KR960026417A - 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고속정보처리 및 저전력을 요하는 컴퓨터용 디지탈집적회로와 고주파 대역의 통신기기 및 정보처리시스템 유용한 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 간단한 사진식각공정(photolithograph)을 이용하여 활성영역을 격리함으로써 집적도 저하 및 소자성능 열화의요인인 트렌치격리(trench isolation) 공정을 배제하였으며, 에미터, 베이스 및 컬렉터 영역을 수직구조로 초자기정렬함으로써, 상하향동작모드가 가능하다.
또한, 사진식각에 의해 패터닝된 다수의 박막들을 이용하여 기판과 배선전극간의 절연막 두께를 임의로 조절할 수 있다.
그 결과, 집적도를 개선하고, 기생용량을 현저하게 줄일 수 있으며, 제작공정을 크게 단순화시켜 공정의 재현성과 생산성을 증가시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 제작된 바이폴라 트랜지스터의 단면도.
Claims (12)
- 초자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, a) 도전성 매몰(conductive buried) 컬렉터(22)가 형성된 실리콘 기판(21)의 전면에 SiO2층(23), 질화막(24), 다결정규소층(25), 산화막(26), 질화막패턴(27), 불순물이 첨가된 전도성 다결정규소막 패턴(28), 규소산화막(29), 질화막(17) 및규소산화막(18)을 포함하는 다수의 박막들을 순차적으로 형성하는 기판의 준비단계; b) 소정의 감광막 패턴에 의해 정의된 활성영역의 상기 규소산화막(18), 질화막(17), 규소산화막(29), 다결정규소막 패턴(28), 및 질화막패턴(27)을 식각한 후, 이 식각부위의 측면에 측면막(19)을 형성하는 단계; c) 상기 공정에 의해 정의된 활성영역의 도전성 메몰컬렉터(22)를 개구하는 단계; d) 상기 공정을 통하여 개구된 메몰컬렉터(22) 상부에 선택적으로 컬렉터(31)를 형성하는 단계; e) 상기 측벽막(19)을 제거하여 노출된 외성베이스 영역인 다결정규소막 패턴(28)의 측면과 상기 컬렉터(31) 상부에 선택적으로 초박막 베이스(32)를 형성하는 단계; f) 에미터 영역을 정의하기 위한 측벽산화막(33)을 형성한 후, 사진식각공정을 이용하여 에미터(34)를 형성하는 단계; 및 g) 각 전극(36)들을 배선하는 단계로 이루어진 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (c) 단계의 도전성 매몰컬렉터를 개구하는 공정시, 상기 비활성영역의 다결정규소막(25)과 개구된 활성영역과의 절연을 위해 상기 다결정규소막(25)의 측면의 소정부위에 산화막(30)을 형성하는 열산화 공정을 부가하는 초자기정렬 수직구조 바이폴라트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (d)단계의 컬렉터(31) 형성공정시 컬렉터에 도전성을 부여하기 위한 불순물이 선택적결정성장과 동시에 첨가되는 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 컬렉터에 도전성을 부여하기 위한 불순물이 컬렉터 형성후, 열처리를 수반하는 이온주입 이나 확산공정에 의해 첨가되는 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 베이스(32) 물질이 10×1018cm-3이상의 고농도불순물 농도를 가진 단이의 단결정 SiGe으로 이루어진 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 베이스(32) 물질이 SiGe/Si 또는 Si/SiGe/Si의 다층구조로 이루어진 초자기정렬 수직구조 바이폴라트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 SiGe 베이스(32)내의 저매늄 함량분포를 선형적으로 변화시킨 초자기정렬 수직구조 바이폴라트랜지스터의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 SiGe 베이스(32)내의 Ge의 함량분포를 30% 이하로 일정하게 변화시킨 초자기정렬 수직구조 바이폴라트랜지스터의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 SiGe 베이스(32)내의 Ge의 함량분포를 하부에서 상부측으로 30%에서 0%로 선형적으로 변화시킨 초자기정렬 수직구조바이폴라트랜지스터의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 SiGe 베이스(32)내의 Ge의 함량분포를 하부에서 상부로 30% 이하에서 어느 부분까지는 일정하다가 다시 0%로 선형적으로 변화시킨 초자기정렬 수직구조 바이폴라트랜지스터의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 SiGe 베이스(32)내의 Ge의 함량분포를 0%에서 30% 이하로 선형적 증가를 시키다가 다시 30% 이하에서 0%로 선형적감소를 시키는 방법으로 저매늄의 함량분포를 변화시키는 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (f)공정의 측벽산화막(33)이 n-p-n 트랜지스터의 경우 붕소를 포함한 BSG(Boron Silica Glass)로 이루어지고, p-n-p트랜지스터인 경우에는 인을 포함한 PSG(Phosphorous Silica Glass)로 이루어진 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415190B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2004-03-26 | 삼성전자주식회사 | 고주파 반도체 소자 및 그 제조방법 |
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1994
- 1994-12-09 KR KR1019940033483A patent/KR0137574B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100415190B1 (ko) * | 1997-06-25 | 2004-03-26 | 삼성전자주식회사 | 고주파 반도체 소자 및 그 제조방법 |
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