KR980011700A - Focus management method in photolithography process - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포토리소그래피 공정에서의 포커스 관리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 포커스 관리 방법은 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크 내의 소정의 위치에 포커스 확인용 패턴을 부가하는 단계와, 상기 포토마스크에 의해 웨이퍼 상에 형성된 실제 패턴의 단면 프로파일 및 평면 형상을 확인하는 단계와, 상기 결과에 따라서 레벨링을 보정하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 반도체 제조를 위한 포토래소그래피 공정에서 광학 필드 내의 포커스를 효율적으로 관리할 수 있다.A focus management method according to the present invention includes the steps of adding a focus confirmation pattern to a predetermined position in a photomask used for a photolithography process for manufacturing a semiconductor, Confirming a cross-sectional profile and a planar shape of an actual pattern formed on the wafer by the photomask, and correcting the leveling according to the result. According to the present invention, focus in an optical field can be efficiently managed in a photolithography process for semiconductor fabrication.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.
본 발명은 포토리소그래피 공정에서의 포커스 관리 방법에 관한 것으로, 특히 패턴의 프로파일 및 형상을 확인하기 위한 패턴을 마스크 또는 레티클 내에 별도로 형성하는 포커스 관리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a focus management method in a photolithography process, and more particularly to a focus management method for separately forming a pattern for confirming a profile and a shape of a pattern in a mask or a reticle.
반도체 제품의 고용량화가 요구됨에 따라서 고집적화가 이루어지고 있기는 하나, 아직 만족할 만한 정도에는 미치지 못하고 있다. 따라서, 제품의 크기, 즉 칩 사이즈가 점차 커지고, 그에 따라 필요로 하는 노광 장비의 광학 필드 사이즈도 커지고 있다.As high capacity of semiconductor products is required, high integration has been achieved, but it has not yet reached satisfactory level. Therefore, the size of the product, that is, the chip size, gradually increases, and accordingly, the required optical field size of the exposure equipment is also increasing.
반도체 제조 공정중에서 포토리소그래피 공정에서는 광학 필드 내의 각종 조건이 균일하게 유지되도록 관리하여야 하나, 광학 필드 시이즈가 점차 커지기 때문에 광학 필드 내의 각종 조건이 균일하게 되도록 관리하는 것이 점차 어려워지고 있다. 특히, 필드 내의 포커스 균일도(uniformity)가 패터닝 및 CD(Critcal Diminsion)에 미치는 영향이 매우 크다, 또한, 반도체 장치의 고집적화가 요구됨에 따라 디자인 룰이 더욱 엄격해져서 포토리소그래피 공정에서의 포커스 마진이 더욱 부족해지고 있다. 따라서, 포커스의 균일도를 특별히 관리하여야 할 필요가 있다.In the photolithography process in the semiconductor manufacturing process, it is necessary to manage various conditions in the optical field uniformly. However, since the optical field size gradually increases, it becomes increasingly difficult to manage various conditions in the optical field to be uniform. Particularly, the influence of the uniformity of the focus in the field on the patterning and CD (Critcal Diminsion) is very large. Further, as the semiconductor device is required to be highly integrated, the design rule becomes more severe and the focus margin in the photolithography process becomes more insufficient It is becoming. Therefore, it is necessary to specifically manage the focus uniformity.
현재까지는, 광학 필드 내의 포커스 균일도를 관리하기 위하여 SEM 등을 이용하여 CD 및 패턴 프로파일을 검사하였다. 그러나, 이와 같은 방법은 콤택홀 패턴에서는 그 정도를 파악하기가 어렵다.Up to now, CD and pattern profiles have been inspected using an SEM or the like to manage the focus uniformity in the optical field. However, such a method is difficult to grasp in the complex hole pattern.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에서 관학 필드 내의 포커스를 효율적으로 관라힘으로써 포커스 균일도를 향상시킬 수 있는 포커스 관리 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a focus management method capable of improving focus uniformity by effectively managing focus in a field of culture in a photolithography process for manufacturing semiconductors.
제1도는 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에서 본 발명의 방법을 행하는 데 사용되는 포토마스크를 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view showing a photomask used for carrying out the method of the present invention in a photolithography process for semiconductor fabrication.
제2도는 광학 필드내에서의 포커스 확인용 패턴의 위치를 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view showing the position of the focus confirmation pattern in the optical field. FIG.
제3도 내지 제5도는 상기 도 1의 포토마스크에 의해 에이퍼상에 형성된 실제 패턴의 단면 프로파일 및 평면 형상으로 나타낸 도면이다.FIGS. 3 to 5 are views showing a cross-sectional profile and a planar shape of an actual pattern formed on the aperator by the photomask of FIG.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 제조를위한 포토리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크 내의 소정의 위치에 포커스 확인용 패턴을 부가하는 단계와, 상기 포토마스크에 의행 웨이퍼상에 형성된 실제패턴의 단면 프로파일 및 평면 형상을 확인하는 단계와, 상기 확인 결과에 따라서 레벨링을 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리소그래피 공정에서의 포커스 관리 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: attaching a focus confirmation pattern to a predetermined position in a photomask used for a photolithography process for manufacturing a semiconductor; And correcting the leveling in accordance with the result of the check. The focus management method of the present invention includes the steps of:
바람직하게는, 상기 포커스 확인용 패턴을 부가하는 단계에서 상기 포토마스크 내의 소정의 위치는 관학 필드 내의 센터 부분과, 사방의 모서리 부분중 어느 한 부분 또는 2 이상의 부분이다.Preferably, the predetermined position in the photomask in the step of adding the focus confirmation pattern is at least one of a center portion in a culture field and a corner portion in all directions or two or more portions.
또한 바람직하게는, 상기 포커스 확인용 패턴을 부가하는 단계에서 상기 포커스 확인용 패턴은 라인 앤드 스페이스 패턴(line space pattern), 아일랜드 패턴(island) 또는 콘택홀 패턴(contact hole pattern)으로 형성될 수 있다.Also, preferably, in the step of adding the focus confirmation pattern, the focus confirmation pattern may be formed of a line-and-space pattern, an island pattern, or a contact hole pattern .
본 발명에 의하면, 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에서 광학 필드 내의 포커스를 효율적으로 관리 할 수 있다.According to the present invention, focus in an optical field can be efficiently managed in a photolithography process for semiconductor fabrication.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Next, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에서 본 바람직한 실시예에 따른 포커스 관리 방법을 설명하면 다음과 같다.A focus management method according to a preferred embodiment of the photolithography process for manufacturing a semiconductor will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.
도 1은 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에 사용되는 포토마스크 내의 소정의 위치에 포커스 확인용 패턴을 부가하는 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 1에 있어서, (a)는 본 발명의 방법에 사용되는 포토마스크의단면도이고, (b)는 그 평면도이다.1 is a view for explaining a step of adding a focus confirmation pattern to a predetermined position in a photomask used for a photolithography process for semiconductor fabrication. In Fig. 1, (a) is a cross-sectional view of a photomask used in the method of the present invention, and (b) is a plan view thereof.
도 1 (a) 및 (b)를 참조하면, 본 발명의 방법을 실시하기 위한 포토마스크를 제작하기 위하여 투명한 기판(10)상에 크롬막에 의해서 차광막 패턴(12)이 형성된 포토마스크를 형성한다.1 (a) and 1 (b), in order to manufacture a photomask for carrying out the method of the present invention, a photomask in which a light-shielding film pattern 12 is formed by a chromium film is formed on a transparent substrate 10 .
도 1 (b)에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀 패턴이 형성되는 사이즈 및 피치(pitch)를 다양한 크기로 배열하고, 이를 노광 에너지에 따라 구별할 수 있도록 한다.As shown in FIG. 1 (b), the sizes and pitches in which the contact hole patterns are formed are arranged in various sizes, and they can be distinguished according to the exposure energy.
상기 포커스 확인용 패턴은 콘택홀 패턴 외에도 라인 앤드 스페이스 패턴(line space pattern), 아일랜드 패턴(island) 등으로 형성하는 것도 가능하다.The focus confirmation pattern may be formed of a line-and-space pattern, an island pattern, or the like in addition to the contact hole pattern.
도 2는 상기 포토마스크 내에 형성된 포커스 확인용 패턴의 광학 필드 내에서의 위치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2에서 a ~ e로 표사한 바와 같이, 상기 투명한 기판(10)상에 차광막 패턴(12)에 의해 형성된 포커스 확인용 패턴은 바람직하게는 광학 필드 내의 센터 부분(a)과, 사방의 모서리 부분(b ~ e)중 어느 한 부분 또는 2 아상의 부분에 형성될 수 있다.Fig. 2 is a view for explaining the position in the optical field of the focus confirmation pattern formed in the photomask. Fig. 2, the focus confirmation pattern formed by the light-shielding film pattern 12 on the transparent substrate 10 preferably has a center portion (a) in the optical field, a corner portion (b) to (e).
도 3 내지 도 5는 상기 포토마스크에 의해 웨이퍼상에 형성된 실제 패턴의 단면 프로파일 및 평면 형상을 확인하는 단계를 설명하기 위한 도면으로서, 상기 도 1b에 도시한 바와 같은 패턴을 웨이퍼상에 형성시킨 결과를 나타낸 것이다.FIGS. 3 to 5 are diagrams for explaining a step of confirming a cross-sectional profile and a planar shape of an actual pattern formed on a wafer by the photomask, wherein a pattern as shown in FIG. 1B is formed on a wafer .
도 3은 (-) 방향으로 디포커스(defocus)된 경우, 도 4는 정상 포커스의 경우, 도 5는 (+) 방향으로 디포커스된 경우로서, 도 3 내지 도 5의 각 (a)는 수직 프로파일, 각 (b)는 그 평면도를 나타낸다.FIG. 3 shows the case of defocusing in the negative direction, FIG. 4 shows the case of normal focus, FIG. 5 shows the case of defocusing in the positive direction, Profile, angle (b) shows its plan view.
그 후, 상기 확인 결과에 따라서, 광학 필드 내의 포커스 차이를 수치화하여 레벨링을 보정한다. 이와 같은 방법에 의해 포커스 균일도를 향상시킬 수 있다.Thereafter, according to the confirmation result, the focus difference in the optical field is digitized to correct the leveling. The focus uniformity can be improved by such a method.
상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면 반도체 제조를 위한 포토리소그래피 공정에서 광학 필드 내의 포커스를 효율적으로 관리할 수 있다.As described above, according to the present invention, focus in an optical field can be efficiently managed in a photolithography process for manufacturing a semiconductor.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여려 가지 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but variations and modifications may be made by those skilled in the art within the technical scope of the present invention. It is possible.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960031085A KR980011700A (en) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Focus management method in photolithography process |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019960031085A KR980011700A (en) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Focus management method in photolithography process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR980011700A true KR980011700A (en) | 1998-04-30 |
Family
ID=66250016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019960031085A KR980011700A (en) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | Focus management method in photolithography process |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR980011700A (en) |
-
1996
- 1996-07-29 KR KR1019960031085A patent/KR980011700A/en not_active Application Discontinuation
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