KR970011642B1 - 반도체 웨이퍼의 열처리 방법, 열처리 장치 및 열처리용 보우트 - Google Patents

Abstract

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Description

반도체 웨이퍼의 열처리 방법, 열처리 장치 및 열처리용 보우트

제 1 도는 종래의 열처리 장치를 도식적으로 나타낸 종단면도,

제 2 도는 본 발명의 실시예에 관한 열처리 장치를 도식적으로 나타낸 종단면도,

제 3 도는 본 발명의 실시예에 관한 열처리 장치의 내부 구조를 나타낸 사시도,

제 4 도는 본 발명에서 웨이퍼 보우트 및 반송 아암의 반으로 나누어진 통형상부를 나타낸 사시도,

제 5 도의 (A) 내지 (J)는, 각각 본 발명의 실시예에 관한 열처리 방법의 각 공정을 도식적으로 설명하기 위한 종단면도,

제 6 도 내지 제 9 도는 본 발명에서 각각 보우트 반송용의 반송아암의 제 2 내지 제 5 실시예를 나타낸 사시도,

제 10 도 내지 제 13 도는 본 발명에서 각각 열처리용 보우트의 제 2 내지 제 5 실시예를 나타낸 사시도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반입·반출장치,2 : 열처리로,

3 : 스캐빈저(scavenger),4 : 소프트 랜딩부,

5 : 포오크(Fork),6 : 보우트,

7 : 웨이퍼,10 : 프로세스 퓨우브,

11 : 인레트(inlet),12 : 히이터,

14 : 예비기밀 튜우브(예비 기밀실),15 : 셔터(shutter),

16 : 인레트,17 : 아우트레트(outlet),

20 : 열처리 장치,21 : 반입·반출 장치,

22 : 웨이퍼,23 : 가이드 레일,

24 : 제 1 의 모우터,25 : 벨트,

26 : 축,27 : 제 2 의 모우터,

28 : 제 3 의 모우터,29 : 캠,

30 : 반송 아암,30a : 원통 형상 부재,

30b : 원호 형상 부재,30c : 막대 형상 부재,

30d : 단턱부,31 : 아암 보호지지구(누름부재),

32 : 걸어 멈춤용 슬리트,33 : 걸어 멈춤용 슬리트,

34 : 개구 끝단,35 : 가동 베이스,

40 : 보우트,41 : 원호 형상 부재,

41a : 측면판,43,44 : 돌출부,

45 : 차폐판,45a : 절결부,

45b : 가스 도입구,46 : 가스공급 튜우브,

46a : 보호 가이드,47 : 가동부재,

48 : 와이어(wire),49 : 감는 장치,

50 : 열처리로,51 : 프로세스 튜우브,

52 : 히이터,53 : 가스통로(가스 공급구),

60 : 스캐빈저,60a : 배기구(배기판),

60b : 간막이,60c : 간막이,

61 : 셔터,61a : 피 구동판,

62 : 가이드 부재,62a : 가이드 홈,

62b : 개구,63 : 개폐 구동기구,

64 : 가스 공급구,65 : 가이드 로울러,

66 : 랙크,67 : 피니언,

68 : 모우터,230a : 원통 형상 부재,

230b : 원호 형상 부재,230d : 단턱부,

232 : 슬리트,233 : 돌출부,

240 : 보우트,243 : 제 1 의 비(非) 걸어 멈춤부,

244 : 제 2 의 비(非) 걸어 멈춤부,250 : 본체,

251 : 다리,252 : 웨이퍼 지지로드,

330a : 원통 형상 부재,330b : 원호 형상 부재,

332 : 돌출부,333 : 슬리트,

340 : 보우트,343 : 제 1 의 비 걸어 멈춤부,

344 : 제 2 의 비 걸어 멈춤부,430a : 원통 형상 부재,

430b : 원호 형상 부재,432 : 슬리트,

433 : 돌출부,434 : 걸림부,

440 : 보우트,443 : 제 1 의 비 걸어 멈춤부,

444 : 제 2 의 비 걸어 멈춤부,445 : 걸림부,

530a : 원통 형상 부재,530b : 원호 형상 부재,

532 : 슬리트,533 : 단턱부,

540 : 보우트,541 : 끝단판,

543 : 제 1 의 비 걸어 멈춤부,544 : 제 2 의 비 걸어 멈춤부.

본 발명은, 다수매의 반도체 웨이퍼의 산화를 방지하면서, 열처리하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.

또한, 이와 같은 열처리 장치에 사용하는 열처리용 보우트에 관한 것이다.

종래로부터, IC 또는 LSI등의 반도체 디바이스는, 인거트(ingot)에서 잘려진 웨이퍼를, 순차적으로, 표면가공처리, 열산화처리, 불순물 확산 처리, 막 퇴적 처리하고, 에칭 처리하는 등 여러 가지의 공정을 거쳐서 제조된다.

이들 제조 공정에서, 반도체 웨이퍼는 여러 횟수에 걸쳐 반복하여 열처리를 받는다.

예를 들면, 막 퇴적 처리 공정에서는, 다수매의 반도체 웨이퍼를 석영 보우트 위에 얹어싣고, 이것을 확산로의 프로세스 튜우브내에 집어넣어, 프로세스 튜우브를 고온하에서 반도체 웨이퍼에 반응시킨다.

통상적으로, 1개의 보우트에는 1로트(lot)에 최대 200매까지의 웨이퍼가 얹어 실어진다.

보우트를 확산로의 프로세스 튜우브의 출입 시킬때에는, 전용의 석용 포오크(Fork)가 사용된다.

이와 같이 포오크를 구동시키기 위한 방식으로서, 캔틸 레버 방식과 소프트 랜딩 방식이 있다.

캔틸레버 방식에서는, 프로세서 튜우브에 보우트가 접촉하지 않도록 포오크를 삽입하고, 포오크로서 보우트를 보호 지지한 그대로의 상태에서 열처리한다.

소프트 랜딩 방식에서는, 보우트를 포오크에서 프로세스 튜우브로 살며시 이동하여 싣고, 처리 중에는 포오크를 로의 밖으로 빼두고, 처리후에 포오크를 다시 로의 내부에 삽입하여 보우트를 빼낸다.

그런데, 웨이퍼의 산화 방지를 위하여, 보우트의 반입전에 확산로의 내부를 질소 가스등의 비 산화성 가스분위기로 하고 있다.

그러나, 캔틸레버 방식 및 소프트 랜딩 방식중의 어느 것이라도, 포오크의 출입시에 공기가 로의 내부에 혼입하여, 웨이퍼에 불필요한 산화막이 형성될 염려가 있으므로, 바람직하지 못하다.

그리하여, 제 1 도에 나타낸 바와 같이, 종래의 열처리 장치에서는 반입·반출 장치(1)와 열처리로(2)와의 사이에 스캐빈저(scavenger; 열 배기실)(3)를 형성하고, 스캔빈저(3) 내의 예비 기밀 튜우브(소위, 보강(elephant) 튜우브라 칭함)(14)를 통하여 로의 내부의 프로세스 튜우브(10)에 보우트(6)가 출입된다.

프로세스 튜우브(10)의 주위에는 히이터(12)가 배열 설치되어, 튜우브(10)내의 웨이퍼를 가열한다.

프로세스 튜우브(10) 및 예비 기밀 튜우브(14)는 서로 기밀하게 접속되고, 인레트(inlet)(11)를 통하여 튜우브(10)내에 프로세스 가스 또는 질소 가스가, 인레트(16)를 통하여 튜우브(14)내에 질소 가스가, 각각 도입된다.

또한, 예비 기밀실(14)의 개구에는 셔터(shutter)(15)가 형성되고, 셔터(15)를 개폐시켜서 장치(1)의 소프트 랜딩부(4)의 포오크(5)에 의하여 보우트(6)가 예비 기밀 튜우브(14)로 출입된다.

이와 같은 열처리 장치에서는, 스캐빈저(3) 내의 가스는 미리 아우트 레트(out let)를 통하여 배기되는 반면, 예비 기밀 튜우브(14) 내에는 인레트(16)로부터 질소 가슥 도입되는 것이어서, 프로세스 튜우브(10)에로의 공기의 혼입이 유효하게 방지된다.

그러나, 종래의 열처리 장치에서는, 예비 기밀 튜우브(14)에 연속하여 프로세스 튜우브(10)가 연이어 통하고 있으며, 양쪽이 개별적으로 분리되어 있지 않은것 이어서, 예비 기밀 튜우브(14)내의 모든 공기를 확실하게 제거할 수가 없으므로, 이 공기가 프로세스 튜우브(10)내에 혼입된다.

이로 인하여, 웨이퍼(7)가 로의 내부에서 소망하지 않는 산화가 되어, 웨이퍼 표면에 소망의 막이 형성되지 않는다는 문제점이 있었다.

상기한 문제는, 보우트(6) 틀로(2)에서 언로우딩할 경우에도 발생한다.

즉, 막이 형성된 웨이퍼(7)를 즉시 대기중으로 가지고 나가면, 웨이퍼(7)에 산화막이 형성된다.

따라서, 대기에 의해 자연 산화막이 형성되지 않는 온도까지 웨이퍼(7)를 가스 냉각한 후에, 보우트(6)를 로의 외부에로 언로우딩하여야만 하지만, 보우트(6)가 예비 기밀 튜우브(14)에 남아서 머무르고 있는 동안에 웨이퍼(7)가 지나치가 산화되어 버린다는 결점이 있었다.

또한, 이 밖의 산화 방지 기술로서, 일본국 특개소61-190929호 공보에 기재된 장치가 있다.

이러한 형의 장치는 고정형 외부 공기의 휘감기 방지 장치이지만, 이 장치에서는 웨이퍼의 산화를 충분히 방지할 수가 없었다.

본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼의 열처리 전, 후, 또는 그 중의 어느쪽인가 한쪽일때에, 반도체 웨이퍼를 얹어실은 보우트 주위의 공간과 열처리로의 내부에 존재하는 공기등의 불필요한 가스를 배제할 수가 있으므로, 이들 공간을 비 산화성 가스 분위기로서 반도체 웨이퍼에 바람직하지 않은 산화막등이 형성되는 것을 방지할 수가 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 보우트 출입시의 보우트 주위의 공간을 분리하는 부재의 일부로서 보우트 그 자체가 사용되고, 보우트의 출입시에 쓸모가 있고 효율좋게 웨이퍼의 산화 방지를 도모할 수가 있는 반도체 웨이퍼 열처리용의 보우트를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 1실시예에 의한 반도체 웨이퍼의 열처리 방법은, 웨이퍼를 복수매를 배열한 보우트를 반송 아암 수단으로 지지하고, 이 보우트를 반송 아암 수단의 이동에 의하여 열 처리로에 출입 할때에 또는 그 중의 어느 쪽인가 한쪽 일때에, 상기 보우트를 반송 아암 수단으로 지지 함으로써, 웨이퍼의 윗쪽 공간을 반송 아암 수단에 의하여, 웨이퍼의 아래쪽 공간을 상기 보우트 그 자체로서 포위함으로써 통형상의 방출 튜우브를 형성하고, 반송 아암 수단의 이동에 의하여 상기 방출 튜우브와 열처리로와를 연이어 통하고, 이 연이어 통하는 상태에서 비 산화성의 가스를 상기 열처리로 및 상기 방출 튜우브내에 공급하여, 이들의 내부공간을 비산화성 가스로 채운후에, 상기 방출 튜우브를 열처리로 내로 반입 또는 반출한다.

이 경우에, 상기 방출 튜우브와 열처리로와의 사이에 간막이 수단을 형성하여, 양쪽을 간막이한 상태에서 비 산화성의 가스를 상기 방출 튜우브 및 열처리로의 내부에 공급 한후에, 상기 간막이 수단을 해제하여 방출 튜우브와 열처리로와를 연이어 통하게 하고, 이 연이어 통하게한 공간에 비 산화성의 가스를 더욱 더 공급하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼의 열처리 장치는, 복수매의 웨이퍼를 그의 아래쪽 영역을 포위하여 배열지지하고, 또한, 피 걸어멈춤부를 구비한 보우트 수단과, 열처리로 내부에로의 끼우고 빼는 이동이 가능하게 한쪽만 지지하는 상태로 지지되고, 자유로운 끝단쪽에는 통형상부와 상기 보우트에 얹어 실려진 웨이퍼의 윗쪽 영역을 포위하는 반으로 나누어진 통형상부와를 갖고, 이 반으로 나누어진 통형상부에 상기 보우트의 피 걸어 멈춤부를 걸어 멈춤하는 걸어 멈춤부를 구비한 반송 아암 수단과, 상기 반송 아암 수단의 반송 경로위의 한쪽끝단쪽에 형성되고, 상기 반으로 나누어진 통형상부 및 보우트에 의하여 포위된 상태에서 반입된 웨이퍼에, 프로세스 가스를 반응시키기 위하여 열처리하는 열처리로와, 상기 반송 아암 수단의 막대 형상부에 끼워져 통하고, 상기 통형상부의 개구 끝단과 맞닿아서 이것을 차폐하고, 또한, 반송 아암 수단의 자유로운 끝단쪽이 열처리로의 내부에 반입되었을 경우에 열처리로의 개구 끝단을 폐쇄하는 차폐 수단과, 상기 차폐수단에 배치되어 상기 통형상부내에 비 산화성의 가스를 도입하는 가스 도입구와를 갖는다.

이 경우에, 상기 열처리로의 개구 끝단에는 개폐가 자유로운 셔터를 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 이 경우에, 셔터의 안내부재에, 상기 셔터의 가이드 구멍 및 상기 방출 튜우브의 통과 구멍이 형성되고, 또한, 상기 가이드구멍 및 통과구멍에 연이어 통하여 상기 비 산화성의 가스를 열처리로 내에 공급하는 가스 공급구를 갖는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 반도체 웨이퍼 열처리용 보우트는, 웨이퍼를 보호 지지하기 위한 웨이퍼 보호 지지부와, 이 웨이퍼 보호 지지부를 양쪽끝단에서 지지하는 한쌍의 끝단판과를 갖고, 상기 웨이퍼 보호 지지부가 반으로 나누어진 통형상을 이루고, 반송 아암 수단의 걸어 멈춤부에 걸어 멈추어지는 피 걸어 멈춤부를 갖는다.

또한, 보우트의 각 부분은, 석영(quartz-glass) 또는 탄화규소(SiC)로 만들어져 있는 것이 바람직하다.

또한, 방출용의 비 산화성 가스로는, 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스등을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 방법에 의하면, 열처리로에 보우트를 반입할때 또는 열처리로에서 보우트를 반출할때에, 반송아암, 부재와 보우트로서 방출 튜우브를 형성하고, 이 방출 튜우브에 의하여 피 처리체(반도체 웨이퍼)를 포위하여, 방출 튜우브내 및 열처리로내에 비 산화성의 가스를 공급하여 비 산화성 가스 분위기로 한다.

이후에, 방출 튜우브마다 피 처리체를 스캐빈저에서 열처리로의 내부로 반입하고, 또는 이것을 스캐빈저에서 외부로 반출한다.

따라서, 열처리로 예로의 피 처리체의 반입시에는, 열처리로의 내부에 공기가 혼입하여, 피 처리체에 바람직하지 않는 산화막이 형성되는 것을 방지할 수가 있다.

또한, 피 처리체를 스캐빈저에서 반출하기 전에, 방출 튜우브내의 비 산화성 가스 분위기하에서 고온의 피 처리체를 충분히 냉각하는 것이어서, 피 처리체에 불필요한 산화막이 형성되는 것을 방지할 수가 있다.

본 발명의 열처리 장치에서는, 반송 아암 부재의 걸어 멈춤부가 보우트의 피 걸어 멈춤부에 걸어 멈추어지고, 양쪽에 형성된 방출 튜우브에 의하여 피 처리체가 포위되는 구조로 하고 있다.

이 결과, 보우트를 반송 아암 부재의 반으로 나누어진 통형상부의 아래쪽에 배치한 후에, 걸어 멈춤부와 피 걸어 멈춤부와를 걸어 맞춤하는데에 필요한 스트로우크량 만큼 반송 아암 부재의 길이방향으로 상대적으로 이동시키면 보우트의 지지가 가능하게 되면, 예를 들어, 아톰 스캔(상품명임)과 비교하면 반송 아암 부재의 길이 방향의 이동 스트로우크를 충분히 짧게 할 수가 있다.

이로 인하여, 장치가 소형화되므로, 장치가 점유하는 면적이 감소된다.

또한, 가스 도입구를 갖는 차폐 부재는, 반송 아암 부재가 열처리로의 밖에 있는 경우에는, 이 방송 아암부재와 보우트로서 형성되는 방출 튜우브의 한쪽 끝단을 폐쇄하고, 또한, 방출 튜우브 내에로의 비 산화성 가스의 도입에 기여하게 된다.

또한, 반송 아암 부재와 보우트로서 형성되는 방출 튜우브마다 열처리로내의 열의 도피를 방지하기 위하여, 그의 개구 끝단을 막을 필요가 있으며, 반송 아암 부재가 열처리로에 반입된 후에는, 차폐 부재는 열처리로의 개구 끝단을 막는 역할을 한다.

다음에, 본 발명의 여러 가지 실시예에 대하여, 첨부한 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 실시예에서는, 횡형 다단로 중의 1단토만에 대하여 설명한다.

다단로의 각단의 각각에 열처리 장치(20)가 형성되어 있다. 제 2 도에 나타낸 바와 같이, 각 장치(20)의 길이를 따라 반입·반출 장치(21), 스캐빈저(60) 및 열처리로(50)의 순서로 배열설치되어 있다.

열처리 장치(20)의 앞쪽에는, 보우트(40)를 프로세스 튜우브(51)에 출입시키기 위한 반입·반출장치(로우딩/언로우딩 유니트)(21)가 형성되어 있다.

한편, 열처리 장치(20)의 뒤쪽에는, 히이터(52)로서 둘러 싸여진 프로세스 튜우브(51)를 갖는 열처리로(50)가 형성되어 있다.

가스통로(53)가 프로세스 튜우브(51)의 뒤쪽부에 형성되어 있다.

이 통로(53)는, 프로세스 가스 공급원(도시않됨) 및 질소 가스 공급원(도시않됨)에 연이어 통하게 되어 있다.

또한, 양쪽 공급원 및 통로(53)의 사이에는 전환 밸브가 형성되어, 양쪽 공급원으로부터 프로세스 튜우브(51)내에로의 공급 가스가 프로세스 가스와 질소 가스로 적정하게 전환되도록 되어 있다.

스캐빈저(60)가, 열처리로(50)와 반입·반출 장치(21)와의 사이에 형성되어 있다.

이 스캐빈저(60)는, 실내의 가스를 배기하기 위한 배기구(60a)를 구비하고 있다.

프로세스 튜우브(51)의 앞쪽부분은, 스캐빈저(0)내에 위치하고 있다.

프로세스 튜우브(51)의 앞쪽부 개구에 개폐가 가능한 셔터(61)가 형성되어 있다.

반입·반출 장치(21)의 소프트 랜딩부가, 보우트(40)를 지지하여 반송하기 위한 반송 아암(30)을 갖는다.

소프트 랜딩부는, 석영제 포오크로서의 반송 아암(30)과, 이 반송 아암(30)을 그의 길이를 따라 슬라이드 이동시키는 X축 구동기구와, 반송 아암(30)을 상하로 수진(首振)시키는 Z축 구동기구와를 갖는다.

제 3 도에 나타낸 바와 같이, 반송 아암(30)은, 그의 자유로운 끝단쪽이 대략 속이빈 통형상으로 형성되고, 그의 고정 끝단쪽의 막대 형상부재(30c)가 아암 보호 지지구(31)에 고정되어 있다.

이 반송 아암(30)의 자유로운 끝단에는, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 중공 원통 형상 부재(30a)와, 윗쪽 영역의 반원 부분만으로 형성된 반으로 나누어진 형상부의 1예인 형상 부재(30b)와를 갖는다.

이 원호 형상 부재(30b)의 앞쪽끝단에 걸어 멈춤용 슬리트(32)가 형성되어 있다.

또한, 중공 원통 형상부재(30a)와 원호 형상 부재(30b)와의 단턱부(30d)(원호 형상 부재(30a)의 뒤쪽끝단)에, 별도의 걸어 멈춤용 슬리트(33)가 형성되어 있다.

또한, 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 보우트(40)는, 반송 아암(30)의 원호 형상 부재(30b)에 의하여 지지되면, 보우트(40)와 반송 아암(30)으로서 중공 통형상이 형성되는 것과 같은 구성이 채용되고 있다.

즉, 보우트(40)의 하부에는 반원 형상의 원호 형상 부재(41)를 갖는다.

보우트(40)의 양쪽 끝단의 측면판(41a),(41a)의 사이에 2개의 지지로드(도시않됨)가 걸여져 있다.

이 지지로드에는 다수개의 홈이 소정의 피치 간격으로 형성되고, 각 홈에 반도체 웨이퍼(22)의 예지가 꽂아넣어짐으로써 웨이퍼(22)가 보호지지 된다.

또한, 보우트(40)의 1쌍의 측면판(41a),(41a)에는, 반송 아암(30)의 걸어 멈춤용 슬리트(32),(33)에 걸어 멈추어지는 비 걸어 멈춤용의 돌출부(43),(44)가 형성되어 있다.

다음에 제 3 도를 참조하면서, 반송 아암(30)을 구동하기 위한 X축 구동기구 및 Z축 구동기구에 대하여 설명한다.

반송 아암(30)은, 1쌍의 가이드 레일(23),(23)을 따라 이동이 가능하게 지지된 가동 베이스(35)위에 고정되어 있다.

이 가동 베이스(35)는 축(26)에 연결되고, 축(26)의 풀리와 제 1 의 모우터(24)의 구동축에 벨트(25)가 걸려져 있다.

가동 베이스(35)에는 회전운동을 직선 운동으로 변환하기 위한 기구(도시않됨)가 내장되어 있다.

즉, 축(26)에 모우터(24)의 회전력이 전달되면, 가동 베이스(35)가 반송 아암(30)의 길이 방향으로 직진하여, 반송 아암(30)의 앞끝단부가 프로세스 튜우브(51)에 삽입된다.

또한, 제 2 의 모우터(28)의 구동축은 기어 복스(도시않됨)를 개재하여 반송 아암(30)에 연결되어 있다.

즉, 기어 복스에 의하여 제 2 의 모우터(27)의 회전력이 변환되어서 반송 아암(30)의 상하로 운동하도록 되어 있다.

또한, 제 3 의 모우터(28)의 구동축이 캠(29)에 연결되어, 캠(29)이 회전되도록 되어 있다.

이 캠(29)의 회전에 의하여, 반송 아암(30)과 프로세스 튜우브(51)의 로의 중심과의 수평도를 나타내도록 되어 있다.

또한, 막대 형상부재(30c)의 기본 끝단부가 누름부재(31)에 의하여 본체에 눌려 붙여짐으로써, 반송 아암(30)은 한쪽만 지지하는 상태로 지지되어 있다.

다음에, 차폐판(45)에 대하여 설명한다.

차폐판(45)은, 프로세스 튜우브(51) 및 원통 형상 부재(30a)의 개구끝단을 막을수가 있을 정도의 크기의 원반 형상으로 형성되고, 반송 아암(30)의 막대 형상 부재(30c)를 끼워서 통할 수 있는 절결부(45a)를 갖는다.

또한, 차폐판(45)에는 원통 형상 부재(30a)내에 질소가스를 도입하기 위한 가스 도입구(45b)가 형성되고, 이 가스 도입구(45b)에 가스 공급 튜우브(46)가 접속되어 있다.

또한 차폐판(45)은 가동부재(47)에 지지되어 있다.

이 가동부재(47)는 와이어(48)의 한쪽 끝단에 접속되고, 이 와이어(48)의 다른쪽 끝단이 감는장치(49)에 접속되어 있다.

감는 장치(49)는 열처리로(50)쪽에 고정되어, 와이어(48)를 항상 감는 방향으로 잡아 당기고 있다.

이와 같이, 와이어(48)에 의하여 잡아 당겨지고 있는 차폐판(45)은, 항상 반송 아암(30)의 앞쪽 끝단에 형성된 원통 형상 부재(30a)의 한쪽 끝단쪽에 맞닿는 위치에 정지하고 있다.

다음에, 보우트(40)와 반으로 나누어진 통형상부(30a)로서 구성된 방출 튜우브 내에로의 가스 공급 시스템에 대하여 설명한다.

막대 형상 부재(30c)는 속이빈 상태로 형성되고, 이 속인빈 상태의 통로내에 가스 공급 튜우브(46)의 앞쪽 끝단이 삽입되어 있다.

가스 공급 튜우브(46)는, 유연한 것으로서, 질소 가스 공급원(도시않됨)으로부터 가스 도입구(45b)(막대 형상부재(30c)의 기본 끝단부)의 근방에 도달할때까지 보호 가이드(46a)에 의하여 보호되고 있다.

다음에 스캐빈저(60)에 대하여 설명한다.

스캐빈저(60)는, 보우트 반입·반출 장치(21) 및 열처리로(50)의 각 실과 간막이(60b), (60c)에 의하여 각각 간막이 되어 있다.

앞쪽의 간막이(60b)에는 개구가 형성되고, 이 개구로부터 반송 아암(30)의 앞쪽 끝단이 스캐빈저(60)내에 삽입된다.

또한, 스캐빈저(60)는 배기관(60a)을 통하여 배기장치(도시않됨)의 흡입구에 연이어 통하고 있다.

셔텨(61)를 안내하기 위한 가이드 부재(62)가 프로세스 튜우브(51)의 개구에 접속되어 있다.

가이드 부재(62)는, 직사각형상의 케이싱으로서, 셔터(61)를 출입시키기 위한 가이드 홈(62a)이 케이싱내에 형성되어 있다.

또한, 가이드 부재(62)의 상부에는 복수개의 가스 공급구(64)가 형성되어 있다.

이들의 가스 공급구(64)는, 질소 가스 공급원(도시않됨)으로부터 공급된 질소 가스를 가이드 부재(62)내에 도입하기 위한 것이다.

또한, 각각의 가스 공급원에는 흐름망 전환 밸브 또는 압력 조절 밸브등이 착설되어 있으며, 각 가스 도입구(45b),(53),(64)를 통하여 방출 튜우브 및 프로세스 튜우브 내로 유입되는 가스의 흐름량이 밸브에 의하여 조정된다.

다음에, 셔터(61)의 개폐 구동기구(63)에 대하여 설명한다.

구동기구(63)는, 셔터(61)에 연결된 피 구동판(61a)과, 피 구동판(61a)을 Y축을 따라 이동이 가능하게 지지하는 2쌍의 가이드 로울러(65)와, 피 구동판(61a)에 형성된 랙크(66)와, 이 랙크(66)에 맞물리는 피니언(67)을 구동축에 갖는 모우터(68)를 갖는다.

즉, 2쌍의 가이드 로울러(65)가 소정의 간격을 두고서 피 구동판(61a)을 폭방향으로 사이에 두도록 형성되어 있다.

또한, 셔터(61)를 개폐시키는 구동기구(63)의 각부는 가루먼지가 실질적으로 발생하지 않는 재료, 예를 들면, 스테인레스가 채용된다.

다음에, 제 5 도의 (A) 내지 제 5 도의 (J)를 참조하면서, 상기 열처리 장치(20)에 의하여 반도체 웨이퍼(22)를 열처리하는 방법에 대하여 스텝(STEP) 1로부터 스텝 10까지의 순서로 설명한다.

보우트(40)에 소정 매수의 반도체 웨이퍼(22)를 소정의 피치간격을 얹어 싣는다.

반송 아암(30)을 X축 방향으로 이동시켜서 소정의 홈 포지션에 세트한다(스텝 1).

또한, 이때에, 차폐판(45)은 와이어(48)의 장력에 의하여, 반송 아암(30)이 원통 형상 부재(30a)의 한쪽 끝단측에 맞닿게 하여 둔다.

제 4 도중에서 부호 A₁~A₃를 부여하여 화살표로 나타낸 궤적을 따라 반송 아암(30)을 동작(하강→X축을 수평이동→상승)시킨다.

이것에 의하여, 걸어 멈춤부(32),(33)가 보우트(40)의 비걸어 멈춤부(43),(44)에 걸어 맞추어지고, 원호 형상 부재(30b) 및 보우트(40)에 의하여 방출 튜우브가 형성된다(스텝 2).

또한, 이때, 셔터(61)를 닫아둔다.

또한, 차폐판(45)의 가스 도입구(45b)로 부터의 질소 가스 공급량을 "최대"로 전환하고, 원통 형상 부재(30a)의 한쪽 끝단에서 공급된 질소 가스를 다른쪽 끝단의 개구 끝단(34)에서 배출함으로써, 방출 튜우브내의 질소 가스 이외의 공기등의 가스를 배기한다.

또한, 이 경우에, 반송 아암(30)의 막대 형상 부재(30c)의 속이빈 상태인 통로를 질소 가스의 배기 통로로 전환하여도 좋다.

다음에, 제 5 도의 (C)에 나타낸 바와 같이, 제 1 도의 모우터(24)의 X축 방향 구동에 의하여, 반송 아암(30)을 프로세스 튜우브(51)를 향하여 전진시킨다.

이것에 의하여, 원통 형상 부재(30a)도 전진하므로, 이 원통 형상 부재(30a)에 대하여 와이어(48)에 의하여 밀어 붙이게 되어 있는 차폐판(45)이, 가동 부재(47)와 함께 반송 아암(30)과 일체적으로 프로세스 튜우브(51)를 향하여 전진한다.

이 전진 동작을, 반송 아암(30)의 개구끝단(34)이 셔터(61)의 벽면에 맞닿을때까지 실행된다.

여기에서도, 앞에서 설명한 바와 같이 가스 도입구(45b)로부터의 질소 가스의 흐름량을 "최대"로 한다.

이것에 의하여, 도입구(45b)에서 공급된 질소 가스가, 방출 튜우브내의 공기를 수반하여 셔터(61)의 벽면까지 흘러서 이동하고, 이 셔터(61)의 가이드홈(62a) 또는 방출 튜우브와 셔터(61)와의 맞닿는부의 간격에서 계통의 밖으로 배출된다(스텝 3).

이와 같이, 셔터(61)를 닫는 상태에서, 반으로 나누어진 통 형상부(30b)와 보우트(40)로서 구성된 방출 튜우브내를 질소 가스로 바꿈으로써, 개구끝단(34)으로부터의 공기의 유입을 방지하고, 또한, 프로세스 튜우브(51)내에로의 공기의 혼입을 방지한다.

다음에, 제 5 도(D)에 나타낸 바와 같이, 셔터(61)를 가이드 부재(62)내에서 후퇴시켜서 개구(61b)를 개통시켜, 방출 튜우브와 프로세스 튜우브(51)와를 연이어 통하게 한다(스텝 4).

이때, 방출 튜우브의 가스 도입구(45b)로부터 질소 가스의 공급을 속행함과 동시에, 프로세스 튜우브(51)내에도 그의 한쪽끝단의 공급구(53)에서 질소 가스를 최대의 흐름량, 예를 들면, 매분에 10리터의 비율로 공급한다.

이것에 의하여, 방출 튜우브 및 프로세스 튜우브(51)의 양쪽끝단에서 계통내에 도입된 질소 가스 및 공기등은, 가이드 부재(62)의 가이드 홈(62a) 및 방출 튜우브의 개구끝단(34)과 셔터(61)와의 맞닿는면의 간격에서 계통의 밖으로 방출되어서, 스캐빈저(60)내에 모이고, 배기구(60a)를 통하여 외부에로 배기된다.

제 5 도의 (E)에 나타낸 바와 같이, 반송 아암(3)를 더욱더 전진시켜, 프로세스 튜우브(51)의 앞부분으로 방출 튜우브 마다 보우트(40)를 삽입하고, 이것을 소정의 온도, 예를 들면 400℃로 예비 가열한다.

이 경우에, 반도체 웨이퍼(22)를 300~800℃의 온도범위로 예비 가열을 할수가 잇다.

이때에, 가이드 부재(62)의 윗쪽 끝단에 형성된 공급구(64)에서도 질소 가스를, 예를 들면, 매분에 5리터의 비율로 공급한다.

이것에 의하여, 양쪽 튜우브내를 질소 가스로 바꿀수가 있으므로 보우트(40)위의 반도체 웨이퍼(22)를 열처리로(50)에 반입하기 전에, 공기등의 바람직하지 않은 가스의 계통내에로의 혼입을 유효하게 방지할 수가 있다(스텝 5).

여기에서, 보우트(40)가 완전히 프로세스 튜우브(51)내에로 반입되면, 보우트(40)를 지지하는 원통 형상부재(30a)에 맞닿고 있는 차폐판(45)이 프로세스 튜우브(51)의 개구 끝단에 도달하고, 이것에 의하여 튜우부(51)의 개구끝단이 막혀진다.

이것에 의하여, 개구로부터의 방열량이 감소하므로, 프로세스 튜우브(51)내의 온도 저하의 폭이 작아진다.

다음에, 제 5 도의 (F)에 나타낸 바와 같이, 반송 아암(30)을 더욱더 전진시켜, 보우트(40)위의 웨이퍼(22)를 프로세스 튜우브(51)의 로의 중심으로 반송한다(스텝 6).

보우트(40)가 로의 중심에 도착하면, 가스 공급원의 전환 밸브를 질소 가스 공급로에서 프로세스 가스 공급로로 전환하여, 가스 공급구(53)를 통하여 프로세스 튜우브(51)내에 소정량의 프로세스 가스를 공급한다.

다음에, 제 5 도의 (G)에 나타낸 바와 같이, 소프트 랜딩 장치에 의하여 반송 아암(30)을 하강 또는 수직 동작시켜, 보우트(40)를 프로세스 튜우브(51)내에 살며시 착지시킨다(스텝 7).

이어서, 반송 아암(30)을 와이어(48)의 가하는 힘에 반대로 하여 약간만 후퇴시켜, 보우트(40)와 부재(31b)와의 걸어맞춤을 해제한다.

이 결과, 보우트(40)가 프로세스 튜우브(51)내에 얹혀놓여진다.

다음에, 제 5 도의 (H)에 나타낸 바와 같이, 반송 아암(30)을 더욱더 후퇴시켜(스텝 8), 그의 앞쪽 끝단부를 프로세스 튜우브(51)로부터 후퇴시킨다.

다음에, 제 5 도의 (I)에 나타낸 바와 같이, 셔터(61)를 닫는다(스텝 9).

그후에, 제 5 도의 (J)에 나타낸 바와 같이, 반송 아암(30)을 홈 포지션에 설정하고, 프로세스 튜우브(51)내에서 열처리를 개시한다(스텝 10).

이 열처리 과정에서는, 어니일 처리 이외의 경우에는, 막 생성용의 프로세스 가스를 프로세스 튜우브(51)내에 매분에 10 내지 50리터의 흐름량으로 공급하고, 이 프로세스 가스 분위기하에서 900 내지 1200℃의 온도 범위에서 30분간 처리한다.

이것에 의하여, 각 반도체 웨이퍼(22)의 표면에 두께가 5,000Å 내지 10,000Å㎛인 SiO₂막이 형성된다.

이 반응 프로세스가 종료되면, 상기 스텝 10부터 스텝 1까지의 순서를 반대로 실행하여, 보우트(40)를 프로세스 튜우브(51)에서 반출된다.

여기에서, 스텝 3 내지 5의 순서를 반대로 실행하는 과정에서, 고온으로 가열된 보우트(40)를 곧바로 계통의 밖으로 빼내면, 반도체 웨이퍼(22)가 산화되어, 웨이퍼 표면에 바람직하지 않는 산화막이 형성되어 버린다.

이와 같은 웨이퍼(22)의 산화를 방지하기 위하여, 스텝 4 내지 5일때에, 질소 가스 공급 시스템의 흐름량 조절 밸브를 증가량 쪽으로 조절하여, 도입구는 (45b) 및 가스 공급구(53)를 통하여 프로세스 튜우브(51) 및 방출 튜우브로 이루어지는 계통 내에 많은 량의 질소 가스를 수분간만 도입하여, 반도체 웨이퍼(22)를 약 400℃정도까지 가스를 냉각한다.

이 경우에, 계통내에로의 질소 가스의 도입량을, 도입구(45b)로부터 매분에 10리터, 가스 도입구(53)로부터 매분에 10리터로 한다.

또한, 도입되는 각각의 질소 가스는 상온이다.

이것에 의하여, 방출 튜우브내의 반도체 웨이퍼(22)는 산화되는 일이없어 충분히 냉각되므로, 셔터(61)를 닫고, 방출 튜우브를 프로세스 튜우브(51)로부터 이탈시켜, 제품의 밖으로 반출하여도 웨이퍼(22)는 산화되지 않는다.

여기에서, 셔터(61)를 닫은 후에는, 흐름량 조절 밸브를 조절하여, 도입구(45b)로부터의 질소 가스의 흐름량을 매분에 5리터로 감소시킨다.

이후에, 반송 아암(30)을 홈 포지션에 설정하고, 보우트(40)를 반송 아암(30)으로부터 이탈시킨다(스텝1).

이것에 의하여 1사이클의 열처리 고정이 종료한다.

상기 제 1 의 실시예에 의하면, 보우터(40)를 로의 내부에 반입 또는 반출할때에, 반송 아암(30)과 보우트(40)로 구성된 방출 튜우브내를 질소 가스로 항상 가득채운 상태로 하여, 열철 계통 내에로의 공기등의 혼입을 확실하게 방지할수가 있는 것이어서, 반도체 웨이퍼(22)의 산화를 유효하게 방지할 수가 있었다.

특히, 질소 가스 방출중에 있어서, 차폐판(45) 및 셔터(61)에 의하여 보우트(40)의 통과 영역을 막을수가 있으므로, 처리 계통의 내부에로의 공기의 침입을 거의 완전하게 방지할수가 있었다.

이로 인하여, 막의 생성 공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 생산성을 대폭적으로 향상시킬 수가 있었다.

다음에, 제 6 도 내지 제 13 도를 참조하면서, 제 2 내지 제 5 실시예의 반송 아암의 앞쪽 끝단부 및 보우트에 대하여 설명한다.

제 6 도는, 제 2 실시예의 반송 아암의 앞쪽 끝단부를 나타낸 것이다.

반송 아암의 앞쪽 끝단부는, 속이빈 원통 형상 부재(230a)와 원호 형상 부재(230b)로 구성되고,부재(230a) 및 부재(230b)의 사이에 단턱부(230d)가 형성되어 있다.

원호 형상 부재(230b)의 앞쪽 끝단에는 1쌍의 키이 홈 형상의 슬리트(232),(232)가 형성되어 있다.

한편, 판형상의 돌출부(233)가 단턱부(230d)의 윗쪽 끝단에 형성되어 있다.

제 10 도는, 제 2 실시예의 보우트를 나타낸 것이다.

보우트(240)는, 반으로 나누어진 통형상의 본체(250)와, 본체(250)의 길이를 따라 뻗은 1쌍의 웨이퍼 지지로드(252)와, 2쌍의 다리(251)와를 갖는다.

본체(250)의 양쪽 끝단의 측면판에 각각 제 1 및 제 2 의 비걸어 멈춤부(243),(244)가 형성되어 있다.

제 1 의 비 걸어 멈춤부(243)는, 보우트의 폭 방향으로 뻗은 1쌍의 돌출부이다.

한편, 제 2 의 비 걸어 멈춤부(244)는, 반송 아암쪽의 판형상 돌출부(233)와 대략 동일한 형상으로서, 이것과 반대 방향으로 돌출하는 판형상의 돌출부이다.

제 7 도는, 제 3 실시예의 반송 아암의 앞쪽 끝단부를 나타낸 것이다.

반송 아암의 앞쪽 끝단부는, 속이빈 상태의 원통 형상 부재(330a)와 원호 형상 부재(330b)로 구성되어 있다.

원호 형상 부재(330b)의 앞쪽 끝단에는 1쌍의 돌출부(332),(332)가 형성되어 있다.

한편, 1쌍의 키이 홈 형상의 슬리프(333),(333)가, 부재(330a),(330b)의 단턱부의 윗쪽 끝단 근방에 형성되어 있다.

제 11 도는, 제 3 실시예의 보우트를 나타낸 것이다.

보우트(340)는, 반으로 나누어진 통형상의 본체(250)와, 본체(250)의 길이를 따라 뻗은 1쌍의 웨이퍼 지지로드(252)와, 2쌍의 다리(251)를 갖는다.

본체(250)의 양쪽 끝단의 측면판에 각각 제 1 및 제 2 의 비걸어 멈춤부(343),(344)가 형성되어 있다.

제 1 의 비 걸어 멈춤부(343)는, 보우트의 측면부에 형성된 1쌍의 슬리트이다.

한편, 제 2 의 비 걸어 멈춤부(344)는, 보우트의 길이 방향으로 돌출하는 판형상의 돌출부이고, 이것이 반송 아암쪽의 키이 홈 형상의 슬리트(333)에 꽂아지는 것과 같은 형상으로 형성되어 있다.

제 8 도는, 제 4 실시예의 반송 아암의 앞쪽 끝단부를 나타낸 것이다.

반송 아암의 앞쪽 끝단부는, 속이빈 상태의 원통형상 부재(430a)의 앞쪽부가 원호 형상부재(430b)의 뒤쪽부에 삽입됨으로써 구성되어 잇다.

원호 형상 부재(430b)의 앞쪽 끝단에는 1쌍의 키이 홈 형상의 슬리트(432),(432)가 형성되어 있다.

한편, 판형상 돌출부(433)가, 부재(430a)(430b)의 단턱부의 윗쪽끝단 근방에 형성되어 있다.

돌출부(433)는, 윗쪽으로 절곡된 걸림부(434)를 갖는다.

제 12 도는, 제 4 실시예의 보우트를 나타낸 것이다.

보우트(440)는, 반으로 나누어진 통형상의 본체(250)와, 본체(250)의 길이를 따라 뻗는 1쌍의 웨이퍼 지지로드(252)와, 2쌍의 다리(251)와를 갖는다.

본체(250)의 앙쪽 끝단의 측면판에 각각 제 1 및 제 2 의 비걸어 멈춤부(433),(444)가 형성되어 있다.

제 1 의 비 걸어 멈춤부(443),(444)는, 보우트의 폭방향으로 뻗은 1쌍의 돌출부이다.

한편, 제 2 의 비 걸어 멈춤부(444)는, 걸림부(445)를 갖는 판형상의 돌출부이며, 걸림부(445)가 반송 아암쪽의 걸림부(434)에 걸려지는 형상으로 형성되어 있다.

제 9 도는, 제 5 실시예의 반송 아암의 앞쪽 끝단부를 나타낸 것이다.

반송 아암의 앞쪽 끝단부는, 속이빈 상태의 원통 형상 부재(530a)의 앞쪽부가 원호 형상 부재(530b)의 뒷쪽부에 삽입됨으로써 구성되어 있다.

원호 형상 부재(530b)의 앞쪽 끝단에는 1쌍의 키이 홈 형상의 슬리트(532),(532)가 형성되어 잇다.

그런데, 이 제 5 실시예의 단턱부(533)에는, 돌출부나 슬리트와 같은 특별한 걸어 멈춤부로서의 형상을 형성하지 않고 있다.

이것은, 다음에 설명하는 보우트(540)쪽의 비 걸어 멈춤부(544)가 이것에 꼭끼어 넣어지도록 형성되어 있기 때문이다.

제 13 도는, 제 5 실시예의 보우트를 나타낸 것이다.

보우트(540)는, 반으로 나누어진 통형상의 본체(250)와, 본체(250)의 길이를 따라 뻗은 1쌍의 웨이퍼 지지로드(252)와 2쌍의 다리(251)와를 갖는다.

본체(250)의 측면판(541)에 제 1 의 비 걸어 멈춤부(543)가, 이 반대쪽 끝단부에 제 2 의 비 걸어 멈춤부(544)가 형성되어 있다.

제 1 의 비 걸어 멈춤부(543),(543)는, 보우트의 폭방향으로 뻗은 1쌍의 돌출부이다.

한편 제 2 의 비 걸어 멈춤부(544)는, 보우트 본체(250)의 직경보다 작게 형성되어 있다.

이 비 걸어 멈춤부(544)는, 반송 아암쪽의 단턱부(533)내에 꽂아넣는 형상으로 형성되어 있다.

또한, 본 발명은, 상기한 실시예에 한정되는 것만은 아니고, 본 발명의 요지의 범위내에서 여러 가지의 변형 실시가 가능하다.

예를 들면, 상기 실시예에서는 횡형로의 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 열처리 방법은 이것에 한정되는 것만은 아니고, 종형로에 대하여도 실시가 가능하다.

또한, 본 발명 방법에서는, 열처리전 또는 열처리 후에, 적어도, 반송 아암 및 보우트로서 형성한 방출 튜우브와, 프로세스 튜우브와를 서로 연이어 통하게 하고, 방출 튜우브내에 비산화성 가스를 공급하여 웨이퍼의 주위를 비 산화성 가스 분위기로 함과 동시에, 웨이퍼를 소정의 온도로 예비가열 또는 냉각하는 공정을 포함하면 좋다.

따라서, 상기한 실시예에서와 같이 셔터(61)를 폐쇄한 상태에서의 질소 가스 방출은 반드시 필요한 것은 아니다.

또한, 셔터(61)를 갖고 있지 않은 경우에는, 차폐판(45)에 의하여 프로세스 튜우브의 개구끝단의 폐쇄를 실현할 수가 있다.

또한, 보우트의 반입시에는, 차폐판(45)의 의하여 프로세스 튜우브의 개구끝단의 폐쇄를 신속하게 실행할 수가 있다.

그러나, 바람직하기로는 셔터(61)를 구비한 장치로 해야할 것이며, 상기 실시예에서와 같이, 스텝 3에서의 질소 가스의 방출을 실행하면, 보다 더 확실하게 공기등의 배출이 가능하게 되고, 또한, 열처리로(50)내에로의 공기등의 유입을 방지할 수가 있다.

또한, 차폐판(45)에 관하여 언급하면, 차폐판(45)을 항상 보우트(40)의 반송 뒤쪽 끝단쪽으로 힘을 가하고 있으므로, 특별한 구동원을 필요로 하지 않고, 반송 아암(30)과 함께 이동시키는 방식이 간단한 구성으로 되는 점에서 우수하다.

이 경우에, 차폐판(45)을 별도로 구동원에 의하여 독립적으로 이동시키는 것이어도 좋다.

또한, 상기의 비 산화성 가스 방출 공정을, 반드시 피 처리체의 열철 전, 후의 양쪽에서 행할 필요는 없고, 어느 쪽인가 한쪽일때이어도 효과는 안정된다.

이 경우에, 보우트의 반입전에 비산화성 가스를 방출하는 방법이 웨이퍼의 산화 방지 면에서 더욱 바람직하다.

본 발명의 효과에 대하여, 다음에 총괄적으로 설명한다. 반도체 웨이퍼의 열처리 전, 후 또는 그중의 어느쪽인가 한쪽일때에, 웨이퍼를 얹어실은 보우트 주위의 공간과 열처리로 내에 존재하는 공기등의 불필요한 가스를 배제할 수가 있으므로, 이들 공간을 비산화성 가스 분위기로서 반도체 웨이퍼에 바람직하지 않은 산화막등이 형성되는 것을 확실하게 방지할 수가 있다.

또한, 보우트 그 자체를 웨이퍼를 포위하는 수단의 일부로 이용하는 것이어서, 보우트의 출입시에 쓸모가 있고 효율좋게 웨이퍼의 산화방지를 도모할 수가 있다.

종래의 아톰스캔에 의하면, 보우트의 이동 스트토우크를 취할 필요가 있고, 장치의 점유 면적의 크게 되므로, 클린룸내에로의 설치가 불리하였지만, 본 발명의 방법 및 장치에 의하면 틈내의 점유 면적을 종래보다 작게할수가 있다.

Claims (9)

1. 복수매의 피처리체를 배열한 보우트 수단을 반송아암수단으로 지지하고, 이 보우트 수단을 상기 반송아암수단의 이동에 의하여 열처리로 수단에 출입할때 또는 그중의 어느쪽인가 한쪽일때에, 상기 보우트 수단을 반송아암수단으로 지지함으로써, 상기 피처리체의 윗쪽 근방의 한쪽 공간을 반송아암 수단으로 덮고, 또한, 상기 피처리체의 아래쪽 근방의 다른쪽 공간을 상기 보우트 수단 그 자체로서 덮음으로써, 상기 피처리체를 포위하는 방출 튜우브 수단을 형성하고, 상기 반송아암 수단을 이동시켜서, 상기 방출 튜우브 수단과 열처리로 수단과를 연이어 통하게 하고, 이 연이어 통하는 상태에서 비산화성의 가스를 상기 방출 튜우브 수단 및 상기 열처리로 수단의 내부로 공급함과 동시에, 상기 피처리체를, 소정의 온도 범위에서 예비가열 또는 냉각하고, 그후에, 상기 방출 튜우브 수단을, 열처리로 수단내에 집어넣거나, 또는 열처리로 수단과의 연이어 통합을 해제하여 빼내는 것으로 이루어지는 반도체 웨이퍼의 열처리 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 방출튜우브 수단내의 피처리체를 열처리하기 전에만, 연이어 통하는 상태의 방출튜우브 수단 및 열처리 수단의 내부에 비산화성의 가스를 공급하는 반도체 웨이퍼의 열처리 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 방출튜우브 수단내의 피처리체를 열처리 한후에만, 연이어 통하는 상태의 방출 튜우브수단 및 열처리로 수단의 비산화성의 가스를 공급하는 반도체 웨이퍼의 열처리 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 피처리체의 열처리의 전후에, 상기 방출 튜우브 수단과 상기 열처리로 수단과의 사이를, 차단수단에 의하여 차단하는 반도체 웨이퍼의 열처리 방법.
5. 피처리체를 열처리하기 위한 열처리로 수단과, 복수매의 피처리체를, 그의 아래쪽영역을 덮도록 배열하여 지지하고, 또한, 피 걸어멈춤부를 구비한 보우트 수단과, 상기 열처리로 수단내에로의 반입 또는 빼냄이 가능하게 지지되고, 그의 자유로운 끝단쪽에, 상기 보우트 수단위의 피처리체의 윗쪽영역을 덮어 포위하는 수단을 구비한 반송아암 수단을 갖고, 상기 포위 수단이, 상기 보우트 수단의 피 걸어멈춤부에 걸어맞추어지는 걸어멈춤부를 구비하고, 상기 포위 수단을 상기 보우트 수단에 걸어맞춤시켜서 형성되는 방출튜우브 수단내에 비산화성의 가스를 공급하는 수단을 갖는 것으로 이루어지는 반도체 웨이퍼의 열처리 장치.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 방출튜우브 수단의 뒤쪽부에 방출튜우브 수단을 상기 열처리로 수단에 집어넣었을때에 상기 열처리로 수단의 집어 넣는 입구를 막기 위한 차폐수단을 형성하는 반도체 웨이퍼의 열처리장치.
7. 제 5 항에 있어서, 상기 열처리로 수단의 집어넣는 입구를 차단하기 위한 셔터수단을 갖는 반도체 웨이퍼의 열처리 장치.
8. 제 5 항에 있어서, 상기 포위 수단은 원호 형상 부재에서 연속하여 원통 형상 부재에 비산화성의 가스를 공급하기 위한 원통 형상 부재로 구성되고, 상기 원호 형상 부재는 각각 그의 세로 끝단과, 상기 보우트수단의 피 걸어 멈춤부를 걸어 맞추도록 배치된 제 1 및 제 2 의 걸어 멈춤부를 갖는 반도체 웨이퍼의 열처리장치.
9. 복수매의 피처리체를 보호지지하기 위한 본체와, 이 본체의 길이를 따라 양쪽끝단에 각각 형성되어, 열처리로 수단내에 피처리체를 출입시키기 위한 반송아암 수단에 걸어멈추어지는 피 걸어멈춤부와를 갖는 것으로 이루어지는 반도체 웨이퍼의 열처리용 보우트.

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