KR950014986A - 에너지 감응 조성물 및 이러한 조성물을 사용하여 장치를 제조하는 방법 - Google Patents

에너지 감응 조성물 및 이러한 조성물을 사용하여 장치를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

신규한 내식막 조성물이 기술되어 있다. 내식막 조성물은 장치 제조용 석판 공정에 사용된다. 내식막 조성물은 포스포러스 에스테르 잔기를 갖는 중합체를 포함한다. 이들 잔기는 집적 회로를 제조하기 위한 여러 가지 석판 공정에 적합한 내식막 조성물을 형성한다.

Description

에너지 감응 조성물 및 이러한 조성물을 사용하여 장치를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 단량체 하나 이상(여기서, 단량체 중의 하나 이상은 포스포네이트 에스테르 및 포스페이트 에스테르로 이루어진 그룹으로부터 선택된다)의 중합 생성물인 중합체와 함게 광산생성제를 포함하는 에너지 감응 물질.
  2. 제1항에 있어서, 단량체가 일반식(Ⅰ)의 화합물인 에너지 감응 물질.
    상기식에서, Rl은 산의 존재하에서 0-R1결합이 개열되어 이용가능한 α-수소를 제거하기에 충분히 안정한 카르보 양이온을 형성하도록 선택되고, R2는 Rl과 동일하거나 상이하지만, 수소는 아니며, n은 1이상의 정수이고, X는 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합가능한 잔기이다.
  3. 제2항에 있어서, R1이 알킬, 치환된 알킬 및 아릴알킬로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 에너지 감응 물질.
  4. 제2항에 있어서, 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합 가능한 잔기가 비닐, 비닐벤질 및 비닐페닐로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 에너지 감응 물질.
  5. 제1항에 있어서, 단량체가 일반식(2)의 화합물인 에너지 감응 물질.
    상기식에서, R1은 산의 존재하에서 0-R1결합이 개열되어 이용가능한 α-수소를 제거하기에 충분히 안정한 카르보 양이온을 형성하도록 선택되고, R2는 Rl과 동일하거나 상이하지만, 수소는 아니며, n은 1이상의 정수이고, X는 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합가능한 잔기이다.
  6. 제5항에 있어서, R1이 알킬, 치환된 알킬 및 아릴알킬로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 에너지 감응 물질.
  7. 제5항에 있어서, 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합 가능한 잔기가 비닐, 비닐벤질 및 비닐페닐로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 에너지 감응 물질.
  8. 기판의 방사선 감응 부분[여기서, 방사선 감응 물질은 단량체 하나 이상(여기서, 단량체 중의 하나이상은 포스포네이트 에스테르 단량체 및 포스페이이트 에스테르 단량체로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다)의 중합 생성물인 중합체(1)와 방사선을 조사하면 산성 잔기를 생성하는 조성물(2)을 포함하는 물질을 포함한다]을 방사선에 노출시켜 패턴 상을 형성시키고, 패턴을 현상한 다음, 패턴을 사용하여 장치의 영역을 한정시킴을 특징으로 하여 장치를 제조하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 단량체가 일반식(1)의 화합물인 방법.
    상기식에서, Rl은 산의 존재하에서 0-Rl결합이 개열되어 이용가능한 α-수소를 제거하기에 충분히 안정한 카르보 양이온을 형성하도록 선택되고, R2는 Rl과 동일하거나 상이하지만, 수소는 아니며, n은 1이상의 정수이고, X는 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합가능한 잔기이다.
  10. 제9항에 있어서, Rl이 알킬, 치환된 알킬 및 아릴알킬로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합 가능한 잔기가 비닐, 비닐벤질 및 비닐페닐로 이루어진 그룹으로 부터 선택되는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 단량체가 일반식(2)의 화합물인 방법.
    상기식에서, Rl은 산의 존재하에서 0-Rl결합이 개열되어 이용가능한 α-수소를 제거하기에 충분히 안정한 카르보 양이온을 형성하도록 선택되고, R2는 R1과 동일하거나 상이하지만, 수소는 아니며, n은 1이상의 정수이고, X는 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합가능한 잔기이다.
  13. 제12항에 있어서, R1이 알킬, 치환된 알킬 및 아릴알킬로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 에틸렌계 불포화를 함유하는 중합 가능한 잔기가 비닐, 비닐벤질 및 비닐페닐로 이루어진 그룹으로 부터 선택되는 방법.
  15. 제8항에 있어서, 방사선 감응 부분을 방사선에 노출시킨 후, 내화 물질 함유 조성물을 방사선 감응 부분에 도입시키고, 상당히 다량의 내화 물질을 노출되지 않은 영역보다 노출된 영역의 중합체에 결합시킴으로써, 방사선에 노출된 방사선 감응부분의 영역과 방사선에 노출되지 않은 방사선 감응 부분의 영역 사이에 에치 선택성을 도입함을 추가의 특징으로 하는 방법
  16. 제8항에 있어서, 선택적으로 혼합되는 염료 조성물을 중합 생성물보다 산성인 중합체 속으로 도입시켜, 다량의 염료를 방사선 감응 부분의 노출되지 않은 부분보다 방사선 감응 부분의 노출된 부분의 중합 생성물 속으로 혼합시킴으로써, 방사선에 노출된 방사선 감응 부분의 영역과 방사선에 노출되지 않은 방사선 감응 부분의 영역 사이에 색상차를 도입함을 추가의 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940029509A 1993-11-17 1994-11-11 방사선감응 물질을 사용하여 장치를 제조하는 방법 KR100383339B1 (ko)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3638086B2 (ja) 1998-08-21 2005-04-13 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US6048664A (en) * 1999-03-12 2000-04-11 Lucent Technologies, Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6415198B1 (en) * 1999-06-25 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Plasma etching of silicon using a chlorine chemistry augmented with sulfur dioxide
US6709806B2 (en) * 2000-03-31 2004-03-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming composite member
WO2006135387A2 (en) * 2004-08-06 2006-12-21 University Of Massachusetts Quantum dots tailored with electronically-active polymers
JP6241226B2 (ja) * 2013-10-09 2017-12-06 Jsr株式会社 フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物
JP6205285B2 (ja) * 2014-02-12 2017-09-27 サンアプロ株式会社 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4487859A (en) * 1983-11-21 1984-12-11 Scm Corporation Self-curing water dispersed polymers
GB8430377D0 (en) * 1984-12-01 1985-01-09 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
JPS62127735A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Toshiba Corp 感光性樹脂組成物及びこれを用いたカラ−フイルタ−の製造方法
JPS62281499A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 旭化成株式会社 多層配線板及びその製造方法
JPS62283699A (ja) * 1986-05-31 1987-12-09 旭化成株式会社 多層配線基板の製造法
US4939070A (en) * 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
JP2593305B2 (ja) * 1987-02-02 1997-03-26 日本ペイント株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
US4996136A (en) * 1988-02-25 1991-02-26 At&T Bell Laboratories Radiation sensitive materials and devices made therewith
US5200544A (en) * 1988-02-25 1993-04-06 At&T Bell Laboratories Resist materials
US5104770A (en) * 1988-03-11 1992-04-14 Hoechst Celanese Corporation Positive-working photoresist compositions
JPH027055A (ja) * 1988-06-27 1990-01-11 Konica Corp 感光性平版印刷版の処理方法
JPH0389353A (ja) * 1989-09-01 1991-04-15 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPH04198937A (ja) * 1990-11-28 1992-07-20 Mitsubishi Electric Corp 感光性組成物
JPH04258957A (ja) * 1991-02-14 1992-09-14 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性電着樹脂組成物
JPH0816781B2 (ja) * 1991-06-28 1996-02-21 ソマール株式会社 感光性組成物

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KR100383339B1 (ko) 2003-08-19
US5725996A (en) 1998-03-10
DE69425862T2 (de) 2001-05-03
DE69425862D1 (de) 2000-10-19
JP2912172B2 (ja) 1999-06-28
JPH07191466A (ja) 1995-07-28

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