KR930003170A - 메모리회로의 테스트 방법 및 반도체집적회로장치 - Google Patents

메모리회로의 테스트 방법 및 반도체집적회로장치 Download PDF

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KR930003170A
KR930003170A KR1019920013042A KR920013042A KR930003170A KR 930003170 A KR930003170 A KR 930003170A KR 1019920013042 A KR1019920013042 A KR 1019920013042A KR 920013042 A KR920013042 A KR 920013042A KR 930003170 A KR930003170 A KR 930003170A
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KR
South Korea
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memory cells
test data
memory
semiconductor integrated
integrated circuit
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Application number
KR1019920013042A
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Inventor
죠이찌 카쯔라
Original Assignee
다니이 아끼오
미쓰시다덴기산교 가부시기가이샤
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

메모리회로의 테스트 방법 및 반도체집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 일실시예에 관한 메모리회로의 테스트방법을 표시한 순서도,
제2도는 본 발명의 일실시예에 관한 반도체집적회로장치를 표시한 개략구성도.

Claims (6)

  1. 다수의 메모리셀을 가진 메모리회로의 테스트 방법으로서, 상기 메모리회로의 테스트 해야할 복수의 메모리셀에 테스트데이터를 기록한 후, 상기 복수의 메모리셀에 기록되어 있는 테스트데이터와 기록전의 테스트데이타가 일치하고 있는지 여부의 판정을 상기 복수의 메모리셀의 전부에 대해서 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 메모리회로의 테스트방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테스트데이터의 “0” 또는 상기 테스트데이터의 전부가 “1”이며, 상기 복수의 메모리셀의 전부에 상기 테스트데이터가 동시에 기록되는 것을 특징으로 하는 메모리회로의 테스트방법,
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 메모리셀은, 상기 메모리회로를 구성하는 모든 메모리셀인 것을 특징으로 하는 메모리회로의 테스트방법.
  4. 다수의 메모리셀을 가진 메모리회로를 구비한 반도체집적회로장치로, 상기 메모리회로의 복수의 메모리셀에 기록되어 있는 테스트데이터와, 기록전의 테스트데이터가 일치하고 있는지 여부의 판정을 상기 복수의 메모리셀의 전부에 대해서 동시에 행하는 데이터 동시 판정회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체집직회로장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 테스트데이터의 “0” 또는 상기 테스트데이터의 전부가 “1”이며, 상기 복수의 메모리셀의 전부에 동시에 상기 테스트데이터의 기록을 행하는 동시 기록 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 복수의 메모리셀은, 상기 메모리회로를 구성하는 모든 메모리셀인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920013042A 1991-07-23 1992-07-22 메모리회로의 테스트 방법 및 반도체집적회로장치 KR930003170A (ko)

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