Claims (7)
SOI 웨이퍼 제조방법에 있어서, 후속 웨이퍼 가공 공정마진을 고려한 통상의 웨이퍼의 두께보다 두꺼운 웨이퍼를 제작하는 단게와; 상기 웨이퍼의 상하부에 SOI 용 웨이퍼로 필요로 하는 열산화막을 성정시키는 단계와, 상기 실리콘 웨이퍼의 상하면에 성장된 산화막중 사용하지 않을 면의 산화막을 식각하는 단계와, 상기 웨이퍼들을 상하로 차례로 일정높이로 적층하여 접착시키는 단계와, 상기 적층된 웨이퍼간의 접착력을 증진시키기 위해 고온에서 가열시키는 단계와, 상기 적층된 웨이퍼의 소정 부위를 절단하여 산화막 상부에 실리콘이 존재하는 SOI 형상의 웨이퍼를 얻는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.An SOI wafer manufacturing method comprising the steps of: fabricating a wafer thicker than the thickness of a conventional wafer in consideration of subsequent wafer processing margins; Forming a thermal oxide film required as an SOI wafer on the upper and lower portions of the wafer; etching an oxide film on an unused surface among the oxide films grown on the upper and lower surfaces of the silicon wafer; Laminating and bonding, heating at a high temperature to enhance adhesion between the stacked wafers, and cutting a predetermined portion of the stacked wafers to obtain an SOI-shaped wafer having silicon on the oxide film. SOI wafer manufacturing method of a semiconductor device characterized in that it comprises.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 가공 공정마진을 고려한 웨이퍼의 두께는 1000㎛~1100㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.The method of claim 1, wherein a thickness of the wafer in consideration of the wafer processing process margin is in a range of 1000 μm to 1100 μm.
제1항에 있어서, 상기 SOI 용 웨이퍼로 필요로 하는 열산화막 성장두께는 0.2㎛~0.4㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.The method of manufacturing an SOI wafer of a semiconductor device according to claim 1, wherein the thermal oxide growth thickness required for the SOI wafer is in the range of 0.2 µm to 0.4 µm.
제1항에 있어서, 상기 적층된 상태의 웨이퍼를 절단하는 부위는 웨이퍼 접합경계로부터 0.8~1.2㎛ 떨어진 위치의 실리콘 기판을 절단하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.2. The method of claim 1, wherein the portion of the stacked wafer is cut at a silicon substrate 0.8 to 1.2 μm away from a wafer bonding boundary.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼는 8인치(Inch) 웨이퍼로서 두께가 710㎛~740㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.The method of claim 1, wherein the wafer is an 8 inch wafer and has a thickness in a range of 710 μm to 740 μm.
제1항에 있어서, 상기 적층된 웨이퍼간의 결합력을 증짐시키기 위해 고온으로 가열할 시 가열온도는 실리콘의 융점온도인 1400~1500℃에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.The method of claim 1, wherein the heating temperature is 1,400 to 1500 ° C., which is a melting point temperature of silicon, when heating to a high temperature to increase the bonding force between the stacked wafers.
제1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 상하면에 성장된 산화막중 사용하지 않을 면의 산화막 식각시 습식식각 또는 건식식각으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 SOI 웨이퍼 제조방법.The method of manufacturing an SOI wafer of a semiconductor device according to claim 1, wherein wet etching or dry etching is used for etching an oxide film of an unused surface among the oxide films grown on upper and lower surfaces of the silicon wafer.