KR970076879A - 동적 메모리 장치의 테스트 회로 - Google Patents
동적 메모리 장치의 테스트 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970076879A KR970076879A KR1019960016306A KR19960016306A KR970076879A KR 970076879 A KR970076879 A KR 970076879A KR 1019960016306 A KR1019960016306 A KR 1019960016306A KR 19960016306 A KR19960016306 A KR 19960016306A KR 970076879 A KR970076879 A KR 970076879A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- address
- refresh
- memory device
- dynamic memory
- generating means
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
본 발명은 동적 메모리 장치의 테스트 회로를 공개한다. 그 회로는 동적 메모리 장치, 및 상기 동적 메모리 장치의 셀이 억세스되는 시간간격이 상기 동적 메모리 장치의 스펙에서 요구하는 리플레쉬 시간보다 큰 경우에 리플레쉬 횟수를 결정하고, 리플레쉬 포인트 어드레스를 결정하기 위한 비스트 제어수단, 상기 동적 메모리 장치의 테스트를 위한 어드레스를 발생하기 위한 어드레스 발생수단, 상기 어드레스 발생수단에 의해서 발생된 어드레스에 해당하는 데이타를 발생하기 위한 데이타 발생수단, 및 상기 어드레스 발생수단에 의해서 발생된 어드레스와 상기 비스트 제어수단에 의해서 발생된 리프레쉬 포인트 어드레스가 동일하지를 비교하여 동일하면, 상기 어드레스 발생수단을 디스에이블하고 상기 비교수단의 출력신호가 동일하면, 리플레쉬 어드레스를 발생하여 상기 동적 메모리 장치를 리플레쉬하기 위한 리플레쉬 어드레스를 발생하기 위한 리플레쉬 어드레스 발생수단을 구비한 비스트로 구성되어 있다. 따라서, 테스트중에 동적 메모리 장치를 효과적으로 리플레쉬할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 동적 메모리 장치의 테스트 회로의 블럭도이다. 제3도는 제도에 나타낸 비스트 제어회로(50)의 리플레쉬 횟수 결정방법을 나타내는 흐름도이다. 제4도는 제2도에 나타낸 본 발명의 동적 메모리 장치의 테스트 회로를 이용한 리플레쉬 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
Claims (2)
- 동적 메모리 장치; 및 상기 동적 메모리 장치의 셀이 억세스되는 시간간격이 상기 동적 메모리 장치의 스펙에서 요구하는 리플레쉬 시간보다 큰 경우에 리플레쉬 횟수를 결정하고, 리플레쉬 포인트 어드레스를 결정하기 위한 비스트 제어수단; 상기 동적 메모리 장치의 테스트를 위한 어드레스를 발생하기 위한 어드레스 발생수단; 상기 어드레스 발생수단에 의해서 발생된 어드레스에 해당하는 데이타를 발생하기 위한 데이타 발생수단; 상기 어드레스 발생수단에 의해서 발생된 어드레스와 상기 비스트 제어수단에 의해서 발생된 리플레쉬 포인트 어드레스가 동일한지를 비교하여 동일하면, 상기 어드레스 발생수단을 디스에이블하기 위한 비교수단; 상기 비교수단의 출력신호가 동일하면, 리플레쉬 어드레스를 발생하여 상기 동적 메모리 장치를 리플레쉬하기 위한 리플레쉬 어드레스를 발생하기 위한 리플레쉬 어드레스 발생수단; 및 상기 비스트 제어수단의 제어신호에 응답하여 상기 어드레스 발생수단의 출력신호 또는 상기 리플레쉬 어드레스 발생수단의 출력신호를 선택적으로 출력하기 위한 선택수단을 구비한 비스트를 구비한 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치의 테스트 회로.
- 동적 메모리 장치; 및 상기 동적 메모리 장치의 셀이 억세스되는 시간간격이 상기 동적 메모리 장치의 스펙에서 요구하는 리플레쉬 시간보다 큰 경우에 리플레쉬 횟수를 결정하고,리플레쉬 포인트 어드레스를 결정하기 위한 비스트 제어수단; 상기 동적 메모리 장치의 테스트를 위한 어드레스를 발생하기 위한 어드레스 발생수단; 상기 어드레스 발생수단에 의해서 발생된 어드레스에 해당하는 데이타를 발생하기 위한 데이타 발생수단; 및 상기 어드레스 발생수단에 의해서 발생된 어드레스와 상기 비스트 제어수단에 의해서 발생된 리플레쉬 포인트 어드레스가 동일한지를 비교하여 동일하면, 상기 어드레스 발생수단을 디스에이블하고 상기 비교수단의 출력신호가 동일하면, 리플레쉬 어드레스를 발생하여 상기 동적 메모리 장치를 리플레쉬하기 위한 리플레쉬 어드레스 발생하기 위한 리플레쉬 어드레스를 발생수단을 구비한 비스트를 구비한 것을 특징으로 하는 동적 메모리 장치의 테스트 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016306A KR100212136B1 (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 동적 메모리 장치의 테스트 회로 |
| US08/850,807 US5844914A (en) | 1996-05-15 | 1997-05-02 | Test circuit and method for refresh and descrambling in an integrated memory circuit |
| JP11579097A JP3699245B2 (ja) | 1996-05-15 | 1997-05-06 | テスト回路を有する半導体集積回路及びテスト回路を有する半導体集積回路のテスト方法 |
| CN97113300A CN1106648C (zh) | 1996-05-15 | 1997-05-15 | 带有测试电路的半导体集成电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016306A KR100212136B1 (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 동적 메모리 장치의 테스트 회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076879A true KR970076879A (ko) | 1997-12-12 |
| KR100212136B1 KR100212136B1 (ko) | 1999-08-02 |
Family
ID=19458839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960016306A KR100212136B1 (ko) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | 동적 메모리 장치의 테스트 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100212136B1 (ko) |
-
1996
- 1996-05-15 KR KR1019960016306A patent/KR100212136B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100212136B1 (ko) | 1999-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100608370B1 (ko) | 메모리 장치의 리프레쉬 수행 방법 | |
| KR920010639A (ko) | 강유전성 메모리용 감지증폭기 및 그 감지방법 | |
| KR940001163A (ko) | 셀프-리프레쉬 기능을 테스트하는데 요구되는 시간을 단축하는데 적합한 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 장치 | |
| KR970051182A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR950012454A (ko) | 다수의 내부 전원을 갖는 동적 메모리장치 | |
| KR930010985A (ko) | 저전력 데이타 리텐션 기능을 가지는 반도체 메모리장치 | |
| KR970051141A (ko) | 단일 ras 신호에 의해 동시 동작이 가능한 이중뱅크를 갖는 반도체 메모리장치 | |
| KR960038982A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
| KR900002306A (ko) | 리프레쉬 제어회로 | |
| KR940004654A (ko) | 다이나믹 메모리 장치 | |
| KR960025733A (ko) | 디램(dram) 리프레쉬 회로 | |
| KR970072256A (ko) | 내장용 자가 테스트 장치를 이용하여 다이나믹 랜덤 억세스 메모리에서 서브 어레이 테스트를 위한 장치 및 방법 | |
| KR940010102A (ko) | 어드레스 전이 검출기를 포함하는 개선된 반도체 기억장치 | |
| KR890016677A (ko) | 반도체메모리 | |
| KR900002304A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970067367A (ko) | 단일칩 동기식 다이너믹 랜덤 억세스 메모리(dram) 시스템 | |
| KR960009093A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR940006149A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| KR100712492B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 셀프 리프레쉬 회로 및 그 방법 | |
| KR960025776A (ko) | 셰어드 센스앰프 방식의 센스 램프로 소비되는 전력을 경감한 반도체 기억 장치 | |
| KR960038979A (ko) | 외부 입출력제어신호에 대한 입력버퍼회로의 관통전류를 제어할 수 있는 다이나믹형 반도체 기억장치 | |
| KR970076879A (ko) | 동적 메모리 장치의 테스트 회로 | |
| KR100286346B1 (ko) | 에스디램의 리프레쉬 회로 | |
| KR930001064A (ko) | 주 기억 장치의 자체 시험 시간 단축 방법 | |
| KR0172233B1 (ko) | 분배형 리프레쉬 모드 제어회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080502 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |