KR920701046A - 초전도 금속 산화물 조성물의 제조방법 - Google Patents
초전도 금속 산화물 조성물의 제조방법Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은, 본 발명의 방법에 의해 제조되고, 당 분야의 고체 상태 반응에 의해 제조된 조성물에 대한 온도의 함수로서, 배제된 플럭스의 플롯이다.
Claims (6)
- (a) Ln : Ce : Cu의 원자비가 (2-x) : x: 1인 Ln, Ce 및 Cu의 질화물의 수용액을 형성시키고, (b) 용액으로부터 수성 상을 제거하여 분말을 얻고, 가열로 증발시켜 고체를 형성시키고나서, 상기 고체를 약 400℃-약650℃의 온도로 가열하고나서, 고체를 분쇄시키거나 분무 건조시키고, (c) 상기 분말 또는, 상기 분말로부터 형성된 조형품을 약 24시간-약 48시간 동안 공기중에서 약 950℃-약 1100℃ 온도로 가열하고 나서 실온으로 칭시키고 (d) 환원 분위기내 환원선 선구물질을 약 12이상 시간동안 약 850℃-약 1000℃의 온도로 가열하고나서, 여전히 환원 분위기에서 실온으로 칭시켜 초전도 상을 생성시키는 것으로 근본적으로 구성되는, 일반식 :Ln2-xCexCuO4-y(식에서, Ln은 Pr, Nd 또는 Sm이고, x는 약 0.14-약 0.16이고, y는 약 0.06이상이다)인 초전도 상을 제조하기 위한 방법.
- 제1항에 있어서, X가 약 0.15인 방법.
- 제1항에 있어서, 환원 분위기가 근본적으로 아르곤으로 구성되는 방법.
- 제1항에 있어서, Ln이 Nd인 방법.
- (a)Ln : Ce : Cu의 원자비가 (2-x) : x : 1인 Ln, Ce 및 Cu의 질화물의 수용액을 형성시키고, (b)용액으로부터 수성 상을 제거하여 분말을 얻고, 가열로 증발시켜 고체를 형성시키고나서, 상기 고체를 약 400℃-약650℃의 온도로 가열하고나서, 고체를 분쇄시키거나 분무 건조시키는 것으로 근본적으로 구성되는 일반식:Ln2-xCexCuO4-y(식에서, Ln은 Pr, Nd 또는 Sm이고, x는 약 0.14-약 0.16이고, y는 약 0.06이상이다)인 초전도 상으로 선구물질을 형성시키기 위한 방법.
- (a)Ln : Ce : Cu의 원자비가 (2-x) : x : 1인 Ln, Ce 및 Cu의 질화물의 수용액을 형성시키고, (b) 용액으로부터 수성 상을 제거하여 분말을 얻고, 가열로 증발시켜 고체를 형성시키고나서, 상기 고체를 약 400℃-약650℃의 온도로 가열하고나서, 고체를 분쇄시키거나 분무 건조시키고, (c)상기 선구물질 분말 또는 상기 선구물질 분말로부터 형성된 조형품을 약 24시간-48시간 동안 공기중에서 950℃-약1100℃온도로 가열하고나서 실온으로 칭시켜 환원성 선구물질을 형성시키는 것으로 근본적으로 구성되는, 일반식 : Ln2-xCexCuO4-y(식에서, Ln은 Pr, Nd 또는 Sm이고, x는 약 0.14-약 0.16이고, y는 약 0.06이상이다)인초전도 상으로 환원성 선구물질을 형성시키기 위한 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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