KR910700206A - 고 에너지 빔 감광성 유리 - Google Patents

고 에너지 빔 감광성 유리

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KR910700206A
KR910700206A KR1019900702222A KR900702222A KR910700206A KR 910700206 A KR910700206 A KR 910700206A KR 1019900702222 A KR1019900702222 A KR 1019900702222A KR 900702222 A KR900702222 A KR 900702222A KR 910700206 A KR910700206 A KR 910700206A
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Abstract

내용 없음.

Description

고 에너지 빔 감광성 유리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 35kv에서의 0, 3.2×10-5, 1.6×10-4및 3.2×10-4쿨롱/㎠의 E―빔 하전 밀도에 노출시킨 후의 HEBS 유리 물품 판샘플의 스펙트럼 흡수 곡선을 도식적으로 기록하고 있다. 제2도는 가속 전압의 함수로서 1.2와 2.0의 정보를 가진 광밀도를 보장하기 위하여 소요되는 E―빔 하전 밀도를 도식적으로 되시하고 있다.
제3도는 몇몇 HEBS 유리 물품의 E―빔 노출―유도 흡수 곡선을 도식적으로 묘사하고 있으며, 그에 의하여 나타난 다양한 E―빔 노출―유도 착색을 도시하고 있다.

Claims (107)

  1. Ag+이온, 및/또는 AgX를 함유하고 및/또는 Ag2O를 함유하고 및/또는 Ag+이온을 함유하는 미소정질 및/또는 미소상을 가지며 H2O가 0.01 중량%보다 많은 물 및/또는 실란올 그룹을 함유하는 완전히 이온교환된 표면층(IIES 층)으로 이루어진 고에너지 빔에 증가된 유리제품을 만들기 위한, (a) Li2O, Na2O, K2O, Cs2O 및 RbsO로 구성된 그룹으로부터 선택된 최소한 하나의 알칼리금속 산화물, 최소한 하나의 감광―억제제(PI제) 및/또는 RS―억제제(RSS 제), SiO2O에서부터 유리용융물을 포화시키는 정도까지의 할라이드로 구성되며 IIES 층이 400㎚ 보다 긴파장의 모든 화학선에 대해서는 실제로 감광하지 않으며 약 400㎚ 보다 더 큰 고에너지의 방사선에는 감광하도록 만드는 효과적인 양만큼의 감광억제제 및 할라이드를 함유하는 유리 조성을 갖는 유리 용융물 뱃치로 부터 만든 기본 유리 제품의 표면을 Ag+이온이 함유되어있는 물질 및/또는 Ag+이온이 들어있는 수성용액과 접촉시키는 단계, (b)Ag+이온이 함유되어지는 물질 및/또는 Ag+이온이 들어있는 수성용액을 기본 유리 제품과 접촉시켜 상기 기본 유리 제품의 표면으로 이온교환반응이 진행되어 일정한 두께의 IIES 층을 형성하기에 충분한 시간동안 상기한 기본유리제품의 최소한 한 표면에서 상기 알카리 금속 이온에 대해 Ag+이온의 교환이 일어나기에 충분한 온도까지 가열하는 단계로 구성된 방법.
  2. 제1항에 있어서, 온이온이 유리 조성물내 알칼리 금속이온으로 이온교환되고 결과의 IIES 층내 알칼리 금속이온의 농도가 기본적인 유리 제품의 것보다 낮은 방법.
  3. 제1항에 있어서, 이온교화된 IIES 층의 표면이 상기 이온 교환 처리된 후 실제적으로 동일한 표면의 질 및 표면의 형태를 가지는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 이온교환 반응에 의해 IIES 층내에 AgX를 함유하고 및/ 또는 Ag2O를 함유하고 및/또는Ag+이온을 함유하는 미소결정 및/또는 미소상이 생기는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 감광 억제제 및/또는 RS―억제제의 양이 상기 IIES 층을 약 400㎚ 파장의 것보다 더 높은 에너지 방사선에 감광적이고 약 400㎚보다 더 긴 파장을 가지는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광선이 없도록 하는데 효과적인, 원자 상태에서 4d―전자를 1―4개 가지는 모든 전이금속 산화물의 최소한 0.5%인 방법.
  6. 제5항에 있어서, 감광 억제제의 양이 사기 IIES 층을 약 200㎚ 파장의 것보사 더 높은 에너지 방사선에 감광적이고 약 200㎚ 보다 더 긴 파장을 가지는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광성이 없도록 하는데 효과적인 양인 방법.
  7. 제5항에 있어서, 감광 억제제의 양이 상기 IIES 층을 약 300㎚ 파장의 것보사 더 높은 에너지 방사선에 감광적이고 약 300㎚ 보다 더 긴 파장을 가지는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광성이 없도록 하는데 효과적인 양인 방법.
  8. 제7항에 있어서, IIES 층이 약 300㎚ 보다 더 짧은 파장을 가지는 강한 UV 선, X―선 방사, 분자 빔, 원자 빔, 이온 빔, 또는 고전압 전자빔인 고에너지 빔에 감광되는 방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 양이 IIES 층이 약 365㎚ 파장의 것보다 더 높은 에너지 방사선에 감광적이고 약 365㎚ 보다 더 긴 파장을 가지는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광성이 없도록 하는데 효과적인 양인 방법.
  10. 제5항에 있어서, 감광 억제제 및/또는 RS―억제제의 양이 상기 IIES 층을 약 400㎚ 파장의 것보다 더 높은 빛에너지 방사선에 감광적이고 약 400㎚보다 더 긴 파장을 가지는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광성이 없도록 하는데 효과적인, 원자 상태에서 4a―전자를 1―4개 가지는 모든 전이금속 산화물의 35% 미만인 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 양이 약 436㎚ 파장의 것보다 더 높은 에너지 방사선에 감광적이고 약 436㎚ 보더 더 긴 파장을 가지는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광성이 없도록 하는데 효과적인 양인 방법.
  12. 제1항에 있어서, 감광 억제제 및/또는 RS―억제제가 TiO2, Ta2O5, Nb2O5, La2O3, Y2O3및 WO3로 부터 선택된 최소한 하나의 전이금속 산화물인 방법.
  13. 제1항에 있어서, 감광 억제제가 TiO2, Ta2O5, Y2O3및 Nb2O5로 부터 선택된 최소한 하나의 전이금속 산화물인 방법.
  14. 제1항에 있어서, 감광 억제제가 TiO2, Y2O3및 Nb2O5로 부터 선택된 최소한 하나의 전이금속 산화물인 방법.
  15. 제1항에 있어서, 감광 억제제 및/또는 RS―억제제가 최소한 0.5몰%의 TiO2를 함유하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 최소한 1.5몰%의 TiO2를 함유하는 방법.
  17. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 산화물에 기초하여 ZnO, PbO, MgO, CaO 및 Al2O3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 최소한 하나의 내산성 및 유리 구조를 강화시키는 강화제를 최소한 약 2몰% 함유하는 방법.
  18. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약 2― 약20몰%의 ZnO, 0―약 10몰%의 Al2O3및 약 1.2―약 25몰%의 TiO2를 함유하는 방법.
  19. 제1항에 있어서, 유리조성물이 0―약 15몰%의 MgO, 0―약 15몰%의 CaO, 0―약 15몰%의 SrO, 0―약 15몰%의 BaO, O-약 15몰%의 PbO, 0―약 15몰%의 B2O3및/또는 0―약 15몰%의 F, Br, I 또는 이들의 혼합물을 함유하는 방법.
  20. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약10―20몰%의 Li2O, Na2O, K2O 또는 이들의 혼합물 및 유리 뱃치내에 약 0.2―6몰%의 Cl를 함유하는 방법.
  21. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 유리 뱃치내에 약 0.4―3몰%의 Cl를 함유하는 방법.
  22. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약 3―10몰%의 TiO2및 약 60―82몰%의 SiO2를 함유하는 방법.
  23. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약 0.5―12몰%의 B2O3를 함유하는 방법.
  24. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약 1―6몰%의 B2O3를 함유하는 방법.
  25. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약 0.5―5몰%의 Al2O3를 함유하는 방법.
  26. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 ZnO, PbO 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 산화물을 총 약 2―15몰% 함유하는 방법.
  27. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 기본적으로 산화물이 기초하여 약 5―25몰%의 하나 또는 그 이상의 알칼리 금속 산화물, TiO2, Nb2O5, Y2O3Ta2O5및 이들의 결합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 약 1.5-15몰%의 최소한 하나의 감광 억제제(PI 제), 0-약 10몰%의 MgO, 0-약 10몰%의 CaO, 0-약 10몰%의 SrO, 0-약 15몰%의 ZnO, 0-약 10몰%의 Al2O3, 0-약 10몰%의 PbO, 0-약 10몰%의 BaO, 0-약 12몰%의 B2O3, 0-약 3몰%의 F, Br 및/또는 I, MgO, ZnO, Al2O3, PbO 및 CaO로 이루어진 그룹으로부터 선택된 2-20몰%의 최소한 하나의 내산성 및 유리 구조를 강화시키는 강화제, 약 6몰%까지의 Cl 및 약 50-89몰%까지의 SiO2로 이루어지는 방법.
  28. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 기본적으로 산화물이 기초하여, 약 5-25몰%의 Li2O, Na2O, K2O, Cs2O, Rb2O 또는 이들의 결함물, 약 6몰% 까지의 Cl 및 약 0.5-약 25몰% 까지의 감광 억제제 및 RS 억제제, 약 20몰% 까지의 ZnO, DIR 20몰% MgO, 약 15몰%까지의 Al2O3, 약 20몰% 까지의 PbO, 약 20몰% 까지의 CaO, MgO, Al2O3, ZnO, PbO, CaO 및 이들의 결합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 약 2-25몰%의 최소한 하나의 내산성 및 유리 구조를 강화시키는 강화제, 약 15몰% 까지의 B2O3, 약 4몰% 까지의 F, 약 2몰% 까지의 Br, 약 2몰% 까지의 I, 및 약 50-89몰% 까지의 SiO2로 이루어지는 방법.
  29. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 기본적으로 산화물에 기초하여 약 12-18몰%의 Li2O, Na2O, K2O 또는 이들의 결함물, 약 3-10몰%의 TiO2를 함유하고 원자 상태에서 1-4개의 d-전자를 갖는 약 3-10몰%의 전이금속 산화물, 0-약 10몰%의 B2O3, 약 4-15몰%의 ZnO, 약 0.5-5몰%의 Al2O3, 약 0.4-3몰%의 Cl 및 약 60-80몰%의 SiO2로 이루어지고 원자 상태에서 1-4개의 d-전자를 가지며 IIES 층이 화학 방사선의 전기한 분광 범위에 대해 감광성이 없도록 하는데 충분한 양의 전이금속 산화물을 함유하는 방법.
  30. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 약 13-16%의 Li2O, Na2O, K2O 또는 이들의 결합물, 약1-7%의 TiO2, 약 0.5-6%의 H2O3, 약 5-10%의 ZnO, 약 0.5-2.5%의 Al2O3, 약 65-75%의 SiO2및 유리 용융물내에 포화되었거나 과포화된 염화물로 이루어지는 방법.
  31. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 기본적으로 산화물에 기초하여 약 9-20%의 Li2O, Na2O, K2O, Cs2O, Rb2O 또는 이들의 결합물, 약 약 0.5-7.4%의 TiO2를 함유하는 0.5-8.4%의 감광 억제제(PI 제) 및 RS-억제제(RSS 제), 3.6-10몰%의 ZnO, 0.6-4 몰%의 Al2O36몰% 까지의 MgO, 4몰%까지의 CaO, 4몰% 까지의 BaO, 3.5몰% 까지의 BbO, 4몰% 까지의 BrO, 7.2몰% 까지의 B2O3, 7.2몰% 까지의 P2O5, F, Br, I 및 이들의 결합물로 이루어진 그룹으로부터 선택한 1.5몰% 까지의 할로겐화물, 0.2-6몰%의 Cl 및 58.5-86몰%의 SiO2로 이루어지고 IIES 층이 화학 방사선의 전기한 분광 범위에 실제적으로 감광성이 없도록 하기에 효과적인 양의 PI 제를 함유하는 방법.
  32. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 기본적으로 산화물이 기초하여 약 3-30몰%의 하나 또는 그 이상의 알카리 금속 산화물, 약 0.5-35몰%의 감광 억제제(PI 제) 및 RS-억제제, 35몰% 까지의 내산성 및 유리 형태를 강화시키는 강화제(ADAGNS), 20몰% 까지의 P2O5, 25A 까지의 B2O3, 4몰% 까지의 F, 약 6몰% 까지의 Cl, 2몰% 까지의 Br, 2몰% 까지의 I 및 20-93몰%의 SiO2로 이루어지고, 상기 성분들의 합이 유리 조성물이 최소한 75몰%로 구성되는 방법.
  33. 제1항에 있어서, IIES층내 실란을 그릅 및/또는 물의 함량의 물의 약 0.01-12중량%인 방법.
  34. 제1항에 있어서, IIES층내 실란을 그룹 및/또는 물의 함량의 물의 약 0.1-6중량%인 방법.
  35. 제1항에 있어서, IIES층이 0.1-25몰%의 Ag2O를 함유하는 방법.
  36. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 0.5-10%의 MgO를 함유하는 방법.
  37. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 0.5-10%의 MgO 및 2-15몰%의 ZnO를 함유하는 방법.
  38. 제1항에 있어서, 유리 조성물이 1-6%의 MgO를 함유하는 방법.
  39. 제1항에 있어서, 유리 제품이 부호 디스크, 그레이 스케일을 갖거나 갖고있지 않는 이미지의-빔 기록, 광 기록, 광 판독 및/또는 광 투영에 사용된 유리조각, 유리판 및 슬라이드, 그레이 스케일을 갖거나 갖고있지 않는 마이크로피치, 광 레티클, 광학기기 및 유리 필터 내 색깔 및/또는 투과율의 공간적인 변화가 있거나 또는 없이 빛을 필터 하고 및/또는 색을 필터하는데, 예를들어 파장에 선택적으로 필터링하는데 사용된 필터를 포함하는 유리 필터를 이루어진 그룹으로부터 선택된 유리 생성물인 방법.
  40. 제39항에 있어서, 유리제품이 사진 평판 공정에 포토마스크 및/또는 레티클을 사용하는 방법으로 사진평판 공정의 반도체 칩 생성물을 제조하거나 또는 미리 기록된 광 디스크, 평판넬 디스플레이, 하이브리회로, 인쇄된 회로판 같은 기타 생성물들을 제조하는데 사용된 광학기기인 방법.
  41. 제1항에 있어서, 유리제품이 여러가지 컴퓨터에 프로그램을 입력하는데 뿐만아니라 퍼스널 컴퓨터, 비디오게임, 사무용 시스템, 데이타 분배 시스템 및 기타 정보 시스템에 매체를 기록하는데 사용된 광 소프트 웨어 디스크이고 광 소프트웨어 디스크에 판독 전용 디스크, 단일서입 다중판독 디스크 및 서입을 소거할 수 있는 디스크가 포함되는 방법.
  42. 제8항에 있어서, 고에너지 빔에 조금씩 노출시키거나 한거번에 일괄 노출시키는 방법.
  43. 제42항에 있어서, 한꺼번에 일광 노출시키는 것에 전자 이미지 투영 인쇄, 접촉인쇄 IIES 층의 표면적의 최소한 일부분을 균일하게 암화시키는 것이 포함되는 방법.
  44. 제8항에 있어서, 전기한 IIES의 최소한 일부분을 상기 고에너지 빔으로 암화시키는 방법.
  45. 제44항에 있어서, 고에너지 빔으로 암화된 IIES 층을 갖는 HEBS 유리 제품을 높은 온도에서 광밀도를 안정시키기에 충분한 시간동안 가열시키는 것으로 구성되는 노출후의 처리로 암화된 IIES 층의 광밀도를 안정시키는 방법.
  46. 제45항에 있어서, 높은 온도가 최소한 50℃인 방법.
  47. 제45항에 있어서, 가열 시간이 최소한 약 1시간인 방법.
  48. 제45항에 있어서, 높은 온도가 약 50℃-약 100℃인 방법.
  49. 제45항에 있어서, 가열시간이 1시간 미만에서 약 16시간인 방법.
  50. 제44항에 있어서, 암화된 IIES 층내에 빛을 흡수하는 파장의 레이저 빔을 포함하는 고조도 빛 빔을 사용하여 미리 정한 패턴으로 열소거함으로써 암화된 IIES 층에 기록된 이미지를 만드는 방법.
  51. 제44항에 있어서, 암화된 IIES 층내에 빛을 흡수하는 파장의 레이저 빔을 포함하는 고조도 빛 빔을 사용하여 기록하는 인쇄 방법으로 암화된 IIES 층에 기록된 이미지를 만드는 방법.
  52. 제1항에 있어서, IIES 층내에 빛을 흡수하는 파장의 레이저 빔을 포함하는 고조도 빛 빔을 사용하여 기록하는 순수한 삭마 법으로 IIES 층에 기록된 이미지를 만드는 방법.
  53. 제8항에 있어서, IIES 층을 미리 정한 패턴으로 고에너지 빔에 노출시켜 기록된 이미지를 만드는 방법.
  54. 제53항에 있어서, 기록된 이미지를 갖는 HEBS 유리제품을 높은 온도에서 기록된 이미지를 안정화시키기에 충분한 시간동안 가열시키는 것으로 이루어지는 노출후의 처리로 HEBS 유리 제품내 기록된 이미지를 안정화시키는 방법.
  55. 제50항에 있어서, 유리제품이 해독전용 광 디스크 및/또는 단일서입-다중 판독(WORM) 디스크인 방법.
  56. 제50항에 있어서, 유리 제품이 가록을 소거할 수 있는 광 디스크이고 두개 출력 사이에서 변조된 UV 레이저 빔을 기록하는 소거하는 방법.
  57. 제1항에 있어서, 유리제품이 기록을 소거할 수 있는 광디스크이고 두 출력사이에서 변조된 UV 레이저 빔을 사용하는 기록을 소거하는 방법.
  58. 제42항에 있어서, 고에너지 빔에 노출되어 착색된 색이 황색, 붉은색을 띤 오렌지색, 붉은색을 띤 갈색, 갈색, 적색, 붉은색을 띤 자홍색, 검붉은색, 자홍색, 청홍색, 청색, 자회색, 청회색, 검푸른색, 회색 및 검은 색을 포함하는 여러 색으로부터 선택되는 방법.
  59. 제58항에 있어서, 베이스 유리 조성물, 수성 이온 교환 용액의 산도 및 성분 및/또는 반응 온도 및 기간을 선택하여 상기 착색을 얻는 방법.
  60. 제58항에 있어서, 여러 E-빔에 의해 유도된 상기 착색이 단일 베이스 유리 조성물로 부터 제조한 여러 이온 교환된 유리, 예를 들어 HEBS 유리 제품내에서 얻어진 방법.
  61. 제59항에 있어서, 변할 수 있는 파라이터로서 고 에너지 빔의 노출량 및/또는 고에너지 빔의 에너지, 예를들어 전자빔의 가속전압을 사용하여 유리 제품의 단일 조각내에서 여러가지 착색 및/또는 색조를 얻는 방법.
  62. 제42항에 있어서, 고에너지 빔으로 암화된 흡수 스펙트럼 밴드 폭 및 흡수 피크의 파장을 포함해서 스펙트럼 밴드 모양이 여러 용도에 맞도록 베이스 유리 조성물, 수성 이온 교환 용액의 성분 및 산도, 이온 교환 반응의 온도 및 기간, 고에너지 빔의 에너지, 예를들어 전자빔의 가속 전압, 및/또는 고에너지 빔의 노출량을 이용하여 만들어지는 방법.
  63. 제1항에 있어서, 고에너지 빔에 대한 IIES 층의 감광성이 베이스 유리 조성물, 수성 이온교환 용액의 산도 및 성분 및/또는 반응 온도 및 지속시간을 선택하여 증가되는 방법.
  64. 제63항에 있어서, 전자빔에 대한 감광성이 유리 조성물내 염화물의 농도가 증가함에 따라 증가되는 방법.
  65. 제63항에 있어서, 전자빔에 대한 감광성이 IIES 층내 음이온의 농도가 증가함에 따라 증가되는 방법.
  66. 제65항에 있어서, IIES 층내 온 이온의 농도가 수성이온 교환 용액의 산도가 감소됨에 따라 증가되는 방법.
  67. 제65항에 있어서, IIES 층내 온 이온의 농도가 이온 교환 반응의 온도가 상승함에 따라 증가되는 방법.
  68. 제65항에 있어서, IIES 층내 온 이온의 농도가 산 수성 이온 교환 용액내 온 이온의 농도가 증가함에 따라 증가되는 방법.
  69. 제63항에 있어서, IIES 층의 단위 두께당 포화 광밀도가 E-빔 감광도가 증가함에 따라 증가되는 방법.
  70. 제69항에 있어서, IIES 층내 포화 광밀도가 최소한 하나의 파장에서 약 0.1보다 큰 방법.
  71. 제69항에 있엇, IIES 층내 포화 광밀도가 최소한 하나의 파장에서 약 3보다 큰 방법.
  72. 제70항에 있어서, IIES 층의 두께가 01.μm 미만에서 몇 μm 보다 큰 방법.
  73. 제53항에 있어서, 오븐, 뜨거운판 및 레이저 빔을 포함하는 고조도 빛 빔을 포함하는 열원을 사용하여 조금씩 소거하고 완전히 일괄 소거시키는 가열에 의해 기록된 이미지의 최소한 일부분을 소거시키는 방법.
  74. 제50항에 있어서, 습식 화학 에칭 또는 플라즈마 에칭에 의해 기록된 이미지를 갖는 IIES 층의 표면을 에칭하는 것을 포함하는 선택적인 에칭법으로 기록된 이미지에 해당하는 표면 부조 패턴을 만드는 방법.
  75. 제53항에 있어서, 습식 화학 에칭 또는 플라즈마 에칭에 의해 기록된 이미지를 갖는 IIES 층의 표면을 에칭하는 것을 포함하는 선택적인 에칭법으로 기록된 이미지에 해당하는 표면 부조 패턴을 만드는 방법.
  76. 제1항에 있어서, 수성 용액이 또한 산 및/또는 산화제를 포함하는 방법.
  77. 제1항에 있어서, 수성 용액이 또한 제1 구리이온, 제2구리이온, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  78. 제1항에 있어서, 수성 용액이 0.01몰/1 미만에서 포화 AgNO3용액의 온도까지의 온 이온 및 약 10-6몰/l에서 3몰/l 이상 까지의 H+이온을 함유하는 방법.
  79. 제1항에 있어서, 수성 용액이 수성 용액 1당 약 0.05-약 1.5몰의 HNO3로 HNO3를 함유하는 방법.
  80. 제1항에 있어서, 수성용액이 수성용액 1당 약 3cc-약 70cc 까지의 16N HNO3로 HNO3를 함유하는 방법.
  81. 제1항에 있어서, 수성 용액이 수성 용액 1당 약 100g의 AgNO3용액의 농도까지의 온 이온을 함유하는 방법.
  82. 제1항에 있어서, 수성용액이 수성 용액 1당 약 400g의 AgNO3및 수성 용액당 약 3-100cc의 16NHNO3를 함유하는 방법.
  83. 제1항에 있어서, 수성 용액이 수성 용액 1당 약 20g의 AgNO3를 함유하고 pH가 약 1-6인 방법.
  84. 제83항에 있어서, 수성 용액의 pH를 약 2보다 큰 값으로 유지하고 수성 용액의 온 이온대 수소 이온의 몰비가 5보다 큰 방법.
  85. 제1항에 있어서, 수성 용액이 이온 교환 반응을 통해 용액의 pH 값을 유지 하기에 충분히 완충된 용액인 방법.
  86. 제1항에 있어서, 수성 용액의 온 이온대 수소 이온의 몰비가 약 5에서 50이상인 방법.
  87. 제1항에 있어서, 수성 용액의 온 이온 농도가 1당 약 0.1g 몰에서 포화된 AgNO3용액의 농도까지인 방법.
  88. 제1항에 있어서, 수성 용액의 하나 또는 그 이상의 알칼리 금속 이온을 함유하는 염의 포화된 농도까지의 알칼리 금속 이온을 함유하고 상기 염이 LiNO3, NaNO3및 KNO3를 포함하는 방법.
  89. 제1항에 있어서, 수성 용액이 또한 포화된 용해 SiO2및/또는 실리카겔 및/또는 수용성 실리케이트 및/또는 HEBS 유리의 유리분말 및/또는 상기 유리조성물의 하나 또는 그 이상의 양이온 성분을 함유하는 방법.
  90. 제1항에 있어서, 이온교환 반응이 유리 제품의 표면에 알칼리 금속 이온에 대한 H3O+이온 및/또는 H+의 교환 및/또는 수화를 포함하여 H2O의 O이 중량%보다 많은 물 및/또는 실란올 그룹을 함유하는 HES 층을 만드는 방법.
  91. 제1항에 있어서, 유리 조성물의 스트레인 포인트 미만의 약 350℃에서 유리 조성물의 어닐링 포인트 까지의 이온교환 온도에서 유리 제품으리 처리하는 방법.
  92. 제1항에 있어서, 이온 교한 반응의 온도가 약 200℃-400℃인 방법.
  93. 제1항에 있어서, 이온 교환 반응의 온도가 약 300℃-유리 조성물의 어닐링 포인트인 방법.
  94. 제92항에 있어서, 유리제품을 상기 반응온도에서 약 1분 내지 8시간 이상의 시간동안 처리하는 방법.
  95. 제1항에 있어서, 약 300℃ 보다 높은 반응 온도에서 약 1분-약 2시간 동안 유리제품을 이온교환시키는 방법.
  96. 제1항에 있어서, 수성 용액의 포화 증기압과 최소한 같은 압력에서 이온교환 반응을 행하는 방법.
  97. 제96항에 있어서, 압력을 수성 용액의 포화 증기압보다 높은 값으로 유지시키는 방법.
  98. 제97항에 있어서, 수성 용액위의 증기상이 질소, 공기, 산소, 아르곤 또는 이들의 혼합물을 포함하는 기체들을 함유하는 방법.
  99. 제1항에 있어서, 유리 시트 면의 최소한 일부분이 연삭 및 연마된 유리 시트 형태로서 기본적인 유리 제품을 유리 뱃치 용융물로 부터 만들어 성형시키는 방법.
  100. 제1항에 있어서, 이온교환 처리하기전 및/또는 후에 유리 제품의 표면을 염화물/염소로 도프하고 및/또는 이들을 풍부하게 하는 방법.
  101. 제1항에 있어서, 유리제품의 표면 및/또는 기본적인 유리 제품의 표면을 고전압 Cl_이온 빔으로 조사시키거나 또는 염화물 또는 염소를 함유하는 물질과 접촉하고 있는 표면을 레이저 소스로 조사하여 Cl_이온을 표면에 확산시키거나 또는 염화물 또는 염소 함유 물질과 접촉하고 있는 기본적인 유리제품 및/또는 유리 제품을 가열처리하여 Cl_이온을 표면에 확산시킴으로서 유리제품 및/또는 기본적인 유리 제품의 표면을 염화물/염소로 도포하고 및/또는 이들을 풍부하게 하는 방법.
  102. 제1항에 있어서, 유리 뱃치 용융물을 산화시키는 대기에서 용융시키는 방법.
  103. 제1항에 있어서, 염소 또는 염화물 및/또는 기타 할로겐화물의 최소한 부분압과 결합한 대기에서 용융을 행하는 방법.
  104. 약 5-25몰%의 하나 또는 그 이상의 알칼리 금속 산화물, 약 0.5-35몰%의 하나 또는 그 이상의 감광억제제(PI 제), 하나 또는 그 이상의 RS-억제제(RSS 제) 또는 이들의 혼합물, 0-약 6몰%의 Cl, 0-약 20몰%의 MgO, 0-약 20몰%의 CaO, 0-약 20몰%의 ZnO, 0-약 15몰%의 Al2O, 0-약 20몰%의 SrO, 0-약 20몰%의 PbO, 0-약 20몰%의 BaO, 0-약 35몰%의 P2O5, 0-약 25몰%의 B2O3, 0-약 4몰%의 Fr, Br, I 또는 이들의 혼합물 및 50-89몰%의 SiO2로 이루어진 고에너지 빔에 감광되는 유리 제품을 제조하는데 유용하고 조성물이 Cl을 함유할 경우 PI제를 포함하고, 조성물에 Cl이 없을때 RSS제를 포함하는 유리 조성물.
  105. 약 12-18몰%의 Li2O, Na2O, K2O 또는 이들의 혼합물, 약 3-10몰%의 TiO2, 0-약 10몰%의 전이금속 산화물, 약 4-15몰%의 ZnO, 약 0.5-5몰%의 Al2O3, 약 0.4-3몰% Cl 및 약 60-80몰%의 SiO2로 이루어진 고 에너지 빔에 감과되는 유리제품을 제조하는데 유용한 유리 조성물.
  106. SIO2, 최소한 하나의 알칼리 금속 산화물, 유리 용융물내 포화되는 정도의 할로겐화물, Ag+이온 및/또는 Ag2O를 함유하고 및/또는 Ag2O를 함유하고 및/또는 Ag+이온을 함유하는 미소정질 및/또는 미소상으로 이루어진 온 성분 및 약 0.01중량% 이상의 H2O 및/또는 실란올 그룹으로 이루어지고, 상기 유리내 온 성분, 할로겐화물 및 감광 억제제의 양이 약 365nm 파장의 것보다 더 높은 에너지 방사선에 감광적이고 약 365nm 보다 더 긴 파장을 갖는 모든 화학 방사선에 실제적으로 감광적이 없도록 하는데 효과적인, 화학선 스펙트럼의 최소한 일부분에 불활성이고 및/또는 비감광성인 고에너지 빔을 감광하는 유리.
  107. a) 약 2-25몰%의 하나 또는 그 이상의 알칼리 금속 산화물, 약 0.5-35몰%의 감광 억제제(PI 제), RS-억제제(RSS 제) 및 이들의 결합물, 0-약 6몰%의 Cl 및 약 50-86몰%의 SiO2로 이루어진 분쇄된 산화물 또는 알칼리 금속의 염, PI 제, RSS 제, 실리콘 및 할로겐화물을 적당한 비율로 완전히 결합시키고 혼합하여 유리 조성물에 대한 예비 용융물 뱃치를 제조하고, b) a)의 혼합물을 용융시켜 유리 용융물을 만들고 c) b)의 용융물을 냉각시켜 기본적인 유리제품을 만들고, d) 상기 기본적인 유리 제품의 면을 고전압 Cl_이온 빔으로 조사시키거나, 또는 염화물 또는 염소 함유 물질과 접촉하고 있는 표면을 레이저 소스로 조사시켜 Cl-이온을 표면에 확산시키거나, 또는 염화물 또는 염소 함유 물질과 접촉하고 있는 기본적인 유리제품을 가열처리하여 Cl_이온을 표면에 확산시킴으로서 기본적인 유리 제품을 염화물/염소로 임의 도프하고 및/또는 이들을 풍부하게 하는 단계로 이루어지는, 고에너지 빔에 감광된 유리제품을 제조하는데 유용한 유리 조성물 제조방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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