KR970018887A - 히트 싱크를 가지는 레이저 다이오드 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 레이저 다이오드 소자에 있어서 반도체 본체(1)는 냉각체(12)와 전기 및 열 전도성 접속판(3)으로 이루어지는 히트 싱크에 고정된다. 이 반도체 본체(1)는 상기 접속판(3)에 고정되며, 이것은 다시 냉각체(12)에디포짓된다. 이 접속판(3)은 상기 반도체 본체(1)의 반도체 재료의 열 팽창 계수와 비슷한 열 팽창 계수를 가지는 재료로 이루어진다. 반도체 본체(1)와 접속판(2) 사이에 이 연결층(2)은 예를 들어 경질납으로 이루어진다. 이 냉각체(12)는 예를 들어 열 전도성 접착제를 이용하여 접속판(3)에 고정된다. 그와 같은 다수의 레이저 다이오드 소자는 유니트로서 만들어져 분할된다.

Description

히트 싱크를 가지는 레이저 다이오드 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 상기 실시예의 단면도.

Claims (11)

  1. 반도체 본체(1)가 냉각체(12)를 가지는 히트 싱크에 고정되며, 이 경우 반도체 본체(1)와 냉각체(12)의 열팽창 계수가 상당히 다른 레이저 다이오드 소자에 있어서, 이 반도체 본체(1)와 냉각체(12) 사이에 제1의 전기 및 열 전도성 접속판(3)이 배열되며, 이것은 상기 반도체 본체(1)의 반도체 재료와 비슷한 열팽창 계수를 가지는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  2. 제1항에 있어서, 이 반도체 본체(1)가 경질납을 이용해 제1의 접속판(3)에 고정되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 이 냉각체(12)가 제1의 접속판(3)에 고정되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 항에 있어서, 상기 제1접속판(3)은 동시에 반도체 본체(1)을 위한 제1의 전기 접속부로서 그리고 냉각체(12)의 열 접속부로서 이용되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  5. 제1항 내지 제5항 중 한 항에 있어서, 이 반도체 본체(1)에 제2의 접속판(14)이 고정되고, 이것은 상기 반도체 본체(1)의 제2의 전기 접속부로서 이용되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 양 접속판(3, 14)은 이 반도체 본체(1)의 맞은편에 배열되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제2의 접속판(14)의 재료가 제1접속판(3)의 재료와 비슷한 열팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 한 항에 있어서, 이 반도체 본체(1)가 본질적으로 GaAs, AIGaAs 및/또는 InAIGaAs를 가지며, 이 냉각체(12)가 다이아몬드, 실리콘 또는 동을 가지며, 및 접속판(3)이 몰리브덴 또는 텅스텐을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 한 항에 있어서, 이 접속판(3)은 연결층(2)을 이용해 반도체 본체(1)에 고정되고, 이것은 Ti-Pt-AuSn으로 된 일련의 층들을 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자.
  10. 제5항 내지 제9항 중 한 항에 따른 다수의 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, a)접속판(3)의 재료로 이루어지는 제1의 컨덕터 스트립(21)에 다수의 반도체 본체(1)를 고정시키고, b)다수의 반도체 본체(1)에 제2의 접속판(14)의 재료로 이루어지는 제2의 컨덕터 스트립(24)를 고정시키며, c)상기 양 컨덕터 스트립(21, 24)과 다수의 반도체 본체(1)로 이루어진 연결부를 개별적인 레이저 다이오드 또는 레이저 다이오드-어레이로 분할하며, 및 d)상기 반도체 본체(1)의 맞은편에 있는 측면(8, 9)에 거울층(10, 11)을 디포짓하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제5항 내지 제9항 중 한 항에 다른 다수의 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, a)접속판(3)의 재료로 이루어지는 컨덕터 스트립(32)에 제1의 반도체 본체(1)를 고정하며, b)제1의 반도체 본체(1)옆에 컨덕터 스트립(32)을 분리시키며, c)상기 컨덕터 스트립의 분리되어 있는 부분들의 부분 영역(38)의 하측 영역이 상기 제1의 반도체 본체(1)의 상측 영역 높이를 위치하도록, 제1의 반도체 본체(1)에 의해 분리되는 상기 컨덕터 스트립(32)의 일부분을 변형시키며, d)상기 제1의 반도체 본체(1)의 상측 영역(13)에 컨덕터 스트립(32)의 부분 영역(38)을 고정시키며, e)제1의 반도체 본체(1)에 의해 분리되는 상기 컨덕터 스트립(32)의 일부분에 제2의 반도체 본체(1)을 고정하며, f)제1 및 제2반도체 본체(1) 사이에서 또는 레이저 다이오드-어레이의 제조시에 다수의 직렬로 연결되는 반도체 본체로 이루어지는 개별적인 그룹들 사이에서 컨덕터 스트립(32)을 분리시키는, 상기의 반복되는 변형예를 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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