KR940000673B1 - 방전가공기의 칩 제거장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

방전가공기의 칩 제거장치

제1도는 종래의 방전가공기의 칩 제거장치의 단면도.

제2도는 방전가공을 시작하기 전에 본 발명의 칩 제거장치를 공작물상에 설치한 상태를 나타내는 도면.

제3도는 본 발명의 칩 제거장치를 나타낸 사시도.

제4도는 제3도에 도시된 칩 제거장치의 일부를 절결한 저면도.

제5도는 본 발명의 칩 제거장치가 공작물의 가공지역에 설치되어 방전가공을 수행하기 직전의 상태를 나타내는 도면.

제6도는 방전가공이 진행되어 본 발명의 칩 제거장치의 일부가 전극의 형상대로 절단되어 있는 상태를나타내는 단면도.

제7도는 본 발명의 칩 제거장치의 다른 실시예를 나타내는 횡단면도.

제8도는 본 발명의 칩 제거장치의 또다른 실시예를 나타내는 것으로 방전가공이 진행되어 칩 제거장치가 절단된 상태의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

2 : 칩 제거장치 3 : 하부판

4 : 상부판 5 : 노즐

6 : 공간 7 : 가공액 분산 방지체

8 : 전자 밸브

본 발명은 방전가공기의 칩 제거장치에 관한 것으로서, 특히 가공액을 전극과 공작물 사이에 공급함으로써 칩을 효과적으로 배출시킬 수 있는 방전가공기의 칩 제거장치에 관한 것이다.

일반적으로 방전가공에 있어서 가공효율을 높이기 위해서는 전극과 공작물 사이의 칩을 제거해야 된다.방전가공 도중에 칩과 가스의 제거가 잘 안되면 칩이 쌓여서 단락 현상이 생기고 가공이 불안정한 상태로되어 이로 인한 램의 헌팅 현상이 발생되어 가공능력이 현저히 저하된다. 특히 칩으로 인해서 전극과 공작물 사이에 아크 현상이 발생하면 가공면에 심한 손상을 주기 때문에 가공정밀도가 떨어지게 된다. 따라서,방전가공중에 전극과 공작물 사이에 쌓이게 되는 칩을 용이하게 배출시키는 장치가 개발되어 사용되고 있다.

가공 칩을 제거하는 하나의 예는 전극 또는 공작물에 구멍을 형성하여 가공액을 분류 또는 흡인하는 방식으로 전극과 공작물 사이에서 발생하는 칩을 제거하여 방전가공을 수행하는 경우도 있다.

이러한 방식과는 다른 것으로, 최근에는 전극이나 공작물에 구멍을 형성하지 않고 가공을 하게 되는 밑면 가공이 자주 사용되는 바 이러한 가공에서는 전극이 설치된 램의 상승 하강 작용으로 전극과 공작물 사이에서 가공액의 펌핑 작용에 의해 칩을 배출시키는 경우도 있다. 그러나, 넓은 면적의 전극으로 깊은 가공을 수행하는 경우 램이 상승 하강 작용을 하더라도 전극과 공작물 사이의 간극이 극히 미세하기 때문에 칩의 배출능력은 더욱 나빠지게 된다. 또한, 이 경우에 전극이 하강할때 칩과 가공액은 배출되나 칩이 섞여 있는 가공액이 전극과 공작물 사이에 남아있게 되며 전극의 상승시에 칩이 다시 전극과 공작물 사이에 침투하는 경향이 있다. 특히 전극과 공작물 사이의 미세한 간극으로 인해 가공액의 유입 배출시에 저항이 발생하여 가공액의 유입 배출에 많은 장애를 주게 된다. 이러한 현상을 없애기 위해서 전극을 많이 상승시키게 되며 가공액중에 잔유된 칩은 적어지나 램의 상승 하강으로 인해 방전가공 시간의 손실을 가져오게 되어 가공효율이 현저히 떨어진다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 종래에 일반적으로 사용되고 있는 방전가공기의 칩 제거장치에 대하여 제1도를 참조하여 설명하면, 공작물(W)은 가공액에 침지되 상태에서 램에 설치된 전극(T)에 의해서 가공된다. 방전가공 도중에 공작물(W)과 전극(T)사이에는 칩이 발생하게 되는바, 이러한 칩을 제거하기 위해서 가공액을 공작물과 전극 사이의 간극에 노즐(1)을 통하여 강제적으로 공급하게 된다. 그러나, 이러한 종래의 구성에 의해서도 공급되는 가공액이 전극이나 공작물에 충돌함으로써 액조의 가공액내로 분산되어 소량의 가공액만이 상기 간극내로 주입되기 때문에 칩의 배출이 원할하지 못한 것은 절수한 바와 같은 폐단이 그대로 남아있게 되었다. 따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해서 발명된것이다.

본 발명의 목적은 방전가공 도중에 공작물에서 발생되는 칩을 효과적으로 배출시킬 수 있는 방전가공기의 칩 제거장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 가공액을 전극과 공작물 사이의 거의 전면적에 걸쳐서 공급할 수 있는 방전가공기의 칩 제거장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또다른 목적은 공작물에 설치되어 사용되는 방전가공기의 칩 제거장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 상기와 같은 목적은 공작물의 표면에 부착되기에 적합한 연속적인 테두리를 갖는 하부판과 상기 하부판의 둘레를 따라 대체로 수직하게 상부로 연장되어 가공액을 수용할 수 있는 내부공간이 형성된 상부판과, 상기 상부판의 일측에 상기 공간과 연통되게 설치된 노즐을 포함하는 칩 제거장치에 의해서 달성된다.

제2도 내지 제8도를 참조하여 본 발명의 방전가공의 칩 제거장치를 상세히 설명하면 다음과 같다. 제2도는 방전가공을 시작하기 전에 본 발명의 칩 제거장치 (2)를 공작물(W)상에 설치한 상태를 나타내며, 제3도는 칩 제거장치 (2)의 일 실시태양의 사시도를 나타낸다. 제3도를 참조하여 칩 제거장치 (2)의 일 실시예를 설명하면, 상기 칩 제거장치 (2)는 가공할 공작물(W)의 표면에 부착되기에 적합한 연속적인 테두리를 갖는 하부판(3)과 상기 하부판(3)의 내측둘레를 따라 대체로 수직하게 상부로 연장되는 상부판(4)으로 구성된다. 상기 상부판(4)의 일측지점에는 가공액을 공급하는 노즐(5)이 설치되어 있다. 또한 상부판(4)의 내부에는 공급되는 가공액을 수용할 수 있는 공간(6)이 형성되어 있고, 가공액이 액조내로 분산되는 것을 방지하기 위해서 즉 가공액의 압력손실을 없애기 위하여 칩 제거장치 (2)의 상부판(4)상에 절삭성이 양호한 예를들어 수지와 같은 물질로 되어 소정 두께를 갖는 가공액 분산방지체(7)가 부착되어 있다. 제4도는 제3도에 도시된 칩 제거장치의 일부를 절결한 저면도로서 상부판(4)내에 공간(6)이 형성되어 있음을 잘 나타내주고 있다.

제5도는 본 발명의 칩 제거장치 (2)가 공작물(W)의 가공지역에 설치되어 방전가공을 수행하기 직전의 상태를 나타내며, 제6도는 방전가공이 시작되어 먼저 전극(T)이 본 발명의 가공액 분산방지체(7) 및 칩제거장치 (2)의 일부를 전극의 형상과 대체로 동일하게 가공한 다음 공작물(W)을 가공한 상태를 나타내는단면도이다.

제6도를 참조하여 본 발명에 따른 칩 제거과정을 설명하면, 방전가공의 시작과 동시에 전극(T)이 가공액 분산방지체(7) 및 칩 제거장치 (2)의 일부를 전극의 형상과 동일하게 가공하여 가공액 분산방지체(7) 및 상부판(4)과 전극(T)사이에 방전가공 폭만큼의 미세한 간극을 형성하게 된다. 또한, 칩 제거장치(2)의 일부가 가공 절단되면 상부판(4)의 공간(6)이 외부로 개방됨과 동시에 노즐(5)을 통하여 공급되는 가공액이 상기 공간(6)을 거쳐서 전극(T)과 공작물(W)사이에 형성된 전체의 미세한 간극으로 공급되어 공작물(W)과 전극(T)사이로 방출된다. 가공액의 압력에 따라 방전가공으로 전극(T)과 공작물의 간극에 쌓여있는 칩이 가공액과 함께 액조내로 완전히 배출된다. 특히 본 발명의 칩 제거장치 (2)는 가공액의 대부분이 전극(T)과 공작물(W)사이의 간극내로 흐르기 때문에 칩의 배출효과가 매우 우수하다. 또한, 가공액의 압력은 상부판(4)의 공간(6) 전체에 걸쳐서 분산되므로 전극과 공작물의 간극 전체에 대체로 균일하게 가해져서 칩배출효과를 더욱 높일 수 있게 된다.

또한, 노즐(5)의 라인에 전자 밸브(8)를 설치하여 전자제어 할 경우 램(도시 않됨)의 상승시에만 가공액을 전극과 공작물 사이의 간극에 공급할 수도 있을 것이다.

상기에서 설명한 것과는 달리, 노즐(5)을 통하여 액조내의 가공액을 전극(T)과 공작물(W)사이의 간극내로 흡입하여 칩을 칩 제거장치 (2)내로 이동시켜 제거시킬 수도 있다.

제7도는 칩 제거장치(2)의 다른 실시예의 횡단면도를 나타내는 것으로 공간(6)을 완전히 차단하도록 하부판(3)이 상부판(4)에 부착되어 있다는 점에서 제3도의 실시예와 다르다.

제8도는 칩 제거장치 (2)의 또다른 실시예를 나타내는 것으로, 방전가공이 이루어져 칩 제거장치 (2)가 절단된 상태의 단면도를 나타낸다. 이 실시태양의 칩 제거장치(2)는 하부판(2)과 상부판(4)사이의 공간(6)을 경사지게 하되 공간이 가공액의 배출지점으로 향할수록 점점 좁혀지도록 형성되어 있다. 이러한 구성에 의하면 가공액의 배출압력을 높일 수 있기 때문에 칩을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.

본 발명의 칩 제거장치는 상기한 것에만 국한되는 것은 아니다. 즉 칩 제거장치 (2)는 방전가공시에 가공절단 되어 가공액이 전극과 공작물의 간극사이에 공급될 수 있다면 어떠한 형상으로도 할 수 있음을 이해하여야 한다. 특히, 본 발명의 칩 제거장치는 전극에 의해 가공 절단될 때 그 단부가 자동적으로 수개의 노즐형상이 되게 할 수도 있다.

또한, 칩 제거장치를 공작물의 가공지역 보다 크게 하거나 작게 형성할 수도 있으며, 칩 제거장치의 모양을 전극의 측면 형상대로 형성하여 전극과 칩 제거장치가 일정한 간격이 유지되도록 이것을 공작물에 설치할 수도 있다.

상기한 바와 같이 본 발명은 방전가공에 의해 발생된 칩을 매우 효과적으로 배출시킬 수 있으므로 방전가공의 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 가공정밀도를 향상시킬 수 있는 산업상 매우 유용한 발명이다.

Claims (3)

1. 공작물에 부착하여 사용하기에 적합한 방전가공기의 칩 제거장치로서, 상기 칩 제거장치는 공작물의 표면에 부착되기에 적합한 연속적인 테두리를 갖는 하부판(3)과 ; 상기 하부판(3)의 둘레를 따라 대체로 수직하게 상부로 연장되어 가공액을 수용할 수 있는 내부공간(6)이 형성된 상부판(4)과 ; 상기 상부판의 일측에 상기 공간과 상호 연통되게 설치된 노즐(5)을 포함하는 방전가공기의 칩 제거장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 내부공간(6)은 가공액의 배출지역으로 향할수록 점차 좁아지게 형성되어 있는 방전가공기의 칩 제거장치.
3. 제 1항에 있어서, 상기 상부판의 가공액 배출부위에 가공액 분산 방지제(7)가 설치되어 있는 방전가공기의 칩 제거장치.