KR890011024A - 웨이퍼의 미세 연마용 조성물 - Google Patents

웨이퍼의 미세 연마용 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR890011024A
KR890011024A KR1019880017853A KR880017853A KR890011024A KR 890011024 A KR890011024 A KR 890011024A KR 1019880017853 A KR1019880017853 A KR 1019880017853A KR 880017853 A KR880017853 A KR 880017853A KR 890011024 A KR890011024 A KR 890011024A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion
polishing composition
wafer
fine polishing
group
Prior art date
Application number
KR1019880017853A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0130900B1 (ko
Inventor
시게오 사사끼
Original Assignee
시바따 마쓰지로
미쓰비시몬산또 가세이 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP62333027A external-priority patent/JPH01177969A/ja
Priority claimed from JP63156691A external-priority patent/JP2625002B2/ja
Application filed by 시바따 마쓰지로, 미쓰비시몬산또 가세이 가부시끼가이샤 filed Critical 시바따 마쓰지로
Publication of KR890011024A publication Critical patent/KR890011024A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0130900B1 publication Critical patent/KR0130900B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02024Mirror polishing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

웨이퍼의 미세 연마용 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. 물, 입상 무정형 실리카 및 아크릴 아미드 단독으로 또는 아크릴산, 메타크릴산 및 스티렌술폰산으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비닐 단량체와 함께 그라프트 중합된 다당류 고분자 화합물을 함유하고, 알칼리성 물질에 의해 pH 8내지 12로 조정되어 이루어짐을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 입상 무정형 실리카의 평균 입자 크기가 5m㎛내지 10㎛의 범위의 것임을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 입상 무정형 실리카의 함량이 0.1중량%이상이고, 그라프트 중합된 다당류 고분자 화합물의 함량이 1ppm 이상임을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 다당류 고분자 화합물이 수용성의 구아고무 및 크산탄 고무로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상임을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 알칼리성 물질이 금속 수산화물, 아민 또는 암모니아임을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
  6. 물, 입상 무정형 실리카 및 아미드 단독으로 또는 아크릴산, 메타크릴산 및 스티렌 술폰산으로 이루어진 군으로 부터 선택된 하나이상의 비닐 단량체와 함께 그라프트 중합된 다당류 고분자 화합물과 수용성 염을 함유하고, 알칼리성 물질에 의해 pH 8내지 12로 조정되어 이루어짐을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서, 수용성 염이 리튬이온, 나트륨이온, 칼륨이온, 세슘이온 및 암모늄이온으로 구성되는 군에서 선택된 양이온과, 불소이온, 염소이온, 브롬이온, 요오드이온, 황산이온, 질산이온, 과염소이온, 탄산이온, 포름산이온, 아세트산이온, 아클리산이온 및 옥살산이온으로 구성되는 군에서 선택된 음이온과의 조합으로 이루어진 하나이상의 화합물임을 특징으로 하는 웨이퍼의 미세 연마용 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880017853A 1987-12-29 1988-12-29 웨이퍼의 미세연마용 조성물 KR0130900B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62-333027 1987-12-29
JP62333027A JPH01177969A (ja) 1987-12-29 1987-12-29 ウェハーのファイン研磨用組成物
JP03-156691 1988-06-27
JP63-156691 1988-06-27
JP63156691A JP2625002B2 (ja) 1988-06-27 1988-06-27 ウェハーのファイン研磨用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890011024A true KR890011024A (ko) 1989-08-12
KR0130900B1 KR0130900B1 (ko) 1998-04-20

Family

ID=26484375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880017853A KR0130900B1 (ko) 1987-12-29 1988-12-29 웨이퍼의 미세연마용 조성물

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4983650A (ko)
EP (1) EP0322721B1 (ko)
KR (1) KR0130900B1 (ko)
DE (1) DE3884778T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100472882B1 (ko) * 1999-01-18 2005-03-07 가부시끼가이샤 도시바 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2714411B2 (ja) * 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
RU2034889C1 (ru) * 1993-04-02 1995-05-10 Научно-производственное объединение "Алтай" Композиция для суперфинишной доводки поверхности материала
JP2719113B2 (ja) * 1994-05-24 1998-02-25 信越半導体株式会社 単結晶シリコンウェーハの歪付け方法
JPH0982668A (ja) * 1995-09-20 1997-03-28 Sony Corp 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法
US5769689A (en) * 1996-02-28 1998-06-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing silica, silicates, and silicon nitride
JP3676030B2 (ja) 1997-04-10 2005-07-27 株式会社東芝 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法
US6726990B1 (en) * 1998-05-27 2004-04-27 Nanogram Corporation Silicon oxide particles
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20090255189A1 (en) * 1998-08-19 2009-10-15 Nanogram Corporation Aluminum oxide particles
US6290735B1 (en) 1997-10-31 2001-09-18 Nanogram Corporation Abrasive particles for surface polishing
US7384680B2 (en) * 1997-07-21 2008-06-10 Nanogram Corporation Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures
US6395194B1 (en) 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
US6350393B2 (en) * 1999-11-04 2002-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Use of CsOH in a dielectric CMP slurry
CN1422314A (zh) * 2000-04-11 2003-06-04 卡伯特微电子公司 用于优先除去氧化硅的系统
US6811474B2 (en) 2002-07-19 2004-11-02 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing conducting polymer
US7021993B2 (en) * 2002-07-19 2006-04-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a substrate with a polishing system containing conducting polymer
DE102005007368A1 (de) 2004-06-16 2006-01-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schmierend wirkende Polymer-Wasser-Mischung
JP4667848B2 (ja) * 2004-12-13 2011-04-13 花王株式会社 ガラス基板用研磨液組成物
EP1844122B1 (en) * 2004-12-29 2013-02-20 LG Chem, Ltd. Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry
US7459209B2 (en) * 2005-02-04 2008-12-02 Oxane Materials, Inc. Composition and method for making a proppant
US20070068087A1 (en) * 2005-09-26 2007-03-29 Cabot Microelectronics Corporation Metal cations for initiating polishing
KR100786948B1 (ko) * 2005-12-08 2007-12-17 주식회사 엘지화학 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 cmp 슬러리
KR100786949B1 (ko) * 2005-12-08 2007-12-17 주식회사 엘지화학 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 cmp 슬러리
CN1986612B (zh) * 2005-12-22 2012-07-25 花王株式会社 玻璃基板用研磨液组合物
US8273142B2 (en) * 2010-09-02 2012-09-25 Cabot Microelectronics Corporation Silicon polishing compositions with high rate and low defectivity
CN106041739B (zh) 2016-05-27 2018-02-23 华侨大学 一种超硬磨料磨具的微生物修整方法
CN115466573B (zh) * 2022-09-05 2024-02-20 广州飞雪芯材有限公司 一种用于单晶硅晶圆片的抛光液及其应用

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4260396A (en) * 1978-01-16 1981-04-07 W. R. Grace & Co. Compositions for polishing silicon and germanium
US4161394A (en) * 1978-06-19 1979-07-17 Regan Glen B Polishing slurry of xanthan gum and a dispersing agent

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100472882B1 (ko) * 1999-01-18 2005-03-07 가부시끼가이샤 도시바 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE3884778T2 (de) 1994-05-11
US4983650A (en) 1991-01-08
EP0322721A2 (en) 1989-07-05
DE3884778D1 (de) 1993-11-11
EP0322721A3 (en) 1991-06-19
KR0130900B1 (ko) 1998-04-20
EP0322721B1 (en) 1993-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890011024A (ko) 웨이퍼의 미세 연마용 조성물
US3709816A (en) Control of alluvial and other deposits in aqueous systems
DE3067033D1 (en) Process for preparing an alkali acrylate polymer having high salt solution-absorbency and polymer produced thereby
KR840004360A (ko) 구강 위생 조성물
MY103010A (en) Hydrophobic associative composition containing a polymer of a water-soluble monomer and an amphiphilic monomer
EP0242478A3 (en) Water absorbent acrylic copolymers
US4533708A (en) Polyampholyte polymer
GB1265496A (ko)
GB832949A (en) Polymer composition and method
ZA842788B (en) Method of dispersing inorganic materials in aqueous systems with low molecular weight acrylic acid copolymers
TW223045B (ko)
GB1496286A (en) Suspension polymerization of vinyl chloride
GB1511783A (en) Styrene polymers and their preparation
KR910003110A (ko) 열-겔화성 β-1,3-글루칸의 제조 방법
US3065193A (en) Aqueous solutions of polyacrylamide stabilized with water soluble nitrite
GB996513A (en) Improvements in preparation of acrylonitrile copolymers
GB1445522A (en) Method for producing high molecular weight acrylamide copolymer resins
ES338178A1 (es) Un procedimiento para la preparacion de perlas polimericas.
MX9301923A (es) Suspension de polimero fluidificado de alcohol polivinilico.
US5326854A (en) Flocculation process using lactam or vinyl sulfonate polymer
SE8305510L (sv) Flockning av syra-urlakningsuppslamningar
FR2351706A1 (fr) Procede pour le broyage par voie humide de mineraux ou de produits miniers non organiques ou organiques fossilises
JPS5628612A (en) Flocculant
FR2258347A1 (en) Removing or inhibiting alluvial and other deposits - in water systems by adding polymers prepd. from water-soluble monomers
US3789613A (en) Composition and method for diminishing the flow of water into permeable strata

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20001116

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee