Claims (11)
적어도 하나의 소자에 제어된 전류(I전류)를 공급하도록 적합된 전류원을 포함하는 집적 회로에 있어서, 상기 전류원이 기준 저항(R₁)에 의해 소스 전국에 연결된 게이트 전극을 갖고 있는 기준 전계 효과 트랜지스터(M₃)와, 상기 기준 트랜지스터에서의 채널 전류의 흐름을 증진시키는 방향으로 상기 기준 저항을 통하여 기준 전류를 흐르게 하는 수단(M5)과, 상기 채널 전류와 상기 기준 전류가 비례하도록 하는 수단(M₁,M₂,M₄)과, 상기 제어된 전류가 상기 기준 전류에 비례하도록 하는 수단 (M50)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.An integrated circuit comprising a current source adapted to supply a controlled current (I current) to at least one element, the reference field effect transistor comprising: a reference field effect transistor, the current source having a gate electrode connected across the source by a reference resistor R₁; M₃), means M5 for causing a reference current to flow through the reference resistor in a direction to promote flow of channel current in the reference transistor, and means for causing the channel current and the reference current to be proportional to each other (M₁, M₂). , M₄) and means (M50) for causing said controlled current to be proportional to said reference current.
제 1 항에 있어서, 상기 기준 전계 효과 트랜지스터가 엔헨스먼트 방식 트랜지스트인 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.The integrated circuit with a current source according to claim 1, wherein the reference field effect transistor is an enhancement type transistor.
제 2 항에 있어서, 상기 전류원이 상기 기준 트랜지스터(V5)의 임계와, 상기 기준 트랜지스터(B)의 이득과, 상기 기준 트랜지스터에 흐르는 채널 전류(I)중 적어도 하나의 크기를 선택하므로써 온도의 함수로써 상기 기준 전류에서의 원하는 변화를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.3. The method of claim 2, wherein the current source is a function of temperature by selecting at least one of a threshold of the reference transistor V5, a gain of the reference transistor B, and a channel current I flowing through the reference transistor. And a desired change in the reference current can be obtained.
제 3 항에 있어서, 상기 선택이 다음 공식에 따라 성취되며,4. The method of claim 3, wherein the selection is made according to the formula:
IR·R=VV+(2I/BO)1/2(T/TO)3/4 I R · R = V V + (2I / B O ) 1/2 (T / T O ) 3/4
여기서 IR은 상기 기준 전류의 크기이며, R은 상기 기준 저항의 크기이고, VV는 상기 기준 트랜지스터의 임계 접입이고, I는 상기 기준 트랜지스터에 흐르는 채널이고 BO는 기준 온도 TO에서 상기 기준 트랜지스터의 이득이며, T는 상기 기준 트랜지스터의 온도인 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.Where IR is the magnitude of the reference current, R is the magnitude of the reference resistance, V V is the critical input of the reference transistor, I is the channel through the reference transistor and B O is the reference transistor at a reference temperature T O. And T is the temperature of the reference transistor.
제 1 항에 있어서, 상기 집적 회로가 제 1 채널 도전을 형태의 적어도 하나의 전계 효과 트랜지스터와, 상기 제 1 타입에 반대인 채널 도전을 형태를 갖고 있는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.2. The integrated circuit of claim 1, wherein the integrated circuit comprises at least one field effect transistor in the form of a first channel conduction and at least one transistor in the form of a channel conduction opposite to the first type. Integrated circuit with current source.
제 1 항에 있어서, 상기 집적 회로가 상기 회로에 형성된 다수의 전계 효과 트랜지스터를 갖고 있는 상기 제 1 도전을 형태의 적어도 하나의 제 1 영역을 포함하며, 또한 상기 제 2 도전을 형태의 제 2 영역을 포함하며, 상기 제어 전계 효과 트랜지스터가 상기 전계 효과 트랜지스터의 다른 것이 형성되어 있는 지역으로 부터 P-n접합에 의해 분리된 상기 제 2 영역으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.2. The second region of claim 1, wherein the integrated circuit comprises at least one first region in the form of the first conductivity having a plurality of field effect transistors formed in the circuit, and further comprising the second region in the form of the second conductivity. And the control field effect transistor is formed in the second region separated by a P- n junction from a region where another of the field effect transistors is formed.
제 6 항에 있어서, 상기 기준 전계 효과 트랜지스터이 소스가 분리 영역에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.7. An integrated circuit with a current source according to claim 6, wherein said reference field effect transistor has a source electrically connected to an isolation region.
제 1 항에 있어서, 상기 기준 전계 트랜지스터가 기준 전압에 연결된 그것의 백-게이트 전극을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.The integrated circuit with a current source according to claim 1, wherein said reference field transistor has its back-gate electrode connected to a reference voltage.
제 1 항에 있어서, 상기 기준 저항이 상기 기준 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 재료이 층에 의해 적어도 부분적으로 한정된 사이즈를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.2. The integrated circuit with a current source according to claim 1, wherein the reference resistor has a size at least partially defined by a layer of material comprising the gate electrode of the reference field effect transistor.
제11항에 있어서, 상기 재료가 폴리실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.12. The integrated circuit with a current source according to claim 11, wherein the material comprises polysilicon.
제 1 항에 있어서, 기준 전류를 흐르게 하는 상기 수단과, 상기 채널 전류와 상기 수단이 전류 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류원을 구비한 집적회로.2. The integrated circuit of claim 1, wherein said means for flowing a reference current, said channel current and said means comprises a current mirror.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.