KR20250045822A - Substrate procoessing device and substrate procoessing method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 기판을 처리하는 약액의 오염시에 약액의 오염 상태를 검출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
그에 따른 본 발명의 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 장치에 있어서, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 약액을 액상으로 토출하는 액 토출 유닛; 상기 액 토출 유닛으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 상기 액 공급 유닛에 연결되며 상기 약액에 분산되어 함유된 입자의 전기적 이동도를 이용하여 크기별로 분리한 뒤, 크기별 입자의 개수 농도를 측정함으로써 입자의 크기분포를 측정하는 입자 입경 분포 측정기; 를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method. The technical problem to be solved is to provide a substrate processing device and a substrate processing method capable of detecting the contamination state of a chemical solution when the chemical solution for processing a substrate is contaminated.
The substrate processing device of the present invention according to the present invention comprises: a chamber having a processing space; a support unit supporting and rotating a substrate in the processing space; a liquid discharge unit discharging a chemical in a liquid state onto a substrate supported by the support unit; a liquid supply unit supplying the chemical to the liquid discharge unit; and a particle size distribution measuring device connected to the liquid supply unit, which separates particles by size using electrical mobility of particles dispersed and contained in the chemical solution, and then measures the number concentration of particles by size to measure the size distribution of particles.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device and a substrate processing method, and more specifically, to a substrate processing device and a substrate processing method for supplying liquid to a substrate and processing the substrate with liquid.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.In order to manufacture semiconductor devices, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. In addition, before and after these processes, a cleaning process is performed to clean the particles remaining on the substrate.
세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water, DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(Isopropyl alcohol, IPA)액과 같은 유기 용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기 용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기 용제를 기판 상에서 제거하는 건조 공정을 더 포함한다.The cleaning process further includes a process of supplying chemicals to a substrate that is supported on a spin head and rotates, a process of supplying a cleaning solution such as deionized water (DIW) to the substrate to remove the chemicals from the substrate, a process of supplying an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) having a lower surface tension than the cleaning solution to the substrate to replace the cleaning solution on the substrate with the organic solvent, and a drying process of removing the replaced organic solvent from the substrate.
이 경우, 유기 용제는 필터와 펌프 및 밸브와 같은 부품들과 연결되는데, 필터와 펌프 및 밸브가 손상되는 경우 유기 용제가 오염됨으로써, 오염된 유기 용제로 기판을 처리하는 문제가 발생하기도 한다.In this case, the organic solvent is connected to components such as filters, pumps, and valves. If the filter, pump, and valve are damaged, the organic solvent becomes contaminated, which can cause problems in handling the substrate with the contaminated organic solvent.
이와 같은 문제가 발생되면, 유기 용제가 흐르는 전 라인 계통을 포함한 부품들을 검사하여 분석해야 하므로, 검사 시간이 과대하게 소요되는 문제점을 유발하고 있다.When such a problem occurs, parts including the entire line system through which organic solvents flow must be inspected and analyzed, which causes the problem of excessive inspection time.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기술적 과제는 기판을 처리하는 약액의 오염시에 약액의 오염 상태를 검출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.The technical problem of the present invention for solving the above-mentioned problem is to provide a substrate processing device and a substrate processing method capable of detecting the contamination status of a chemical solution when the chemical solution for processing a substrate is contaminated.
또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 기판을 처리하는 약액의 오염시에 약액의 오염이 어느 지점에서 진행되었는지를 모니터링할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.In addition, another technical task of the present invention is to provide a substrate treatment device and a substrate treatment method capable of monitoring the point at which contamination of a chemical solution for treating a substrate has occurred.
본 발명의 해결하고자 하는 기술적 과제는 여기에 제한되지 않으며, 통상의 기술자라면 언급되지 않은 다른 기술적 과제들이 아래의 명세서 및 도면에 이용되는 구성들로부터 도출될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.The technical problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and those skilled in the art will understand that other technical problems not mentioned can be derived from the configurations used in the specification and drawings below.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 장치에 있어서, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 약액을 액상으로 토출하는 액 토출 유닛; 상기 액 토출 유닛으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 상기 액 공급 유닛에 연결되며 상기 약액에 분산되어 함유된 입자의 전기적 이동도를 이용하여 크기별로 분리한 뒤, 크기별 입자의 개수 농도를 측정함으로써 입자의 크기분포를 측정하는 입자 입경 분포 측정기; 를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the substrate processing device of the present invention comprises: a chamber having a processing space; a support unit supporting and rotating a substrate in the processing space; a liquid discharge unit discharging a chemical in a liquid state onto a substrate supported by the support unit; a liquid supply unit supplying the chemical to the liquid discharge unit; and a particle size distribution measuring device connected to the liquid supply unit, which separates particles by size using electrical mobility of particles dispersed and contained in the chemical solution, and then measures the number concentration of particles by size to measure the size distribution of particles.
일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은 상기 약액을 순환시키는 공통 라인부; 및 상기 공통 라인부와 상기 액 토출 유닛 사이에 연결되어 상기 공통 라인부의 약액을 상기 액 토출 유닛으로 공급하는 개별 라인부; 를 포함하며, 상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 공통 라인부와 상기 개별 라인부 각각에 연결되어 약액을 각각 공급받아 상기 입자의 크기분포를 측정할 수 있다.In one embodiment, the liquid supply unit includes a common line section for circulating the chemical liquid; and an individual line section connected between the common line section and the liquid discharge unit for supplying the chemical liquid from the common line section to the liquid discharge unit; and the particle size distribution measuring device is connected to each of the common line section and the individual line sections to receive the chemical liquid respectively and measure the size distribution of the particles.
일 실시예에 의하면, 상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 입자의 크기분포를 기설정된 주기로 측정할 수 있다.In one embodiment, the particle size distribution measuring device can measure the size distribution of the particles at a preset cycle.
일 실시예에 의하면, 상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 입자의 크기분포를 측정시 기저장된 기준 분포 데이터와 비교하여 측정된 입자의 크기분포가 상기 기준 분포 데이터의 기설정된 범위를 넘어서는 경우 약액 오염 알람을 발생시킬 수 있다.In one embodiment, the particle size distribution measuring device can generate a liquid contamination alarm when the measured particle size distribution is compared with pre-stored reference distribution data when measuring the particle size distribution and the measured particle size distribution exceeds a preset range of the reference distribution data.
일 실시예에 의하면, 상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 공통 라인부의 오염시 공통 라인 오염 알람을 발생시키고, 상기 개별 라인부의 오염시 개별 라인 오염 알람을 발생시킬 수 있다.In one embodiment, the particle size distribution measuring device can generate a common line contamination alarm when the common line section is contaminated, and can generate an individual line contamination alarm when the individual line sections are contaminated.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 액 토출 유닛 가운데 상기 약액을 토출하는 밸브의 개폐를 제어하는 제어기; 를 더 포함하며, 상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 개별 라인 오염 알람을 상기 제어기로 전송하고, 상기 제어기는 상기 개별 라인 오염 알람을 입력받은 경우 상기 약액을 토출하는 밸브를 닫힌 상태로 전환하여 상기 약액이 토출되지 않도록 할 수 있다.In one embodiment, the substrate processing device further includes a controller that controls the opening and closing of a valve for discharging the chemical liquid among the liquid discharging units; wherein the particle size distribution measuring device transmits the individual line contamination alarm to the controller, and when the controller receives the individual line contamination alarm, it can close the valve for discharging the chemical liquid to prevent the chemical liquid from being discharged.
일 실시예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은 상기 약액이 상기 액 토출 유닛에 의해 상기 기판 상으로 공급되기 전에 상기 처리액을 상기 처리액의 비등점 이상의 온도로 가열하는 제1가열유닛; 및 비등점 이상의 온도로 가열된 처리액을 상기 비등점보다 낮은 온도로 가열하여 상기 액 토출 유닛에 공급하는 제2가열유닛; 을 포함할 수 있다.In one embodiment, the liquid supply unit may include a first heating unit that heats the treatment liquid to a temperature higher than the boiling point of the treatment liquid before the chemical liquid is supplied onto the substrate by the liquid discharge unit; and a second heating unit that heats the treatment liquid heated to a temperature higher than the boiling point to a temperature lower than the boiling point and supplies the heated treatment liquid to the liquid discharge unit.
일 실시예에 의하면, 상기 제1가열유닛은 탱크에 수용된 처리액을 순환시키는 순환라인; 및 상기 순환라인 상에 설치되어 상기 순환라인의 내부를 이동하는 처리액을 상기 비등점 이상의 온도로 가열시키는 제1히터; 를 포함하고,According to one embodiment, the first heating unit includes a circulation line for circulating the treatment liquid contained in the tank; and a first heater installed on the circulation line for heating the treatment liquid moving inside the circulation line to a temperature higher than the boiling point;
상기 제2가열유닛은 상기 액 토출 유닛과 연결되는 공급라인; 및 상기 공급라인 상에 설치되어 상기 공급라인의 내부를 이동하는 처리액을 상기 비등점 보다 낮은 온도로 가열시키는 제2히터; 를 포함하고, 상기 액 토출 유닛에 의해 상기 기판 상으로 공급되는 처리액은 상기 비등점 보다 낮은 온도로 제공될 수 있다.The second heating unit includes a supply line connected to the liquid discharge unit; and a second heater installed on the supply line to heat the treatment liquid moving inside the supply line to a temperature lower than the boiling point; and the treatment liquid supplied onto the substrate by the liquid discharge unit can be provided at a temperature lower than the boiling point.
일 실시예에 의하면, 상기 약액은 이소프로필알코올(IPA)로 형성될 수 있다.In one embodiment, the liquid may be formed of isopropyl alcohol (IPA).
한편, 상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법은 제1노즐을 통해 기판 상으로 케미칼을 토출하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질 또는 파티클 등을 제거하는 케미칼 공급 단계; 제2노즐을 통해 기판 상으로 순수(DIW)를 토출하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 단계; 및 제3노즐을 통해 기판 상으로 건조 유체를 공급하여 기판 상에 잔류하는 린스액을 건조 유체로 치환하는 치환단계; 를 포함하며, 상기 치환단계에서는 입자 입경 분포 측정기가 공통 라인부와 개별 라인부를 통해 주기적으로 기설정된 단위 용량만큼 상기 건조 유체를 입력받아 단위 용량만큼의 건조 유체를 샘플링하여, 단위 용량당 입자의 크기 분포를 측정하여 모니터링하는 약액 오염 감시단계를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate treatment method of the present invention for achieving the above-described technical task includes a chemical supply step of discharging a chemical onto a substrate through a first nozzle to remove metal foreign substances, organic substances or particles remaining on the substrate; a rinsing step of discharging deionized water (DIW) onto the substrate through a second nozzle to remove chemicals remaining on the substrate; and a substitution step of supplying a drying fluid onto the substrate through a third nozzle to replace the rinsing liquid remaining on the substrate with the drying fluid; wherein, in the substitution step, a particle size distribution measuring device may further include a chemical contamination monitoring step of periodically receiving a preset unit volume of the drying fluid through a common line section and an individual line section, sampling the unit volume of the drying fluid, and measuring and monitoring the size distribution of particles per unit volume.
본 발명은 기판을 처리하는 약액의 오염시에 약액의 오염 상태를 검출할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of being able to detect the contamination status of a chemical solution when the chemical solution treating a substrate is contaminated.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 약액의 오염시에 약액의 오염이 어느 지점에서 진행되었는지를 모니터링할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of being able to monitor at what point contamination of the chemical solution treating the substrate has occurred.
본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 통상의 기술자라면 언급되지 않은 다른 효과들이 아래의 명세서 및 도면에 이용되는 구성들로부터 도출될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and those skilled in the art will understand that other effects not mentioned can be derived from the configurations used in the specification and drawings below.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4 및 도 5은 도 3의 액 공급 유닛을 흐르는 처리액의 이동 과정을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 7은 기준 분포 데이터와 샘플링하는 건조 유체의 단위 용량당 입자의 크기 분포 데이터를 중첨시켜 표현한 그래프이다.
도 8은 도 7에 도시된 그래프를 수치값으로 표현한 표이다.FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing device of Figure 1.
Figure 3 is a schematic drawing showing the liquid supply unit of Figure 2.
Figures 4 and 5 are drawings showing the movement process of the treatment liquid flowing through the liquid supply unit of Figure 3.
Figure 6 is a flow chart showing a process of processing a substrate using the device of Figure 3.
Figure 7 is a graph that superimposes the standard distribution data and the particle size distribution data per unit volume of the dry fluid being sampled.
Figure 8 is a table expressing the graph shown in Figure 7 in numerical values.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 실시예를 설명하기로 하며, 이 경우, 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제어하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미하는 것으로 간주한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부" 등의 용어는 전자 하드웨어 또는 전자 소프트웨어에 대한 설명시 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하고, 기계장치에 대한 설명시 하나의 부품, 기능, 용도, 지점 또는 구동요소를 의미하는 것으로 간주한다. 또한, 이하에서는 동일한 구성 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하여 설명하기로 하며, 동일한 구성 요소의 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the attached drawings. In this case, when a part throughout the specification is said to "include" a certain component, this is considered to mean that other components can be further included, rather than controlling other components unless specifically stated otherwise. In addition, terms such as "... section" described in the specification are considered to mean a unit that processes at least one function or operation when describing electronic hardware or electronic software, and one part, function, purpose, point, or driving element when describing a mechanical device. In addition, in the following, the same or similar components will be described using the same drawing reference numerals, and redundant descriptions of the same components will be omitted.
또한, 본 발명에서 요소 또는 층이 다른 요소 또는 층 "상에", "연결된", "결합된", "부착된", "인접한" 또는 "덮는"으로 언급될 때, 이는 직접적으로 상기 다른 요소 또는 층 상에 있거나, 연결되거나, 결합되거나, 부착되거나, 인접하거나 또는 덮거나, 또는 중간 요소들 또는 층들이 존재할 수 있다. 반대로, 요소가 다른 요소 또는 층의 "직접적으로 상에", "직접적으로 연결된", 또는 "직접적으로 결합된"으로 언급될 때, 중간 요소들 또는 층들이 존재하지 않은 것으로 이해되어야 할 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 요소를 지칭한다. 본원발명에서 사용된 용어 "및/또는"은 열거된 항목들 중 하나 이상의 항목의 모든 조합들 및 부조합들을 더 포함한다.Additionally, when an element or layer is referred to as being "on," "connected," "bonded," "attached," "adjacent," or "covering" another element or layer, it can be directly on, connected, bonded, attached, adjacent, or covering said other element or layer, or there may be intermediate elements or layers present. Conversely, when an element is referred to as being "directly on," "directly connected," or "directly coupled to" another element or layer, it should be understood that no intermediate elements or layers are present. Like reference numerals refer to like elements throughout. The term "and/or" as used herein further includes all combinations and subcombinations of one or more of the listed items.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 2은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 2의 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 4 및 도 5은 도 3의 액 공급 유닛을 흐르는 처리액의 이동 과정을 보여주는 도면이다. 도 6은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.FIG. 1 is a plan view showing a substrate processing facility according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing device of FIG. 1. FIG. 3 is a drawing schematically showing the liquid supply unit of FIG. 2. FIGS. 4 and 5 are drawings showing the movement process of the processing liquid flowing through the liquid supply unit of FIG. 3. FIG. 6 is a flow chart showing the process of processing a substrate using the device of FIG. 3.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.Referring to FIGS. 1 to 6, the substrate processing equipment (1) has an index module (10) and a process processing module (20), and the index module (10) has a load port (120) and a transfer frame (140). The load port (120), the transfer frame (140), and the process processing module (20) are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port (120), the transfer frame (140), and the process processing module (20) are arranged is referred to as a first direction (12), and when viewed from above, a direction perpendicular to the first direction (12) is referred to as a second direction (14), and a direction perpendicular to a plane including the first direction (12) and the second direction (14) is referred to as a third direction (16).
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier (18) containing a substrate (W) is mounted on a load port (120). A plurality of load ports (120) are provided, and they are arranged in a row along the second direction (14). In FIG. 1, four load ports (120) are provided. However, the number of load ports (120) may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module (20). A slot (not shown) is formed on the carrier (18) to support an edge of the substrate. A plurality of slots are provided in the third direction (16), and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked while being spaced apart from each other along the third direction (16). A front opening unified pod (FOUP) can be used as the carrier (18).
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260,280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260,280)이 배치된다. 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정 챔버들(260,280) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260,280) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 양측에는 공정 챔버들(260,280)이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260,280)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260,280)의 수이다. 이송 챔버(240)의 양측 각각에 공정 챔버(260,280)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260,280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260,280)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한 공정 챔버(260,280)는 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260,280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The process processing module (20) has a buffer unit (220), a transfer chamber (240), and a process chamber (260, 280). The transfer chamber (240) is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction (12). Process chambers (260, 280) are arranged on both sides of the transfer chamber (240) along the second direction (14). The process chambers (260) may be provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber (240). Some of the process chambers (260, 280) are arranged along the longitudinal direction of the transfer chamber (240). In addition, some of the process chambers (260, 280) are arranged to be stacked on each other. That is, the process chambers (260, 280) may be arranged in an array of A X B (A and B are each a natural number greater than or equal to 1) on both sides of the transfer chamber (240). Here, A is the number of process chambers (260, 280) provided in a row along the first direction (12), and B is the number of process chambers (260, 280) provided in a row along the third direction (16). When four or six process chambers (260, 280) are provided on each side of the transfer chamber (240), the process chambers (260, 280) may be arranged in a 2 X 2 or 3 X 2 arrangement. The number of process chambers (260, 280) may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber (260) may be provided on only one side of the transfer chamber (240). In addition, the process chambers (260, 280) may be provided in a single layer on one side and the other side of the transfer chamber (240). In addition, the process chambers (260, 280) may be provided in various arrangements, unlike the above.
본 실시예의 공정 챔버들(260,280)는 세정 챔버 및 건조 챔버를 포함하여 구분될 수 있다. 이 경우, 세정 챔버는 이후에서 설명하는 기판을 세정하기 위한 기판 처리 장치일 수 있으며, 건조 챔버는 기판을 건조하기 위한 기판 처리 장치일 수 있다.The process chambers (260, 280) of the present embodiment may be divided into a cleaning chamber and a drying chamber. In this case, the cleaning chamber may be a substrate processing device for cleaning a substrate described below, and the drying chamber may be a substrate processing device for drying a substrate.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit (220) is arranged between the transfer frame (140) and the transfer chamber (240). The buffer unit (220) provides a space where the substrate (W) stays before the substrate (W) is returned between the transfer chamber (240) and the transfer frame (140). The buffer unit (220) is provided with a slot (not shown) in which the substrate (W) is placed therein, and a plurality of slots (not shown) are provided so as to be spaced apart from each other along the third direction (16). Each of the side of the buffer unit (220) facing the transfer frame (140) and the side facing the transfer chamber (240) is open.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame (140) transfers the substrate (W) between the carrier (18) mounted on the load port (120) and the buffer unit (220). The transfer frame (140) is provided with an index rail (142) and an index robot (144). The index rail (142) is provided such that its longitudinal direction is parallel to the second direction (14). The index robot (144) is installed on the index rail (142) and moves linearly in the second direction (14) along the index rail (142). The index robot (144) has a base (144a), a body (144b), and an index arm (144c). The base (144a) is installed so as to be able to move along the index rail (142). The body (144b) is coupled to the base (144a). The body (144b) is provided to be movable along the third direction (16) on the base (144a). In addition, the body (144b) is provided to be rotatable on the base (144a). An index arm (144c) is coupled to the body (144b) and is provided to be movable forward and backward with respect to the body (144b). A plurality of index arms (144c) are provided so as to be individually driven. The index arms (144c) are arranged to be stacked while being spaced apart from each other along the third direction (16). Some of the index arms (144c) may be used when returning a substrate (W) from a process processing module (20) to a carrier (18), and other some may be used when returning a substrate (W) from a carrier (18) to the process processing module (20). This can prevent particles generated from the substrate (W) before processing from being attached to the substrate (W) after processing during the process of the index robot (144) loading and unloading the substrate (W).
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220) 및 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. The transfer chamber (240) transfers the substrate (W) between the buffer unit (220) and the process chambers (260). The transfer chamber (240) is provided with a guide rail (242) and a main robot (244). The guide rail (242) is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction (12). The main robot (244) is installed on the guide rail (242) and moves linearly along the first direction (12) on the guide rail (242). The main robot (244) has a base (244a), a body (244b), and a main arm (244c). The base (244a) is installed so as to be able to move along the guide rail (242). The body (244b) is coupled to the base (244a). The body (244b) is provided so as to be able to move along the third direction (16) on the base (244a). Additionally, the body (244b) is provided to be rotatable on the base (244a). The main arm (244c) is coupled to the body (244b), and is provided to be able to move forward and backward with respect to the body (244b).
아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 본 실시예에는 기판 처리 장치(300)이 기판에 대해 액 처리 공정을 수행하는 것을 일 예로 설명한다. 액 처리 공정은 기판을 세정 처리하는 공정을 더 포함한다.Below, a substrate processing device (300) provided in a process chamber (260) is described. In this embodiment, an example in which the substrate processing device (300) performs a liquid processing process on a substrate is described. The liquid processing process further includes a process of cleaning the substrate.
도 2은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 액 토출 유닛(400), 기류 형성 유닛(500), 액 공급 유닛(600), 그리고 제어기(900)를 더 포함한다. 챔버(310)는 내부에 기판(W)을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간(312)을 제공한다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing the substrate processing device of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the substrate processing device (300) further includes a chamber (310), a processing vessel (320), a spin head (340), an elevating unit (360), a liquid discharge unit (400), an airflow forming unit (500), a liquid supply unit (600), and a controller (900). The chamber (310) provides a processing space (312) in which a process for processing a substrate (W) is performed therein.
처리 용기(320)는 처리 공간(312)에 위치되며, 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 처리 용기(320) 배기관과 중첩되도록 위치된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출하는 배출관으로 기능한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The treatment container (320) is positioned in the treatment space (312) and is provided in a cup shape with an open top. It is positioned to overlap the exhaust pipe of the treatment container (320) when viewed from above. The treatment container (320) has an inner recovery tank (322) and an outer recovery tank (326). Each of the recovery tanks (322, 326) recovers different treatment solutions among the treatment solutions used in the process. The inner recovery tank (322) is provided in an annular ring shape that surrounds the spin head (340), and the outer recovery tank (326) is provided in an annular ring shape that surrounds the inner recovery tank (322). The inner space (322a) of the inner recovery tank (322) and the space (326a) between the outer recovery tank (326) and the inner recovery tank (322) function as inlets through which the treatment solution flows into the inner recovery tank (322) and the outer recovery tank (326), respectively. Each recovery tank (322, 326) is connected to a recovery line (322b, 326b) that extends vertically downward from its bottom surface. Each recovery line (322b, 326b) functions as a discharge pipe that discharges the treatment liquid that has flowed in through each recovery tank (322, 326). The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid regeneration system (not shown).
스핀 헤드(340)는 기판(W)을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛(340)으로 제공된다. 스핀 헤드(340)는 처리 용기(320)의 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A spin head (340) is provided as a substrate support unit (340) that supports and rotates a substrate (W). The spin head (340) is placed inside a processing vessel (320). The spin head (340) supports the substrate (W) and rotates the substrate (W) during a process. The spin head (340) has a body (342), a support pin (344), a chuck pin (346), and a support shaft (348). The body (342) has an upper surface that is provided in a generally circular shape when viewed from above. A support shaft (348) that can be rotated by a motor (349) is fixedly coupled to a lower surface of the body (342). A plurality of support pins (344) are provided. The support pins (344) are placed at an edge portion of the upper surface of the body (342) at a predetermined interval and protrude upward from the body (342). The support pins (334) are arranged to have an overall annular ring shape by combination with each other. The support pins (344) support the rear edge of the substrate (W) so that the substrate (W) is spaced apart from the upper surface of the body (342) by a certain distance. A plurality of chuck pins (346) are provided. The chuck pins (346) are arranged to be further away from the center of the body (342) than the support pins (344). The chuck pins (346) are provided to protrude upward from the body (342). The chuck pins (346) support the side of the substrate (W) so that the substrate (W) does not deviate laterally from a fixed position when the spin head (340) rotates. The chuck pins (346) are provided so as to be linearly movable between a standby position and a support position along the radial direction of the body (342). The standby position is a position further away from the center of the body (342) than the support position. When the substrate (W) is loaded or unloaded on the spin head (340), the chuck pin (346) is positioned in a standby position, and when a process is performed on the substrate (W), the chuck pin (346) is positioned in a support position. In the support position, the chuck pin (346) comes into contact with the side of the substrate (W).
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)와 스핀 헤드(340) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다.The lifting unit (360) adjusts the relative height between the processing vessel (320) and the spin head (340). The lifting unit (360) moves the processing vessel (320) up and down linearly. As the processing vessel (320) moves up and down, the relative height of the processing vessel (320) with respect to the spin head (340) changes. The lifting unit (360) has a bracket (362), a moving shaft (364), and a driver (366). The bracket (362) is fixedly installed on the outer wall of the processing vessel (320), and a moving shaft (364) that is moved up and down by the driver (366) is fixedly connected to the bracket (362). When the substrate (W) is placed on the spin head (340) or lifted from the spin head (340), the processing vessel (320) is lowered so that the spin head (340) protrudes above the processing vessel (320). In addition, when the process is in progress, the height of the treatment container (320) is adjusted so that the treatment liquid can flow into a preset recovery tank (360) depending on the type of treatment liquid supplied to the substrate (W).
상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.Unlike the above, the lifting unit (360) can move the spin head (340) up and down instead of the processing container (320).
액 토출 유닛(400)은 기판(W) 상에 다양한 종류의 액들을 공급한다. 액 토출 유닛(400)은 복수의 노즐들(410 내지 430)을 더 포함한다. 각각의 노즐들은 노즐 위치 구동기(440)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 여기서 공정 위치는 노즐들(410 내지 430)이 처리 용기(320) 내에 위치된 기판(W) 상에 액을 토출 가능한 위치이고, 대기 위치는 노즐들(410 내지 430)이 공정 위치를 벗어나 대기되는 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 노즐들(410 내지 430)이 기판(W)의 중심으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 노즐들(410 내지 430)은 직선 이동 또는 축 이동되어 공정 위치와 대기 위치 간에 이동될 수 있다. 액 토출 유닛(400)에서 기판(W)으로 토출되는 처리액은 액상의 처리액일 수 있다. 또한, 대기 위치에서는 제3노즐(430)의 하부에 회수관(450)이 배치될 수 있다. 회수관(450)은 제3노즐(430)이 청소를 위하여 약액을 토출하는 경우에 회수하게 된다.The liquid ejection unit (400) supplies various types of liquids onto the substrate (W). The liquid ejection unit (400) further includes a plurality of nozzles (410 to 430). Each of the nozzles is moved to a process position and a standby position by a nozzle position driver (440). Here, the process position is a position where the nozzles (410 to 430) can eject liquid onto the substrate (W) located within the processing container (320), and the standby position is defined as a position where the nozzles (410 to 430) are out of the process position and standby. In one example, the process position may be a position where the nozzles (410 to 430) can supply liquid to the center of the substrate (W). For example, when viewed from above, the nozzles (410 to 430) may be moved between the process position and the standby position by linearly moving or axially moving. The processing liquid ejected from the liquid ejection unit (400) to the substrate (W) may be a liquid processing liquid. Additionally, in the standby position, a recovery pipe (450) may be placed below the third nozzle (430). The recovery pipe (450) recovers the liquid when the third nozzle (430) discharges the liquid for cleaning.
복수의 노즐들(410 내지 430)은 서로 다른 종류의 액을 토출한다. 노즐들(410 내지 430)로부터 토출되는 약액은 케미칼, 린스액, 그리고 건조 유체 가운데 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도 2의 실시예를 참조하면, 제1노즐(410)은 케미칼을 토출하는 노즐일 수 있다. 제2노즐(420)은 린스액을 토출하는 노즐일 수 있다. 제3노즐(430)은 건조 유체를 토출하는 노즐일 수 있다. 예컨대, 케미칼은 기판(W) 상의 형성된 막을 식각 처리하거나, 기판(W) 상에 잔류된 파티클을 제거할 수 있는 액일 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산, 불산, 또는 암모니아를 포함할 수 있다. 린스액은 기판(W) 상에 잔류된 케미칼을 린스 처리할 수 있는 액일 수 있다. 예컨대, 린스액은 순수일 수 있다. 건조 유체는 기판(W) 상의 잔류 린스액을 치환할 수 있는 액으로 제공될 수 있다. 건조 유체는 린스액에 비해 표면 장력이 낮은 액일 수 있다. 건조 유체는 유기 용제일 수 있다. 건조 유체는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 제3노즐(430)은 후술하는 액 공급 유닛(600)과 연결될 수 있다.The plurality of nozzles (410 to 430) discharge different types of liquids. The liquids discharged from the nozzles (410 to 430) may include at least one of a chemical, a rinse liquid, and a drying liquid. Referring to the embodiment of FIG. 2, the first nozzle (410) may be a nozzle that discharges a chemical. The second nozzle (420) may be a nozzle that discharges a rinse liquid. The third nozzle (430) may be a nozzle that discharges a drying liquid. For example, the chemical may be a liquid that can etch a film formed on a substrate (W) or remove particles remaining on the substrate (W). The chemical may be a liquid having the properties of a strong acid or a strong base. The chemical may include sulfuric acid, hydrofluoric acid, or ammonia. The rinse liquid may be a liquid that can rinse a chemical remaining on the substrate (W). For example, the rinse liquid may be pure. The drying fluid may be provided as a liquid capable of replacing the remaining rinse liquid on the substrate (W). The drying fluid may be a liquid having a lower surface tension than the rinse liquid. The drying fluid may be an organic solvent. The drying fluid may be isopropyl alcohol (IPA). The third nozzle (430) may be connected to a liquid supply unit (600) described below.
기류 형성 유닛(500)은 처리 공간(312)에 하강 기류를 형성한다. 기류 형성 유닛(500)은 챔버(310)의 상부에서 기류를 공급하고, 챔버(310)의 하부에서 기류를 배기한다. 기류 형성 유닛(500)은 기류 공급 유닛(520)과 배기 유닛(540)을 더 포함한다. 기류 공급 유닛(520)과 배기 유닛(540)은 상하로 서로 마주하게 위치된다.The airflow forming unit (500) forms a descending airflow in the processing space (312). The airflow forming unit (500) supplies airflow from the upper part of the chamber (310) and exhausts the airflow from the lower part of the chamber (310). The airflow forming unit (500) further includes an airflow supply unit (520) and an exhaust unit (540). The airflow supply unit (520) and the exhaust unit (540) are positioned to face each other vertically.
기류 공급 유닛(520)은 아래 방향을 향해 가스를 공급한다. 기류 공급 유닛(520)으로부터 공급되는 가스는 불순물이 제거된 에어일 수 있다. 기류 공급 유닛(520)은 팬(522), 기류 공급 라인(524), 공급 밸브(528) 그리고 필터(526)를 더 포함한다. 팬(522)은 챔버(310)의 천장면에 설치된다. 상부에서 바라볼 때 팬(522)은 처리 용기와 마주하게 위치된다. 팬(522)은 처리 용기 내에 위치된 기판(W)을 향해 에어를 공급하도록 위치될 수 있다. 기류 공급 라인(524)은 팬(522)에 에어를 공급하도록 팬(522)에 연결된다. 공급 밸브(528)는 기류 공급 라인(524)에 설치되어 기류의 공급량을 조절한다. 필터(526)는 기류 공급 라인(524)에 설치되어 에어를 필터링한다. 예컨대, 필터(526)는 에어에 포함된 파티클 및 수분을 제거할 수 있다.The airflow supply unit (520) supplies gas in a downward direction. The gas supplied from the airflow supply unit (520) may be air from which impurities have been removed. The airflow supply unit (520) further includes a fan (522), an airflow supply line (524), a supply valve (528), and a filter (526). The fan (522) is installed on the ceiling surface of the chamber (310). When viewed from above, the fan (522) is positioned to face the processing vessel. The fan (522) may be positioned to supply air toward a substrate (W) positioned within the processing vessel. The airflow supply line (524) is connected to the fan (522) to supply air to the fan (522). The supply valve (528) is installed in the airflow supply line (524) to control the supply amount of airflow. The filter (526) is installed in the airflow supply line (524) to filter the air. For example, the filter (526) can remove particles and moisture contained in the air.
배기 유닛(540)은 처리 공간(312)을 배기한다. 배기 유닛(540)은 배기관(542), 감압 부재(546), 그리고 배기 밸브(548)를 더 포함한다. 배기관(542)은 챔버(310)의 바닥면에 설치되며, 처리 공간(312)을 배기하는 관으로 제공된다. 배기관(542)은 배기구가 위를 향하도록 위치된다. 배기관(542)은 배기구가 처리 용기의 내부와 연통되도록 위치된다. 즉 배기관(542)의 상단은 처리 용기 내에 위치된다. 이에 따라 처리 용기 내에 형성된 하강 기류는 배기관(542)을 통해 배기된다.The exhaust unit (540) exhausts the processing space (312). The exhaust unit (540) further includes an exhaust pipe (542), a pressure reducing member (546), and an exhaust valve (548). The exhaust pipe (542) is installed on the bottom surface of the chamber (310) and is provided as a pipe for exhausting the processing space (312). The exhaust pipe (542) is positioned so that the exhaust port faces upward. The exhaust pipe (542) is positioned so that the exhaust port communicates with the interior of the processing vessel. That is, the upper end of the exhaust pipe (542) is positioned within the processing vessel. Accordingly, the descending airflow formed within the processing vessel is exhausted through the exhaust pipe (542).
감압 부재(546)는 배기관(542)을 감압한다. 감압 부재(546)에 의해 배기관(542)에는 음압을 형성되고, 이는 처리 용기를 배기한다. 배기 밸브(548)는 배기관(542)에 설치되며, 배기관(542)의 배기구를 개폐한다. 배기 밸브(548)는 배기량을 조절한다.The pressure reducing member (546) reduces the pressure in the exhaust pipe (542). A negative pressure is formed in the exhaust pipe (542) by the pressure reducing member (546), which exhausts the processing vessel. The exhaust valve (548) is installed in the exhaust pipe (542) and opens and closes the exhaust port of the exhaust pipe (542). The exhaust valve (548) controls the exhaust amount.
도 3은 도 2의 액 공급 유닛(600)을 개략적으로 보여주는 도면이다.Figure 3 is a drawing schematically showing the liquid supply unit (600) of Figure 2.
액 공급 유닛(600)은 공통 라인부(700), 및 개별 라인부(800)를 포함한다. 여기서, 공통 라인부(700)는 액 공급 유닛(600)의 공통 라인부(700)는 복수 개의 기판 처리 장치(300)가 기판(W)을 처리시 공통으로 이용하는 라인에 해당하고, 개별 라인부(800)는 복수 개로 구성되어 공통 라인부(700)와 복수 개의 기판 처리 장치(300) 각각을 연결하는 라인에 해당한다.The liquid supply unit (600) includes a common line section (700) and an individual line section (800). Here, the common line section (700) of the liquid supply unit (600) corresponds to a line commonly used by a plurality of substrate processing devices (300) when processing a substrate (W), and the individual line sections (800) are configured in multiple pieces and correspond to lines connecting the common line section (700) and each of the plurality of substrate processing devices (300).
먼저, 도 3을 더 참조하여 액 공급 유닛(600)의 공통 라인부(700)를 설명하면, 액 공급 유닛(600)의 공통 라인부(700)는 제1탱크유닛(610), 제2탱크유닛(620), 제1가열유닛(640), 제2가열유닛(660)을 더 포함한다. 액 공급 유닛(600)은 액 토출 유닛(400)에 연결된다. 보다 상세히, 액 공급 유닛(600)은 개별 라인부(800)에 연결되어 각각의 액 토출 유닛(400)에 형성된 제3노즐(430)에 건조 유체를 공급한다.First, referring to FIG. 3, the common line section (700) of the liquid supply unit (600) will be described. The common line section (700) of the liquid supply unit (600) further includes a first tank unit (610), a second tank unit (620), a first heating unit (640), and a second heating unit (660). The liquid supply unit (600) is connected to the liquid discharge unit (400). In more detail, the liquid supply unit (600) is connected to an individual line section (800) to supply a drying fluid to a third nozzle (430) formed in each liquid discharge unit (400).
제1탱크유닛(610)은 제1탱크(612)를 더 포함한다. 제1탱크(612)는 내부에 수용공간(612a)이 형성되는 통 형상으로 형성된다. 제1탱크(612)의 내부에는 건조 유체가 수용된다. 제1탱크(612)의 수용공간(612a)에는 이소프로필알코올이 수용된다. 제1탱크(612)에는 후술하는 순환라인(641)이 연결된다. 제1탱크(612)에는 후술하는 공급라인(661)이 연결될 수 있다.The first tank unit (610) further includes a first tank (612). The first tank (612) is formed in a cylindrical shape with a receiving space (612a) formed therein. A drying fluid is received inside the first tank (612). Isopropyl alcohol is received in the receiving space (612a) of the first tank (612). A circulation line (641) described later is connected to the first tank (612). A supply line (661) described later may be connected to the first tank (612).
제1탱크유닛(610)은 히터(614)를 더 포함한다. 히터(614)는 제1탱크(612)의 수용공간(612a)에 설치된다. 히터(614)는 제1탱크(612)에 수용된 유기 용매에 잠기도록 설치될 수 있다. 제3히터(614)는 제1탱크(612)에 수용된 유기 용매의 온도를 조절할 수 있다. 일 예로, 히터(614)는 제1탱크(612)에 수용된 유기 용매의 온도를 유기 용매의 비등점 이상의 온도까지 가열하거나, 비등점 보다 낮은 온도로 가열할 수 있다. 히터(614)는 후술하는 제1히터(642) 또는 제2히터(662)와 동일한 온도를 갖도록 설정될 수 있다.The first tank unit (610) further includes a heater (614). The heater (614) is installed in the receiving space (612a) of the first tank (612). The heater (614) may be installed so as to be immersed in the organic solvent contained in the first tank (612). The third heater (614) may control the temperature of the organic solvent contained in the first tank (612). For example, the heater (614) may heat the temperature of the organic solvent contained in the first tank (612) to a temperature higher than the boiling point of the organic solvent, or to a temperature lower than the boiling point. The heater (614) may be set to have the same temperature as the first heater (642) or the second heater (662) described below.
제1탱크유닛(610)은 진공펌프(616)를 더 포함한다. 진공펌프(616)은 제1탱크(612)에 설치된다. 진공펌프(616)는 제1탱크(612)와 연결되는 진공라인(615) 상에 설치될 수 있다. 일 예로, 진공라인(615)는 제1탱크(612)의 상벽에 연결될 수 있다. 진공펌프(616)는 제1탱크(612)와 연결되는 진공라인(615)을 통해 수용공간(612a)에 진공압을 제공한다. 진공펌프(616)는 제1탱크(612)와 연결되는 진공라인(615)을 통해 수용공간(612a)에 음압을 제공한다. 진공펌프(616)는 제1탱크(612)의 수용공간(612a)를 음압 분위기로 유지시킬 수 있다. 이를 통해, 수용공간(612a)에 잔존하는 용존 기체가 제1가열유닛(640)을 통해 기포가 탈기된 유기용매에 침투되는 것을 방지할 수 있다.The first tank unit (610) further includes a vacuum pump (616). The vacuum pump (616) is installed in the first tank (612). The vacuum pump (616) may be installed on a vacuum line (615) connected to the first tank (612). For example, the vacuum line (615) may be connected to an upper wall of the first tank (612). The vacuum pump (616) provides vacuum pressure to the receiving space (612a) through the vacuum line (615) connected to the first tank (612). The vacuum pump (616) provides negative pressure to the receiving space (612a) through the vacuum line (615) connected to the first tank (612). The vacuum pump (616) may maintain the receiving space (612a) of the first tank (612) in a negative pressure atmosphere. Through this, it is possible to prevent the dissolved gas remaining in the receiving space (612a) from penetrating into the organic solvent from which bubbles have been removed through the first heating unit (640).
제1탱크유닛(610)은 배출유닛(617)을 더 포함한다. 배출유닛(617)은 제1탱크(612) 내 수용된 건조 유체를 외부로 배출한다. 일 예로, 배출유닛(617)은 제1탱크(612) 내 수용된 건조 유체가 오염되거나, 건조 유체의 교체시기에 건조 유체를 외부로 배출할 수 있다. 배출유닛(617)은 배출라인(617a)과, 배출라인(617a) 상에 설치되는 개폐밸브(617b)을 더 포함한다. 배출라인(617a)은 제1탱크(612)의 하벽에 연결될 수 있다. 배출라인(617a)은 외부로 배출되는 처리액의 이동 통로이다. 개폐밸브(617b)는 배출라인(617a) 상에 설치되어 제1탱크(612)에 수용된 건조 유체의 배출량을 조절한다. 일 예로, 제1탱크(612)에 수용된 건조 유체의 배출이 필요하지 않은 경우에 개폐밸브(617b)는 닫힌 상태로 유지되고, 제1탱크(612)에 수용된 건조 유체가 배출될 경우에 개폐밸브(617b)는 열린 상태로 유지될 수 있다.The first tank unit (610) further includes a discharge unit (617). The discharge unit (617) discharges the drying fluid contained in the first tank (612) to the outside. For example, the discharge unit (617) may discharge the drying fluid contained in the first tank (612) to the outside when the drying fluid is contaminated or when the drying fluid is replaced. The discharge unit (617) further includes a discharge line (617a) and an on-off valve (617b) installed on the discharge line (617a). The discharge line (617a) may be connected to the lower wall of the first tank (612). The discharge line (617a) is a passage for the treatment liquid to be discharged to the outside. The on-off valve (617b) is installed on the discharge line (617a) and controls the discharge amount of the drying fluid contained in the first tank (612). For example, when discharge of the drying fluid contained in the first tank (612) is not required, the on-off valve (617b) may be kept in a closed state, and when the drying fluid contained in the first tank (612) is discharged, the on-off valve (617b) may be kept in an open state.
제2탱크유닛(620)은 제1탱크유닛(610)과 동일한 구조를 가질수 있다. 제2탱크유닛(620)과 제1탱크유닛(610)에는 동일한 처리액이 수용될 수 있다. 구체적으로, 제2탱크유닛(620)은 수용공간(622a)를 갖는 제1탱크(622), 수용공간(622a) 내 설치되는 히터(624), 진공라인(625) 상에 설치되는 진공펌프(626), 배출라인(627a)과 개폐밸프(627b)를 포함하는 배출유닛(627)을 더 포함한다. 이하에서는 제2탱크유닛(620)은 제1탱크유닛(610)과 동일한 구조 및 기능을 가지므로, 제2탱크유닛(620)의 각 구성에 대하여 자세한 설명은 생략하며, 필요시 제1탱그유닛(610)의 설명을 참조할 수 있다.The second tank unit (620) may have the same structure as the first tank unit (610). The second tank unit (620) and the first tank unit (610) may accommodate the same treatment liquid. Specifically, the second tank unit (620) further includes a first tank (622) having a receiving space (622a), a heater (624) installed in the receiving space (622a), a vacuum pump (626) installed on a vacuum line (625), and a discharge unit (627) including a discharge line (627a) and an on-off valve (627b). Hereinafter, since the second tank unit (620) has the same structure and function as the first tank unit (610), a detailed description of each component of the second tank unit (620) will be omitted, and if necessary, reference may be made to the description of the first tank unit (610).
제1가열유닛(640)은 순환라인(641)을 더 포함한다. 순환라인(641)은 제1탱크(612)에 연결되어 제1탱크(612) 내 수용된 건조 유체를 순환시킨다. 순환라인(641)은 제2탱크(622)에 연결되어 제2탱크(622) 내 수용된 건조 유체를 순환시킨다. 순환라인(641)은 제1탱크(612)의 상벽에 연결되는 제1순환라인(641a)과, 제1탱크(612)의 하벽에 연결되는 제2순환라인(641b)과, 제1순환라인(641c)과 제2순환라인(641b)을 연결하는 제3순환라인(641c)을 더 포함한다. 또한, 순환라인(641)은 제2탱크(622)의 상벽에 연결되는 제4순환라인(641d)과, 제2탱크(622)의 하벽에 연결되는 제5순환라인(641e)을 더 포함한다. 이때, 제3순환라인(641c)은 제4순환라인(641d)과 제5순환라인(641e)을 연결한다. 제1순환라인(641a), 제3순환라인(641c) 및 제4순환라인(641d)은 제1지점(P1)에서 합류되고, 제2순환라인(641b), 제3순환라인(641c) 및 제5순환라인(641e)은 제2지점(P2)에서 합류된다. 즉, 제3순환라인(641c)은 제1지점(P1)과 제2지점(P2) 사이를 연결하는 라인일 수 있다.The first heating unit (640) further includes a circulation line (641). The circulation line (641) is connected to the first tank (612) and circulates the drying fluid contained in the first tank (612). The circulation line (641) is connected to the second tank (622) and circulates the drying fluid contained in the second tank (622). The circulation line (641) further includes a first circulation line (641a) connected to the upper wall of the first tank (612), a second circulation line (641b) connected to the lower wall of the first tank (612), and a third circulation line (641c) connecting the first circulation line (641c) and the second circulation line (641b). In addition, the circulation line (641) further includes a fourth circulation line (641d) connected to the upper wall of the second tank (622) and a fifth circulation line (641e) connected to the lower wall of the second tank (622). At this time, the third circulation line (641c) connects the fourth circulation line (641d) and the fifth circulation line (641e). The first circulation line (641a), the third circulation line (641c), and the fourth circulation line (641d) are joined at the first point (P1), and the second circulation line (641b), the third circulation line (641c), and the fifth circulation line (641e) are joined at the second point (P2). That is, the third circulation line (641c) may be a line connecting the first point (P1) and the second point (P2).
제1순환라인(641a), 제2순환라인(641b), 제4순환라인(641d) 및 제5순환라인(641e) 각각에는 개폐밸브(644)가 설치된다. 각각의 개폐밸브(644)는 선택적으로 온 또는 오프되어 후술하는 건조 유체의 순환경로를 형성할 수 있다. 제1순환라인(641a), 제2순환라인(641b) 및 제3순환라인(641c)은 제1탱크(621)의 수용공간(621a)에 수용된 건조 유체가 순환되는 제1순환경로를 형성한다. 제3순환라인(641c), 제4순환라인(641d) 및 제5순환라인(641e)은 제2탱크(622)의 수용공간(621a)에 수용된 건조 유체가 순환되는 제2순환경로를 형성한다. 제1탱크(621)에 수용된 건조 유체가 제1순환경로를 통해 순환될 때에는, 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체는 제2순환경로를 통해 순환되지 않는다. 이 경우, 제1 및 제2순환라인(641a, 641b) 상에 설치된 개폐밸브(644)는 열리도록 제어되고, 제4 및 제5순환라인(641d, 641e) 상에 설치된 개폐밸브(644)는 닫히도록 제어될 수 있다. 반대로, 제1탱크(612)에 수용된 건조 유체가 제1순환경로를 통해 순환되지 않고 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체는 제2순환경로를 통해 순환될 때에는, 제4 및 제5순환라인(641d, 641e) 상에 설치된 개폐밸브(644)는 열리도록 제어되고, 제1 및 제2순환라인(641a, 641b) 상에 설치된 개폐밸브(644)는 닫히도록 제어될 수 있다.An on-off valve (644) is installed in each of the first circulation line (641a), the second circulation line (641b), the fourth circulation line (641d), and the fifth circulation line (641e). Each of the on-off valves (644) can be selectively turned on or off to form a circulation path of the drying fluid described later. The first circulation line (641a), the second circulation line (641b), and the third circulation line (641c) form a first circulation path through which the drying fluid contained in the receiving space (621a) of the first tank (621) is circulated. The third circulation line (641c), the fourth circulation line (641d), and the fifth circulation line (641e) form a second circulation path through which the drying fluid contained in the receiving space (621a) of the second tank (622) is circulated. When the drying fluid contained in the first tank (621) is circulated through the first circulation path, the drying fluid contained in the second tank (622) is not circulated through the second circulation path. In this case, the opening/closing valves (644) installed on the first and second circulation lines (641a, 641b) can be controlled to open, and the opening/closing valves (644) installed on the fourth and fifth circulation lines (641d, 641e) can be controlled to close. Conversely, when the drying fluid contained in the first tank (612) is not circulated through the first circulation path and the drying fluid contained in the second tank (622) is circulated through the second circulation path, the opening/closing valves (644) installed on the fourth and fifth circulation lines (641d, 641e) can be controlled to open, and the opening/closing valves (644) installed on the first and second circulation lines (641a, 641b) can be controlled to close.
제1가열유닛(640)은 제1히터(642)를 더 포함한다. 제1히터(642)는 제3순환라인(641c) 상에 설치된다. 제1히터(642)는 순환라인(641) 내부를 흐르는 건조 유체를 가열시킨다. 제1히터(642)는 순환라인(641) 내부를 흐르는 건조 유체를 건조 유체의 비등점 이상의 온도로 가열시킬 수 있다. 일 예로, 건조 유체가 이소프로필알코올일(IPA) 경우, 제1히터(642)는 이소프로필알코올(IPA)를 이소프로필알코올(IPA)의 비등점인 83℃ 이상의 온도로 가열시킬 수 있다. 이때, 이소프로필알코올(IPA)는 비등점 이상으로 가열됨에 따라 끓게되고, 이 과정에서 이소프로필알코올(IPA) 내에 용해되어 있던 용존 기체들이 기포로 탈기되어 배출될 수 있다. 이 경우, 순환라인(641)을 통한 순환을 통해 비등점 이상으로 가열된 이소프로필알코올(IPA)의 용존 기체량은 매우 적은 상태로 유지되며, 이후 공급라인(661)을 통해 공급되는 과정에서 관경의 변화, 수두차, 저항체 통과, 또는 관내 표면 조도 등에 따른 국부적 압력 변화로부터 발생되는 기포를 최소화할 수 있다. 이를 통해, 이소프로필알코올(IPA)이 기판(W) 상으로 토출될 때, 기포가 이소프로필알코올(IPA)과 함께 기판(W)으로 떨어질 가능성을 현저히 낮출수 있으며, 이는 곧 기판(W) 상의 파티클(Particles)의 감소 효과를 가져올 수 있다.The first heating unit (640) further includes a first heater (642). The first heater (642) is installed on the third circulation line (641c). The first heater (642) heats the drying fluid flowing inside the circulation line (641). The first heater (642) can heat the drying fluid flowing inside the circulation line (641) to a temperature higher than the boiling point of the drying fluid. For example, when the drying fluid is isopropyl alcohol (IPA), the first heater (642) can heat the isopropyl alcohol (IPA) to a temperature higher than 83° C., which is the boiling point of the isopropyl alcohol (IPA). At this time, the isopropyl alcohol (IPA) boils as it is heated above the boiling point, and in this process, dissolved gases dissolved in the isopropyl alcohol (IPA) can be degassed as bubbles and discharged. In this case, the amount of dissolved gas in the isopropyl alcohol (IPA) heated above the boiling point through circulation through the circulation line (641) is maintained at a very small level, and bubbles generated from local pressure changes due to changes in pipe diameter, head difference, passage through a resistor, or surface roughness within the pipe during the subsequent supply process through the supply line (661) can be minimized. Through this, when the isopropyl alcohol (IPA) is discharged onto the substrate (W), the possibility that bubbles will fall onto the substrate (W) together with the isopropyl alcohol (IPA) can be significantly reduced, which can immediately bring about the effect of reducing particles on the substrate (W).
한편, 제1히터(642)는 순환라인(641)의 내부를 흐르는 건조 유체를 일정 시간동안 비등점 이상의 온도로 가열할 수 있다. 이때, 일정 시간은 비등점 가열을 통한 인위적 끓음으로 인해 용액의 양이 현저히 줄어들지 않을 정도의 소정 시간일 수 있다. 또한, 일정 시간은 순환라인(641)의 내부를 흐르는 용액의 종류마다 상이할 수 있다.Meanwhile, the first heater (642) can heat the dry fluid flowing inside the circulation line (641) to a temperature above the boiling point for a certain period of time. At this time, the certain period of time may be a certain period of time in which the amount of the solution is not significantly reduced due to artificial boiling through boiling point heating. In addition, the certain period of time may vary depending on the type of solution flowing inside the circulation line (641).
제1가열유닛(640)은 펌프(643)를 더 포함한다. 펌프(643)는 제1탱크(612) 또는 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체가 순환라인(641) 내부를 이동할 수 있도록 동력을 제공한다. 일 예로, 펌프(643)은 감압펌프일 수 있다. 펌프(643)는 제3순환라인(641c) 상에 제공될 수 있다. 이 경우, 제1탱크(612) 내에 수용된 건조 유체가 제1순환경로를 따라 순환될 때 또는 제2탱크(622) 내에 수용된 건조 유체가 제2순환경로를 따라 순환될 때 모두 하나의 펌프(643)를 통해 순환이 가능하여 구조의 단순화가 가능한 효과가 있다.The first heating unit (640) further includes a pump (643). The pump (643) provides power so that the drying fluid contained in the first tank (612) or the second tank (622) can move inside the circulation line (641). For example, the pump (643) may be a pressure reducing pump. The pump (643) may be provided on the third circulation line (641c). In this case, when the drying fluid contained in the first tank (612) is circulated along the first circulation path or when the drying fluid contained in the second tank (622) is circulated along the second circulation path, both can be circulated through one pump (643), which has the effect of simplifying the structure.
제2가열유닛(660)은 공급라인(661)을 더 포함한다. 공급라인(661)은 제1탱크(612)에 연결되어 제1탱크(612) 내 수용된 건조 유체를 기판(W) 상으로 공급한다. 공급라인(661)은 제2탱크(622)에 연결되어 제2탱크(622) 내 수용된 건조 유체를 기판(W) 상으로 공급한다. 공급라인(661)은 제1탱크(612)의 상벽에 연결되는 제1공급라인(661a)과, 제1탱크(612)의 하벽에 연결되는 제2공급라인(661b)과, 제2탱크(622)의 상벽에 연결되는 제3공급라인(661c)과, 제2탱크(662)의 하벽에 연결되는 제4공급라인(661d)을 더 포함한다. 이때, 제1공급라인(661a)와 제3공급라인(661c)는 제3지점(P3)에서 합류하고, 제2공급라인(661b)와 제4공급라인(661d)는 제4지점(P4)에서 합류한다. 또한, 공급라인(661)은 제3지점(P3)에서 제1 및 제3공급라인(661a, 661c)과 연결되는 제5공급라인(661e)과, 제4지점(P4)에서 제2 및 제4공급라인(661b, 661d)과 연결되는 제6공급라인(661f)를 더 포함한다. 제5공급라인(661e)과 제6공급라인(661f)은 일 지점에서 합류되어 노즐(430)과 연결된다.The second heating unit (660) further includes a supply line (661). The supply line (661) is connected to the first tank (612) and supplies the drying fluid contained in the first tank (612) onto the substrate (W). The supply line (661) is connected to the second tank (622) and supplies the drying fluid contained in the second tank (622) onto the substrate (W). The supply line (661) further includes a first supply line (661a) connected to the upper wall of the first tank (612), a second supply line (661b) connected to the lower wall of the first tank (612), a third supply line (661c) connected to the upper wall of the second tank (622), and a fourth supply line (661d) connected to the lower wall of the second tank (662). At this time, the first supply line (661a) and the third supply line (661c) join at the third point (P3), and the second supply line (661b) and the fourth supply line (661d) join at the fourth point (P4). In addition, the supply line (661) further includes a fifth supply line (661e) connected to the first and third supply lines (661a, 661c) at the third point (P3), and a sixth supply line (661f) connected to the second and fourth supply lines (661b, 661d) at the fourth point (P4). The fifth supply line (661e) and the sixth supply line (661f) join at one point and are connected to the nozzle (430).
제1공급라인(661a), 제2공급라인(661b) 제3공급라인(661c) 및 제4공급라인(661d) 각각에는 개폐밸브(669)가 설치된다. 각각의 개폐밸브(669)는 선택적으로 온 또는 오프되어 후술하는 건조 유체의 공급경로를 형성할 수 있다. 제1공급라인(661a), 제2공급라인(661b), 제5공급라인(661e) 및 제6공급라인(661f)는 제1탱크(612)에 수용된 건조 유체가 노즐(430)을 통해 기판(W) 상으로 공급되는 제1공급경로를 형성한다. 제3공급라인(661c), 제4공급라인(661d), 제5공급라인(661e) 및 제6공급라인(661f)는 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체가 노즐(430)을 통해 기판(W) 상으로 공급되는 제2공급경로를 형성한다. 제1탱크(621)에 수용된 건조 유체가 제1공급경로를 통해 공급될 때에는, 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체는 제2공급경*를 통해 공급되지 않는다. 이 경우, 제1 및 제2공급라인(661a, 661b) 상에 설치된 개폐밸브(669)는 열리도록 제어되고, 제3 및 제4공급라인(661d, 662e) 상에 설치된 개폐밸브(669)는 닫히도록 제어될 수 있다. 반대로, 제1탱크(612)에 수용된 건조 유체가 제1공급경로를 통해 공급되지 않고 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체는 제2공급경로를 통해 공급될 때에는, 제3 및 제4공급라인(661c, 661d) 상에 설치된 개폐밸브(649)는 열리도록 제어되고, 제1 및 제2공급라인(661a, 661b) 상에 설치된 개폐밸브(669)는 닫히도록 제어될 수 있다.An on-off valve (669) is installed in each of the first supply line (661a), the second supply line (661b), the third supply line (661c), and the fourth supply line (661d). Each of the on-off valves (669) can be selectively turned on or off to form a supply path of the drying fluid described later. The first supply line (661a), the second supply line (661b), the fifth supply line (661e), and the sixth supply line (661f) form a first supply path through which the drying fluid contained in the first tank (612) is supplied onto the substrate (W) through the nozzle (430). The third supply line (661c), the fourth supply line (661d), the fifth supply line (661e), and the sixth supply line (661f) form a second supply path through which the drying fluid contained in the second tank (622) is supplied onto the substrate (W) through the nozzle (430). When the drying fluid contained in the first tank (621) is supplied through the first supply path, the drying fluid contained in the second tank (622) is not supplied through the second supply path*. In this case, the opening/closing valves (669) installed on the first and second supply lines (661a, 661b) can be controlled to open, and the opening/closing valves (669) installed on the third and fourth supply lines (661d, 662e) can be controlled to close. Conversely, when the drying fluid contained in the first tank (612) is not supplied through the first supply path and the drying fluid contained in the second tank (622) is supplied through the second supply path, the opening/closing valve (649) installed on the third and fourth supply lines (661c, 661d) can be controlled to open, and the opening/closing valve (669) installed on the first and second supply lines (661a, 661b) can be controlled to close.
또한, 제1탱크(612) 내에 수용된 건조 유체가 제1순환경로를 통해 순환될 때에는, 제1공급경로 상에 설치된 개폐밸브(669)는 닫히도록 제어되고, 제2공급경로 상에 설치된 개폐밸브(669)가 열리도록 제어된다. 반대로, 제2탱그(622) 내에 수용된 건조 유체가 제2순환경로를 통해 순환될 때에는, 제1공급경로 상에 설치된 개폐밸브(669)는 열리도록 제어되고, 제2공급경로 상에 설치된 개폐밸브(669)는 닫히도록 제어된다. 즉, 제1순환경로와 제2공급경로가 함께 작동되고, 제2순환경로와 제1공급경로 함께 작동된다. 이를 통해, 제1탱크(612) 내의 건조 유체가 제1순환경로를 순환하면서 용해된 용존기체를 기포로 탈기하는 동안, 제2탱크(622) 내의 건조 유체는 기판(W)상으로 공급된다. 이때, 제2탱크(622) 내의 건조 유체는 이미 순환을 통해 비등점 이상으로 가열되어 기포가 탈기된 상태일 수 있다. 제2탱크(622) 내의 건조 유체가 모두 소진되면, 제1탱크(612) 내에 수용된 기포가 탈기된 건조 유체가 기판(W) 상으로 공급되고, 제2탱크(622)는 건조 유체가 채워진 후 제2순환경로를 따라 순환하면서 용존기체를 기포로 탈기하는 과정을 수행할 수 있다.In addition, when the drying fluid contained in the first tank (612) is circulated through the first circulation path, the opening/closing valve (669) installed on the first supply path is controlled to close, and the opening/closing valve (669) installed on the second supply path is controlled to open. Conversely, when the drying fluid contained in the second tank (622) is circulated through the second circulation path, the opening/closing valve (669) installed on the first supply path is controlled to open, and the opening/closing valve (669) installed on the second supply path is controlled to close. That is, the first circulation path and the second supply path operate together, and the second circulation path and the first supply path operate together. Through this, while the drying fluid in the first tank (612) is circulated through the first circulation path and the dissolved gas is degassed into bubbles, the drying fluid in the second tank (622) is supplied onto the substrate (W). At this time, the drying fluid in the second tank (622) may already be heated above the boiling point through circulation and may be in a state where the bubbles are degassed. When the drying fluid in the second tank (622) is completely exhausted, the drying fluid from which the bubbles are degassed contained in the first tank (612) is supplied onto the substrate (W), and the second tank (622) may perform a process of degassing the dissolved gas into bubbles while circulating along the second circulation path after being filled with the drying fluid.
제2가열유닛(660)은 제2히터(662)를 더 포함한다. 제2히터(622)는 공급라인(661) 내부를 흐르는 건조 유체를 가열시킨다. 제2히터(622)는 공급라인(661) 내부를 흐르는 건조 유체를 건조 유체의 비등점보다 낮은 온도로 가열시킨다. 일 예로, 건조 유체가 이소프로필알코올일(IPA) 경우, 제2히터(662)는 이소프로필알코올(IPA)를 이소프로필알코올(IPA)의 비등점인 83℃ 보다 낮은 온도로 가열시킬 수 있다. 바람직하게는, 65℃ 내지 75 ℃로 가열시켜 기판(W)상으로 공급되게 할 수 있다. 이 경우, 제1가열유닛(640)을 통해 비등점 이상으로 가열되어 용존 기체가 기포로 탈기된 건조 유체는 제2가열유닛(660)에 의해 비등점보다 낮은 온도를 유지한 상태로 공급라인(661)을 따라 노즐(430) 통해 기판(W) 상으로 공급될 수 있다. 이를 통해, 용존 기체가 이미 탈기된 건조 유체는 공급라인(661)을 통한 흐름에 있어서 관경의 변화, 수두채, 저항체 통과 또는 관내 표면 조도 등에 따른 국부적 압력 변화에도 버블, 기포의 생성이 억제되며, 기판(W) 상의 파티클 저감 효과를 볼 수 있다.The second heating unit (660) further includes a second heater (662). The second heater (622) heats the drying fluid flowing inside the supply line (661). The second heater (622) heats the drying fluid flowing inside the supply line (661) to a temperature lower than the boiling point of the drying fluid. For example, when the drying fluid is isopropyl alcohol (IPA), the second heater (662) can heat the isopropyl alcohol (IPA) to a temperature lower than the boiling point of 83° C. of isopropyl alcohol (IPA). Preferably, the isopropyl alcohol (IPA) can be heated to 65° C. to 75° C. and supplied onto the substrate (W). In this case, the dry fluid heated to above the boiling point through the first heating unit (640) and from which the dissolved gas is degassed into bubbles can be supplied onto the substrate (W) through the nozzle (430) along the supply line (661) while maintaining a temperature lower than the boiling point by the second heating unit (660). Through this, the dry fluid from which the dissolved gas has already been degassed is prevented from forming bubbles or air bubbles even when there is a local pressure change due to a change in the pipe diameter, a head of water, passage through a resistor, or surface roughness within the pipe, in the flow through the supply line (661), and the effect of reducing particles on the substrate (W) can be observed.
제2히터(662)는 제6공급라인(661f) 상에 설치된다. 도 3을 참고하면, 제2히터(662)는 제5공급라인(661e)와 제6공급라인(661f)의 합류점을 기준으로 상류에 설치될 수 있다. 이때, 상류는 제1탱크(612) 또는 제2탱크(622)로부터 처리액이 공급의 시작되는 토출구과 인접합 위치를 의미하고, 하류는 그 반대의 위치를 의미한다. 즉, 상류에서 하류를 향하는 방향이란, 처리액이 탱크(612, 622)로부터 토출퇴어 노즐(430)로 공급되는 방향을 의미하며, 탱크(612, 622)의 토출구로부터 멀어지는 방향을 의미한다. 제1탱크(612)의 토출구는 제2공급라인(661b)가 연결되는 제1탱크(612)의 하벽에 형성되고, 제2탱크(622)의 토출구는 제4공급라인(661d)가 연결되는 제2탱크(622)의 하벽에 형성된다. 또한, 상류란, 제2공급라인(661b)와 제4공급라인(661d)의 합류점인 제4지점(P4)과 인접한 위치를 의미할 수 있다.The second heater (662) is installed on the sixth supply line (661f). Referring to FIG. 3, the second heater (662) can be installed upstream from the confluence of the fifth supply line (661e) and the sixth supply line (661f). At this time, upstream means a position adjacent to the discharge port where the treatment liquid is supplied from the first tank (612) or the second tank (622), and downstream means the opposite position. In other words, the direction from upstream to downstream means the direction in which the treatment liquid is supplied from the tank (612, 622) to the discharge nozzle (430), and means the direction away from the discharge port of the tank (612, 622). The discharge port of the first tank (612) is formed in the lower wall of the first tank (612) to which the second supply line (661b) is connected, and the discharge port of the second tank (622) is formed in the lower wall of the second tank (622) to which the fourth supply line (661d) is connected. In addition, the upstream may mean a position adjacent to the fourth point (P4), which is the confluence point of the second supply line (661b) and the fourth supply line (661d).
제2가열유닛(660)은 펌프(663)을 더 포함한다. 제1탱크(612) 또는 제2탱크(622)에 수용된 건조 유체가 공급라인(661) 내부를 이동할 수 있도록 동력을 제공한다. 일 예로, 펌프(663)은 감압펌프일 수 있다. 펌프(663)은 제6공급라인(661f) 상에 설치될 수 있다. 이 경우, 제1탱크(612) 내에 수용된 건조 유체가 제1공급경로를 따라 공급될 때 또는 제2탱크(622) 내에 수용된 건조 유체가 제2공급경*를 따라 순환될 때 모두 하나의 펌프(663)를 통해 순환이 가능하여 구조의 단순화가 가능한 효과가 있다.The second heating unit (660) further includes a pump (663). It provides power so that the drying fluid contained in the first tank (612) or the second tank (622) can move inside the supply line (661). For example, the pump (663) may be a pressure reducing pump. The pump (663) may be installed on the sixth supply line (661f). In this case, when the drying fluid contained in the first tank (612) is supplied along the first supply path or when the drying fluid contained in the second tank (622) is circulated along the second supply path*, both can be circulated through one pump (663), which has the effect of simplifying the structure.
제2가열유닛(660)은 제1압력센서(664)를 더 포함한다. 제1압력센서(664)는 제6공급라인(661f) 상에 제공된다. 제1압력센서(664)는 제5공급라인(661e)와 제6공급라인(661f)의 합류점을 기준으로 상류에 설치된다. 제1압력센서(664)는 노즐(430)에 공급되기 전 건조 유체의 유동 압력을 센싱할 수 있다. 제1압력센서(664)는 제6공급라인(661f)의 내부를 지나는 건조 유체의 유량 변화를 감지할 수 있다. 또는, 제1압력센서(664)는 제6공급라인(661f)을 유동하는 건조 유체의 압력 변화를 감지할 수 있다.The second heating unit (660) further includes a first pressure sensor (664). The first pressure sensor (664) is provided on the sixth supply line (661f). The first pressure sensor (664) is installed upstream from the confluence of the fifth supply line (661e) and the sixth supply line (661f). The first pressure sensor (664) can sense the flow pressure of the drying fluid before being supplied to the nozzle (430). The first pressure sensor (664) can detect a change in the flow rate of the drying fluid passing through the interior of the sixth supply line (661f). Alternatively, the first pressure sensor (664) can detect a change in the pressure of the drying fluid flowing through the sixth supply line (661f).
제2가열유닛(660)은 필터(665)을 더 포함한다. 필터(665)는 제6공급라인(661f) 상에 제공된다. 필터(665)는 제5공급라인(661e)와 제6공급라인(661f)의 합류점을 기준으로 상류에 설치된다. 필터(665)는 건조 유체가 노즐(430)로 공급되기 전에 건조 유체 내에 잔류하는 잔여 오염물, 파티클 등을 여과한다.The second heating unit (660) further includes a filter (665). The filter (665) is provided on the sixth supply line (661f). The filter (665) is installed upstream from the confluence of the fifth supply line (661e) and the sixth supply line (661f). The filter (665) filters out residual contaminants, particles, etc. remaining in the drying fluid before the drying fluid is supplied to the nozzle (430).
제2가열유닛(660)은 유량계(666)를 더 포함한다. 유량계(666)는 제6공급라인(661f) 상에 제공된다. 유량계(666)는 제5공급라인(661e)와 제6공급라인(661f)의 합류점을 기준으로 상류에 설치된다. 유량계(666)는 공급라인(661)을 흐르는 건조 유체의 유량을 측정한다. 일 예로, 유량계(666)는 제6공급라인(661f)를 흐르는 건조 유체의 시간당 단위면적의 변화 또는 질량의 변화를 측정하여 유량을 측정할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 공급라인(661)을 흐르는 유량을 측정하기 위한 다양한 방식이 적용될 수 있다.The second heating unit (660) further includes a flow meter (666). The flow meter (666) is provided on the sixth supply line (661f). The flow meter (666) is installed upstream from the confluence of the fifth supply line (661e) and the sixth supply line (661f). The flow meter (666) measures the flow rate of the drying fluid flowing through the supply line (661). For example, the flow meter (666) may measure the flow rate by measuring the change in unit area per hour or the change in mass of the drying fluid flowing through the sixth supply line (661f). However, the present invention is not limited thereto, and various methods for measuring the flow rate flowing through the supply line (661) may be applied.
상술한 제6공급라인(661f) 상에 설치되는 펌프(663), 제2히터(662), 제1압력센서(664), 필터(665) 및 유량계(666)는 상류에서 하류는 향하는 방향으로 순차로 설치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 이 중 일부 구성은 생략된 채로 실시 가능하다. 또한, 필터(665)와 유량계(666) 사이에는 유체 내 잔존하는 기포를 제거하는 버블 커터(도면 미도시)가 추가로 설치될 수 있다.The pump (663), the second heater (662), the first pressure sensor (664), the filter (665), and the flow meter (666) installed on the sixth supply line (661f) described above may be installed sequentially in a direction from upstream to downstream. However, this is not limited thereto, and some of these configurations may be omitted and implemented. In addition, a bubble cutter (not shown in the drawing) for removing air bubbles remaining in the fluid may be additionally installed between the filter (665) and the flow meter (666).
제2가열유닛(660)은 제2압력센서(667)를 더 포함한다. 제2압력센서(667)는 제5공급라인(661e) 상에 설치된다. 제2압력센서(667)은 제5 및 제6공급라인(661e, 661f)의 합류점 보다 하류에 설치된다. 제2압력센서(667)은 제6공급라인(661f)을 따라 노즐(430)로 공급되고 남은 건조 유체가 제5공급라인(661e)의 내부를 유동할 때의 압력을 측정한다.The second heating unit (660) further includes a second pressure sensor (667). The second pressure sensor (667) is installed on the fifth supply line (661e). The second pressure sensor (667) is installed downstream from the confluence of the fifth and sixth supply lines (661e, 661f). The second pressure sensor (667) measures the pressure when the remaining drying fluid is supplied to the nozzle (430) along the sixth supply line (661f) and flows inside the fifth supply line (661e).
제2가열유닛(660)은 정압 레귤레이터(668)을 더 포함한다. 정압 레귤레이터(668)는 제5공급라인(661e) 상에 설치된다. 정압 레귤레이터(668)은 제5 및 제6공급라인(661e, 661f)의 합류점 보다 하류에 설치된다. 정압 레귤레이터(668)는 제5공급라인(661e) 상에서 제2압력센서(667)보다 하류에 설치된다. 정압 레귤레이터(668)은 제2압력센서(667)에 의해 측정된 압력값과 제1압력센서(664)에 의해 측정된 압력값을 토대로 전체 공급라인(661) 내의 압력은 일정하게 유지하도록 조정할 수 있다.The second heating unit (660) further includes a pressure regulator (668). The pressure regulator (668) is installed on the fifth supply line (661e). The pressure regulator (668) is installed downstream from the confluence of the fifth and sixth supply lines (661e, 661f). The pressure regulator (668) is installed downstream from the second pressure sensor (667) on the fifth supply line (661e). The pressure regulator (668) can adjust the pressure in the entire supply line (661) to be kept constant based on the pressure value measured by the second pressure sensor (667) and the pressure value measured by the first pressure sensor (664).
다음, 액 공급 유닛(600)의 개별 라인부(800)를 설명하면, 액 공급 유닛(600)의 개별 라인부(800)는 복수 개로 구성되어 각각이 복수 개의 기판 처리 장치(300) 각각과 연결된다. 이러한 개별 라인부(800)는 복수 개의 기판 처리 장치(300)와 연결되어 기판 처리 장치(300) 각각마다 제어기(900)의 제어 구동에 의해 건조 유체를 토출하게 된다.Next, the individual line section (800) of the liquid supply unit (600) will be described. The individual line section (800) of the liquid supply unit (600) is configured in multiple pieces, each of which is connected to a plurality of substrate processing devices (300). These individual line sections (800) are connected to a plurality of substrate processing devices (300), and each of the substrate processing devices (300) discharges a drying fluid by the control drive of the controller (900).
그에 따라, 액 공급 유닛(600)의 개별 라인부(800)는 개별라인(801), 개별라인측 유량계(802), 개별라인측 유량 조절 밸브(803), 개별라인측 온도 센서(804), 개별라인측 공급 제어밸브(805), 개별라인측 회수 라인(806), 및 개별라인측 회수 밸브(807)를 포함한다.Accordingly, the individual line section (800) of the liquid supply unit (600) includes an individual line (801), an individual line-side flow meter (802), an individual line-side flow control valve (803), an individual line-side temperature sensor (804), an individual line-side supply control valve (805), an individual line-side recovery line (806), and an individual line-side recovery valve (807).
개별라인(801)은 일 단이 제6공급라인(661f)에 연결되고, 타 단이 노즐(430)이 연결된다. 개별라인(801)은 복수 개로 구성되어 복수 개의 기판 처리 장치(300) 각각와 대응하게 연결된다. 이러한 개별라인(801)은 공통 라인부(700)를 통해 순환되는 건조 유체를 노즐(430)측으로 배출되는 경로를 형성하게 된다.The individual line (801) is connected to the sixth supply line (661f) at one end and to the nozzle (430) at the other end. The individual line (801) is configured in multiple pieces and is connected to each of the multiple substrate processing devices (300) in a corresponding manner. The individual line (801) forms a path for discharging the drying fluid circulated through the common line section (700) toward the nozzle (430).
개별라인측 유량계(802)는 개별라인(801)에 설치된다. 개별라인측 유량계(802)는 개별라인(801)의 유량을 측정하여 개별라인(801)을 통해 토출되는 건조 유체의 유량에 대한 정보를 작업자에게 제공하게 된다.The individual line side flow meter (802) is installed in the individual line (801). The individual line side flow meter (802) measures the flow rate of the individual line (801) and provides information on the flow rate of the drying fluid discharged through the individual line (801) to the operator.
개별라인측 유량 조절 밸브(803)는 개별라인(801)에 설치된다. 이 경우, 개별라인측 유량 조절 밸브(803)는 개별라인측 유량계(802)와 노즐(430) 사이에 설치될 수 있다. 이러한 개별라인측 유량 조절 밸브(803)는 조절되는 값에 따라 노즐(430)측으로 토출되는 유량을 조절하게 된다. 따라서, 각각의 기판 처리 장치(300)는 각각마다 설치되는 개별라인측 유량 조절 밸브(803)에 의해 토출되는 유량이 조절될 수 있다. 이 경우, 기판 처리 장치(300)는 처리 공정에 따라 개별라인측 유량 조절 밸브(803)를 조절하여 건조 유체의 토출양을 조절할 수 있다.The individual line-side flow control valve (803) is installed in the individual line (801). In this case, the individual line-side flow control valve (803) may be installed between the individual line-side flow meter (802) and the nozzle (430). The individual line-side flow control valve (803) controls the flow rate discharged to the nozzle (430) side according to the controlled value. Accordingly, the flow rate discharged from each substrate processing device (300) may be controlled by the individual line-side flow control valve (803) installed in each. In this case, the substrate processing device (300) may control the discharge amount of the drying fluid by controlling the individual line-side flow control valve (803) according to the processing process.
개별라인측 온도 센서(804)는 개별라인(801)에 설치된다. 개별라인측 온도 센서(804)는 기판 처리 장치(300) 각각에 공급되는 건조 유체의 온도를 측정하고, 측정된 온도값을 제어기(900)에 전송할 수 있다. 이 경우, 제어기(900)는 개별라인측 온도 센서(804)로부터 건조 유체의 온도값을 입력받아 모니터링 할 수 있으며, 개별라인(801)을 통해 공급되는 건조 유체의 온도값이 기설정된값을 넘는 경우에 경고 알람을 발생시킬 수 있다.The individual line-side temperature sensor (804) is installed in the individual line (801). The individual line-side temperature sensor (804) can measure the temperature of the drying fluid supplied to each substrate processing device (300) and transmit the measured temperature value to the controller (900). In this case, the controller (900) can receive and monitor the temperature value of the drying fluid from the individual line-side temperature sensor (804), and can generate a warning alarm when the temperature value of the drying fluid supplied through the individual line (801) exceeds a preset value.
개별라인측 공급 제어밸브(805)는 개별라인(801)에 설치된다. 이 경우, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 개별라인측 유량 조절 밸브(803)와 노즐(430) 사이에 설치될 수 있다. 이와 같은 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 제어기(900)에 의해 개폐 상태가 제어될 수 있다. 이 경우, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 제어기(900)에 의해 제어되어 기판 처리 장치(300)가 기판(W)을 처리하는 동안에만 개구되도록 제어되어 노즐(430)측으로 건조 유체가 공급되도록 하고, 기판(W)의 미처리시 노즐(430)측으로 건조 유체가 공급되지 않도록 폐구될 수 있다. 이 경우, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 삼방 밸브로 형성됨으로써, 노즐(430)측으로 건조 유체가 공급되지 않도록 폐구되는 경우 건조 유체를 개별라인측 회수 라인(806) 측을 통해 회수되도록 하게 된다.The individual line-side supply control valve (805) is installed in the individual line (801). In this case, the individual line-side supply control valve (805) may be installed between the individual line-side flow rate control valve (803) and the nozzle (430). The open/close state of the individual line-side supply control valve (805) may be controlled by the controller (900). In this case, the individual line-side supply control valve (805) may be controlled by the controller (900) to open only while the substrate processing device (300) processes the substrate (W), thereby supplying the drying fluid to the nozzle (430) side, and may be closed when the substrate (W) is not processed so that the drying fluid is not supplied to the nozzle (430) side. In this case, the individual line side supply control valve (805) is formed as a three-way valve so that when the drying fluid is closed so that it is not supplied to the nozzle (430) side, the drying fluid is recovered through the individual line side recovery line (806).
개별라인측 회수 라인(806)은 개별라인측 공급 제어밸브(805)와 공통 라인부(700)의 제5공급라인(661e) 사이를 연결하게 된다. 이러한 개별라인측 회수 라인(806)은 개별라인측 공급 제어밸브(805)가 노즐(430)측으로 건조 유체가 공급되지 않도록 폐구되는 경우에 건조 유체를 공통 라인부(700)로 회수되는 경로를 형성하게 된다.The individual line side recovery line (806) connects between the individual line side supply control valve (805) and the fifth supply line (661e) of the common line section (700). This individual line side recovery line (806) forms a path for recovering the drying fluid to the common line section (700) when the individual line side supply control valve (805) is closed so that the drying fluid is not supplied to the nozzle (430).
개별라인측 회수 밸브(807)는 개별라인측 회수 라인(806)에 설치된다. 이와 같은 개별라인측 회수 밸브(807)는 제어기(900)에 의해 개구 상태가 제어되며, 기판 처리 장치(300)의 점검이나 공통 라인부(700)의 점검등과 같은 상황이 발생하거나, 일정 횟수 이상 건조 유체를 토출하는 상황이 발생되거나 또는, 건조 유체의 유량을 조절하는 작업이 발생하게 되는 경우, 폐구 상태로 전환되어 건조 유체가 회수되지 않도록 할 수 있다.The individual line side recovery valve (807) is installed in the individual line side recovery line (806). The opening state of the individual line side recovery valve (807) is controlled by the controller (900), and when a situation occurs such as inspection of the substrate processing device (300) or inspection of the common line section (700), or when a situation occurs in which the drying fluid is discharged more than a certain number of times, or when a task of controlling the flow rate of the drying fluid occurs, the valve can be switched to a closed state so that the drying fluid is not recovered.
입자 입경 분포 측정기(810)(Scanning Mobility Particle Sizer : SMPS)는 건조 유체에 분산되어 함유된 입자의 전기적 이동도를 이용하여 크기별로 분리한 뒤, 크기별 입자의 개수 농도를 측정함으로써 입자의 크기분포를 연속적으로 측정할 수 있는 장치이다. 이 경우, 입자 입경 분포 측정기(810)는 건조 유체를 에어로졸화한 후 건조시킴으로서 입자의 크기별로 입자수를 카운팅하여 입자의 크기분포를 측정하게 된다. 이와 같은 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각에서 토출되는 건조 유체를 기설정된 단위 유입량만큼 입력받게 된다. 이 경우, 입자 입경 분포 측정기(810)가 측정하는 입자의 지름은 1 nm 내지 10nm으로 구성될 수 있다. 또한, 입자 입경 분포 측정기(810)는 유기 입자 또는 무기 입자 모두를 검출할 수 있고, 저농도 입자를 검출할 수 있다.The particle size distribution meter (810) (Scanning Mobility Particle Sizer: SMPS) is a device that can continuously measure the size distribution of particles by separating them by size using the electrical mobility of particles dispersed and contained in a dry fluid, and then measuring the number concentration of particles by size. In this case, the particle size distribution meter (810) counts the number of particles by size by aerosolizing and then drying the dry fluid, thereby measuring the size distribution of particles. The particle size distribution meter (810) receives a preset unit inflow amount of the dry fluid discharged from each of the common line section (700) and the individual line sections (800). In this case, the diameter of the particles measured by the particle size distribution meter (810) can be configured to be 1 nm to 10 nm. In addition, the particle size distribution meter (810) can detect both organic particles and inorganic particles, and can detect low-concentration particles.
이와 같은 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)에 연결되어 건조 유체를 공급받게 된다. 예를 들면, 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)의 제6공급라인(661f)과 연결되어 건조 유체를 공급받을 수 있다. 이 경우, 입자 입경 분포 측정기(810)는 제6공급라인(661f)와 연결되는 제7공급라인에 의해 연결되나 제7공급라인의 토출 말단으로부터 건조 유체를 공급받을 수 있다.A particle size distribution measuring device (810) like this is connected to the common line section (700) and receives a drying fluid. For example, the particle size distribution measuring device (810) may be connected to the sixth supply line (661f) of the common line section (700) and receive a drying fluid. In this case, the particle size distribution measuring device (810) is connected by the seventh supply line connected to the sixth supply line (661f), but may receive a drying fluid from the discharge end of the seventh supply line.
또한, 입자 입경 분포 측정기(810)는 개별 라인부(800)와 연결되어 건조 유체를 공급받게 된다. 예를 들면, 입자 입경 분포 측정기(810)는 개별 라인부(800)의 제3노즐(430)의 주변에 설치되는 회수관(450)과 연결될 수 있다. 여기서, 제3노즐(430)은 전술한 바와 같이, 액 토출 유닛(400)의 구동에 의해 위치가 토출 위치가 공정 위치와 대기 위치로 가변되어, 대기 위치에서는 제3노즐(430)의 하부에 회수관(450)이 배치된다. 제3노즐(430)은 노즐을 청소하기 위하여 대기 위치에서 회수관(450)에 주기적으로 건조 유체를 분사하게 되며, 이 경우, 입자 입경 분포 측정기(810)는 회수관(450)을 통해 건조 유체를 공급받을 수 있다.In addition, the particle size distribution measuring device (810) is connected to the individual line section (800) to receive a drying fluid. For example, the particle size distribution measuring device (810) may be connected to a recovery pipe (450) installed around the third nozzle (430) of the individual line section (800). Here, as described above, the third nozzle (430) is driven by the liquid discharge unit (400) so that the discharge position is changed between the process position and the standby position, and the recovery pipe (450) is arranged below the third nozzle (430) in the standby position. The third nozzle (430) periodically sprays a drying fluid into the recovery pipe (450) in the standby position to clean the nozzle, and in this case, the particle size distribution measuring device (810) may receive a drying fluid through the recovery pipe (450).
이와 같이, 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각에 연결된 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각으로부터 기설정된 단위 용량만큼 입력받아 단위 용량만큼의 건조 유체를 샘플링하여, 단위 용량당 입자의 크기 분포를 측정하게 된다. 여기서, 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각에서 흐르는 건조 유체 내의 입자를 지속적으로 측정할 수 있다. 예를 들면, 입자 입경 분포 측정기(810)는 1분에 1회씩 건조 유체의 단위 용량당 입자의 크기 분포를 측정할 수 있다. 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각에 대한 유기 용재 내의 파티클 분포를 지속적으로 측정하여 파티클 분포 데이터를 지속적으로 모니터링하게 된다. 여기서, 입자 입경 분포 측정기(810)는 초순수와 같이 입자의 크기가 건조 유체에 비해 상대적으로 적은 입자를 가지는 기준 분포 데이터(DI)를 포함하고 있다. 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각에 대한 유기 용재의 파티클 분포 데이터를 기준 분포 데이터(DI)와 비교하여 파티클 분포 데이터 내의 입자 크기가 기설정된 범위를 넘어서는 경우 건조 유체가 오염되는 것으로 판단하게 된다. 입자 입경 분포 측정기(810)는 건조 유체가 오염되는 것으로 판단하게 되는 경우, 약액 오염 알람을 발생시키게 된다. 여기서, 약액 오염 알람은 공통 라인부(700)가 오염되는 상태를 나타내는 공통 라인 오염 알람과 개별 라인부(800)의 오염 상태를 나타내는 개별 라인 오염 알람을 발생시킬 수 있다. 이러한 공통 라인 오염 알람과 개별 라인 오염 알람은 기판 처리 장치를 모니터링하는 시스템 상에 디스플레이되거나 경고 음성으로 출력되어 관리자에게 약액이 오염된 것을 알리게 된다. 여기서, 입자 입경 분포 측정기(810)가 공통 라인 오염 알람과 개별 라인 오염 알람을 발생시키게 되면, 제어기(900)로 공통 라인 오염 알람과 개별 라인 오염 알람을 전송시키게 되고, 제어기(900)는 건조 유체가 토출되지 않도록 밸브를 폐구시켜 건조 유체가 기판(W)상에 공급되지 않도록 할 수 있다.In this way, the particle size distribution measuring device (810) connected to each of the common line section (700) and the individual line sections (800) receives a preset unit capacity from each of the common line section (700) and the individual line sections (800), samples the unit capacity of the dry fluid, and measures the size distribution of the particles per unit capacity. Here, the particle size distribution measuring device (810) can continuously measure the particles in the dry fluid flowing in each of the common line section (700) and the individual line sections (800). For example, the particle size distribution measuring device (810) can measure the size distribution of the particles per unit capacity of the dry fluid once per minute. The particle size distribution measuring device (810) continuously measures the particle distribution in the organic solvent for each of the common line section (700) and the individual line sections (800), and continuously monitors the particle distribution data. Here, the particle size distribution meter (810) includes reference distribution data (DI) having particles whose size is relatively small compared to the drying fluid, such as ultrapure water. The particle size distribution meter (810) compares the particle distribution data of the organic solvent for each of the common line section (700) and the individual line sections (800) with the reference distribution data (DI), and determines that the drying fluid is contaminated if the particle size in the particle distribution data exceeds a preset range. If the particle size distribution meter (810) determines that the drying fluid is contaminated, it generates a chemical liquid contamination alarm. Here, the chemical liquid contamination alarm can generate a common line contamination alarm indicating a state in which the common line section (700) is contaminated and an individual line contamination alarm indicating a state in which the individual line section (800) is contaminated. The common line contamination alarm and the individual line contamination alarm are displayed on a system monitoring a substrate processing device or output as a warning voice to notify a manager that the chemical liquid is contaminated. Here, when the particle size distribution measuring device (810) generates a common line contamination alarm and an individual line contamination alarm, the common line contamination alarm and the individual line contamination alarm are transmitted to the controller (900), and the controller (900) can close the valve so that the drying fluid is not discharged, thereby preventing the drying fluid from being supplied onto the substrate (W).
기판 처리 장치(300)는 제어기(900)를 더 포함한다. 제어기(900)는 순환라인(641) 상에 제공된 복수의 개폐밸브(644) 각각을 제어한다. 제어기(900)는 공급라인(661) 상에 제공된 복수의 개폐밸브(669) 각각을 제어한다. 제어기(900)는 제1순환경로 상에 제공되는 개폐밸브(644)와, 제2순환경로 상에 제공되는 개폐밸브(644)와, 제1공급경로 상에 제공되는 개폐밸브(669)와, 제2공급경로 상에 제공되는 개폐밸브(669)를 각각 제어한다. 제어기(900)는 제1순환경로 상에 제공된 개폐밸브(664)와 제2공급경로 상에 제공된 개폐밸브(669)가 동시에 열리거나 닫히도록 제어하고, 제2순환경로 상에 제공된 개폐밸브(664)와 제1공급경로 상에 제공된 개폐밸브(669)가 동시에 열리거나 닫히도록 제어한다. 제어기(900)는 제1순환경로와 제2공급경로 상에 제공된 개폐밸브가 열리도록 제어할 경우, 제2순환경로와 제1공급경로 상에 제공된 개폐밸브는 닫히도록 제어한다. 반대로, 제어기(900)는 제2순환경로와 제1공급경로 상에 제공된 개폐밸브가 열리도록 제어할 경우, 제1순환경로와 제2공급경로 상에 제공된 개폐밸브가 닫히도록 제어한다.The substrate processing device (300) further includes a controller (900). The controller (900) controls each of a plurality of opening/closing valves (644) provided on the circulation line (641). The controller (900) controls each of a plurality of opening/closing valves (669) provided on the supply line (661). The controller (900) controls each of the opening/closing valves (644) provided on the first circulation path, the opening/closing valves (644) provided on the second circulation path, the opening/closing valves (669) provided on the first supply path, and the opening/closing valves (669) provided on the second supply path. The controller (900) controls the opening/closing valve (664) provided on the first circulation path and the opening/closing valve (669) provided on the second supply path to open or close simultaneously, and controls the opening/closing valve (664) provided on the second circulation path and the opening/closing valve (669) provided on the first supply path to open or close simultaneously. When the controller (900) controls the opening/closing valves provided on the first circulation path and the second supply path to open, the opening/closing valves provided on the second circulation path and the first supply path are controlled to close. Conversely, when the controller (900) controls the opening/closing valves provided on the second circulation path and the first supply path to open, the opening/closing valves provided on the first circulation path and the second supply path are controlled to close.
이하에서는, 도 4 및 도 5를 참조하여 액 공급 유닛(600)에서 처리액이 흐르는 이동 과정에 대해 상세히 설명한다.Below, the movement process of the treatment liquid flowing in the liquid supply unit (600) is described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.
도 4 및 도 5은 도 3의 액 공급 유닛을 흐르는 처리액의 이동 과정을 보여주는 도면이다. 더욱 상세히, 도 4는 액 공급 유닛(600)에서 처리액이 제1순환경로 및 제2공급경로로 흐르는 과정을 도시한 도면이고, 도 5는 액 공급 유닛(600)에서 처리액이 제2순환경로 및 제1공급경로로 흐르는 과정을 도시한 도면이다.FIG. 4 and FIG. 5 are drawings showing the movement process of the treatment liquid flowing through the liquid supply unit of FIG. 3. More specifically, FIG. 4 is a drawing showing the process of the treatment liquid flowing through the first circulation path and the second supply path in the liquid supply unit (600), and FIG. 5 is a drawing showing the process of the treatment liquid flowing through the second circulation path and the first supply path in the liquid supply unit (600).
도 4 및 도 5를 참고하면, 제1순환라인(641a), 제2순환라인(641b) 및 제3순환라인(641c)은 제1탱크(621)의 수용공간(621a)에 수용된 건조 유체가 순환되는 제1순환경로를 형성한다. 제3순환라인(641c), 제4순환라인(641d) 및 제5순환라인(641e)은 제2탱크(622)의 수용공간(621a)에 수용된 건조 유체가 순환되는 제2순환경로를 형성한다. 또한, 제1공급라인(661a), 제2공급라인(661b), 제5공급라인(661e) 및 제6공급라인(661f)은 제1공급경로를 형성한다. 제3공급라인(661c), 제4공급라인(661d), 제5공급라인(661e) 및 제6공급라인(661f)은 제2공급경로를 형성한다.Referring to FIGS. 4 and 5, the first circulation line (641a), the second circulation line (641b), and the third circulation line (641c) form a first circulation path through which the drying fluid contained in the receiving space (621a) of the first tank (621) is circulated. The third circulation line (641c), the fourth circulation line (641d), and the fifth circulation line (641e) form a second circulation path through which the drying fluid contained in the receiving space (621a) of the second tank (622) is circulated. In addition, the first supply line (661a), the second supply line (661b), the fifth supply line (661e), and the sixth supply line (661f) form a first supply path. The third supply line (661c), the fourth supply line (661d), the fifth supply line (661e), and the sixth supply line (661f) form the second supply path.
도 4 및 도 5를 참고하면, 제1탱크(612) 내의 건조 유체는 제1순환경로를 따라 순환하면서 비등점 이상의 온도로 가열되고, 이 과정에서 건조 유체 내 용존 기체들이 기포로 탈기되어 배출된다. 제1순환경로를 통한 기포 탈기 과정은 일정 시간동안 지속되며, 탈기 과정이 완료된 건조 유체는 제1탱크(612) 내에 수용된다. 제1탱크(612)는 진공펌프(626)에 의해 수용공간(612a)가 진공 분위기로 형성되고, 이를 통해 기포가 탈기된 건조 유체에 다른 기체가 다시 용해되는 현상을 방지한다. 제2탱크(622) 내의 건조 유체는 제2공급경로를 따라 개별라인(801)으로 흐르게 되고, 개별라인(801)과 연결된 노즐(430)을 통해 기판(W)으로 공급된다. 여기서, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 제어기(900)에 의해 개구된 상태로 제어되어 건조 유체가 노즐(430)측으로 토출되도록 한다. 이때, 제2탱크(622) 내에 수용되는 건조 유체는 기포가 탈기된 상태의 건조 유체일 수 있다. 제2탱크(622) 내의 건조 유체는 제2히터(662)에 의해 비등점 보다 낮는 온도를 유지한 채로 기판(W)으로 공급된다. 건조 유체가 공급라인(661)를 따라 이동되는 과정에서 겪는 국부적인 압력변화(일 예로, 압력 강하)가 발생하더라도, 이미 기포가 탈기된 상태의 건조 유체는 그렇지 않은 건조 유체보다 상대적으로 적은 기포가 발생된다. 이 경우, 기포의 발생량이 적기 때문에, 건조 유체가 기판(W) 상으로 공급되더라도 기판(W) 상 파티클 감소 효과로 이어질 수 있다. 제2탱크(622) 내 수용된 건조 유체가 모두 기판(W) 상으로 공급된 이후에는, 제1탱크(612)에서 기포가 탈기된 상태로 대기하고 있는 건조 유체가 제1공급경로를 따라 개별라인(801)으로 흐르게 되고, 개별라인(801)과 연결된 노즐(430)을 통해 기판(W)으로 공급된다. 여기서, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 제어기(900)에 의해 개구된 상태로 제어되어 건조 유체가 노즐(430)측으로 토출되도록 한다. 비워진 제2탱크(622)에는 다시 건조 유체가 공급되고, 제2순환경로를 통해 기포 탈기 과정이 진행된다. 제2순환경로에 의한 기포 탈기 과정은, 제1순환경로에 의한 기포 탈기 과정과 동일하게 진행된다. 이때 제어기(900)는 제1순환경로 상에 제공된 개폐밸브(644)가 닫히도록 제어하고, 제2순환경로 상에 제공된 개폐밸브(644)가 열리도록 제어한다. 또한, 제어기(900)는 제1공급경로 상에 제공된 개폐밸브(669)가 열리도록 제어하고, 제2공급경로 상에 제공된 개폐밸브(669)가 닫히도록 제어한다. 또한, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 제어기(900)에 의해 폐구된 상태로 제어되어 건조 유체가 노즐(430)측으로 토출되지 않도록 한다.Referring to FIGS. 4 and 5, the drying fluid in the first tank (612) is heated to a temperature higher than the boiling point while circulating along the first circulation path, and during this process, dissolved gases in the drying fluid are degassed as bubbles and discharged. The bubble degassing process through the first circulation path continues for a certain period of time, and the drying fluid from which the degassing process is completed is accommodated in the first tank (612). The first tank (612) has a receiving space (612a) formed into a vacuum atmosphere by a vacuum pump (626), thereby preventing a phenomenon in which another gas is dissolved again in the drying fluid from which the bubbles have been degassed. The drying fluid in the second tank (622) flows to the individual line (801) along the second supply path, and is supplied to the substrate (W) through the nozzle (430) connected to the individual line (801). Here, the individual line-side supply control valve (805) is controlled to be open by the controller (900) so that the drying fluid is discharged toward the nozzle (430). At this time, the drying fluid contained in the second tank (622) may be a drying fluid in a state in which bubbles are removed. The drying fluid in the second tank (622) is supplied to the substrate (W) while maintaining a temperature lower than the boiling point by the second heater (662). Even if a local pressure change (e.g., pressure drop) occurs during the process in which the drying fluid moves along the supply line (661), the drying fluid in a state in which bubbles are already removed generates relatively fewer bubbles than the drying fluid in which the bubbles are not removed. In this case, since the amount of bubbles generated is small, even if the drying fluid is supplied onto the substrate (W), it can lead to a particle reduction effect on the substrate (W). After all of the drying fluid contained in the second tank (622) is supplied onto the substrate (W), the drying fluid waiting in the first tank (612) in a degassed state flows along the first supply path to the individual line (801) and is supplied to the substrate (W) through the nozzle (430) connected to the individual line (801). Here, the supply control valve (805) on the individual line side is controlled to be open by the controller (900) so that the drying fluid is discharged toward the nozzle (430). The drying fluid is supplied again to the emptied second tank (622), and the bubble degassing process is performed through the second circulation path. The bubble degassing process by the second circulation path is performed in the same manner as the bubble degassing process by the first circulation path. At this time, the controller (900) controls the opening/closing valve (644) provided on the first circulation path to close, and controls the opening/closing valve (644) provided on the second circulation path to open. In addition, the controller (900) controls the opening/closing valve (669) provided on the first supply path to open, and controls the opening/closing valve (669) provided on the second supply path to close. In addition, the individual line-side supply control valve (805) is controlled to a closed state by the controller (900) to prevent the drying fluid from being discharged toward the nozzle (430).
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method according to one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 6은 도 3의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.Figure 6 is a flow chart showing a process of processing a substrate using the device of Figure 3.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 케미칼 공급 단계(S100), 린스 단계(S200), 치환 단계(S300), 및 건조 단계(S400)을 더 포함한다.A substrate treatment method according to one embodiment of the present invention further includes a chemical supply step (S100), a rinsing step (S200), a substitution step (S300), and a drying step (S400).
케미칼 공급 단계(S100)에서는 제1노즐(410)을 통해 기판(W) 상으로 케미칼을 토출하여 기판(W) 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질 또는 파티클 등을 제거한다. 예컨대, 케미칼은 기판(W) 상의 형성된 막을 식각 처리하거나, 기판(W) 상에 잔류된 파티클을 제거할 수 있는 액일 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산, 불산, 또는 암모니아를 포함할 수 있다. 린스액은 기판(W) 상에 잔류된 케미칼을 린스 처리할 수 있는 액일 수 있다. In the chemical supply step (S100), a chemical is discharged onto the substrate (W) through the first nozzle (410) to remove metal foreign substances, organic substances, particles, etc. remaining on the substrate (W). For example, the chemical may be a liquid capable of etching a film formed on the substrate (W) or removing particles remaining on the substrate (W). The chemical may be a liquid having the properties of a strong acid or a strong base. The chemical may include sulfuric acid, hydrofluoric acid, or ammonia. The rinse liquid may be a liquid capable of rinsing chemicals remaining on the substrate (W).
린스 단계(S200)에서는 제2노즐(420)을 통해 기판(W) 상으로 순수(DIW)를 토출하여 기판(W) 상에 잔류하는 케미칼을 제거한다.In the rinsing step (S200), pure water (DIW) is ejected onto the substrate (W) through the second nozzle (420) to remove chemicals remaining on the substrate (W).
치환 단계(S300)에서는 제3노즐(430)을 통해 기판(W) 상으로 건조 유체를 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 린스액을 건조 유체로 치환한다. 건조 유체는 린스액 보다 표면장력이 낮는 액일 수 있다. 일 예로, 건조 유체는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다.In the substitution step (S300), a drying fluid is supplied onto the substrate (W) through the third nozzle (430) to replace the rinsing liquid remaining on the substrate (W) with the drying fluid. The drying fluid may be a liquid having a lower surface tension than the rinsing liquid. For example, the drying fluid may be isopropyl alcohol (IPA).
또한, 치환 단계(S300)는 제1가열단계(S320)와 제2가열단계(S340)을 더 포함한다. 제1가열단계(S320)는 건조 유체를 기판에 공급하기 전에 건조 유체의 비등점 이상의 온도로 건조 유체를 가열하여 건조 유체로부터 기포를 탈기한다. 이때, 건조 유체의 비등점 이상의 온도로 건조 유체를 가열하는 것은 탱크(612, 622)에 연결된 순환라인(641)을 통해 건조 유체를 순환시키는 도중에 이루어진다.In addition, the substitution step (S300) further includes a first heating step (S320) and a second heating step (S340). The first heating step (S320) heats the drying fluid to a temperature higher than the boiling point of the drying fluid before supplying the drying fluid to the substrate to remove air bubbles from the drying fluid. At this time, the heating of the drying fluid to a temperature higher than the boiling point of the drying fluid is performed while circulating the drying fluid through a circulation line (641) connected to the tank (612, 622).
제2가열단계(S340)는 제1가열단계(S320) 이후에 비등점 아래의 온도를 가진 건조 유체를 기판에 공급한다. 이 경우, 개별라인측 공급 제어밸브(805)는 제어기(900)에 의해 개구된 상태로 제어되어 건조 유체가 노즐(430)측으로 토출되도록 한다. 제2가열단계(S340)는 건조 유체로부터 기포의 탈기 후, 건조 유체가 기판으로 공급되는 도중에 건조 유체를 2차 가열하되, 2차 가열은 건조 유체의 비등점보다 낮은 온도로 건조 유체를 가열한다. 건조 유체는 이소프로필알코올를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1차 가열 단계(S320) 에서는 이소프로필알코올의 비등점인 83℃ 이상의 온도로 이소프로필알코올을 가열하고 제2차 가열 단계(S340)에서는 이소프로필알코올의 비등점보다 낮은 온도로 이소프로필알코올을 가열한다. 이때, 제2차 가열 단계(S340)에서의 가열 온도는 65 내지 75 ℃인 것이 바람직하다.The second heating step (S340) supplies a drying fluid having a temperature below the boiling point to the substrate after the first heating step (S320). In this case, the individual line-side supply control valve (805) is controlled to be open by the controller (900) so that the drying fluid is discharged toward the nozzle (430). The second heating step (S340) heats the drying fluid secondarily while the drying fluid is supplied to the substrate after degassing bubbles from the drying fluid, and the second heating heats the drying fluid to a temperature lower than the boiling point of the drying fluid. The drying fluid may include isopropyl alcohol. In this case, in the first heating step (S320), the isopropyl alcohol is heated to a temperature higher than 83°C, which is the boiling point of isopropyl alcohol, and in the second heating step (S340), the isopropyl alcohol is heated to a temperature lower than the boiling point of isopropyl alcohol. At this time, the heating temperature in the second heating step (S340) is preferably 65 to 75 ℃.
건조 단계(S400)에서는 기판상에 건조 가스를 공급하여 기판상의 유기용제를 제거할 수 있다. 이 경우, 건조 단계(S400)는 세정 챔버 상에서 액처리된 기판이 메인 로봇(244)에 의해 건조 챔버로 이송되어 기판을 건조시킬 수 있다.In the drying step (S400), a drying gas may be supplied to the substrate to remove the organic solvent on the substrate. In this case, in the drying step (S400), the substrate that has been liquid-treated in the cleaning chamber may be transferred to the drying chamber by the main robot (244) to dry the substrate.
한편, 상기한 치환 단계(S300)에서는 약액 오염 감시단계(S350)를 더 포함하여 진행할 수 있다. 약액 오염 감시단계(S350)에서는 입자 입경 분포 측정기(810)가 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800)를 통해 주기적으로 기설정된 단위 용량만큼 건조 유체를 입력받아 단위 용량만큼의 건조 유체를 샘플링하여, 단위 용량당 입자의 크기 분포를 측정하여 모니터링하게 된다. 이 경우, 약액 오염 감시단계(S350)에서는 입자 입경 분포 측정기(810)가 초순수와 같이 입자의 크기가 건조 유체에 비해 상대적으로 적은 입자를 가지는 기준 분포 데이터(DI)와 지속적으로 샘플링하는 건조 유체의 단위 용량당 입자의 크기 분포 데이터를 비교하게 된다. 도 7 및 도 8를 더 참조하면, 도 7은 기준 분포 데이터(DI)와 샘플링하는 건조 유체의 단위 용량당 입자의 크기 분포 데이터를 중첨시켜 표현한 그래프이고, 도 8은 도 7에 도시된 그래프를 수치값으로 표현한 표이다. 도 7에서 X축은 입자의 크기 분포이고, Y축은 토출량이다. 또한, 도 7의 기준 분포 데이터(DI)는 순수이고, 나머지 그래프들은 개별라인측 공급 제어밸브(805) 내의 다이어프램(Diaphragm)이 손상된 경우 손상된 기간 각각의 그래프(D_1, D_2, D_3, D_10)와 개별라인측 공급 제어밸브(805) 내의 오링(O-Ring)이 손상된 경우 손상된 기간 각각의 그래프(O_1, O_2, O_3, O_10)이다. 이와 같이, 개별라인측 공급 제어밸브(805)가 손상되면, 입자 입경 분포 측정기(810)가 측정한 각각의 손상 그래프들은 순수에 대한 기준 분포 데이터(DI)보다 큰 입자 분포를 형성하는 것을 알 수 있다.Meanwhile, the above-described substitution step (S300) may further include a chemical liquid contamination monitoring step (S350). In the chemical liquid contamination monitoring step (S350), the particle size distribution measuring device (810) periodically receives a preset unit capacity of dry fluid through the common line section (700) and the individual line section (800), samples the unit capacity of dry fluid, and measures and monitors the size distribution of particles per unit capacity. In this case, in the chemical liquid contamination monitoring step (S350), the particle size distribution measuring device (810) compares the reference distribution data (DI) having relatively small particles compared to the dry fluid, such as ultrapure water, with the size distribution data of particles per unit capacity of the continuously sampled dry fluid. Referring further to FIGS. 7 and 8, FIG. 7 is a graph that superimposes the reference distribution data (DI) and the size distribution data of particles per unit capacity of the sampled dry fluid, and FIG. 8 is a table that expresses the graph illustrated in FIG. 7 in numerical values. In Fig. 7, the X-axis is the size distribution of particles, and the Y-axis is the discharge amount. In addition, the reference distribution data (DI) of Fig. 7 is pure water, and the remaining graphs are graphs (D_1, D_2, D_3, D_10) of each damaged period when the diaphragm (Diaphragm) inside the individual line-side supply control valve (805) is damaged, and graphs (O_1, O_2, O_3, O_10) of each damaged period when the O-ring (O-Ring) inside the individual line-side supply control valve (805) is damaged. In this way, it can be seen that when the individual line-side supply control valve (805) is damaged, each of the damage graphs measured by the particle size distribution measuring device (810) forms a particle distribution larger than the reference distribution data (DI) for pure water.
이와 같이, 입자 입경 분포 측정기(810)는 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800) 각각에 대한 건조 유체의 파티클 분포 데이터를 기준 분포 데이터(DI)와 비교하여, 파티클 분포 데이터 내의 입자 크기가 기설정된 범위를 넘어서는 경우 건조 유체가 오염되는 것으로 판단하게 된다. 이때, 입자 입경 분포 측정기(810)는 건조 유체가 오염되는 것으로 판단하게 되는 경우, 약액 오염 알람을 발생시키게 된다.In this way, the particle size distribution measuring device (810) compares the particle distribution data of the drying fluid for each of the common line section (700) and the individual line section (800) with the reference distribution data (DI), and determines that the drying fluid is contaminated if the particle size in the particle distribution data exceeds a preset range. At this time, if the particle size distribution measuring device (810) determines that the drying fluid is contaminated, it generates a liquid contamination alarm.
여기서, 약액 오염 알람은 공통 라인부(700)가 오염되는 상태를 나타내는 공통 라인 오염 알람과 개별 라인부(800)의 오염 상태를 나타내는 개별 라인 오염 알람을 발생시키는 단계(S351)를 더 진행할 수 있다. 입자 입경 분포 측정기(810)가 공통 라인 오염 알람과 개별 라인 오염 알람을 발생시키게 되면, 제어기(900)로 공통 라인 오염 알람과 개별 라인 오염 알람을 전송시키게 되고, 제어기(900)는 건조 유체가 토출되지 않도록 공통 라인부(700)와 개별 라인부(800)의 약액 토출과 연관되는 밸브를 폐구시켜 건조 유체가 기판(W)상에 공급되지 않도록 하는 단계(S352)를 더 진행할 수 있다.Here, the liquid contamination alarm may further proceed with a step (S351) of generating a common line contamination alarm indicating a state in which the common line section (700) is contaminated and an individual line contamination alarm indicating a state in which the individual line section (800) is contaminated. When the particle size distribution measuring device (810) generates a common line contamination alarm and an individual line contamination alarm, the common line contamination alarm and the individual line contamination alarm are transmitted to the controller (900), and the controller (900) may further proceed with a step (S352) of closing a valve associated with the liquid discharge of the common line section (700) and the individual line section (800) so that the drying fluid is not discharged so that the drying fluid is not supplied onto the substrate (W).
이후, 관리자는 공통 라인 오염 알람이 발생된 경우, 제1가열유닛(640) 및 제2가열유닛(660)의 계통을 점검하여 수리를 진행하고, 개별 라인 오염 알람이 발생된 경우 개별라인(801), 개별라인측 유량계(802), 개별라인측 유량 조절 밸브(803), 개별라인측 온도 센서(804), 개별라인측 공급 제어밸브(805), 개별라인측 회수 라인(806), 및 개별라인측 회수 밸브(807)를 점검하여 수리를 진행하게 된다. 이와 같이, 기판은 약액의 오염시 약액의 공급이 중지되고, 이때, 관리자는 약액의 오염시 즉각적으로 공통 라인부(700) 및 개별 라인부(800) 어느 곳에서 문제를 발생하였는지를 파악하여 점검을 진행할 수 있다.Thereafter, if a common line contamination alarm occurs, the manager inspects and repairs the systems of the first heating unit (640) and the second heating unit (660), and if an individual line contamination alarm occurs, the manager inspects and repairs the individual line (801), the individual line-side flow meter (802), the individual line-side flow control valve (803), the individual line-side temperature sensor (804), the individual line-side supply control valve (805), the individual line-side recovery line (806), and the individual line-side recovery valve (807). In this way, if the substrate is contaminated with the chemical solution, the supply of the chemical solution is stopped, and at this time, the manager can immediately determine where the problem occurred in the common line section (700) and the individual line section (800) when the chemical solution is contaminated and proceed with the inspection.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, the present invention has been described by specific matters such as specific components, limited examples, and drawings, but these have been provided only to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above examples, and those with common knowledge in the field to which the present invention pertains can make various modifications and variations from this description.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the idea of the present invention should not be limited to the described embodiments, and all things that are equivalent or equivalent to the claims described below as well as the claims are considered to belong to the scope of the idea of the present invention.
10 : 인덱스 모듈
20 : 공정 처리 모듈
310 : 챔버
320 : 처리 용기
340 : 스핀 헤드
360 : 승강 유닛
400 : 액 토출 유닛
500 : 기류 형성 유닛
600 : 액 공급 유닛
700 : 공통 라인부
800 : 개별 라인부
810 : 입자 입경 분포 측정기
900 : 제어기10: Index module 20: Process processing module
310: Chamber 320: Processing vessel
340 : Spin head 360 : Lifting unit
400: Liquid discharge unit 500: Air flow forming unit
600: Liquid supply unit 700: Common line section
800: Individual line section 810: Particle size distribution measuring device
900 : Controller
Claims (10)
처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 약액을 액상으로 토출하는 액 토출 유닛;
상기 액 토출 유닛으로 약액을 공급하는 액 공급 유닛; 및
상기 액 공급 유닛에 연결되며 상기 약액에 분산되어 함유된 입자의 전기적 이동도를 이용하여 크기별로 분리한 뒤, 크기별 입자의 개수 농도를 측정함으로써 입자의 크기분포를 측정하는 입자 입경 분포 측정기; 를 포함하는, 기판 처리 장치.
In a device for processing a substrate,
A chamber having a processing space;
A support unit that supports and rotates a substrate in the above processing space;
A liquid discharging unit that discharges a liquid in a liquid form onto a substrate supported by the above-mentioned support unit;
A liquid supply unit for supplying a liquid to the above liquid discharge unit; and
A substrate processing device, comprising: a particle size distribution measuring device that is connected to the liquid supply unit and measures the size distribution of particles by separating particles by size using the electrical mobility of particles dispersed and contained in the liquid, and then measuring the number concentration of particles by size.
상기 액 공급 유닛은,
상기 약액을 순환시키는 공통 라인부; 및
상기 공통 라인부와 상기 액 토출 유닛 사이에 연결되어 상기 공통 라인부의 약액을 상기 액 토출 유닛으로 공급하는 개별 라인부; 를 포함하며,
상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 공통 라인부와 상기 개별 라인부 각각에 연결되어 약액을 각각 공급받아 상기 입자의 크기분포를 측정하는, 기판 처리 장치.
In the first paragraph,
The above liquid supply unit,
A common line section for circulating the above-mentioned liquid; and
An individual line section connected between the common line section and the liquid discharge unit to supply the liquid from the common line section to the liquid discharge unit;
The above particle size distribution measuring device is a substrate processing device, which is connected to each of the common line section and the individual line sections to receive a chemical solution and measure the size distribution of the particles.
상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 입자의 크기분포를 기설정된 주기로 지속적으로 측정하는, 기판 처리 장치.
In the second paragraph,
The above particle size distribution measuring device is a substrate processing device that continuously measures the size distribution of the particles at a preset cycle.
상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 입자의 크기분포를 측정시 기저장된 기준 분포 데이터와 비교하여 측정된 입자의 크기분포가 상기 기준 분포 데이터의 기설정된 범위를 넘어서는 경우 약액 오염 알람을 발생시키는, 기판 처리 장치.
In the third paragraph,
The above particle size distribution measuring device is a substrate processing device that generates a liquid contamination alarm when the size distribution of the particles is measured and compared with the stored reference distribution data and the measured particle size distribution exceeds the preset range of the reference distribution data.
상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 공통 라인부의 오염시 공통 라인 오염 알람을 발생시키고, 상기 개별 라인부의 오염시 개별 라인 오염 알람을 발생시키는, 기판 처리 장치.
In paragraph 4,
A substrate processing device wherein the above particle size distribution measuring device generates a common line contamination alarm when the common line section is contaminated, and generates an individual line contamination alarm when the individual line sections are contaminated.
상기 액 토출 유닛 가운데 상기 약액을 토출하는 밸브의 개폐를 제어하는 제어기; 를 더 포함하며,
상기 입자 입경 분포 측정기는 상기 개별 라인 오염 알람을 상기 제어기로 전송하고,
상기 제어기는 상기 개별 라인 오염 알람을 입력받은 경우 상기 약액을 토출하는 밸브를 닫힌 상태로 전환하여 상기 약액이 토출되지 않도록 하는, 기판 처리 장치.
In paragraph 5,
It further includes a controller that controls the opening and closing of the valve discharging the liquid among the liquid discharging units;
The above particle size distribution measuring device transmits the individual line contamination alarm to the controller,
A substrate processing device, wherein the controller, when receiving the individual line contamination alarm, switches the valve discharging the chemical liquid to a closed state to prevent the chemical liquid from being discharged.
상기 액 공급 유닛은,
상기 약액이 상기 액 토출 유닛에 의해 상기 기판 상으로 공급되기 전에 상기 처리액을 상기 처리액의 비등점 이상의 온도로 가열하는 제1가열유닛; 및
비등점 이상의 온도로 가열된 처리액을 상기 비등점보다 낮은 온도로 가열하여 상기 액 토출 유닛에 공급하는 제2가열유닛; 을 포함하는, 기판 처리 장치.
In the first paragraph,
The above liquid supply unit,
A first heating unit that heats the treatment liquid to a temperature higher than the boiling point of the treatment liquid before the treatment liquid is supplied onto the substrate by the liquid discharge unit; and
A substrate processing device, comprising: a second heating unit for heating a processing liquid heated to a temperature higher than a boiling point to a temperature lower than the boiling point and supplying the heated processing liquid to the liquid discharge unit.
상기 제1가열유닛은,
탱크에 수용된 처리액을 순환시키는 순환라인; 및
상기 순환라인 상에 설치되어 상기 순환라인의 내부를 이동하는 처리액을 상기 비등점 이상의 온도로 가열시키는 제1히터; 를 포함하고,
상기 제2가열유닛은,
상기 액 토출 유닛과 연결되는 공급라인; 및
상기 공급라인 상에 설치되어 상기 공급라인의 내부를 이동하는 처리액을 상기 비등점 보다 낮은 온도로 가열시키는 제2히터; 를 포함하고,
상기 액 토출 유닛에 의해 상기 기판 상으로 공급되는 처리액은 상기 비등점 보다 낮은 온도로 제공되는, 기판 처리 장치.
In Article 7,
The above first heating unit,
A circulation line for circulating the treatment liquid contained in the tank; and
A first heater installed on the circulation line and heating the treatment liquid moving inside the circulation line to a temperature higher than the boiling point;
The above second heating unit,
a supply line connected to the above liquid discharge unit; and
A second heater installed on the supply line and heating the treatment liquid moving inside the supply line to a temperature lower than the boiling point;
A substrate treatment device, wherein the treatment liquid supplied onto the substrate by the liquid discharge unit is provided at a temperature lower than the boiling point.
상기 약액은 이소프로필알코올(IPA)로 형성되는, 기판 처리 장치.
In Article 8,
A substrate treatment device wherein the above-mentioned liquid is formed of isopropyl alcohol (IPA).
제2노즐을 통해 기판 상으로 순수(DIW)를 토출하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 단계; 및
제3노즐을 통해 기판 상으로 건조 유체를 공급하여 기판 상에 잔류하는 린스액을 건조 유체로 치환하는 치환단계; 를 포함하며,
상기 치환단계에서는 입자 입경 분포 측정기가 공통 라인부와 개별 라인부를 통해 주기적으로 기설정된 단위 용량만큼 상기 건조 유체를 입력받아 단위 용량만큼의 건조 유체를 샘플링하여, 단위 용량당 입자의 크기 분포를 측정하여 모니터링하는 약액 오염 감시단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
A chemical supply step for removing metal foreign substances, organic substances, particles, etc. remaining on the substrate by discharging chemicals onto the substrate through the first nozzle;
A rinsing step for removing chemicals remaining on the substrate by ejecting pure water (DIW) onto the substrate through the second nozzle; and
A substitution step for supplying a drying fluid onto the substrate through a third nozzle to replace the rinsing liquid remaining on the substrate with the drying fluid;
A substrate treatment method, wherein in the above substitution step, a particle size distribution measuring device further includes a liquid contamination monitoring step in which the particle size distribution measuring device periodically receives a preset unit capacity of the drying fluid through a common line section and an individual line section, samples the drying fluid in the unit capacity, and measures and monitors the particle size distribution per unit capacity.
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20230926 |
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PG1501 | Laying open of application |