MXPA00011930A

MXPA00011930A - Recubrimiento termocrom

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Publication number: MXPA00011930A
Authority: MX
Original assignee: Bruno K Meyer
Priority date: 1998-06-03
Filing date: 2000-11-30
Publication date: 2002-04-01
Also published as: JP2002516813A; ES2180308T3; EP1089945A1; PL344578A1; EP1089945B1; AU4505899A; WO1999062836A1; CA2333659A1; US6440592B1

Abstract

La invención es concerniente con un recubrimiento termocrómico que comprende una capa deóxido de vanadio (16) que contiene tungsteno y flú

Description

RECUBRIMIENTO TERMOCROMICO DESCRIPCIÓN DE IA INVENCIÓN La presente invención es concerniente con un recubrimiento termocrómico y con un proceso para la producción del mismo. Los recubrimientos de este tipo están diseñados para uso en construcción para ventanas de vidrio o recubrimientos de vidrio con el fin de tener la capacidad de influenciar el clima de la habitación en el interior de la construcción al utilizar el factor de transmisión de estos recubrimientos que cambia con la temperatura. Un material de recubrimiento que ha probado ser ventajoso para el recubrimiento de vidrio arquitectónico es el óxido de vanadio. Se sabe que el óxido de vanadio cristalino tiene una temperatura de conmutación o temperatura de cambio en la región de 68°C. Esto es, se presenta una transición de fase de semiconductor - metal a esta temperatura, de tal manera que el factor de transmisión, en particular en la región de infrarrojo, esto es, en el rango de longitud de onda de 1000 nm y mayor, es más bajo a temperaturas mayores que esta temperatura de conmutación Ts debido al estado metálico que entonces existe, que a una temperatura menor que la temperatura de conmutación, Ts, a la cual el óxido de vanadio, esto es, dióxido de vanadio, se encuentra en estado de semiconductor.

Ref: 125166 En el pasado, se han efectuado varios intentos por desplazar esta temperatura de cambio o temperatura de conmutación en la región de 68 °C a la región de la temperatura ambiente. Se ha encontrado que la impurificación del óxido de vanadio con tungsteno da como resultado un desplazamiento en la temperatura de conmutación o temperatura de cambio a la región de la temperatura ambiente, en donde el contenido de tungsteno en la presente debe estar en la región de 2.6%. Sin embargo, se ha encontrado adicionalmente que la incorporación de tungsteno puede dar como resultado una ligera reducción en el factor de transmisión en la región visible. Se conoce además la impurificación de capas de dióxido de vanadio con flúor, en donde, en el caso de impurificación con flúor, existe el problema que en la deposición de estas capas mediante bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva o de radiofrecuencia, la incorporación de flúor al reticulado de óxido de vanadio se obtiene solamente a temperaturas de deposición menores de 600 °C. Sin embargo, tales bajas temperaturas de deposición tienen un efecto sobre la estructura cristalina del reticulado de óxido de vanadio, con el resultado de que se puede presentar una transición del estado policristalino al estado amorfo con la temperatura de deposición descendente. La consecuencia de este desorden incrementado en el reticulado es una propiedad de conmutación o propiedad de cambio deteriorada de las capas obtenidas de esta manera. Es un objeto de la presente invención proporcionar un recubrimiento termocrómico, en particular de vidrio que, en tanto que tiene buenas propiedades de cambio o propiedades de conmutación buenas, tiene una temperatura de conmutación en la región de la temperatura ambiente y un comportamiento de transmisión en la región espectral visible que es mejorado en comparación con las capas conocidas. Es un objeto adicional de la presente invención proporcionar un proceso para la producción de capas de este tipo. El primer aspecto mencionado deL objetivo se obtiene de acuerdo con la presente invención mediante un recubrimiento termocrómico, en particular de vidrio, que comprende una capa de óxido de vanadio que comprende además tungsteno y flúor. Se ha encontrado que la co-impurificación del reticulado de óxido de vanadio con tungsteno y flúor da surgimiento a un efecto sinergistico que no ha sido esperado de los dos comportamientos individua Les resumidos anteriormente de los recubrimientos impurificados con tungsteno por una parte y los recubrimientos impurificados con flúor por otra parte. La co-impurificación de óxido de vanadio con tungsteno y flúor tiene en primer lugar la consecuencia de que, debido a la incorporación de tungsteno, la temperatura de conmutación Ts es disminuida a la región de la temperatura ambiente. Además, la incorporación simultánea de flúor tiene la consecuencia de que el factor de transmisión de los recubrimientos producidos de esta manera en la región espectral visible y ultravioleta, esto es en particular en el rango de longitud de onda de 500 nm o menor, es mejorado. La consecuencia de esto es que la apariencia externa puede ser mejorada significativamente debido a la neutralidad de color mejorada, en comparación con los recubrimientos termocrómicos conocidos, por ejemplo capas de óxido de vanadio impurificadas solamente con tungsteno, por medio del incremento en el factor de transmisión en el rango de longitud de onda mencionado. Estos recubrimientos conocidos tienen en general un efecto de color que se enfoca al amarillo y verde. El contenido de tungsteno en los recubrimientos termocrómicos de acuerdo con la presente invención puede estar en el rango de 0.01 a 3% atómico, de preferencia de 1.0 a 2.6% atómico. De manera correspondiente, el contenido de flúor puede estar en el rango de 0.01 a 2% atómico, de preferencia de 0.5 a 1.5% atómico. Con el fin de tener la capacidad de evitar el problema mencionado anteriormente del desorden incrementado en el reticulado en la reducción de la temperatura ambiente, que es necesario para la incorporación de flúor, en la deposición de las capas de acuerdo con la invención, se propone además que se proporcione una capa intermedia entre la capa de óxido de vanadio y un sustrato que porta esta capa de óxido de vanadio, en donde la capa intermedia comprende una capa de óxido de titanio. Se ha encontrado que, si la capa de óxido de vanadio a ser impurificada con flúor y tungsteno es depositada sobre esta capa de óxido de vanadio, los esfuerzos presentes en el reticulado de óxido de vanadio pueden ser reducidos y las condiciones de crecimiento para la capa de óxido de vanadio a las bajas temperaturas de deposición, por ejemplo en la región de 300°C, pueden ser mejoradas, de tal manera que la reducción de la temperatura de deposición al rango afirmado no da como resultado un deterioro correspondiente de las propiedades ópticas. La invención es concerniente además con un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, que comprende una capa de óxido de vanadio que comprende tungsteno, de preferencia en el rango de 1.0 a 2.6% atómico, más de preferencia en el rango de 1.6 a 2% atómico y en donde el recubrimiento comprende además una capa intermedia de óxido de titanio que es arreglada o que puede ser arreglada entre la capa de óxido de vanadio y un sustrato portador de la capa de óxido de vanadio. Se ha encontrado que la provisión de la capa intermedia de óxido de titanio también puede ser ventajosa en el caso del uso de óxido de vanadio impurificado solamente con tungsteno, en particular si por ejemplo la temperatura de deposición es disminuida con el fin de influenciar el contenido de tungsteno en la capa termocrómica. Debido a la capa de óxido de titanio, las condiciones de deposición para la capa de óxido de vanadio impurificada con tungsteno son mejoradas, como se menciona anteriormente, de tal manera que las propiedades ópticas de los recubrimientos termocrómicos de este tipo son mejoradas de una manera correspondiente. La invención es concerniente además con un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, que comprende una capa de óxido de vanadio que comprende flúor, de preferencia en el rango de 0.01 a 3% atómico, más de preferencia en el rango de 0.5 a 2.5% atómico y en donde el recubrimiento comprende además una capa intermedia de óxido de titanio que es arreglada o puede ser arreglada entre la capa de óxido de vanadio y un sustrato portador de la capa de óxido de vanadio. El efecto ventajoso descrito anteriormente de una capa intermedia de óxido de titanio también puede dar como resultado mejoras considerables en las propiedades ópticas en el caso de una capa de óxido de vanadio impurificada solamente con flúor. Con el fin de impedir la post-oxidación de la capa de óxido de vanadio - impurificada con tungsteno o tungsteno y flúor - se propone que se proporcione además una capa de cubierta de oxinitruro de silicio sobre la capa de óxido de vanadio. La capa de oxinitruro de silicio da como resultado no solamente la prevención de la post-oxidación, sino que también forma, en particular, una capa anti-reflexión, por medio de la cual la transmisión, en particular en la región espectral visible, puede ser mejorada adicionalmente. Se ha probado ventajoso que la capa de cubierta tenga un espesor en el rango de 10 a 300 nm, de preferencia de 10 a 100 nm. La capa de óxido de vanadio puede tener un espesor en el rango de 30 a 350 nm, de preferencia de 50 a 150 nm. La capa intermedia mencionada puede tener, por ejemplo, un espesor en el rango de 10 a 100 nm, de preferencia de 30 a 70 nm. El segundo aspecto mencionado del objetivo indicado anteriormente se obtiene de acuerdo con la presente invención mediante un proceso para la producción de un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, que comprende: (a) la deposición de una capa de óxido de vanadio impurificada con tungsteno y flúor. La deposición de la capa de óxido de vanadio puede ser llevada a cabo mediante un proceso de bombardeo iónico, de preferencia bombardeo iónico de alta frecuencia o bombardeo iónico con magnetrón.

Esta capa de óxido de vanadio impurificada con tungsteno y flúor puede ser depositada, por ejemplo, mediante bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva o bombardeo iónico de radiofrecuencia de un objetivo de vanadio que contiene tungsteno en una atmósfera que contiene una mezcla de oxigeno/argón y trifluorometano (CHF3) . La presión parcial del trifluorometano en la presente está de preferencia en el rango de 0.5 - 5 xlO"3 Pa. Además, la potencia de deposición está de preferencia en el rango de 200 - 600 W y la temperatura de deposición está de preferencia en el rango de 200 - 600°C, más de preferencia aproximadamente 300 °C. Este es un rango de temperatura en el cual también se obtiene la incorporación de flúor al reticulado de óxido de vanadio. Con el fin de impedir que una mezcla de fases de óxido de vanadio amorfo, que no exhibe una transición de fase de metal - semiconductor en el rango menor a 100 °C, se genere durante la deposición, una capa de óxido de titanio es de preferencia depositada sobre el sustrato antes de la etapa (a) . Como ya se mencionó, esta capa de óxido de titanio tiene la consecuencia de que los esfuerzos generados en el reticulado de óxido de vanadio son reducidos y se crean condiciones de crecimiento mejoradas par la capa de óxido de vanadio, en particular a temperaturas de deposición en la región de 300°C.

La capa de óxido de titanio puede también ser depositada mediante un proceso de bombardeo iónico, de preferencia bombardeo iónico de magnetrón o bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva o bombardeo iónico de radiofrecuencia, de un objetivo de titanio en una atmósfera que comprende una mezcla de oxigeno/argón. Cuando se lleva a cabo el bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva, la potencia de deposición durante la deposición de la capa de óxido de titanio está de preferencia en el rango de 200 a 600 y la temperatura de deposición durante la deposición de la capa de óxido de titanio está de preferencia en el rango de la temperatura ambiente a 600 °C. Con el fin de impedir la post-oxidación de la capa de óxido de vanadio depositada y el deterioro de las propiedades ópticas inducido mediante la misma, se propone que una capa de oxinitruro de silicio sea depositada sobre la capa de óxido de vanadio después de la etapa (a) . Como ya se mencionó, esta capa de oxinitruro de silicio tiene además la consecuencia de que el efecto ventajoso que actúa como una capa anti-reflexión y la transmisividad del recubrimiento de acuerdo con la invención, en particular en la región espectral visible, es mejorada mediante esto significativamente . La capa de oxinitruro de silicio puede ser depositada, por ejemplo, mediante un proceso de bombardeo iónico, de preferencia bombardeo iónico de magnetrón o bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva o de radiofrecuencia, de un objetivo de silicio en una atmósfera que comprende una mezcla de argón/oxigeno/nitrógeno. Cuando se lleva a cabo el bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva en la presente, la potencia de deposición está de preferencia en el rango de 200 a 300 W y la temperatura de deposición durante la deposición de la capa de oxinitruro de silicio está de preferencia en el rango de la temperatura ambiente a 200 °C. La presente invención es concerniente además con un proceso para la producción de un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, que comprende: (a) deposición de una capa de óxido de titanio sobre un sustrato, de preferencia un sustrato de vidrio y (b) deposición de una capa de óxido de vanadio, de preferencia impurificada con tungsteno o flúor, sobre la capa de óxido de titanio. La invención es descrita en detalle posteriormente en la presente en base a modalidades preferidas y con referencia a los dibujos adjuntos, en los cuales: La figura 1 muestra la estructura básica de un recubrimiento termocrómico de acuerdo con la invención para un vidrio de ventana; La figura 2 muestra la transmisión, dependiente de la longitud de onda, de varios recubrimientos termocrómicos a base de óxido de vanadio; La figura 3 muestra un diagrama correspondiente a la figura 1 con un contenido de flúor diferente. La figura 1 muestra la estructura básica de un ejemplo de un recubrimiento 10 de acuerdo con la invención, como puede ser aplicado, por ejemplo, a una hoja 12 de vidrio para ventana. La primera capa del recubrimiento 10, aplicada directamente a la hoja 12 de vidrio, es una capa de óxido de titanio 14, que puede ser producida mediante bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva bajo las siguientes condiciones de deposición: 1. Objetivo del bombardeo iónico: titanio 2. Gas de proceso: mezcla de oxigeno/argón que tiene una proporción en la región de 0.16 por ejemplo. 3. Presión de proceso: 10"1 Pa . 4. Potencia de deposición: 300 W 5. Temperatura de deposición: Temperatura ambiente a 600°C. De esta manera, se forma una capa de Ti02 que es una capa intermedia entre el sustrato de vidrio 12 y la capa 16 de óxido de vanadio impurificada a ser depositada subsecuentemente. Puesto que la capa 16 de óxido de vanadio va a ser impurificada con tungsteno y con flúor, la temperatura de deposición para esta debe ser disminuida a menos de 600 °C, de tal manera que, en la omisión de la capa intermedia de óxido de titanio, se producirla una mezcla de óxido de vanadio amorfo que no tiene las propiedades ópticas deseadas. La capa intermedia de Ti02 proporciona condiciones de crecimiento mejoradas para la capa de óxido de vanadio, en particular a las temperaturas de deposición más bajas. Las condiciones de deposición para la capa 16, que es producida asimismo mediante bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva y que forma la capa termocrómica real, son como sigue: 1. Objetivo de bombardeo iónico: vanadio con, por ejemplo, inserciones de tungsteno semejantes a varillas, 2. Gas de proceso: mezcla de oxigeno/argón (proporción 0.16) + CHF3 3. Presión de proceso: 10_1 Pa 4. Presión parcial de CHF3: 0.5 - 5xl0~3 Pa 5. Potencia de deposición: 200 - 600 W 6. Temperatura de deposición: 200 - 600°C Bajo estas condiciones de deposición, se puede obtener la incorporación dirigida de flúor y tungsteno al reticulado de óxido de vanadio, de tal manera que finalmente, se obtiene una capa termocrómica que puede ser descrita por la siguiente fórmula V?-.x x02-yFy.

Como se describe posteriormente con referencia a las figuras 2 y 3, la incorporación conjurta de flúor y tungsteno da como resultado en primer lugar una disminución de la temperatura de transición de fase, esto es la temperatura de conmutación Ts y en segundo lugar un desplazamiento en el borde de absorción adicionalmente a la región espectral azul. Además, se proporciona una capa de cubierta 18 de oxinitruro de silicio sobre la capa termocrómica real 16. Esta capa de cubierta de oxinitruro de silicio es producida asimismo mediante bombardeo iónico de aLta frecuencia reactiva con los siguientes parámetros de deposición: 1. Objetivo de bombardeo iónico: silicio 2. Gas de proceso: mezcla de argón/oxigeno/nitrógeno 3. Presión de proceso: 10_1 Pa 4. Potencia de deposición: 200 - 300 W 5. Temperatura de deposición: temperatura ambiente a 200°C. Una capa de cubierta que puede ser descrita por la fórmula SiOxNy es asi generada que impide en primer lugar la post-oxidación de la capa 16 de óxido de vanadio termocrómica y en segundo lugar sirve como una capa anti-reflexión, por medio de la cual la transmisión, en particular en la región espectral visible, puede ser incrementada. Las capas de oxinitruro de silicio que tienen un Índice de refracción en la región de 1.65 por ejemplo han probado ser ventajosas en la presente. Durante la deposición de la capa 18 de oxinitruro de silicio, las proporciones de los varios gases de proceso oxígeno/argón/nitrógeno (en % en volumen) deben ser ajustadas como sigue: de 0/50/50 a 50/50/0. Al hacer var Lar los valores previos, es posible ajustar, en particular, la propiedad anti-reflexión, esto es, el índice de refracción de esta capa de cubierta 18. La figura 2 muestra el comportamiento de transmisión como función de la longitud de onda para varias capas de óxido de vanadio impurificadas, en donde las capas sin una capa de cubierta adicional 18 fueron utilizadas en la presente. En particular, se muestra la comparación entre una capa impurificada solamente con tungsteno, una capa impurificada solamente con flúor y una capa impurificada con flúor y tungsteno. Las tres capas diferentes son depositadas con los siguientes parámetros de deposición: Capa impurificada con tungsteno: 1. Objetivo de bombardeo iónico: vanadio con inserciones de tungsteno 2. Gas de proceso: mezcla de oxígeno/argón en una proporción de 0.15 3. Presión de proceso: 10"1 Pa 4. Potencia de deposición: 300 W 5. Temperatura de deposición: 500°C. Se obtiene aquí un contenido de tungsteno de 1.75% atómico.

Capa impurificada con flúor: 1. Objetivo de bombardeo iónico: vanadio 2. Gas de proceso: mezcla de argón/oxígeno que tiene una proporción de 0.11 y CHF3 3. Presión parcial de CHF3: 2.6 xlO"3 Pa 4. Potencia de deposición: 300 5. Temperatura de deposición: 300 °C. Se obtiene aquí un contenido de 0.7% atómico.

Capa impurificada con W y F 1. Objetivo de bombardeo iónico: vanadio con inserciones de tungsteno 2. Gas de procese: mezcla de oxígeno/argón que tiene una proporción de 0.11 y CHF3 3. Presión de proceso: 10"1 Pa 4. Presión parcial de CHF3: 2.6 x 10"3 Pa 5. Potencia de deposición: 300 5. Temperatura de deposición: 300°C. Se obtiene aquí un contenido de tungsteno de 1.75% atómico y un contenido de flúor de 0.7% atómico.

Al comparar las tres curvas, se puede ver que la capa de óxido de vanadio impurificada con tungsteno y flúor, en comparación con la capa impurificada con tungsteno y con la capa impurificada con flúor, tiene valores de transmisión incrementados en la región de longitudes de onda pequeñas con una temperatura de conmutación Ts en la región de 19°C. En particular, esta capa impurificada con tun?jsteno y flúor tiene una longitud de onda de conmutación disminuida, en comparación con la capa impurificada solamente con flúor, esto es, la diferencia de transmisión cuando excede o cae a menos de la temperatura de conmutación comienza aún a longitudes de onda en la región de 800 nm, en comparación con aproximadamente 1000 nm en el caso de la capa impurificada con flúor. La figura 3 muestra la comparación de las curvas mostradas en la figura 2 para la capa impurificada con tungsteno y la capa impurificada con tungsteno y flúor con otra capa impurificada solamente con flúor que, debido al mayor contenido de flúor, tiene una temperatura de conmutación reducida adicionalmente, pero tiene un factor de transmisión, en particular en la región de longitudes de onda pequeñas, esto es, a aproximadamente 500 nm o menor, que es disminuido en comparación con la curva mostrada en la figura 2 para la muestra impurificada solamente con flúor.

Las condiciones de deposición para la capa impurificada solamente con flúor, que es mostrada gráficamente en la figura 3, fueron como sigue: 1. Objetivo de bombardeo iónico: vanadio 2. Gas de proceso: mezcla de oxígeno/argón que tiene una proporción de 0.09 y CHF3 3. Presión de proceso: 10"1 Pa 4. Presión parcial de CHF3: 4.7 x 10"3 Pa 5. Potencia de deposición: 300 W 5. Temperatura de deposición: 300 °C. Se obtiene aquí un contenido de flúor de 1.2% atómico. La comparación de las figuras 2 y 3 muestra que el efecto sinergístico obtenido mediante la co-impurificación de la capa de óxido de vanadio con tungsteno y flúor no podría haber sido esperado puesto que la incorporación incrementada de flúor al óxido de vanadio da surgimiento realmente a expectaciones del efecto opuesto, es decir una reducción en la transmisividad en esta región. Se debe indicar que el contenido de tungsteno de la capa termocrómica 16 puede ser controlado al cambiar la proporción en volumen de tungsteno en el objetivo de bombardeo iónico. La proporción de flúor puede ser controlada al ajustar la presión parcial de CHF3 en el gas de proceso.

La elevación del factor de transmisión en la región espectral visible y en la región azul tiene la consecuencia de que la apariencia óptica del recubrimiento termocrómico de acuerdo con la invención (con y sin una capa anti-reflexión) puede ser mejorada en comparación con las capas conocidas de la técnica previa que son impurificadas solamente con tungsteno o solamente con flúor, siendo posible no obstante hacer uso de la disminución o abatimiento de la temperatura de conmutación a la región de la temperatura ambiente por medio de la incorporación de tungsteno. Como se puede ver en las figuras 2 y 3, el rango de longitud de onda del cual, en la presencia del comportamiento de conmutación o cambio, se presenta una diferencia de transmisión entre la fase metálica y la fase semiconductora, se incrementa debido a la incorporación de flúor en comparación con el material impurificado solamente con tungsteno. Sin embargo, este rango de longitud de onda es no obstante todavía significativamente menor de 1000 nm. Se debe indicar que una mejora en el comportamiento de transmisión puede ser obtenido solamente mediante la provisión de una capa intermedia de óxido de titanio entre el sustrato de vidrio y la capa de óxido de vanadio, en particular aún si Jas capas son impurificadas solamente con tungsteno o flúor. La razón de esto es otra vez la mejora mencionada anteriormente en las condiciones de crecimiento para la capa de óxido de vanadio y la mejora consecuente en la estructura cristalina. Esto significa que únicamente el arreglo de una capa intermedia de óxido de titanio debajo de la capa de óxido de vanadio da como resultado tales condiciones de crecimiento mejoradas y consecuentemente estructuras cristalográficas mejoradas en la capa de óxido de vanadio, que sus propiedades ópticas pueden ser mejoradas significativamente, independientemente de si no hay impurificación o si la impurificación se lleva a cabo con tungsteno y/o flúor. Se debe indicar que la impurificación del óxido de vanadio exclusivamente con flúor se puede obtener, por ejemplo, utilizando un objetivo de bombardeo iónico que consiste únicamente de un centro o núcleo de vanadio sin inserciones de tungsteno. Una capa de óxido de vanadio sin impurificar puede además ser obtenida al impedir adicionalmente la incorporación de flúor al omitir el gas de proceso que contiene flúor. Las condiciones de deposición para tales capas, esto es la temperatura y potencia, pueden ser seleccionadas como se indica en los ejemplos mencionados anteriormente. Se debe indicar además que, aunque la producción del recubrimiento de acuerdo con la invención mediante un proceso de bombardeo iónico de alta frecuencia se ha descrito anteriormente, otros procesos de bombardeo iónico pueden también ser empleados, tales como por ejemplo bombardeo iónico de magnetrón. Aquí también, los valores o rangos de valores de los parámetros como se indica por ejemplo anteriormente pueden otra vez ser usados para las condiciones de deposición respectivas. Sin embargo, La ventaja de producción del recubrimiento mediante bombardeo iónico de magnetrón es que la potencia de deposición puede ser reducida, en comparación con el bombardeo iónico de alta frecuencia, que da como resultado la ventaja considerable de costos de producción reducidos, en particular en el uso a escala industrial grande. También se debe indicar que el término óxido de vanadio como se usa en el presente texto significa en general un reticulado de dióxido de vanadio (V02) en el cual, por ejemplo en el caso de impurificación con flúor, el oxígeno es reemplazado por flúor en algunas posiciones. De manera correspondiente, el vanadio es reemplazado por tungsteno en algunas posiciones en el caso de impurificación con tungsteno. Sin embargo, se retiene en general la estructura de reticulado policristalino del dióxido de vanadio. Se hace constar que, con relación a esta fecha, el mejor método conocido por la solicitante para llevar a la práctica la citada invención, es el que resulta claro de la presente descripción de la invención.

Claims

REIVINDICACIONES Habiéndose descrito la invención como antecede, se reclama como propiedad, lo contenido en las siguientes reivindicaciones : 1. Un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, caracterizado porque comprende una capa de óxido de vanadio que comprende además tungsteno y flúor. 2. El recubrimiento de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el contenido de tungsteno está en el rango de 0.01 a 3.0% atómico, de preferencia de 1.0 a 2.6% atómico. 3. El recubrimiento de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 y 2, caracterizado porque el contenido de flúor está en el rango de 0.01 a 2% atómico, de preferencia de 0.5 a 1.5% atómico. . El recubrimiento de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque comprende una capa intermedia para su arreglo entre un sustrato portador de la capa de óxido de vanadio y la capa de óxido de vanadio, en donde la capa intermedia comprende una capa de óxido de titanio. 5. Un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, caracterizado porque comprende una capa de óxido de vanadio que comprende tungsteno, de preferencia en el rango de 1.0 a 2.6% atómico, más de preferencia en el rango de 1.6 a 2.0% atómico y en donde el recubrimiento comprende además una capa intermedia de óxido de titanio que es arreglada o puede ser arreglada entre la capa de óxido de vanadio y un sustrato portador de la capa de óxido de vanadio. 6. Un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, caracterizado porque comprende una capa de óxido de vanadio que comprende flúor, de preferencia en el rango de 0.01 a 3% atómico y en donde el recubrimiento comprende además una capa intermedia de óxido de titanio que es arreglada o puede ser arreglada entre la capa de óxido de vanadio y un sustrato portador de la capa de óxido de vanadio. 7. El recubrimiento de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado porque comprende además una capa de cubierta de oxinitruro de silicio sobre la capa de óxido de vanadio. 8. El recubrimiento de conformidad con la reivindicación 7, caracterizado porque la capa de cubierta tiene un espesor en el rango de 10 a 300 nm, de preferencia de 10 a 100 nm. 9. El recubrimiento de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8, caracterizado porque la capa de óxido de vanadio tiene un espesor en el rango de 30 a 350 nm, de preferencia de 50 a 150 nm. 10. El recubrimiento de conformidad con cualquiera de las reivindicaciones 4, 5 y 6 o una de las reivindicaciones 7 a 9, si son dependientes de las reivindicaciones 4, 5 y 6, caracterizado porque la capa intermedia tiene un espesor en el rango de 10 a 100 nm, de preferencia de 30 a 70 nm. 11. Un proceso para la producción de un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, caracterizado porque comprende: (a) deposición de una capa de óxido de vanadio impurificado con tungsteno y flúor. 12. El proceso de conformidad con la reivindicación 11, caracterizado porque la deposición de la capa de óxido de vanadio se lleva a cabo mediante un proceso de bombardeo iónico, de preferencia un bombardeo iónico de alta frecuencia o de magnetrón. 13. El proceso de conformidad con la reivindicación 11 o la reivindicación 12, caracterizado porque la capa de óxido de vanadio impurificada es depositada mediante bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva de un objetivo de vanadio que contiene tungsteno en una atmósfera que comprende una mezcla de oxígeno/argón y trifluorometano. 14. El proceso de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque la presión parcial del trifluorometano está en el rango de 0.5 - 5 x 10"3 Pa. 15. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones 13 y 14, caracterizado porque la potencia de deposición durante la deposición de la capa de óxido de vanadio está en el rango de 200 - 600 . 16. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones 13 a 15, caracterizado porque la temperatura de deposición durante la deposición de la capa de óxido de vanadio está en el rango de 200 - 600°C, de preferencia aproximadamente 300 °C. 17. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones 11 a 16, caracterizado porque comprende además, antes de la etapa (a) , la deposición de una capa de óxido de titanio sobre el sustrato. 18. El proceso de conformidad con la reivindicación 17, caracterizado porque la capa de óxido de titanio es depositada mediante un proceso de bombardeo iónico, de preferencia bombardeo iónico de magnetrón o bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva de un objetivo de titanio en una atmósfera que comprende una mezcla de oxígeno/argón. 19. El proreso de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porque, durante la ejecución del bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva, la potencia de deposición durante la deposición de la capa de óxido de titanio está en el rango de 200 a 600 W. 20. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones 18 y 19, caracterizado porque, durante la ejecución del bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva, la temperatura de deposición durante la deposición de la capa de óxido de titanio está en el rango de la temperatura ambiente a 600°C. 21. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones 11 a 20, caracterizado porque comprende además, después de la etapa (a) , deposición de una capa de oxinitruro de silicio sobre la capa de óxido de vanadio. 22. El proceso de conformidad con la reivindicación 21, caracterizado porque la capa de oxinitruro de silicio es depositada mediante un proceso de bombardeo iónico, de preferencia bombardeo iónico de magnetrón o bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva, de un objetivo de silicio en una atmósfera que comprende una mezcla de argón/oxígeno/nitrógeno . 23. El proceso de conformidad con la reivindicación 22, caracterizado porque, durante la ejecución del bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva, la potencia de deposición durante la deposición de la capa de oxinitruro de silicio está en el rango de 200 a 300 W. 24. El proceso de conformidad con una de las reivindicaciones 22 y 23, caracterizado porque, durante la ejecución del bombardeo iónico de alta frecuencia reactiva, la temperatura de deposición durante la deposición de la capa de oxinitruro de silicio está en el rango de la temperatura ambiente a 200°C. 25. Un proceso para la producción de un recubrimiento termocrómico, en particular para vidrio, caracterizado porque comprende: (a) deposición de una capa de óxido de titanio sobre un sustrato, de preferencia un sustrato de vidrio y (b) deposición de una capa de óxido de vanadio, de preferencia impurificado con tungsteno o flúor, sobre la capa de óxido de titanio, opcionalmente en combinación con una o más de las características de las reivindicaciones 12 a 24.