NL1032276C2 - Verlaging van een vloeistofpeil bij dompellithografie. - Google Patents

Description

Verlaging van vloeistofpeil bij dompellithografie

De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen betrekking op dompellithografie, zoals wordt gebruikt bij de vervaardiging van halfgeleider-geïntegreerde circuits.

Deze aanvrage roept de prioriteit in van de Ameri-5 kaanse octrooiaanvrage nr. 60/705,795, ingediend op 5 augustus 2005, met de titel 'Immersion Lithography Watermark Reduction' .

Deze aanvrage heeft betrekking op de Amerikaanse octrooiaanvrage nr. 11/271.639, ingediend op 10 november 2005 10 met de titel 'Water Mark Defect Prevention for Immersion Lithography', die de prioriteit inroept van de Amerikaanse octrooiaanvrage 60/722.646, ingediend op 30 september 2005, de Amerikaanse octrooiaanvrage nr. 11/324.588, ingediend op 3 januari 2006 met de titel 'Novel TARC Material for Immersion 15 Watermark Reduction', die de prioriteit inroept van de Amerikaanse octrooiaanvragen nrs. 60/722.316, ingediend op 30 september 2005 en 60/722.646, ingediend op 30 september 2005; en de Amerikaanse octrooiaanvrage nr. 11/384.624, ingediend op 20 maart 2006, met de titel 'Immersion Lithography Defect Re-20 duction', die de prioriteit inroept van de Amerikaanse octrooiaanvrage nr. 60/695.562, ingediend op 30 juni 2005.

Lithografie is een mechanisme waarbij een patroon op een masker wordt geprojecteerd dat op een substraat aanwezig is, zoals een halfgeleiderwafel. In gebieden zoals de halfge-25 leiderfotolithografie is het noodzakelijk geworden om afbeeldingen te vormen op de halfgeleiderwafels die minimale afmetingen van de onderdelen hebben, tot onder een resolutieli-miet of kritieke afmeting (critical dimension, CD). Momenteel worden CD's bereikt van 65 nanometer en minder.

30 Halfgeleiderfotolithografie omvat in het algemeen de stappen van het aanbrengen van een bekleding van een fotore-sist op een bovenste oppervlak (bijv. een dunne filmstape-ling) van een halfgeleiderwafel en het blootstellen van de fotoresist aan een patroon. Een na deze blootstelling uit te 35 voeren bakbewerking wordt vaak uitgevoerd om de blootgestelde fotoresist, welke vaak een op een polymeer gebaseerde stof t 032276 2 is, de gelegenheid te geven te splijten. De gespleten polyme-re fotoresist wordt dan overgebracht naar een ontwikkelkamer om het blootgestelde polymeer te verwijderen, dat oplosbaar is in een waterige ontwikkeloplossing. Ten gevolge daarvan 5 wordt een in een patroon aanwezige laag van fotoresist verkregen op het bovenste oppervlak van de wafel.

Dompellithografie is een nieuwe vooruitgang in de fotolithografie, waarbij de belichtingsprocedure wordt uitgevoerd met een vloeistof die de ruimte vult tussen het opper-10 vlak van de wafel en de lens. Met gebruikmaking van dompelfo-tolithografie kunnen hogere numerieke apperturen worden gebouwd dan wanneer lenzen in lucht worden gebruikt, waardoor een verbeterde resolutie wordt verkregen. Voorts verschaft een onderdompeling een verbeterde focusdiepte ('depth of fo-15 cus, DOF) waardoor nog kleinere onderdelen kunnen worden af-gedrukt.

De dompelbelichtingsstap kan gebruik maken van gede-ioniseerd water of een ander geschikt dompelbelichtingsfluï-dum in de ruimte tussen de wafel en de lens. Hoewel de be-20 lichtingstijd kort is, kan het fluïdum tot nu toe niet verwachte problemen verschaffen. Bijvoorbeeld kunnen druppels van het fluïdum na de bewerking achterblijven en op negatieve wijze de patroonvorming, de kritieke dimensies en andere aspecten van de resist beïnvloeden.

25 Er zijn pogingen gedaan om het optreden van druppels op de wafel te verminderen. Eén voorbeeld is het verschaffen van een droogproces, direct na de belichting, zoals staat beschreven in de hierbij door middel van referentie opgenomen voorlopige octrooiaanvrage (provisional application, Attorney 30 Docket No. TSMC 2005-0,215/24061.656). Het droogproces moet echter zeer snel plaatsvinden, bijv. binnen enkele minuten, om enige soort van vernieling te voorkomen. Soms is het moeilijk om ervoor te zorgen dat de droogbewerking voldoende snel wordt uitgevoerd.

KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENING

De onderhavige beschrijving wordt het best begrepen uit de hiernavolgende gedetailleerde beschrijving wanneer de- 35 3 ze wordt gelezen in combinatie met de bijgevoegde figuren. Hierbij wordt benadrukt dat in overeenstemming met de standaardpraktijk in de industrie, verschillende eigenschappen niet op schaal zijn getoond. In feite kunnen de afmetingen 5 van de verschillende onderdelen naar keuze worden vergroot of verkleind om de beschrijving te verduidelijken.

Figuur 1 is een bovenaanzicht van een halfgeleider-wafel die een of meerdere defecten vertoont.

Figuur 2 is een zijaanzicht van een dwarsdoorsnede 10 van een dompellithografiesysteem.

De figuren 3, 4 en 6-10 zijn zijaanzichten van doorsneden van een halfgeleiderwafel die een na de dompellitho-grafie uitgevoerde behandelingswerkwijze ondergaat.

Figuur 5 is een stroomschema van een werkwijze voor 15 het uitvoeren van een dompellithografiewerkwijze met verminderde defecten, in overeenstemming met een of meerdere uitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding.

GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING

20 De onderhavige uitvinding heeft in het algemeen be trekking op de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen, en meer in het bijzonder op een werkwijze en een systeem voor het voorkomen van defecten in een halfgeleidersubstraat. Het wordt echter begrepen dat specifieke uitvoeringsvormen worden 25 verschaft als voorbeelden om het inventieve concept breder te beschrijven en een deskundige in de techniek kan simpelweg hetgeen in de onderhavige beschrijving is weergegeven, toepassen op andere methoden en systemen. Ook dient te worden begrepen dat de werkwijze en de systemen die worden beschre-30 ven in de onderhavige beschrijving enige gebruikelijke structuren èn/of stappen zullen bevatten. Omdat deze structuren en stappen algemeen bekend zijn in de techniek zullen zij slechts in een algemeen detailniveau worden beschreven.

Voorts worden verwijzingscijfers door de verschillende figu-35 ren heen herhaald voor het gemak en de duidelijkheid en een dergelijke herhaling geeft niet aan dat enige combinatie van eigenschappen, maatregelen of stappen in de verschillende figuren als noodzakelijke combinatie wordt geleerd.

4

Onder verwijzing naar figuur 1 omvat een halfgelei-derwafel 10 een substraat 12 en een patroonlaag 14. Het substraat 12 kan een of meerdere lagen omvatten, met inbegrip van poly-, metaal- en/of diëlektrische lagen, die men in het 5 patroon wenst aan te brengen. In het onderhavige voorbeeld is de patroonlaag 14 een polymere fotoresistlaag (resistlaag) die responsief is op een belichtingswerkwijze voor het vormen van patronen. De resist 14 omvat een fotozuurgenerator (photo acid generator, PAG) om een chemische versterker- (chemical 10 amplifyer, CA) reactie (chemical amplifyer reaction, CAR), te ondersteunen. De CAR ondersteunt diepultraviolet (UV) en diepsubmicrontechnologie. Tijdens de lithografie induceert een foton de ontleding van PAG en vormt een kleine hoeveelheid zuur. Het gevormde zuur induceert een cascade van chemi-15 sche transformaties in de resistfilm, gewoonlijk tijdens een na de belichting uit te voeren bakstap. Hierbij dient te worden begrepen dat er veel andere voorbeelden zijn van resist-lagen, met inbegrip van een fotobasegenerator (photo base generator, PBG). Tevens dient te worden begrepen dat het 20 slechts een ontwerpkeuze is om een positieve resist of een negatieve resist 14 te gebruiken, maar voor het gemak van de overige voorbeelden heeft het de voorkeur dat een positieve resist wordt gebruikt.

Onder verwijzing naar figuur 2 kunnen de patronen op 25 de fotoresistlaag 14 worden gevormd door een dompellithogra-fiesysteem 20. Het dompellithografiesysteem omvat een lenssysteem 12, een structuur 24 voor het houden van een fluïdum 26, zoals gedeïoniseerd water, verschillende openingen 28 waardoorheen het fluïdum kan worden toegevoerd of verwijderd, 30 en een klem 30 voor het vastzetten en verplaatsen van de wafel 10 ten opzichte van het lenssysteem 12 en 20. De fluïdum-houdende structuur 24 en het lenssysteem 22 vormen een dom-pelkop 20a. De dompelkop 20a kan enige van de openingen gebruiken zoals een luchtaanzuiging, die lucht kan voeren naar 35 de wafel om deze te drogen en andere openingen voor het verwijderen van enig af te zuigen fluïdum. De luchtaanzuiging alleen kan onvoldoende zijn om al het fluïdum 26 van de wafel 10 te verwijderen waardoor in veel gevallen druppels achter- 5 blijven.

Onder verwijzing naar opnieuw figuur 1 wordt de wafel 10 getoond nadat deze door een gebruikelijk dompellitho-grafieproces is gegaan. De wafel 10 omvat defecten 50 die 5 zijn veroorzaakt tijdens de werkwijze. De defecten 50 stellen beschadigingen voor die zijn verkregen door de druppels van het dompellithografiefluïdum 26 die achterblijven (zie figuur 2), en kunnen vervormingen of gaten (missende patronen) in de resist omvatten. Andere soorten defecten kunnen ook bestaan. 10 Onder verwijzing naar figuur 3 kan een foutmechanis- me dat defecten veroorzaakt bestaan uit quenchers ((reactie) stoppers) 60 die voorkomen in een resist 14 om de CAR te stoppen, en die in het fluïdum 26 lekken. De resist van figuur 3 is hier getoond in een uitvoeringsvorm waarbij deze 15 twee niet belichte delen van resist omvat, aangeduid met ver-wijzingscijfer 14a, en een belicht gedeelte van resist, aangeduid met verwijzingscijfer 14b. De quenchers (reactiestop-pers) 60 diffunderen dan in de belichte resist 14 waardoor op nadelige wijze de patroonvorming in een later uit te voeren 20 bakbewerking na het belichten (post exposure bake, PEB) en het ontwikkelproces nadelig worden beïnvloed.

Onder verwijzing naar figuur 4 is een voorbeeld gegeven van een defect dat is veroorzaakt door het hiervoor beschreven lekken en diffunderen van de quenchers 60 dat van de 25 ongewenste resist, aangeduid met verwijzingscijfer 14c, die kan bestaan na de PEB en het ontwikkelproces (een gewenst patroon is aangeduid in figuur 10). In vervolg met het onderhavige voorbeeld zullen de gediffundeerde quenchers de foto-zuurvorming (PAG) in een chemische versterkingsreactie (CAR) 30 stoppen of aanzienlijk verminderen, bijvoorbeeld tijdens een na de belichting uit te voeren bakstap (PEB). Hierdoor zal de resist minder oplosbaar worden en met minder waarschijnlijkheid reageren met een ontwikkeloplossing zoals een waterige tetramethylammonihydroxide (TMAH) . In een voorbeeld volgens 35 figuur 4 vormt de resist 14c een scrum/brugprofiel, waardoor een gewenst patroon op nadelige wijze wordt beïnvloed.

Onder verwijzing naar figuur 5 is een vereenvoudigd stroomschema van een uitvoeringsvorm van een werkwijze voor 6 dompellithogafie met een gereduceerd aantal defecten aangeduid met verwijzingscijfer 100. In stap 102 is de resist 14 gevormd over het oppervlak van het wafelsubstraat 12. De resist 14 kan een negatieve of positieve resist zijn en kan van 5 elk materiaal zijn dat bekend is of dat later voor dit doel wordt ontwikkeld. Bijvoorbeeld kan de resist 14 een één-, twee- of multicomponent-resistsysteem zijn. Het aanbrengen van een resist 14 kan worden uitgevoerd met een spin-bekleding of een andere geschikte procedure. Voorafgaand aan 10 het aanbrengen van de resist 14 kan de wafel 10 eerst worden bewerkt om deze gereed te maken voor de fotolithogafiewerk-wijze. Bijvoorbeeld kan de wafel 10 worden gereinigd, gedroogd en/of bekleed met een hechtingbevorderend materiaal voorafgaand aan het aanbrengen van de resist 14.

15 In stap 104 wordt een dompellithografiebelichting uitgevoerd. De wafel 10 en de resist 14 worden ondergedompeld in de dompelbelichtingsvloeistof 26 en blootgesteld aan een stralingsbron door de lens 22 heen (zie figuur 2). De stra-lingsbron kan een ultravioletlichtbron zijn, bijv. van kryp-20 tonfluoride (KrF, 248 nm), argonfluoride (ArF, 193nm) , of F2 (157 nm) excimeerlaser. De resist 14 wordt blootgesteld aan de straling gedurende een vooraf te bepalen tijdsduur, afhankelijk van de soort resist die wordt gebruikt, de intensiteit van de ultravioletlichtbron en/of andere factoren. De belich-25 tingstijd kan van ongeveer 0,2 seconden tot ongeveer 30 seconden duren, waarbij deze getallen slechts als voorbeeld zijn genoemd. De belichtingstijd leidt tot een uitharding van delen van de resist 14, terwijl andere delen in een fluïde toestand blijven.

30 In stap 106 wordt een behandelingswerkwijze uitge voerd. De behandelïngswerkwijze kan in-situ worden uitgevoerd met de voorgaande of opvolgende bewerkingsstap of kan in een afzonderlijke kamer worden uitgevoerd. Er zijn verscheidene unieke behandel ingswerkwij zen die kunnen worden gebruikt om 35 te helpen de hiervoor beschreven problemen te verminderen.

Deze processen kunnen afzonderlijk of in verschillende combinaties worden gebruikt.

Onder verwijzing naar figuur 6 is in één uitvoe- 7 ringsvorm een quencher-neutraliseeroplossing 70 verschaft aan een bovenste oppervlak van de resist 14 (het oppervlak dat eerder was blootgesteld aan het dompelfluïdum 26) . De oplossing 70 kan variëren, gebaseerd op het type resist en/of de 5 diffusiediepte van de quenchers 60. In één voorbeeld is de oplossing een vloeistof van een tegengestelde polariteit als de quencer 60. De oplossing 70 kan ook een damp zijn, of een combinatie van vloeistof en damp. Bijvoorbeeld, wanneer de quencher 60 een basische quencher is (pH > 7), zal de oplos-10 sing 70 zuur zijn (pH < 7). In verdere verwijzing naar het voorbeeld kan de oplossing 70 H+ zoals HC1 bevatten. De HC1-oplossing kan een pH hebben die is gelegen tussen ongeveer 1- 3. Volgens een ander voorbeeld kan de oplossing 70 een PAG bevatten. Volgens een derde voorbeeld kan de oplossing 70 een 15 buffer bevatten zoals H3PO4 + KH2PO4.

Hierbij dient te worden begrepen dat in het onderhavige voorbeeld de resist 14 een basische quencher en een foto zuurgenerator (PAG) bevat. Volgens een ander voorbeeld kan de resist 14 een zure quencher en een fotobasegenerator (PBG) 20 bevatten. In dit laatste voorbeeld zal de oplossing 70 basisch zijn (pH > 7). Derhalve zal een deskundige in de techniek begrijpen dat veel verschillende soorten oplossingen kunnen worden gebruikt, afhankelijk van verschillende factoren zoals het type resist 14 dat wordt gebruikt. Andere fac-25 toren zullen hierna worden beschreven.

Onder verwijzing naar figuur 7 diffundeert de oplossing 70 in de resist 14 en reageert met de quenchers 60. Volgens één uitvoeringsvorm is het gewenst om de oplossing 70 tot een relatief kleine diepte te laten diffunderen (bijv. om 30 de interactie met de quenchers 60 die op de geringe diepte aanwezig zijn, te verbeteren. In deze uitvoeringsvorm kunnen verschillende soorten oplossingen 70 worden gekozen. Bijvoorbeeld kan de HCl-oplossing die hiervoor is beschreven een relatief hoge molaire concentratie hebben (bijv. meer dein of 35 gelijk aan ongeveer 0,1 mol). Ook 'grotere' zure moleculen zoals H3PO4 zullen een verminderde diffusiediepte hebben in vergelijking met de 'kleinere' zuurmoleculen zoals HC1. De grotere moleculen kunnen gewenst zijn vanwege hun verminderde 8 diffusiesnelheid in de resist. Volgens een verdere uitvoeringsvorm kan de temperatuur en/of de druk worden gemodificeerd om de diffusiesnelheid te regelen. Onder verwijzing naar figuur 8 kan in een andere uitvoeringsvorm (of in toe-5 voeging op een van de voorgaande uitvoeringsvormen) een op-pervlakreductiemechanisme 80 worden gebruikt om de gediffundeerde quenchers 60 (zie figuur 3) te verwijderen. Het opper-vlakreductiemechanisme 80 kan een oplosmiddelspoeling zijn om een dunne laag van het bovenste oppervlak van de resist 14 te 10 verwijderen. Volgens één uitvoeringsvorm is de dunne laag ongeveer 100 Angstrom dik. De dikte van de verwijderde laag kan variëren, gebaseerd op de diepte tot waarin de quenchers 60 zijn gediffundeerd. Het oplosmiddel kan propyleenmonome-thylether zijn (PGME), of propyleenglycolmonomethyletherace-15 taat (PGMEA) . Andere oplosmiddelen kunnen ook worden gebruikt, afhankelijk van het type resist 14 en/of de diffusie-diepte van de quenchers 60 (overeenkomstig aan de discussie hiervoor met betrekking tot de oplossing 70).

Onder verwijzing naar figuur 9 zijn ten gevolge van 20 de werkwijze de quenchers 60 nabij het bovenste oppervlak van de resist 14 (in het bijzonder het bovenste deel van de resist 14b) geneutraliseerd en/of verwijderd door een of meer van de hiervoor beschreven werkwijzen.

Volgens sommige uitvoeringsvormen kunnen een gedeïo-25 niseerde (Dl) waterspoeling 90 en een spindroogwerkwijze worden uitgevoerd nadat de quenchers 60 zijn verwijderd en/of geneutraliseerd. Het Dl-water 90 zal met minder waarschijnlijkheid een uitloging van de quenchers 60 veroorzaken omdat de quenchers nabij het bovenste oppervlak van de resist 14 30 zijn verwijderd en/of geneutraliseerd. Ook kan de spoel/droogstap na zeer korte tijd worden uitgevoerd (bijv. na minder dan 2 minuten) voordat de na het belichten uit te voeren bakstap (PEB, hierna zal dit nader worden beschreven) wordt uitgevoerd zodat er zeer weinig uitloging zal plaats-35 vinden, indien dat al het geval is.

Opnieuw onder verwijzing naar figuur 5, bij stap 108, wordt de wafel 10 met de belichte en behandelde resist 14 verhit voor een na het belichten uit te voeren bakstap 9 (PEB) voor oplossing van het polymeer. Deze stap laat het gevormde fotozuur (of base) reageren met het polymeer en zorgt voor de polymeeroplossing. De wafel kan worden verhit tot een temperatuur van ongeveer 85 tot ongeveer 150°C gedurende on-5 geveer 30 tot ongeveer 200 seconden, waarbij deze waarden slechts als voorbeeld zijn aangegeven.

Bij stap 110 wordt een patroonontwikkelproces uitgevoerd op het belichte (positieve) of niet belichte (negatieve) resist 14 om het gewenste maskeerpatroon achter te laten. 10 Volgens sommige uitvoeringsvormen wordt de wafel 10 ondergedompeld in een ontwikkelvloeistof gedurende een vooraf te bepalen tijdsduur, tijdens welke een deel van de resist 14 wordt opgelost en verwijderd. De wafel 10 kan worden ondergedompeld in de ontwikkeloplossing gedurende bijvoorbeeld onge-15 veer 5 tot ongeveer 60 seconden. De samenstelling van de ontwikkeloplossing is afhankelijk van de samenstelling van de resist 14 en hiervan wordt verwacht dat deze in de techniek algemeen bekend is. TMAH zoals hiervoor beschreven, is één voorbeeld van een ontwikkeloplossing.

20 Onder verwijzing naar figuur 10 is tengevolge van de uitgevoerde stappen een gewenst patroon gevormd in de resist 14, met een verminderd aantal defecten (zoals de scrum/brug van resist 14c zoals die is getoond in figuur 4).

Hoewel slechts een paar als voorbeeld dienende uit-25 voeringsvormen van deze uitvinding zijn beschreven op gedetailleerde wijze, zullen deskundigen in de techniek makkelijk begrijpen dat veel aanpassingen mogelijk zijn in de als voorbeeld gegeven uitvoeringsvormen zonder wezenlijk van de nieuwe aspecten en voordelen van deze uitvinding af te wijken.

30 Bijvoorbeeld kan de wafel 10 roteren of stationair blijven tijdens de behandeling met de vloeistof. Ook kunnen de oplossing 70 en/of het reduceermechanisme 80 superkritische fluïda of andere oplosmiddelen bevatten.

Volgens één uitvoeringsvorm is een werkwijze ver-35 schaft voor het uitvoeren van dompellithografie op een half-geleidersubstraat. De werkwijze omvat het verschaffen van een laag resist op een bovenste oppervlak van het halfgeleider-substraat en het belichten van de resistlaag met gebruikma- 10 king van een dompellithografiebelichtingssysteem. De werkwijze omvat tevens de behandeling van de resistlaag na het belichten en voorafgaand aan een na de belichting uit te voeren bakstap, waarbij deze behandeling quenchers neutraliseert die 5 zijn gediffundeerd in de resist door een fluïdum dat wordt gebruikt tijdens de belichting. Nadien worden een na het belichten uit te voeren bakstap en een ontwikkelproces uitge-voerd op de belichte en behandelde resistlaag.

Volgens sommige uitvoeringsvormen maakt de behande-10 lingsstap gebruik van een spoeloplossing met inbegrip van een stof die een polariteit heeft, welke is gekozen om de quenchers die in de resist zijn gediffundeerd, te neutraliseren. De stof kan zuur zijn om basische quenchers te neutraliseren en vice versa. De stof kan worden gekozen op basis van de 15 diffusiesnelheid die overeen moet komen met een diffusiesnel-heid van de quenchers in de resist.

In sommige uitvoeringsvormen worden een spoeling met een neutrale oplossing (bijv. gedeïoniseerd water) en een spindroging uitgevoerd na de behandeling en voorafgaand aan 20 de na de belichting uit te voeren bakstap.

Volgens sommige uitvoeringsvormen wordt de behande-lingsstap uitgevoerd met gebruikmaking van een dampoplossing, waarbij de dampoplossing een polariteit heeft die is gekozen om de quenchers die in de resist zijn gediffundeerd, te neu-25 traliseren.

In sommige uitvoeringsvormen maakt de behandelings-stap gebruik van een oplosmiddel. Het oplosmiddel verwijdert een dun bovenste deel van de resistlaag, bijvoorbeeld ongeveer 100 Angstrom dik.

30 In een andere uitvoeringsvorm wordt een werkwijze voor het behandelen van een halfgeleiderwafel verschaft nadat een dompellithografiewerkwijze een patroon heeft belicht op de resistlaag van de wafel. De werkwijze omvat het aanbrengen van een spoeling aan de resistlaag van de halfgeleiderwafel. 35 De resistlaag omvat een fotozuurgenerator voor gebruik in een opvolgende werkwijze en de spoellaag omvat een zure component voor het neutraliseren van de basische neutraliseermiddelen die van een eerste deel van een resist lekken en diffunderen 11 in een tweede deel van de resistlaag.

Het dient te worden begrepen dat verscheidene, verschillende combinaties van de hiervoor beschreven uitvoeringsvormen en -stappen kunnen worden gebruikt in verschil-5 lende volgorden of parallel, en er is geen bijzondere stap die kritisch of noodzakelijk is. Voorts kunnen maatregelen die zijn getoond en beschreven met betrekking tot sommige uitvoeringsvormen worden gecombineerd met maatregelen die zijn getoond en beschreven met betrekking tot andere uitvoe-10 ringsvormen. Derhalve vallen al deze aanpassingen binnen het bereik van de onderhavige uitvinding.

1032276.

Claims (22)

1. Werkwijze voor het uitvoeren van dompellithogra-fiebewerking op halfgeleidersubstraat, omvattende: het verschaffen van een laag van de resist op het 5 oppervlak van het halfgeleidersubstraat; het belichten van de resistlaag met gebruikmaking van een dompellithografiebelichtingssysteem, waarbij het dom-pellithografiebelichtingssysteem gebruik maakt van een fluïdum tijdens de belichting; 10 het behandelen van de resistlaag na de belichting en voorafgaand aan een na te belichting uit te voeren bakstap, waarbij de behandeling quenchers neutraliseert die zijn gediffundeerd in de resist door het fluïdum; het uitvoeren van de na de belichting uit te voeren 15 bakstap op de resistlaag; en het ontwikkelen van de belichte resistlaag.

2. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 1, waarbij de behandelingsstap gebruik maakt van een spoeloplos-sing, waarbij de spoeloplossing een stof omvat met een pola- 20 riteit die gekozen is om de quenchers die zijn gediffundeerd in de resist te neutraliseren.

3. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 2, waarbij de stof is gekozen op basis van de diffusiesnelheid, waarbij deze overeenkomt met een diffusiesnelheid van de 25 quenchers in de resist.

4. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 2, waarbij de stof relatief groot is, waardoor deze een relatief lage diffusiesnelheid in de resistlaag heeft.

5. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 2, 30 waarbij de spoeloplossing een pH heeft van minder dan 7, en de quenchers een pH hebben van groter dan 7.

6. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 5, waarbij de spoeloplossing een zuur omvat met een pH tussen ongeveer 1 en 3.

7. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 5, waarbij de spoeloplossing een fotozuurgenerator (PAG) omvat. 1032276.

8. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 5, waarbij de spoeloplossing een buffer omvat.

9. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 2, waarbij de behandelingsstap verder een spindroogstap omvat.

10. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 2, waarbij de spoeloplossing een pH heeft van groter dan 7, en de quenchers een pH hebben van minder dan 7.

11. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 10, waarbij de spoeloplossing een base omvat.

12. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 10, waarbij de spoeloplossing een fotobasegenerator (PBG) omvat.

13. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 1, verder omvattende: een spoelstap met een neutrale spoeloplossing en een 15 spindroogbehandeling na de behandeling en voorafgaand aan de na de belichting uit te voeren bakstap.

14. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 1, waarbij de behandelingsstap gebruik maakt van een dampoplos-sing, waarbij de dampoplossing een polariteit heeft die geko- 20 zen is om de quenchers die zijn gediffundeerd in de resist, te neutraliseren.

15. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 14, waarbij de dampoplossing is gekozen op basis van de diffusie-snelheid die overeenkomt met een diffusiesnelheid van de 25 quenchers in de resist.

16. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 14, waarbij de dampoplossing een of meer van een zuur, een PAG, of een buffer omvat en waarbij de resist een pH heeft van groter dan 7 en een PAG omvat.

17. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 14, waarbij de dampoplossing een of meer van een base, een PBG of een buffer omvat en waarbij de resist een pH heeft van minder dan 7 en een PBG omvat.

18. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 1, 35 waarbij de behandeling het verschaffen van een oplosmiddel aan de resistlaag omvat.

19. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 18, waarbij het oplosmiddel een dun bovenste deel van de resist- laag verwijdert.

20. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 19, waarbij het dunne bovenste deel ongeveer 100 Angstrom dik is.

21. Werkwijze in overeenstemming met conclusie 18, 5 waarbij het oplosmiddel propyleenmonomethylether omvat.

22. Werkwijze voor het behandelen van een halfgelei-derwafel nadat een dompellithografiewerkwijze een patroon heeft gevormd op een resistlaag van de wafel, waarbij de resist laag een fotozuurgenerator omvat voor gebruik in een op- 10 volgende werkwijze, waarbij de werkwijze omvat het uitvoeren van een spoeling op de resistlaag van de halfgeleiderwafel, waarbij de spoeling een zure component omvat voor het neutraliseren van een basische quencher die uitloogt uit een eerste deel van de resist en diffundeert in een tweede deel van de 15 resistlaag. 1 032276 .