisch polymeer ondermateriaal.
NL173286C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een dispersiegehard materiaal.
NL179132B (nl) Werkwijze voor het stabiliseren van kleefstoffen.
NL7609239A (nl) Werkwijze voor het prepareren van draadvormig materiaal.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: PHILIPS