KR830004762A - 후막파인 패턴도전체(厚膜 fine patterned導電體)및 그 제조법 - Google Patents

후막파인 패턴도전체(厚膜 fine patterned導電體)및 그 제조법 Download PDF

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KR830004762A
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다케오 키무라
아키히로 구스세
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세고 마오미
아사히가세이고교 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

후막파인 패턴도전체(厚膜 FINE PATTERNED導傳體)및 그 제조법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 1실기예에 의한 후막파인패턴도전체의 제조단계를 나타낸 공정도. 제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 제조단계를 나타낸 공정도. 제3A도내지 제3E도는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 제조단계를 나타낸 공정도. 제4도는 전기도금방법에 의한 필름 두께와 도전체너비의 관계를 나타낸 특성도. 제5도는 코일도전체회로에 본 발명을 응용한 평면도이다.

Claims (1)

  1. 필름두께 35-200㎛, 회로밀도 5lines/㎜정도를 가진 도전체가 절연기체(基體)상에 형성하며, 절연기 체상에 0.1-10㎛의 필름두께를 가진 박막의 도전체층을 형성하는 공정과 5 ines/㎜정도의 회로밀도를 가진 패턴의 박막도전체층에 5A/dm2정도의 음극전류밀도에서 34.9-190㎛의 두께로 도전체층을 전기도금하는 처리공정으로 구성함을 특징으로하는 후막 파인패턴도전체및 그 제조법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019800004916A 1980-12-24 1980-12-24 후막 파인 패턴 도전체(厚膜 fine patterned 導電體) KR830002579B1 (ko)

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