KR930002298A - 올리핀성 불포화 치환기를 함유하는 벤조산염 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

올리핀성 불포화 치환기를 함유하는 벤조산염

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

1. 올레핀성 불포화 치환기를 포함하며 하기 일반식(I)으로 이루어진 벤조산염 :

   상기 식에서, R_l및 R₂는 각각 서로 독립적으로 수소 원자, C_l-C₄알킬 또는 페닐이고, R₃은 수소 원자, 메틸 또는 할로겐 원자이고, R₄는 수소 원자 또는 메틸이며, R₅는 C_l-C₄알킬 또는 C₆-C₁₂아릴이고, R₆및 R₇은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, C_l-C₄알킬 또는 C₆-C_l2아릴이며, R₅와 R₇은 함께 비치환 또는 C_l-C₄알킬-, C_l-C₄알콕시 -, C₆-C₁₂아릴- 또는 C₆-C₁₂아릴옥시- 치환된 에틸렌, 프로필렌 또는 부틸렌 라디칼이다.
2. 제1항에 있어서, R_l및 R₂가 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C_l-C₄알킬이고, R₃이 수소 원자 또는 메틸이고, 고리에 있는 올레핀성 불포화 기가 카르보닐옥시기에 대해 p-위치에 있으며, R₄가 수소 원자 또는 메틸이고, R₅가 C_l-C₄알킬이고, R₆및 R₇이 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 C_l-C₄알킬이고, R₅와 R₇이 함께 비치환 또는 C_l-C₄알킬-, C_l-C₄알콕시 - 또는 페녹시 -치환된 에틸렌, 프로필렌 또는 부틸렌 라디칼인 일반식 (I)의 벤조산염.
3. 제1항에 있어서, R_l. R₂, R₃및 R₄가 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 메틸이고, 고리에 있는 올레핀성 불포화 기가 카르보닐옥시기에 대해 p-위치에 있으며, R₅가 메틸이고, R₆및 R₇이 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸이며, R₅와 R₇이 함께 비치환 또는 메틸-치환된 에틸렌 또는 프로필렌 라디칼인 일반식 (I)의 화합물.
4. 제1항에 있어서, 4-비닐벤조산의 테트라히드로피란-2-일 및 테트라히드로푸란-2-일 에스테르, 4-이스프로펜일벤조산의 테트라히드로피란-2-일 에스테르 및 4-비닐벤조산의 1-메톡시이소부틸 에스테르로 부터 선정된 일반식(I)의 화합물.
5. 산성 매질에서, 하기 일반식(II)의 화합물을 하기 일반식(71)의 화합물과 반응시켜 일반식(I)의 화합물을 수득하는 것을 포함하는, 제1항에 따른 일반식(I)의 화합물의 제조방법.

   상기 식에서, R₁, R₂, R₃, R₄, R₅, R₆및 R₇은 일반식(I)에서와 동일한 의미를 갖는다.
6. 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정된 분자량(Mw)이 10³내지 10⁶이고. 중합체에 존재하는 구조 단위체의 총량에 대해 100 내지 5몰%의 하기 일반식(IV)의 구조 반복 단위체 및 95내지 0몰%의 하기 일반식(V)의 구조 반복 단위체를 함유하는 중합체 ;

   상기 식에서, R₁, R₂, R₃, R₄, R₅, R₆및 R₇은 일반식(I)에서 정의된 바와 같고, R₈및 R₉는 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 비치환 C_l-C₄알킬 또는 할로겐 원자, 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 C₁-C₄알킬, 또는 비치환 페닐 또는 나프틸 또는 각각 할로겐 원자 또는 C₁-C₄알콕시, 히드록시, 시아노 또는 니트로기에 의해 치화된 페닐 또는 나프틸이며, R₁₀및 R₁₁은 각각 서로 독립적으로 수소 또는 할로겐 원자, 비치환 C₁-C₁₂알킬 또는 할로겐 원자, 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 C₁-C₁₂알킬, 비치환 페닐, 나프틸 또는 벤질, 또는 각각 할로겐 원자, 히드록시, 시아노 또는 니트로기, 또는 C₁-C₄알킬 또는 C₁-C₄알콕시에 의해 치환된 페닐, 나프틸 또는 벤질, 또는 -OR₁₂, -COOR₁₃및 -COR₁₄로 구성된 그룹으로 부터 선정된 라디칼이며, R₁₂및 R₁₃은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 비치환 C₁-C₁₂알킬, 또는 할로겐원자, 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 C₁-C₁₂알킬, 비치환 페닐 또는 나프틸, 또는 각각 할로겐 원자, 시아노 또는 니트로기, C₁-C₄알킬 또는 C₁-C₄알콕시에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이며, R₁₄는 R₁₂와 동일한 의미를 가지며, 또한 라디칼이고 R₁₅및 R₁₆은 각각 서로 독립적으로 R₁₂와 동일한 의미를 갖는다.
7. 제6항에 있어서, 일반식(IV)의 구조 반복 단위체 100 내지 20몰% 및 일반식(V)의 구조 반복 단위체 80내지 0몰%를 함유하는 중합체.
8. 성분 a)와 b)의 총량에 대해 a) 중합체에 존재하는 구조 단위체의 중량에 대해 100 내지 5몰%의 일반식 (IV)의 구조 반복 단위체 및 95 내지 0몰%의 일반식(V)의 구조 반복 단위체를 함유하는 제6항에 따른 중합체 85내지 99중량% 및 b) 화학선에 노출시 산을 형성하는 물질 1내지 15중량%를 포함하는, 양화-작용의 방사선-감수성 조성물.
9. 제8항에 있어서, a) 일반식(IV)의 구조 반복 단위체 100 내지 20몰% 및 일반식(V)의 구조 반복 단위체 80 내지 0몰%를 함유하는 중합체 90 내지 99중량%, 및 b) 화학선에 노출될 때 산을 형성하는 물질 1 내지 10중량% 를 함유하는 조성물.
10. 제8항에 따른 조성물로 제조된 인쇄 판, 인쇄 회로, 집적 회로 또는 은이 없는 사진 필름.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.