KR970055256A - 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조 - Google Patents

병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR970055256A
KR970055256A KR1019950050533A KR19950050533A KR970055256A KR 970055256 A KR970055256 A KR 970055256A KR 1019950050533 A KR1019950050533 A KR 1019950050533A KR 19950050533 A KR19950050533 A KR 19950050533A KR 970055256 A KR970055256 A KR 970055256A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
transistor
emitter
parallel feedback
feedback transistor
Prior art date
Application number
KR1019950050533A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0176094B1 (ko
Inventor
박문평
기현철
박성호
이태우
송기문
Original Assignee
이준
한국전기통신공사
양승택
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이준, 한국전기통신공사, 양승택, 한국전자통신연구원 filed Critical 이준
Priority to KR1019950050533A priority Critical patent/KR0176094B1/ko
Priority to US08/747,083 priority patent/US5821812A/en
Publication of KR970055256A publication Critical patent/KR970055256A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0176094B1 publication Critical patent/KR0176094B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45511—Indexing scheme relating to differential amplifiers the feedback circuit [FBC] comprising one or more transistor stages, e.g. cascaded stages of the dif amp, and being coupled between the loading circuit [LC] and the input circuit [IC]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45528—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more passive resistors and being coupled between the LC and the IC
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45566—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more dif stages in cascade with the dif amp
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45652—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more further dif amp stages, either identical to the dif amp or not, in cascade
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45702—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45722—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more source followers, as post buffer or driver stages, in cascade in the LC

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조에 관한 것으로서, 종래의 병렬 궤환 트랜지스터를 갖는 광대역 증폭기의 대역폭 저하 요소들을 감소시키기 위해 병렬 궤환 트랜지스터의 에미터 마디들과 교류접 지점과의 사이에 용량성 소자를 연결하고, 또한 병렬 궤환 트랜지스터의 에미터 마디들에서 출력이 나오게 하며, 에미터 플로워 버퍼회로를 병렬 궤환 트랜지스터의 각 에미터 마디에 연결하여 에미터 플로워 버퍼 트랜지스터의 콜렉터 기생용량을 활용하여 부궤환 전류를 누설시킴으로써 회로의 복잡성을 전혀 증가시키지 않으면서 대역폭이 크게 증가시킬 수가 있는 것이다.

Description

병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 PFT 광대역 증폭 회로도이다.
제3도는 부궤환 누설전류(negative feedback leakage current)에 의한 대역폭 특성 변화도이다.

Claims (3)

  1. 제1마디(1), 제1저항 소자(2), 제2마디(3), 제3마디(4), 제1트랜지스터(5), 제4마디(6), 제1전류원(7), 제5마디(8), 제2트랜지스터(9), 제6마디(10), 제4저항소자(11), 그리고 제7마디(12)를 포함하는 외부 차동증폭기(100)와, 제2저항소자(15), 제8마디(16), 제3트랜지스터(17), 제9마디(18), 제2전류원(19), 제6트랜지스터(20), 제10마디(21), 그리고 제3저항소자(22)를 포함하는 내부 차동 증폭기(200)와, 제4트랜지스터(23), 제3전류원(25), 제4전류원(26), 제12마디(27), 그리고 제5트랜지스터(28)를 포함하는 에미터 플로워 버퍼회로(300)와, 그리고 제5저항소자(29), 제13마디(30), 제9트랜지스터(31), 제14마디(32), 제5전류원(33), 제10트랜지스터(34), 제15마디(35), 그리고 제6저항소자(36)를 포함하는 부하(400)로 구성되는 광대역 증폭기 구조에 있어서, 상기 병렬 궤환 트랜지스터인 제1트랜지스터(14)의 에미터 마디인 제1마디(1) 및 제7트랜지스터(13)의 에미터 연결 마디인 제7마디(12)와 교류 접지점과의 사이에 용량성 소자를 연결하는 것을 특징으로 하는 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터(14)의 에미터 마디인 제1마디(1)과 상기 제7트랜지스터(13)의 에미터 마디인 제7마디(12)에서 출력이 나오게 하는 것을 특징으로 하는 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터(14)의 에미터 마디인 제1마디(1)과 상기 제7트랜지스터(13)의 에미터 마디인 제7마디(12)에 상기 에미터 플로워 버퍼회로(300)를 연결하여 에미터 플로워 버퍼 트랜지스터(23,38)의 콜렉터 기생용량을 활용하여 부궤환 전류를 누설시키는 것을 특징으로 하는 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050533A 1995-12-15 1995-12-15 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조 KR0176094B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050533A KR0176094B1 (ko) 1995-12-15 1995-12-15 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조
US08/747,083 US5821812A (en) 1995-12-15 1996-11-13 Wideband amplifier using parallel feedback transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050533A KR0176094B1 (ko) 1995-12-15 1995-12-15 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970055256A true KR970055256A (ko) 1997-07-31
KR0176094B1 KR0176094B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=19440501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950050533A KR0176094B1 (ko) 1995-12-15 1995-12-15 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5821812A (ko)
KR (1) KR0176094B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19909492A1 (de) * 1999-03-04 2000-09-07 Philips Corp Intellectual Pty Differenzverstärker
US6356147B1 (en) 2000-12-19 2002-03-12 International Business Machines Corporation Wideband dual amplifier circuits
US6661288B2 (en) * 2002-02-09 2003-12-09 Texas Instruments Incorporated Apparatus for effecting high speed switching of a communication signal
JP2004007085A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Nec Corp 帰還増幅器
US7212071B2 (en) 2003-10-24 2007-05-01 Intel Corporation Techniques to lower drive impedance and provide reduced DC offset
US7646244B1 (en) * 2008-07-24 2010-01-12 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for unity gain buffer with high switching speed and low quiescent current

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE1007613A3 (nl) * 1993-10-11 1995-08-22 Philips Electronics Nv Frekwentiecompensatiecircuit voor stabilisatie van een verschilversterker met kruisgekoppelde transistors.

Also Published As

Publication number Publication date
KR0176094B1 (ko) 1999-04-01
US5821812A (en) 1998-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6160450A (en) Self-biased, phantom-powered and feedback-stabilized amplifier for electret microphone
KR950035052A (ko) 아날로그 필터회로 및 그것을 사용한 반도체 집적회로장치
KR900017281A (ko) 능동 필터 회로
JPH03159410A (ja) カレントミラー回路
KR970055256A (ko) 병렬 궤환 트랜지스터를 이용한 광대역 증폭기 구조
KR890004501A (ko) 대칭 증폭기 부하회로 및 논리 레벨 조정용 증폭기
KR960027269A (ko) 자이레이터 회로를 사용한 접지형 인덕턴스 회로
KR970068131A (ko) 저잡음 증폭기
US20240154583A1 (en) Super source follower
KR970024513A (ko) 연산증폭기 및 디지탈신호전달회로
KR870001504A (ko) 전류미터회로
US3995175A (en) High impedance voltage probe
KR960039634A (ko) 저전원전압 반도체 장치의 입력버퍼
KR900004096A (ko) 증폭회로
KR860007778A (ko) 증폭기 장치 및 푸시풀 증폭기
JP2003124757A (ja) アーリー効果の影響を低減する方法および装置
JPS6458106A (en) Differential input stage, digital differential line receiver and operational amplifier
KR910021007A (ko) 증폭기
KR970055246A (ko) 자이레이터 회로를 사용한 복조 회로
KR970077970A (ko) 차동 증폭기
KR940012802A (ko) 모스(mos) 기법 증폭기 회로
KR930011274A (ko) 입력회로
JP2518320Y2 (ja) 接合形ｆｅｔ入力バッファ
KR930001565A (ko) 주 신호 통로와 하이패스 필터 특성의 보조적인 신호 통로를 가지는 노이즈 감소회로
CN219760969U (zh) 一种基于自举电压的高输入阻抗源极跟随器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20031030

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee