KR970009668B1 - Laser diode driver - Google Patents

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KR970009668B1
KR970009668B1 KR94007835A KR19940007835A KR970009668B1 KR 970009668 B1 KR970009668 B1 KR 970009668B1 KR 94007835 A KR94007835 A KR 94007835A KR 19940007835 A KR19940007835 A KR 19940007835A KR 970009668 B1 KR970009668 B1 KR 970009668B1
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Abstract

a control means controlling an operation signal inputted; a power condition and charging pulse means outputting an electrical signal by receiving the operation signal controlled by the control means; an energy storing means storing the electrical signal from the power condition and charging pulse means; a trigger light source and driving means generating a low power laser beam when the electrical energy is stored in the energy storing means; a photo-active semiconductor switching means which is switched by the laser beam from the trigger light source and driving means and converts the stored electrical energy into a high current pulse; and a high output power laser array converting the high current pulse from the photo-active semiconductor switching means into a high power optical pulse. The energy storing means comprises an energy storage capacitor with a very low impedance.

Description

레이저 다이오드 드라이버 A laser diode driver

제1도는 본 발명 레이저 다이오드 드라이버의 블럭도. First turning block diagram of the present invention, the laser diode driver.

제2도는 본 발명 팬형의 균일하지 않은 임피던스 스트립라인을 나타낸 에너지 저장수단의 구성도로서, A second turn and also a configuration of the energy storage means as a non-uniform impedance of the strip line of the present invention, fan-shaped,

(a)는 에너지저장 캐패시터의 평면도이고, (A) is a plan view of the energy storage capacitor,

(b)는 에너지저장 캐패시터의 AA 단면도이다. (B) is an AA cross-sectional view of the energy storage capacitor.

제3도는 본 발명 동심형의 균일하지 않은 임피던스 스티립라인을 나타낸 에너지 저장수단의 구성도로서, The third turn as a configuration of the energy storage means as a non-uniform impedance of concentric styryl riprain the invention,

(a)는 에너지저장 캐패시터의 평면도이고, (A) is a plan view of the energy storage capacitor,

(b)는 에너지저장 캐패시터의 AA 단면도이다. (B) is an AA cross-sectional view of the energy storage capacitor.

제4도는 본 발명 균일 스티립라인 구조의 에 저장수단과 레이저 어레이간의 동작 구성도로서, The fourth turn as an operational configuration between the present invention uniform stitch riprain structure in the storage means and the laser array,

(a)는 에너지저장 캐패시터의 평면도이고, (A) is a plan view of the energy storage capacitor,

(b)는 에너지저장 캐패시터의 AA 단면도이다. (B) is an AA cross-sectional view of the energy storage capacitor.

제5도는 본 발명 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터와 레이저 어레이간의 동작구성도. The fifth turning Dongjak Chengdu between the energy storage capacitor and a laser array of the present invention a non-uniform impedance stripline structure.

제6도의 (ac)균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터에 의한 출력펄스 파형도. The sixth degree (ac) the output pulse waveform according to the energy storage capacitors of the non-uniform impedance stripline structure.

제7도의 (ac)는 본 발명 균일 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터에 의한 출력펄스 파형도. Seventh degree (ac) is an output pulse waveform according to the energy storage capacitor of the present invention, uniform impedance stripline structure.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Description of the Related Art

100 : 제어수단 200 : 전력조건 및 충전펄스수단 100: control means 200: power condition, and a pulse charging means

300 : 에너지 저장수단 400 : 트리거광 및 구동수단 300: energy storage means 400: the optical trigger and drive means

500 : 광활성 반도체 스위치수단 600 : 고출력 레이저 어레이 500: photoactive semiconductor switch means 600: high-power laser array

본 발명은 레이저 다이오드 드라이버에 관한 것으로, 특히 레이저 다이오드가 고전력, 고펄스반복 주파수를 출력할 수 있도록 한 레이저 다이오드 드라이버에 관한 것이다. The present invention relates to a laser diode driver which relates to a laser diode driver, in particular a laser diode capable of outputting high power, high pulse repetition frequency.

일반적으로 레이저 드라이버는 가스레이저와, 솔리드 스테이트 레이저(SOLID-STATE LASER), 그리고 반도체 레이저로 크게 분류되는 바, 상기 가스레이저와 솔리드 스테이트 레이저는 고출력을 내지만 크기가 크고, 무게가 무거우며, 가격이 비싸고, 효율이 극히 나쁜 단점이 있는 반면에, 상기 반도체 레이저는 크기가 작고, 무게가 가벼우며, 효율이 높고, 가격이 저렴한 장점이 있어 최근 들어 반도체 레이저를 많이 이용하게 되었다. Typically, the laser driver Roasting a gas laser, a solid state laser (SOLID-STATE LASER), and the bar is roughly classified into the semiconductor laser, wherein the gas laser and solid-state lasers are large and have only to the high-power, size, weight heavy, Price this expensive, extremely efficient, while a bad downside, the semiconductor laser is small in size, light weight, high efficiency, and became widely used semiconductor lasers recently got a cheap price advantage.

그러나, 상기 반도체 레이저는 많은 장점이 있는 반면에 저항이 극히 낮다는 단점을 가지고 있어, 저항이 극히 낮은 고출력 반도체 레이저를 작동시키기 위하여는 고출력의 동력전달장치인 레이저 드라이버(LASER DRIVER)가 필요하게 된다. However, the semiconductor laser has got the disadvantage that the resistance is extremely low, while a number of advantages, a is the laser driver (LASER DRIVER) power transmission device of a high output in order to drive the high-power semiconductor laser with a very low resistance are required .

따라서 종래의 레이저 드라이버는 근본적으로 회로의 저항이 크므로, 이 저항이 큰 레이저 드라이버를 저항이 낮은 반도체 레이저와 결합을 할 때, 두 개의 전기회로 사이에 저항이 크게 차이가 나게 되고, 이로 인하여레이저 드라이버에서 규제된 전기에너지가 반도체 레이저를 작동하려 할 때, 대부분의 전기에너지가 광에너지로 바뀌는데 쓰여지지 못하고 레이저 드라이버에서 열로 손실된다. Therefore, the conventional laser driver is essentially the larger is the circuit resistance, when the resistance is coupled for a laser driver and semiconductor laser with low resistance, and reminds the two larger resistance difference between the electrical circuit, which results laser when the electrical energy regulation by the driver to try to operate the semiconductor laser, it is lost most of the electrical energy is not been written bakkwineunde to light energy as heat in the laser driver.

즉 상기 반도체 레이저가 작동하기 위해서는 일정량 이상의 전기에너지가 반도체 레이저에 공급되어야 고출력을 낼 수 있다. I.e., to the semiconductor laser operation it is more than a certain amount of electrical energy that can be supplied to the high-output semiconductor laser.

그러므로 상기 레이저 드라이버의 용량은 레이저 드라이버에서 열로서 손실이 예상된 에너지와 반도체 레이저를 작동하기에 필요한 에너지를 감안하여 구성하여야 하는데, 종래의 레이저 드라이버 경우, 손실된 에너지가 커질수록 레이저 드라이버의 용량은 급격히 커지게 되어 레이저 드라이버가 아주 크고, 무겁게 될 뿐만 아니라, 레이저 드라이버의 반복 주파수, 진동폭 및 진동상승시간에 악영향을 미치게 되는 문제점을 가지게 되었다. Therefore, the capacity is to be composed in view of the energy required for operating the energy to the semiconductor laser a loss is estimated as the heat from a laser driver, when the conventional laser driver, the capacitance of the greater is the loss of energy the laser driver of the laser driver, It is rapidly becomes larger the laser driver is very large, as well as heavy, has had a problem that adversely affected the repetition frequency of the laser driver, the vibration amplitude and rise time.

한편 상기 반도체 레이저 다이오드는 갈륨, 알루미늄, 비소가 pn 접합된 상태에서 순방향으로 바이어스되면, n 도전형 물질로부터 발생되는 전자들이 p 도전형 물질의 정공과 재결합하게 되고, 이에 따라 접합영역에서 광에너지가 방출되고, 그것은 1000nm(1000×10 -9 m)를 훨씬 넘는 파장부터 적색광지역까지 넓은 범위의 파장을 수용하게 된다. On the other hand, the semiconductor laser diode is the gallium, aluminum, arsenic pn when forward-biased in the bonded state, are electron generated from the n conductivity type material recombination and the p conductivity type material, the hole and thus the bonding region where the light energy in accordance with is emitted, it is far from the wavelength greater than 1000nm (1000 × 10 -9 m) accommodate a wide range of wavelength to red light region.

그러나 이러한 반도체 레이저 다이오드의 동작에 있어서 중요한 변수는 바로 공급되는 전류의 레벨로서, 이 전류의 레벨이 낮을 경우에는, 즉 임계전류레벨미만의 전류레벨에서는 반도체 레이저는 레이저출력(레이저광)없이 자발적 방출을 행하게 되지만, 반면에 상기 전류의 레벨이 증가하여 레이저 다이오드가 임계전류레벨이상으로 되게 되면, 레이저 다이오드 매체내의 상태가 반전되어 레이저 동작이 시작되게 된다. However, such a semiconductor laser as the level of the current key variable is directly supplied in the operation of the diode, when the level of the electric current is low, i.e. the current level is less than the threshold current level of the semiconductor laser is a laser output (laser light), spontaneous emission without but the perform, and when the level of the current is increased while the laser diode is to be a threshold current level above, is a state in the laser diode medium is reversed so the laser action starts.

따라서, 임계전류미민에서는 레이저광이 거의 방출되지 않게 되며, 이에 따라 방출효율이 매우 낮게 된다. Therefore, the critical current mimin is no laser light is not substantially emitted, whereby the emission efficiency is very low.

반면에 일단 전류레벨이 임계전류레벨 이상되면, 광출력은 급속하게 증가하게 된다. Whereas once the current level is above the threshold current level, the optical output is increased rapidly on.

한편 레이저 다이오드 스트라이프(LASER DIODE STRIPE) 또는 레이저 어레이로 불리우는 고출력 레이저 다이오드는 단일의 가판상에 다수의 레이저 다이오드를 형성시켜 제조되는데, 이 경우 레이저의 출력 레벨은 레이저 어레이내의 레이저 다이오드의 개수에 비례하게 된다. The laser diode stripe a high power laser, called the (LASER DIODE STRIPE) or laser array diode that is prepared by forming a plurality of laser diodes on a single gapan, the output level in this case a laser is proportional to the number of laser diodes in the laser array do.

이러한 제조기술의 이점으로는 비용이 적게 들고, 대량생산 및 소형화가 가능하고, 신뢰성이 높다는 것을 들 수 있다. The advantage of this manufacturing technology, low cost, and mass production and miniaturization can be cited, and high reliability.

그러나 단점으로는 온(ON)-상태 소자저항이 1오옴보다도 훨씬 작을 정도로 매우 낮다는 것을 들 수 있다. However, a disadvantage is turned on (ON) - may be mentioned are very low as state element resistance is much less than 1 ohm.

이러한 레이저 어레이는 순방향 바이어스된 다수의 pn 접합소자들, 즉, 레이저 다이오드들을 병렬로 접속시켜 제조되기 때문에, 레이저 어레이의 온-상태 저항은 어레이내의 레이저 다이오드들의 갯수가 증가에 반비례하여 감소하게 된다. The laser array is because the production of a plurality of pn junction element a forward-biased, that is, by connecting the laser diode in parallel, one of the laser array-state resistance is reduced in inverse proportion to the number of the laser diode increases in the array.

전형적으로, 고출력 레이저 어레이의 온-상태 저항은 수 오옴 내지 0.01미만의 범위에 있게 된다. Typically, one of the high-power laser array-state resistance can be in the range of ohms to less than 0.01.

한편, 레이저 어레이의 출력레벨이 증가함에 따라, 즉 레이저 다이오드의 수가 많아짐에 따라, 이들 레이저의 임계전류레벨은 급격하게 증가하게 된다. On the other hand, as the output level of the laser array is increased, i.e. as the number of many, the laser diode, the threshold current level of these lasers is sharply increased.

그러므로, 상기 고출력 레이저 구동을 위한 변조방식은 레이저 어레이내를 흐르는 전류를 제어하여 레이저광을 변조시키게 되어 있는 직접 변조방식을 이용하게 되고, 상기 고출력, 고 PRF(펄스반복 주파수)의 레이저 구동을 위해서는 고 펄스반복 주파수에서 매우 높은 전류펄스가 레이저 드라이버에 의해 발생되어야하며, 이것은 또한 매우 낮은 임피던스 부하(레이저 어레이)에 전달되어야만 한다. Therefore, the modulation scheme for the high-output laser drive is to use a direct modulation method, which is thereby modulating the laser light by controlling the current flowing through the laser array, to the laser drive of the high-power and high PRF (pulse repetition frequency) high and very high current pulses at a pulse repetition frequency should be generated by the laser driver, it must be delivered in addition a very low-impedance load (laser array).

종래 고출력의 펄스형 레이저 드라이버들의 능력은 주로 고출력반도체 스위치(실리콘 제어정류기) 및 파워 전계효과 트랜지스터(파워 FET), IGBT(절연된 게이트 쌍극 트랜지스터), 및 파워 쌍극 트랜지스터와 같은 기능에 의해 결정된다. The conventional high-power capacity of the pulsed laser driver is mainly determined by the features such as high power semiconductor switches (silicon controlled rectifier) ​​and a power field effect transistor (power FET), IGBT (insulated gate bipolar transistors), and power bipolar transistors.

따라서, 고전압 캐패시터를 펄스 바이어스시킨 뒤 파워 반도체 스위치를 동작시켜 전기에너지를 발생시키게 되어 있는 전류토폴로지(topo-logy)를 이용하고 있는 종래 고출력 레이저 드라이버는 매우 높은 회로 임피던스를 갖는다. Thus, the conventional high-power laser driver using a current topology (topo-logy) with the back in which the pulse bias high-voltage capacitors to operate the power semiconductor switch is thereby generating electrical energy has a very high impedance circuit.

그러므로 상기 고출력 펄스형 레이저 드라이버(높은 임피던스)와 레이저 어레이(매우 낮은 임피던스)간의 심한 임피던스 부조화에 기인하여, 전기에너지는 레이저 어레이를 구동시키는데 사용되지 못하고 대부분 열의 형태로 손실되게 된다. Therefore, due to a severe impedance mismatch between the high-power pulsed laser driver (high impedance) and the laser array (very low impedance), the electrical energy is not being used to drive the laser array is to be mostly lost as heat.

즉, 드라이버로부터 발생된 열의 양은 그 열을 제거시키기 위한 팬을 설치해야 한다. That is, the amount of heat generated from the driver shall install the fan for removing the heat.

또한, 레이저 어레이의 구동을 위해서는 소정의 전류레벨이 요구되기 때문에 손실된 에너지를 보상하기 위해서는 바이어스 전압을 증가시켜야만 한다. In addition, the sikyeoyaman to the operation of the laser array, increasing the bias voltage in order to compensate for the lost energy since the predetermined current level required.

결국 종래의 고출력펄스형 드라이버는 매우 높은 출력능력을 갖도록 설계되어 있고, 이 때문에 매우 고출력의 반도체스위치가 요구되게 된다. After all conventional high-power pulsed driver is provided designed to have a very high output power, because of the very high output of the semiconductor switch it is required to be. (일반적으로 반도체스위치의 출력능력이 증가함에 따라 이 스위치의 상승 하강시간이 실질적으로 느려지게 되며 펄스반복 주파수는 급속하게 낮아지게 된다). (In general, increasing the output power of the semiconductor switch, the rise and fall time of the switch is substantially slowed as the pulse repetition frequency becomes rapidly lowered).

따라서 종래의 레이저 드라이버의 출력처리능력을 증가시키게 되면, 레이저 드라이버의 다른 능력들(출력 레이저펄스의 상승/하강시간, 펄스폭, PRF와 같은)은 급격하게 떨어지게 될 뿐만 아니라, 드라이버의 크기 및 중량도 급격하게 증가하게 된다. Therefore, when increasing the output throughput of conventional laser drivers, and other capabilities of the laser driver (rise / fall time of the output laser pulse, pulse width, such as PRF) is not only drops suddenly, the driver's size and weight It is also rapidly increased.

그 결과, 종래의 고출력 펄스형 드라이버는 레이저 어레이에 비해 중량이 크고 부피가 크게 되며, 상승시간, 하강시간, 펄스폭, PRF와 같은 능력들은 심하게 제한되게 된다. As a result, the prior art high-power pulsed driver is significantly large and the weight of the volume compared to the laser array, such as the ability to rise time, fall time, pulse width, PRF are to be severely limited.

상기 출력능력이외에도, 펄스형 레이저 드라이버에 대한 중요한 변수들로는 변조속도(고 PRF), 펄스폭, 효율, 중량, 소형화들을 들 수 있다. In addition to the output power, it may be important parameters include baud rate (high PRF), pulse width, efficiency, weight, size reduction of the pulsed laser driver. 따라서 고출력, 경량화, 소형화를 유지하면 고 PRF에서 협역의 펄스폭을 갖는 고 피이크 출력 광펄스를 방생시킬 수 있는 레이저 드라이버가 요구되는 실정이다. Therefore, a situation where the high-power, light weight, and the laser driver while maintaining the size and having a high pulse width of the narrow-area in the PRF can be bangsaeng the peak output pulse request.

따라서 본 발명의 목적은 고전력, 고펄스반복 주파수의 광펄스를 출력얻을 수 있는 고출력 레이저 다이오드 드라이버를 제공하고자 하는데 있다. It is therefore an object of the present invention is to to provide a high-power laser diode driver to get the output light pulses of high power and high pulse repetition frequency.

본 발명의 다른 목적은 고 전류효율, 경향화 및 소형화된 고출력 레이저 다이오드 드라이버를 제공하고자 하는데 있다. Another object of the present invention is to to provide a high-power laser diode driver, a high current efficiency, and the downsizing trend screen.

상기의 목적을 실현하기 위하여 본 발명은 반도체 레이저 드라이버에 있어서, 펄스 바이어스된 후 반도체 스위치를 동작시키는 고전압 캐패시터를 저임피던스의 균일 임피던스 스티립라인 구조 또는 균일하지 않은 임피던스 스티립라인 구조로 구성하여서 된 것을 특징으로 한다. The present invention to achieve the above object is a semiconductor laser driver, the high voltage capacitor for operating a semiconductor switch, a pulse bias and wherein the hayeoseo composed of uniform impedance styryl riprain structure or a non-uniform impedance styryl riprain structure of the low impedance do.

이하 첨부된 도면에 의거 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다. In detail the present invention based on the accompanying drawings as follows.

제1도는 본 발명 레이저 다이오드 드라이버의 블럭도로서, 본 발명은 고출력, 고펄스 반복주파수의 소형화된 펄스형 레이저 다이오드 드라이브는 제어수단(100), 전력조건 및 충전펄스수단(200), 에너지 저장수단(300), 트리거광원 및 구동수단(400), 광활성 반도체 스위치 수단(500), 고출력 레이저 어레이(600)로 구성되는데, 상기 제어수단(100)은 입력단으로부터 들어오는 신호를 제어하고 제어된 신호를 전력조건 및 충전펄스수단(200) 및 트리거광원 및 구동수단(400)에 출력하게 된다. First turning a block diagram of the present invention, the laser diode driver, the present invention is a pulsed laser diode drive downsizing of the high-power, high pulse repetition frequency control unit 100, a power condition, and a charge pulse means (200), energy storage means 300, consists of a trigger source, and drive means 400, a photoactive semiconductor switch means 500, high-power laser array 600, the control means 100 is the power of the control signals coming from the input stage and the control signal and outputs to the condition and the charge pulse means (200) and triggers the light source and the driving means 400.

상기 전력조건 및 충전펄스수단(200)은 상기 제어수단(100)로부터의 신호에 의하여 AC 전원선 또는 밧데리로부터 유도된 주전기에너지를 제어한 후 소정의 에너지 저장수단(300) 및 트리거광원 및 구동수단(400)에 출력하게 된다. The power condition, and a charge pulse means (200) and the control means then by the signal from the 100 control the state of electric energy derived from an AC power supply line or battery predetermined energy storing means 300 and the trigger light source and the drive is output to the unit 400.

상기 에너지 저장수단(300)은 저임피던스의 균일한 임피던스 스트립라인 구조 또는 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조의 캐패시터로 구성하게 되며, 상기 전력조건 및 충전펄스수단(200)에서 출력되는 에너지를 저장하게 된다. The energy storage means 300 is configured as having a uniform impedance of the strip line structure or a non-uniform impedance of the strip line structure of a low-impedance capacitor, and stores the energy output from the power condition, and a charge pulse means (200).

상기 트리거광원 및 구동수단(400)은 상기 에너지 저장수단(300)에서 에너지저장이 완료되는 시점에서 상기 제어수단(100)으로부터 제어신호 입력시, 트리거광원이 구동하면서 저(혹은 중간)출력의 레이저광을 광활성 반도체 스위칭 수단(500)에 출력하게 된다. The triggering light source and drive means 400 includes a laser having a low (or intermediate) output and the, the trigger light source when a signal input of the drive from the control means 100 at the time when the energy storage completion in the energy storage means 300 the light, and outputs to a photoactive semiconductor switching means 500.

상기 광활성 반도체 스위치수단(500)은 스위치의 일종으로, 상기 트리거광원 구동수단(400)로부터 레이저광에 의하여 스위칭되면서 상기 에너지 저장수단(300)에 저장된 정전에너지를 고전류임펄스로 변환시켜서 고출력 레이저 어레이(600)에 출력하게 된다. The photoactive semiconductor switch means 500 is a kind of switch, the trigger while the switching by the laser beam from the light source driving unit 400 of the energy storage means of the electrostatic energy of a high-power laser array by converting a high current impulse stored in the 300 ( 600), and outputs a.

상기 고출력 레이저 어레이(600)은 상기 광화성 반도체 스위치 수단(500)에서 변환된 고전류 임피던스를 고출력 광펄스로 출력하게 된다. The high-power laser array 600, and outputs the high-current impedance conversion by the chemical conversion optical semiconductor switch means 500 in a high-output light pulses. 상기와 같이 구성되는 레이저 다이오드 드라이버는 제어수단(100)로부터의 신호에 의하여 전력조건 및 충전펄스수단(200)에서는 AC 전원선 또는 밧데리로부터 유입되는 주전기에너지 조건이 된 후, 에너지 저장수단(300)을 충전하는데 이용된다. After the laser diode driver, the control means 100, the main electrical energy conditions flowing from the AC power source line or the battery in a power condition, and a charge pulse means (200) by a signal from the configured as described above, the energy storage means (300 ) it is used for the charging.

상기 광활성 반도체 스위치 수단(500)은 트리거광원 구동수단(400)으로부터 광이 도입됨에 따라 상기 에너지 저장수단(300)에서 충전된 정전에너지를 고전류임펄스로 변환 출력하게 되는데, 이때 에너지 저장수단(300)은 레이저 다이오드를 변조하기 위해 고전압 캐패시터와 고출력 반도체 스위치를 사용하기 보다는 균일한 임피던스 스트립라인 구조 또는 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조를 이용하게 된다. The photoactive semiconductor switch means (500) there is outputted converting the electrostatic energy charge in the energy storage means 300 as the light introduced from the trigger light source driving unit 400, a high current impulse, wherein the energy storage means (300) It is preferred to use a uniform impedance of the strip line structure or a non-uniform impedance stripline structure, rather than using the high-voltage capacitor and a high-power semiconductor switch in order to modulate the laser diode.

왜냐하면, 에너지저장 캐패시터로서 균일 임피던스 스티립라인 구조 또는 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조를 사용하면 실제의 융통성과 고전류 효율과 경량화와 컴팩트화를 부여할 수 있다. Because, using the uniform impedance styryl riprain impedance structure or a strip line structure is not uniform as the energy storage capacitor when it is possible to give the real flexibility and a high current efficiency and light weight and compact.

따라서 상기 균일 임피던스 스트립라인 구조와 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조를 사용함에 의해 매우 낮은 임피던스의 에너지저장 캐패시터를 설게하는 것이 매우 용이해질 뿐만 아니라, 레이저 디이오드로 트리거되는 광활성 반도체 스위치를 사용함에 의해 느린 상승 및 하강시간, 낮은 PRF, 대역 펄스폭과 같은 고출력 반도체 스위치의 임계한계가 쉽게 극복할 수 있기 때문이다. Therefore, the uniform impedance stripline structure and not that impedance only be very easy to seolge the energy storage capacitor with a very low impedance by using a strip line structure as well, slow by the photoactive semiconductor switch that is triggered by a laser diimide Eau the use uniform This is because the critical limitations of the high power semiconductor switches, such as the rise and fall times, low PRF, band pulse width can be easily overcome.

그러므로 저임피던스 에너지저장 캐패시터의 저출력(또는 중간출력) 레이저 다이오드로 트리거되는 반도체 스위치를 성공적으로 조합하면 고 PRF에서 극히 좁은 협역의 펄스폭을 갖는 고 피크 출력 광펄스를 발생할 수 있는 소형화된 펄스형 레이저 다이오드 드라이버가 만들어진다. Thus a low impedance energy saving low-output (or an intermediate output) a pulsed laser diode miniaturization in high can cause a high peak power optical pulses having a pulse width of the extremely narrow narrow-area in the PRF when combined successfully to the semiconductor switches that are triggered by the laser diode of the capacitor It made the driver.

제2도는 본 발명 팬형의 균일하지 않은 임피던스 스트립라인을 나타낸 에너지 저장수단의 구조를 나타낸 것이고, Second turn will show the structure of the energy storage means as a non-uniform impedance of the strip line of the present invention, fan-shaped,

제3도는 본 발명의 동심형의 균일하지 않은 임피던스 스트립 라인을 나타낸 에너지 저장수단의 구조를 나타낸 것이며, The third turn will show the structure of the energy storage means as a non-uniform impedance of the strip line of the concentric of the present invention,

제4도는 본 발명 균일 임피던스 스트립라인 구조의 에너지 저장수단과 레이저 어레이간의 동작 구성도이고, The fourth turning operation and configuration also between the energy storage means and the laser array of the present invention, uniform impedance stripline structure,

제5도는 본 발명 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터와 레이저 어레이간의 동작구성도를 나타낸 것이다. The fifth turning illustrates a Dongjak Chengdu between the energy storage capacitor and a laser array of the present invention a non-uniform impedance stripline structure.

따라서 상기 에너지 저장수단(300)은 제2도의 (a)(b) 및 제3도의 (a)(b)에 도시한 바와같이, 팬형 또는 동심형 스티립라인 구조같은 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조나, 제4도의 (a)(b)에 도시한 바와같이 균일 임피던스 스트립라인 구조로 에너지저장 캐패시터를 구성하였을 경우, 각각의 정전용량(C)과 스트립라인의 임피던스특성(Zo)는 다음과 같다. Therefore, the energy storage unit 300 is a second degree (a) (b) and the third degree (a) (b) the impedance, non-uniform, such as fan-shaped or concentric styryl riprain structure as the strip shown in line structure or when has been configured for the energy storage capacitor with a uniform impedance stripline structures as shown in the fourth degree (a) (b), each capacitance (C) and the impedance characteristic (Zo) of the strip line is as follows.

여기서 C는 정전용량, A는 캐패시터의 전극, εo는 자유공간의 유전율, d는 유전체의 두께, εr은 유전체의 유전체상수, Zo는 스트립라인의 임피던스특성, w는 스트립라인 전극의 폭을 나타낸다. Where C is the capacitance, A is the electrode of the capacitor, εo is the permittivity of free space, d is the thickness of the dielectric, εr is the dielectric dielectric constant, Zo is a characteristic impedance of the strip line, w denotes the width of the strip line electrodes.

상기 기판물질의 유전상수, 유전체의 두께, 그리고 전극의 폭을 적절히 선택하면 임피던스가 낮은 에너지저장 캐패시터를 설계할 수 있다. When appropriately selecting the dielectric constant, the dielectric thickness of the substrate material, and the width of the electrode, the impedance can be designed to lower the energy storage capacitor.

상기 저임피던스 캐패시터로부터 고출력 레이저 어레이로 전기 에너지가 유도될 때, 캐패시터에 저장된 대부분의 에너지가 레이저 어레이를 구동하는데 사용되어, 에너지손실이 매우 작게 된다. When the electrical energy induced by a high-power laser array from the low-impedance capacitor, most of the energy stored in the capacitor is used to drive the laser array, the energy loss is extremely small.

상기 에너지 저장수단(300)인 에너지저장 캐패시터의 주기능은 일시적 정전에너지형태에서 전기적 에너지로 일시 보유하고 있다가, 광활성 반도체 스위칭 수단(500)이 턴온될 때, 에너지저장 캐패시터의 경계조건은 개방상태에서 닫힘상태로 전환된다. The main function is when the holds temporarily into electrical energy in the momentary power loss energy form, the turn-on the photoactive semiconductor switching means 500, the boundary conditions of the energy storage capacitor of the energy storage means 300, the energy storage capacitor is open It is switched from a closed condition.

상기 경계조건은 전환되자마자 에너지저장 캐패시터에 저장된 정전에너지는 진행파가 되어 상기 광활성 반도체 스위칭 수단(500)을 통해서 부하쪽으로 흐르기 시작한다. The boundary condition is as soon as the switching power failure the energy stored in the energy storage capacitor is a traveling wave begins to flow toward the load via the photoactive semiconductor switching means 500.

이때 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터는 전송선과 같이 동작하여 제5도에 도시한 바와같이, 정합된 부하 임피던스가 연결되면 RC 시정수 지연곡선을 갖는 방전된 파형이기보다는 날카로운 상승하강시간을 갖는 전류펄스가 발생한다. The energy storage capacitors of the non-uniform impedance stripline structure as described operates as the transmission line shown in FIG. 5, when the matched load impedances connected RC sharp rise and fall time, rather than the discharge waveform having a time constant delay curve and a current pulse generator having an.

이들 전류펄스의 펄스폭은 에너지저장 캐패시터의 두 방향파 전송시간이다. The pulse width of the current pulse is a two-way file transfer time of the energy storage capacitor.

상기 전류펄스의 진폭은 전송 임피던스와 관련하여 이득요소로 인한 일정한 임피던스 스트립라인으로부터 얻어진 전류진폭보다 크다. The amplitude of the current pulses is greater than the current amplitude resulting from a constant impedance of the strip line due to the gain factor in relation to the transfer impedance.

따라서 상기 전류진폭은 다음과 같다. Therefore, the current amplitude is as follows.

I=(g×V)/(Zin+Ron+Rm)(A) I = (g × V) / (Zin + Ron + Rm) (A)

여기서 g는 일정하지 않은 스트립라인 구조의 임피던스특성 내경과 외경간에 전송 임피던스로 인한 이득 요소이고(계수값 g의 범위는 1보다는 크고 2보다는 작다), Rm은 정합된 외부 임피던스이고(레이저 어레이의 온상태 임피던스를 포함한다) Where g is the gain factor caused by the transfer impedance between the impedance characteristic of the stripline structure is not constant inner diameter and the outer diameter is (counter value g in the range is smaller than the larger than 1 2), Rm is a matching external impedance, and (in the laser array on and a state impedance)

V는 바이어스 펄스전압이며, Zin은 스트립라인의 내경 임피던스특성이다. V is the bias voltage pulse, Zin is the characteristic impedance of the strip line diameter.

Ron은 반도체 스위치의 온상태 임피던스이다. Ron is the on-state impedance of the semiconductor switch.

이상적인 임피던스 정합의 경우, Ron은 무시한다(Zin=Rm), 상기 발생된 전류펄스는 다음과 같다. In the case of an ideal impedance matching, Ron is ignored (Zin = Rm), the generated current pulses are as follows.

I=(g/Rm)×(V/2)(A) I = (g / Rm) × (V / 2) (A)

이것은 이득요소(g)를 제외한 정합된 균일 스트립라인을 정의한 것이다. This will define a matched uniform strip line other than the gain factor (g). 상기 이득요소 g는 효율 개선 부가회로가 제공되어야 하고 그러므로, 매우 고효율 회로로 인한 높은 에너지저장 캐피시터로서, 저임피던스, 균일하지 않은 스트립라인 구조로 하는 것이 바람직하다. The gain factor g is to be added efficiency improvement provided by the circuit, and therefore, a high energy storage capacitors due to the very high efficiency circuit, it is preferable that the low-impedance, non-uniform strip line structure.

한편 에너지 저장수단(300)의 에너지저장 캐피시터를 제4도의 (a)(b)에 도시한 바와 같이 균일한 임피던스 스트립라인 구조로 형성하게 되면, 정전용량(C)과 스트립라인의 임피던스특성(Zo)는 상기 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조와 같이, On the other hand, if the formation of energy storage capacitors of the energy storage means 300 to a uniform impedance stripline structures as shown in the fourth degree (a), (b), the impedance characteristic of the capacitance (C) and the strip line (Zo ), as the impedance the strip line structure is not a uniform,

와 동일하게 되고, 특히 제4도의 (a)(b)에 도시된 바와같이 균일 임피던스 스트립라인 구조에 에너지저장 캐패시터가 조화된 부하 임피던스에 접속되는 경우에는 그 에너지저장 캐패시터는 마치 전송라인과 같이 작용하게 된다. If and are the same, in particular to be connected to a fourth degree (a) (b) of the load impedance energy storage capacitor is conditioning the uniform impedance stripline structures as shown in is the energy storage capacitor is acting as if the transmission line It is.

그 결과 발생되는 RC 시정수 지연곡선에 다른 출력파형을 갖는 전류펄스대신 신속한 하강시간의 전류펄스가 발생되게 된다. As a result having a different output waveform to the RC time constant delay curve generated current pulses it is instead to be a current pulse of the fast fall times occur.

상기 전류펄스의 진폭은 전송 임피던스와 관련하여 이득요소로 인한 균일하지 않은 임피던스 스트립라인으로부터 얻어지 전류진폭보다 작다. The amplitude of the current pulse is less than the current paper obtained from non-uniform impedance of the strip line due to the gain factor in relation to the transfer impedance amplitude.

전류펄스는 다음식으로 나타낼 수 있다. Current pulse is can be expressed by the following equation.

I=V/(Zo+Ron+Rm)(A) I = V / (Zo + Ron + Rm) (A)

여기서, V는 펄스 바이어스된 전압, Zo는 스트립라인의 특성 임피던스, Ron은 반도체 스위치의 온상태 임피던스, Rm은 조화된 외부 임피던스(온 상태 레이저 다이오드 임피던스를 포함)를 나타낸다. Here, V is a voltage bias pulse, Zo is the characteristic impedance of the strip line, Ron denotes the ON-state impedance of the semiconductor switch, Rm is a blend of the external impedance (including the on-state laser diode impedance).

Ron을 무시할 수 있고 조화 임피던스가 이상적일 경우, 즉 Zo 및 Rm이 동일하다고 하면, 고출력 반도체 레이저에 전달되는 전류펄스는 To override the Ron impedance, and when the conditioner is ideal, that is, if Zo and Rm that are the same, the current pulse is passed to the high-output semiconductor lasers are

I=V/(2×Rm)(A) I = V / (2 × Rm) (A)

으로 나타낼 수 있다. As it may be represented.

이러한 펄스의 폭은 에너지저장 캐패시터의 대체로 두방향과 천이시간으로 되며, 식은 다음과 같이 나타낼 수 있다. The width of these pulses is usually in two directions and the transition time of the energy storage capacitor, the expression can be expressed as:

여기서, εr는 유전체의 유전상수, L(cm)은 전극의 길이다. Here, εr is the dielectric of the dielectric constant, L (cm) is the path of the electrode.

이하 본 발명의 작용효과를 설명하면 다음과 같다. Turning to the following functions and effects of the present invention.

구동명령을 제어수단(100)에 전송하여 구동순서를 개시함에 의해 드라이버의 구동이 시작된다. The driving of the driver is initiated by starting the driving sequence in transmitting to the driving command to the control section 100. The

먼저 출력조건 및 충전펄스수단(200)이 구동되어 AC 출력라인 또는 밧데리로부터의 주출력이 제어되어 소정의 전압을 에너지 저장수단(300)의 캐패시터에 펄스충전시키게 된다. First, the driving condition, and the output pulse charging means 200 is a control state output from the AC output line or the battery, thereby charging a predetermined voltage pulse to the capacitor of the energy storage means (300).

이때, 에너지 저장수단(300)의 캐패시터에 펄스 바이어스 전압이 피크전압에 도달하면, 제어수단(100)의 제어신호에 의하여 트리거광원 및 구동수단(400)이 구동된다. At this time, the pulse bias voltage to the capacitor of the energy storage means (300) when it reaches the peak voltage, the trigger and the light source driving unit 400 by a control signal of the control means 100 is driven.

상기 트리거광원 및 구동수단(400)은 매우 높은 펄스반복 주파수(PRF)로 신속한 상승시간으로 트리거링되는 광펄스를 발생시켜 상기 광활성 반도체 스위치수단(500)에 전달하게 된다. The triggering light source and drive means 400 is to generate a light pulse is triggered in a rapid rise time to a very high pulse repetition frequency (PRF) transmitted to said optically active semiconductor switch means 500.

상기 트리거광원 및 구동수단(400)에서 발생된 광펄스는 섬유광학 피그테일과 결합되고 섬유광학 피그테일을 통해 전달되며 광활성 반도체 스위치수단(500)을 구동시키기 위해 사용된다. The light pulses generated by the light source and trigger the drive means 400 is combined with the optical fiber pigtail is transmitted through the fiber optic pigtails are used to drive the photoactive semiconductor switch means 500.

상기 트리거링된 광펄스는 광활성 반도체 스위치수단(500)의 활동영역을 통과하게 되고, 트리거광은 충분한 갯수의 광자발생 정공쌍을 발생시키므로, 반도체 스위치의 상태는 완전한 개방상태(비도통상태)로부터 완전한 폐쇄상태(도통상태)로 전환된다. The triggered pulse is passed through the active area of ​​the photoactive semiconductor switch means 500, trigger light because it puts the photon generated electron-hole pairs in a sufficient number, the state of the semiconductor switch is complete from the full open state (non-conductive) It is switched to the closed state (conductive state).

이때 반도체 스위치가 온이 되면 에너지 저장수단(300)의 캐패시터내에 저장된 정전 에너지는 좁은 전류펄스의 형태로 방전하면서, 고진폭의 전류펄스를 발생시키게 되고, 임계치를 훨씬 초과한 전류펄스들은 출력 레이저 어레이(600)로 흘러 신속한 상승 및 하강시간을 갖는 고출력 광펄스가 발생시키게 된다. At this time, when the semiconductor switch is turned on while the electrostatic energy stored in the capacitor of the energy storage means (300) is discharged in the form of a narrow current pulse, and thereby generating a current pulse of high amplitude, far in excess of the current pulse to the threshold value are output laser array It flows to 600, thereby a high output light pulse having a rapid rise and fall times occur.

즉 제6도(a),(b),(c)에 도시한 바와같이, 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터의 경우, 광활성 반도체 스위치 수단(500)이 트리거링되면, 발생되는 광펄스형태는 출력레이저펄스의 상승시간이 구동정류펄스의 상승시간 보다 빠르다는 것을 제외하고는 구동전류펄스의 형태와 매우 유사하다. I.e. Figure 6 (a), (b), as shown in (c), when the energy storage capacitors of the non-uniform impedance stripline structure, optically active when the semiconductor switch means 500 is triggered, generated light pulses form is very similar to the shape of the drive current pulses with the exception that the rise time of the output laser pulse is faster than the rise time of the driving pulse rectification.

그러나 상기 한 개의 전류펄스의 펄스폭은 트리거광펄스의 펄스폭과, 에너지저장 캐패시터에서 파(wave) 천이시간에 의하여 결정된다. However, the pulse width of the single current pulse is determined by the trigger pulse and the pulse width, wave (wave) cheonyi time from the energy storage capacitor.

그러므로 정합된 임피던스의 경우, 출력레이저광 펄스폭은 에너지저장 캐패시터에서 두 방향파 천이시간으로 되게 된다. Therefore, when the matching impedance of the output laser light pulse width is presented in the energy storage capacitors in two directions wave transition time.

따라서 상기 출력레이저광 펄스폭(PW)은 Thus the output laser light pulse width (PW) is

심한 임피던스 부정합인 경우에 출력레이저광 펄스폭은 트리거링 광펄스의 펄스폭보다 좀더 길게 된다. Severe when the impedance mismatch to the output laser light pulse width is more longer than the triggering light pulse width.

이것은 주로 심각한 부정합 임피던스로 인하여 진행파가 다중반사의 원인이 된다. This causes multiple reflection of the traveling wave is mainly due to a severe impedance mismatch.

상기 고출력 반도체 스위치의 경우, 출력처리능력이 증가함에 따라 스위치의 상승시간 및 하강기간이 느려지게 되며 스위치 온시간이 길어지게 된다. For the high-power semiconductor switch, and slow down the rise and fall duration of the switch as the output throughput is increased becomes longer on-time switch.

그 결과, 고출력 반도체 스위치의 펄스반복 주파수(PRF)능력은 출력처리능력이 서서히 상승함에 따라 급속하게 떨어지게 된다. As a result, a high-output semiconductor-switched pulse repetition frequency (PRF) is the ability falls rapidly as the output processing power is gradually raised.

이 고출력 반도체 스위치에 의해 전류펄스를 발생시키지 않고 대신에 저(또는 중간)출력의 레이저 다이오드로부터 신속상승시간 광펄스를 발생시키고 이것을 트리거광으로 사용함으로써, 상기 반도체 레이저 드라이버는 신속한 상승시간에 고전류 펄스를 발생시킬 수 있게 된다. By generating a rapid rise time pulse in place without generating a current pulse by a high power semiconductor switches from the laser diode of the low (or medium) outputs and it uses this as the trigger light, the semiconductor laser driver, high-current pulse to the fast rise time to be able to generate.

또한 제4도의 (a),(b)에 도시한 바와 같이 균일 임피던스 스트립라인 구조의 에너지저장 캐패시터의 경우, 광활성 반도체 스위치수단(500)이 트리거되면, 발생되는 광펄스형태는 출력레이저펄스의 상승시간이 구동전류펄스의 상승시간보다 빠르다는 것을 제외하고는 구동전류펄스의 형태와 매우 유사하다. In addition, uniform impedance when the energy storage capacitors of the strip line structure, optically active when the semiconductor switch means 500 is triggered, the pulse form generated is the rise of the output laser pulse as shown in the fourth degree (a), (b) is very similar to the shape of the drive current pulses, except that the time is faster than the rise time of the drive current pulse.

이 또한 전류펄스의 펄스폭은 광펄스의 펄스폭과, 에너지저장 캐패시터에서 파(wave) 천이시간에 의하여 결정된다. This is also the pulse width of the current pulses is determined by the pulse width of optical pulses, wave (wave) cheonyi time from the energy storage capacitor.

따라서 상기 에너지 저장수단(300)의 균일 임피던스 스트립라인 구조의 펄스의 폭은 제7도의 (a)(b)(c)에 도시한 바와같이 정합된 임피던스의 경우, 출력레이저광펄스폭(PW)는 에너지저장 캐패시터에서 두 방향과 천이시간으로 되어 Therefore, for a matching impedance as uniform impedance strip of the line structure of the pulse width of the energy storage means 300 is shown in the seventh degree (a), (b), (c), the output laser light pulse width (PW) is in both directions and the transition time from the energy storage capacitor

와 같은 광펄스폭을 출력하게 된다. And to output the pulse width, such as.

상기 균일 임피던스 스트립라인 구조는 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조에 비하여 전류펄스의 이득(g)이 없이 효율면에서는 다소 미흡하지만, 임피던스 정합이 진행파의 다중반사 현상을 없앨 수 있어 보다 예리한 고출력펄스를 얻을 수 있다. Said uniform impedance stripline structure is compared to the non-uniform impedance stripline structure, the gain (g) efficiency, without the surface of the current pulses somewhat insufficient but the impedance matching are here to eliminate multiple reflections of the traveling wave to obtain a more sharp high-power pulse can.

그러므로 균일 임피던스 스트립라인 구조의 기하학적 효과에 따라 매우 낮은 임피던스를 가진 소형화된 에너지저장 캐패시터의 설계가 가능하게 된다. Therefore, the design of uniform impedance stripline structure miniaturized energy storage capacitor having a very low impedance in accordance with the geometric effects of the can be made.

이와같은 저임피던스 캐패시터는 캐패시터로부터 레이저 어레이로의 에너지 전달중에 발생하는 에너지 손실을 크게 감소시켜 준다. Such a low-impedance capacitor gives greatly reduces the energy loss that occurs during the energy transfer from the capacitor to the laser array.

결과적으로 펄스드라이브는 고출력 전원 및 열제거용 팬의 필요성을 매우 효과적으로 배제시켜 준다. As a result, the drive pulse gives to the elimination of the need for a fan for removing high output power and heat very effectively.

따라서, 저임피던스 캐패시터를 이용하는 펄스 레이저 드라이버는 효율이 매우 높고, 아주 소형화시킬 수 있으며, 아주 경량화시킬 수 있다. Thus, the pulsed laser driver using a low-impedance capacitor, and can efficiency is very high, and very small size, can be very lightweight.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명은 레이저 다이오드 드라이브에 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조 또는 균일 임피던스 스트립라인 구조의 저임피던스 에너지저장 캐패시터를 구성함으로써, 레이저 어레이의 전기에너지의 손실을 감소할 수 있고, 효율이 매우 높은 소형화와 경량화된 고출력의 반도체 레이저 드라이브를 제공할 수 있게 되는 것이다. The present invention as described above by forming the low-impedance energy storage capacitors of the non-uniform impedance of the strip line structure or a uniform impedance stripline structure in laser diode drive, it is possible to reduce the loss of electric energy of the laser array, and efficiency is very it is possible to provide a highly compact drive and a semiconductor laser of a light weight high power.

Claims (4)

  1. 입력되는 작동신호를 제어하는 제어수단과, 상기 제어수단에서 제어된 동작신호를 받아 전기 에너지를 출력시키는 전력조건 및 충전펄스수단과, 상기 전력조건 및 충전펄스수단으로부터 출력되는 전기에너지를 받아 저장하는 에너지 저장수단과, 상기 에너지 저장수단에서 전기 에너지가 저장되었을 때, 저출력의 레이저광을 발생시키는 트리거광원 및 구동수단과, 상기 트리거광원 및 구동수단으로부터 발생된 레이저광이 저장된 전기에너지를 고전류펄스로 변환시키는 광활성 반도체 스위치수단과, 상기 광활성 반도체 스위치수단으로부터 전달되는 고전류펄스를 고출력 광펄스로 변환출력시키는 고출력 레이저 어레이로 구성되는 반도체 레이저 드라이브에 있어서, 상기 에너지 저장수단은 매우 낮은 임피던스를 갖는 에너지저장 캐패시터로 구 To control the input operation signal control means, and a power condition, and a charge pulse means for outputting the electrical energy received the operation signal controls by the control means, the power condition, and receives the electrical energy that is output from the charging pulse means for storing when the energy storage means and, when the electric energy from the energy storage means is stored, the electric energy of the stored laser light is generated from the trigger light source and drive means for generating the low-output laser light, and the trigger light source and a drive means to a high current pulse energy storage having in a high-current pulses transmitted from the conversion photoactive semiconductor switch means, and means for the photoactive semiconductor switch of the semiconductor laser drive consisting of a high-power laser array for converting the output to a high output light pulse, the energy storage means is a very low impedance obtain a capacitor 하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 드라이브. Hayeoseo that the semiconductor laser drive as claimed.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에너지 저장수단은 동심 스트립라인 구조같은 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조로 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 드라이브. The method of claim 1, wherein the energy storage means is a semiconductor laser drive, characterized in that the hayeoseo composed of concentric strip line structure is not uniform impedance stripline structure.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에너지 저장수단은 팬형 스트립라인 구조같은 균일하지 않은 임피던스 스트립라인 구조로 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 드라이브. According to claim 1, wherein the energy storage means is fan-shaped strip line structure of the semiconductor laser drive, characterized in that the hayeoseo configuration such as non-uniform impedance stripline structure.
  4. 제1항에 있어서, 상기 에너지 저장수단은 균일 임피던스 스트립라인 구조로 구성하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 드라이브. The method of claim 1, wherein the energy storage means is a semiconductor laser drive, characterized in that the hayeoseo composed of uniform impedance stripline structure.
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